KR20140139757A - Shift circuit, shift resistor and display - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 시프트 회로, 이 시프트 회로를 구비하는 시프트 레지스터 및 이 시프트 레지스터를 구비하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift circuit, a shift register including the shift circuit, and a display device including the shift register.
박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 이용한 게이트 드라이버에 의해 유기EL소자(Organic Light Emitting Device : OLED)나 액정표시장치(Liquid Cristal Display : LCD)를 액티브 구동하여 화상을 표시하는 표시장치의 개발 및 사용이 일반화되고 있다.Development of a display device for displaying an image by actively driving an organic EL element (OLED) or a liquid crystal display (LCD) by a gate driver using a thin film transistor (TFT) Use is becoming common.
액티브 구동형 표시장치는 행 단위로 배열된 각 화소(pixel)를 스위칭하는 화소 회로를 선택하는 게이트 드라이버를 구비하며, 이 게이트 드라이버에는 통상 시프트 레지스터가 이용되고 있다.The active driving type display device includes a gate driver for selecting a pixel circuit for switching each pixel arranged in a row unit, and a shift register is usually used for the gate driver.
이와 같은 시프트 레지스터로는 이른바 톰슨 타입(Thomson Type)이라고 불리는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 사용한 게이트 드라이버가 알려져 있다(비 특허문헌 1).As such a shift register, there is known a gate driver using an amorphous silicon thin film transistor called Thomson type (Non-Patent Document 1).
도 1은 비 특허문헌 1에 기재된 종래의 시프트 레지스터의 구성을 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional shift register disclosed in Non-Patent
도 1의 시프트 레지스터는 비정질 실리콘으로 이루어지는 트랜지스터(T1 내지 T4)를 구비하며, 입력단자(IN)에 스타트신호가 입력되면 트랜지스터(T1)이 온이 되어서 전하가 P점에 충전되면서 트랜지스터(T3)의 게이트에는 트랜지스터(T1)의 문턱 전압(threshold voltage) 만큼 감소한 전압이 인가되고, 이때 클록 단자에 인가되는 클록 신호(CLK)가 Low 레벨에서 High 레벨로 바뀌면 플로팅(floating) 상태를 유지하고 있던 P점의 전압이 트랜지스터(T3)의 기생용량(Cgd, Cgs)에 의해 커플링 간섭을 받으며, 이에 따라 P점은 높은 문턱 전압으로 부트스트랩(bootstrap) 된다. 따라서 클록 신호(CLK)가 출력 단자(OUT)를 통해서 출력되게 된다.When the start signal is inputted to the input terminal IN, the transistor T1 is turned on and the transistor T3 is charged while the charge is charged to the point P. The transistor T1 is turned on when the start signal is inputted to the input terminal IN, A voltage reduced by the threshold voltage of the transistor T1 is applied to the gate of the transistor T1 and when the clock signal CLK applied to the clock terminal is changed from the low level to the high level, The voltage of the point is subjected to coupling interference by the parasitic capacitances Cgd and Cgs of the transistor T3 so that the P point is bootstrapped to a high threshold voltage. Therefore, the clock signal CLK is output through the output terminal OUT.
그리고 다음 단의 출력이 리셋 단자(RST)에 입력되면 트랜지스터(T2) 및 트랜지스터(T4)가 온이 되어서 P점에 충전된 전하와 출력 단(OUT)의 전하는 리셋 신호의 펄스 폭 기간 동안만 방전되고, 그 다음 주기까지 플로팅 상태를 유지한다.When the output of the next stage is inputted to the reset terminal RST, the transistors T2 and T4 are turned on, so that the electric charges charged at the point P and the output terminal OUT are discharged only during the pulse width of the reset signal And remains in a floating state until the next period.
한편, 최근 들어 표시장치의 소형화, 경량화, 고해상도화 및 저 전력구동이 강하게 요구되고 있고, 나아가서는 표시장치의 구동회로에는 산화물 박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transister)를 이용한 표시장치가 부각되고 있으며, 산화물 TFT는 비정질 실리콘을 반도체재료로 사용하는 TFT에 비해 이동도가 높고, 온 전류가 크며, 투명하다는 이점이 있으므로 특히 투명 유기EL소자를 화소 회로에 이용하는 표시장치(TOLED)의 TFT용 재료로 채용되고 있다.In recent years, there has been a strong demand for miniaturization, weight reduction, high resolution, and low power driving of a display device. Further, a display device using an oxide thin film transistor (OLT) TFT has advantages in that it has higher mobility and higher on-current and transparency than TFTs using amorphous silicon as a semiconductor material, and is particularly adopted as a material for a TFT of a display device (TOLED) using a transparent organic EL element in a pixel circuit have.
그러나 산화물 TFT는 문턱 전압이 0V보다 낮다는 결정적인 단점이 있어서 회로에 적용하기가 용이하지 않다는 문제가 있다.However, there is a problem in that the oxide TFT has a decisive disadvantage that the threshold voltage is lower than 0 V, which is not easy to apply to a circuit.
예를 들어 도 1의 종래의 시프트 회로를 산화물 트랜지스터로 구성하면, 산화물 반도체재료로 이루어지는 트랜지스터(T1 내지 T4)의 문턱 전압이 0V보다 낮으므로 다음 단의 출력이 리셋 단자(RST)에 입력되어도 트랜지스터(T3)이 완전히 오프가 되지 않고 클록(CLK)이 온, 오프 될 때마다 출력 단(OUT)으로 일부 출력되어 비정상적인 출력전압의 상승이 발생하게 된다는 문제가 있다.For example, if the conventional shift circuit of FIG. 1 is formed of an oxide transistor, the threshold voltage of the transistors Tl to T4 made of an oxide semiconductor material is lower than 0 V, so that even if the output of the next stage is input to the reset terminal RST There is a problem in that an abnormal output voltage is increased when the clock signal T3 is not completely turned off and is partially output to the output terminal OUT every time the clock CLK is turned on or off.
본 발명은 상기 종래기술의 문제점인 시프트 회로가 리셋 상태에서도 클록의 온 오프에 따라서 출력 단자의 출력이 비정상적으로 상승하는 문제를 방지하기 위한 시프트 회로 및 이 시프트 회로를 구비하는 시프트 레지스터, 이 시프트 레지스터를 구비하는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a shift circuit for preventing a problem that the output of the output terminal abnormally rises in accordance with the on / off state of the clock even when the shift circuit is in the reset state, And a display device including the display device.
또, 본 발명은 문턱 전압이 0V 이하에서도 확실하게 동작할 수 있는 시프트 회로 및 이 시프트 회로를 구비하는 시프트 레지스터, 이 시프트 레지스터를 구비하는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is still another object of the present invention to provide a shift circuit which can reliably operate even at a threshold voltage of 0 V or less, a shift register provided with this shift circuit, and a display device provided with this shift register.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 시프트 회로는, 종속 접속된 복수의 시프트 회로로 이루어지는 시프트 레지스터의 시프트 회로로, 앞 단의 출력신호가 입력신호로서 공급되는 입력단자와 다음 단의 출력신호가 리셋 신호로서 공급되는 리셋 단자 및 제 1 노드를 가지며, 상기 입력단자에 상기 입력신호가 공급된 때에 상기 제 1 노드의 전위를 상기 입력신호의 레벨에 따른 전위로 설정하는 입력회로와, 제 2 노드와 제 1 단자를 가지며, 상기 제 1 노드의 전위가 공급되어서 상기 제 2 노드의 전위를 상기 제 1 노드의 전위를 반전시킨 전위로 하는 인버터회로와, 클록 신호가 공급되는 클록 단자와 상기 출력신호를 출력하는 출력단자를 가지며, 상기 제 1 노드의 전위와 상기 제 2 노드의 전위가 공급되어 상기 출력신호의 전위를 상기 클록 신호에 따른 전위로 하는 출력회로를 구비하며, 상기 인버터회로는, 게이트 단자가 상기 리셋 단자에 접속되고 상기 제 1 노드와 상기 제 1 단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 1 트랜지스터와, 게이트 단자가 상기 제 1 노드에 접속되고 상기 제 2 노드와 상기 제 1 단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 2 트랜지스터를 구비한다.A shift circuit according to the present invention for solving the above problems is a shift circuit of a shift register composed of a plurality of cascade-connected shift circuits. The shift circuit includes an input terminal to which the output signal of the preceding stage is supplied as an input signal, An input circuit having a reset terminal supplied as a signal and a first node and setting the potential of the first node to a potential corresponding to the level of the input signal when the input signal is supplied to the input terminal; An inverter circuit having a first terminal and being supplied with a potential of the first node so that the potential of the second node is a potential that inverts the potential of the first node; a clock terminal to which a clock signal is supplied; The potential of the first node and the potential of the second node are supplied so that the potential of the output signal is connected to the clock signal Wherein the inverter circuit includes a first transistor having a gate terminal connected to the reset terminal and forming a current path between the first node and the first terminal, And a second transistor connected to the node and forming a current path between the second node and the first terminal.
상기 시프트 회로를 구성하는 각 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 제 1 단자는 상기 시프트 회로를 구성하는 산화물 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전위로 설정해도 좋다.Each of the transistors constituting the shift circuit may be constituted by an oxide thin film transistor and the first terminal may be set to a potential lower than the threshold voltage of the oxide thin film transistor constituting the shift circuit.
상기 입력회로는 상기 입력단자에 상기 입력신호가 공급된 때에 온 하여 상기 제 1 노드의 전위를 상기 입력신호의 레벨에 따른 전위로 설정하는 제 3 트랜지스터와, 상기 리셋 단자에 상기 리셋 신호가 공급된 때에 온 하여 상기 제 1 노드의 전위를 반전시키는 제 4 트랜지스터를 포함하는 것으로 해도 좋다.Wherein the input circuit is turned on when the input signal is supplied to the input terminal and sets a potential of the first node to a potential corresponding to the level of the input signal; And a fourth transistor which is turned on to invert the potential of the first node.
상기 출력회로는 게이트 단자가 상기 제 1 노드에 접속되고 상기 클록 단자와 상기 출력단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 5 트랜지스터와, 게이트 단자가 상기 제 2 노드에 접속되고 상기 제 1 단자와 상기 출력단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 것으로 해도 좋다.The output circuit comprising: a fifth transistor having a gate terminal connected to the first node and forming a current path between the clock terminal and the output terminal; a gate terminal connected to the second node, And a sixth transistor which forms a current path between the terminals.
본 발명의 시프트 레지스터는, 종속 접속된 복수의 시프트 회로로 이루어지는 복수 단의 시프트 레지스터로, 상기 복수의 시프트 회로 각각은 상기 어느 하나의 시프트 회로로 이루어지는 시프트 레지스터이다.The shift register of the present invention is a shift register of a plurality of stages composed of a plurality of cascade-connected shift circuits, and each of the plurality of shift circuits is a shift register composed of any one of the above-mentioned shift circuits.
본 발명의 표시장치는, 발광소자를 구비하며, 행렬 형태로 배치된 복수의 화소 회로와, 상기 시프트 레지스터를 포함하며, 상기 시프트 레지스터에 포함되는 시프트 회로의 출력신호를 행을 선택하는 행 선택신호로서 각 행 단위로 공급하여 상기 복수의 화소 회로를 행 단위로 선택하는 행 선택 드라이버를 구비하는 표시장치이다.A display device of the present invention is a display device including a plurality of pixel circuits arranged in a matrix and having a light emitting element and a plurality of pixel circuits including the shift register, And a row selection driver for supplying the plurality of pixel circuits in units of a row and selecting the plurality of pixel circuits in a row unit.
상기 구성을 갖는 본 발명의 시프트 회로에 의하면 문턱 전압이 0V보다 낮은 트랜지스터로 시프트 회로를 구성하는 경우, 리셋 상태에서 클록 신호의 온 오프에 따라서 출력단자의 출력이 비정상적으로 상승하는 문제를 방지할 수 있고, 동시에 시프트 회로의 출력 시에 기준전압 단과 출력단을 확실하게 분리할 수 있어서 클록 신호가 정확하게 출력단자로 출력할 수 있으므로, 시프트 레지스터의 동작의 안정성을 확보할 수 있고, 특히 문턱 전압이 0V보다 낮은 산화물 박막 트랜지스터로 시프트 회로를 구성하는 경우에 동작의 안정성을 확보할 수 있다.According to the shift circuit of the present invention having the above configuration, when a shift circuit is constituted by a transistor whose threshold voltage is lower than 0 V, it is possible to prevent the problem that the output of the output terminal abnormally rises in accordance with the on / off state of the clock signal in the reset state At the same time, the reference voltage stage and the output stage can be surely separated at the time of outputting the shift circuit, so that the clock signal can be accurately outputted to the output terminal. Therefore, stability of operation of the shift register can be ensured. The stability of operation can be ensured in the case of configuring a shift circuit with a low oxide thin film transistor.
도 1은 종래의 시프트 레지스터의 시프트 회로의 구성을 나타내는 회로도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치의 구성을 나타내는 도면,
도 3은 도 2의 게이트 드라이버의 시프트 레지스터의 구성을 나타내는 도면,
도 4는 도 3의 각 시프트 회로의 구성을 나타내는 도면,
도 5는 도 4의 시프트 회로의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.1 is a circuit diagram showing a configuration of a shift circuit of a conventional shift register,
2 is a diagram showing a configuration of a display device according to a preferred embodiment of the present invention,
3 is a diagram showing a configuration of a shift register of the gate driver of FIG. 2,
4 is a diagram showing the configuration of each shift circuit of Fig. 3,
5 is a timing chart showing the operation of the shift circuit of Fig.
이하 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
이하의 설명에서는 본 실시형태의 표시장치는 복수의 화소를 가지며, 각 화소는 발광소자로 유기 전계 발광소자(이하, 「유기EL소자」라고 한다)를 구비한 표시장치로 하여 설명한다.In the following description, the display device of the present embodiment has a plurality of pixels, and each pixel is a display device provided with an organic electroluminescent element (hereinafter referred to as " organic EL element ") as a light emitting element.
본 발명의 바람직한 실시형태의 표시장치의 구성을 도 2에 나타낸다.Fig. 2 shows a configuration of a display device according to a preferred embodiment of the present invention.
본 실시형태와 표시장치(1)는 도 2 (a)에 나타내는 것과 같이 n행, m열의 복수의 화소 회로(11(i, j))(i=1~m, j=1~n, m, n은 각각 자연수)와 게이트 드라이버(행 선택 드라이버)(12)와 애노드 드라이버(13)와 데이터 드라이버(14) 및 컨트롤러(15)를 구비한다.As shown in Fig. 2A, the
화소 회로(11(i, j))는 화상의 각 화소에 대응하는 것으로, 행렬형태로 배치되며, 도 2 (b)에 나타내는 것과 같이 유기EL소자(101)와 2개의 트랜지스터(T11, T12) 및 커패시터(C1)를 구비한다.The pixel circuit 11 (i, j) corresponds to each pixel of the image and is arranged in a matrix form. As shown in Fig. 2 (b), the
커패시터(C1)는 트랜지스터(T12)의 게이트와 소스 사이에 배치된 커패시터이다.Capacitor C1 is a capacitor disposed between the gate and source of transistor T12.
유기EL소자(101)는 화소 전극(애노드 전극)과 단수 혹은 복수의 캐리어 수송 층으로 이루어지는 유기 EL 층 및 대향 전극이 순차 적층된 구조를 갖는 표시소자이며, 대향 전극(캐소드 전극)에는 음극 전위(Vcath)가 인가되고 있다.The
트랜지스터(T11, T12)는 n채널형 FET(Field Effect Transistor)로 구성된 TFT이고, 드레인, 소스 및 게이트를 가지며, 드레인과 소스 간에는 반도체 층이 설치되어, 드레인-소스 간에 소정의 바이어스 전압이 인가되는 동시에 게이트에 문턱 전압보다 큰 전압이 인가된 때 반도체 층 내에 채널이 형성되어서, 이 채널이 드레인-소스 간의 전류통로가 된다.The transistors T11 and T12 are TFTs composed of n-channel FETs (Field Effect Transistors) and have drains, sources, and gates. A semiconductor layer is provided between the drains and the sources, and a predetermined bias voltage is applied between the drains and the sources At the same time, when a voltage larger than the threshold voltage is applied to the gate, a channel is formed in the semiconductor layer, and this channel becomes a current path between the drain and the source.
트랜지스터(T11)는 커패시터(C1)의 일단에 화상 데이터(Data)의 계조를 나타내는 계조 신호(Vdata)를 인가하기 위한 트랜지스터이다. 각 화소 회로(11(i, j))의 트랜지스터(T11)의 소스는 트랜지스터(T12)의 게이트 및 커패시터(C1)의 일단과 접속된다.The transistor T11 is a transistor for applying a gradation signal Vdata representing the gradation of the image data Data to one end of the capacitor C1. The source of the transistor T11 of each pixel circuit 11 (i, j) is connected to the gate of the transistor T12 and one end of the capacitor C1.
화소 회로(11(i, 1), …, 11(i, n))의 트랜지스터(T11)의 드레인은 각각, i번째의 데이터라인(Ldi)에 접속되고, 화소 회로(11(1, j), …, 11(m, j))의 각 트랜지스터(T11)의 게이트는 각각 제 j행째의 게이트 라인(Lgj)에 접속된다.The drains of the transistors T11 of the pixel circuits 11 (i, 1) to 11 (i, n) are connected to the i-th data line Ldi, , ..., 11 (m, j) are connected to the gate line Lgj of the j-th row, respectively.
그리고, 각각의 게이트 라인(Lg1, …, Lgn)에 High 레벨의 신호가 순차 출력되면 화소 회로(11(1, j), …, 11(m, j))의 각 트랜지스터(T11)는 온 하여 데이터 라인(Ld1, …, Ldm)에 각각 입력된 계조 신호(Vdata)를 트랜지스터(T12)의 게이트 및 커패시터(C1)의 일단에 출력한다.Then, when a high-level signal is sequentially outputted to each of the gate lines Lg1, ..., Lgn, each transistor T11 of the pixel circuits 11 (1, j), ..., 11 (m, j) And outputs the gradation signals Vdata respectively inputted to the data lines Ld1, ..., Ldm to the gate of the transistor T12 and one end of the capacitor C1.
트랜지스터(T12)는 계조 신호(Vdata)에 의거한 전류량의 전류를 제어하면서 유기EL소자(101)에 공급하는 트랜지스터이며, 그 게이트가 트랜지스터(T11)의 소스 및 커패시터(C1)의 일단에 접속되고, 드레인은 애노드 라인(Laj)에 접속되며, 소스가 커패시터(C1)의 타단 및 유기EL소자(101)의 애노드에 접속되어 있다.The transistor T12 is a transistor for supplying the
게이트 드라이버(12)는 행 단위로 화소 회로(11(i, j))를 선택하기 위한 드라이버이며, 도 3에 도시하는 것과 같이, 게이트 드라이버(12)에는 컨트롤러(15)로부터 전압 Vss가 인가되고, 또, 스타트신호(St)와 클록 신호(CLK1, CLK2)가 공급된다.The
게이트 드라이버(12)는 스타트신호(St)가 공급되어서 동작을 개시하고, 클록 신호 CLK1, CLK2에 따라서 출력 신호(OUT(1)~(n))를 게이트 라인(Lg1~Lgn)에 순차 출력한다.The
이와 같이 해서 게이트 드라이버(12)는 화소 회로(11(1,1)~11(m, 1), …, 11(1, n)~11(m, n))를 선택한다.Thus, the
이 게이트 드라이버(12)는 도 3에 도시하는 것과 같은 시프트 레지스터를 가지며, 이 시프트 레지스터는 컨트롤러(15)로부터 공급되는 스타트신호(St)에 의해 동작을 개시하고, 클록 신호(CLK1, CLK2)에 동기시켜서 스타트신호(St)를 전송하여 출력신호(OUT(1)~OUT(n))를 순차 출력하는 것이다.The
또, 시프트 레지스터는 제 1단 내지 제 n단의 시프트 회로(21_1~21_n)를 구비하며, 이 시프트 회로(21_1~21_n)는 서로 직렬로 접속되어 있다.The shift register includes first to n-th shift circuits 21_1 to 21_n, which are connected in series with each other.
시프트 회로(21_1~21_n)에는 입력신호(IN[k])(스타트신호(St)를 포함한다)와 클록 신호(CLK1 또는 CLK2)가 공급되며, 공급된 입력신호(IN[k])를 클록 신호(CLK1 또는 CLK2)에 따라서 시프트하여, 시프트 한 신호를 출력신호(OUT[k])(k=1~n)로서 출력하는 것이다.The input signals IN [k] (including the start signal St) and the clock signals CLK1 and CLK2 are supplied to the shift circuits 21_1 to 21_n and the supplied input signals IN [k] And shifts according to the signal CLK1 or CLK2 to output the shifted signal as the output signal OUT [k] (k = 1 to n).
도 4에 나타내는 것과 같이, 각 시프트 회로(21_k(k=1~n))는 입력 단자(IN)와 출력단자(OUT)와 리셋 단자(RST)와 전압 단자(Vss) 및 클록 단자(CLK)를 구비하고 있다.4, each of the shift circuits 21_k (k = 1 to n) includes an input terminal IN and an output terminal OUT, a reset terminal RST, a voltage terminal Vss, and a clock terminal CLK. .
입력단자(IN)는 입력신호(IN[k])가 공급되는 단자이며, 최초의 시프트 회로인 시프트 회로(21_1)의 입력단자(IN)에는 컨트롤러(15)로부터 스타트신호(ST)가 입력 신호(IN(1))로서 공급된다.The input terminal IN is a terminal to which the input signal IN [k] is supplied. The input terminal IN of the shift circuit 21_1 which is the first shift circuit receives the start signal ST from the
또, 출력단자(OUT)는 출력신호(OUT[k])를 출력하는 단자이며, 게이트 라인(Lgk)에 접속되어 있다. 시프트 회로(21_2~21_n)의 각 입력단자는 각각 앞의 단의 시프트 회로(21_1~21_(n-1))의 출력단자(OUT)에 접속된다.The output terminal OUT is a terminal for outputting the output signal OUT [k] and connected to the gate line Lgk. The respective input terminals of the shift circuits 21_2 to 21_n are connected to the output terminals OUT of the shift circuits 21_1 to 21_ (n-1) at the preceding stages, respectively.
리셋 단자(RST)는 리셋 신호(RST[k])가 공급되는 단자이며, 각 시프트 회로(21_1~21_(n-1))의 리셋 단자(RST)는 각각 다음 단의 시프트 회로(21_2~21_n)의 출력단자(OUT)에 접속되어서, 출력신호(OUT(2)~OUT(n))가 리셋 신호(RST(1)~RST(n-1))로서 공급된다.The reset terminal RST is a terminal to which the reset signal RST [k] is supplied and the reset terminal RST of each of the shift circuits 21_1 to 21_ (n-1) is connected to the shift circuits 21_2 to 21_n And the output signals OUT (2) to OUT (n) are supplied as reset signals RST (1) to RST (n-1).
클록 단자(CLK)는 클록 신호(CLK1 또는 CLK2)가 공급되는 단자이며, 홀수 단인 시프트 회로(21_k)의 클록 단자(CLK)에는 컨트롤러(15)로부터 클록 신호(CLK1)가 공급되고, 또, 짝수 단인 시프트 회로(21_(k+1))의 클록 단자(CLK)에는 컨트롤러(15)로부터 클록 신호(CLK2)가 공급된다.The clock terminal CLK is a terminal to which the clock signal CLK1 or CLK2 is supplied and the clock signal CLK1 is supplied from the
기준전압단자(Vss)는 기준전압으로서의 Low 레벨의 전압이 인가되는 단자이며, 기준전압으로서의 Low 레벨의 전압은 본 실시형태의 각 시프트 회로를 구성하는 트랜지스터(T21~T26)가 산화물 트랜지스터로 구성되는 경우에는 산화물 트랜지스터의 문턱 전압을 고려하여, 산화물 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전압인 것이 바람직하다.The reference voltage terminal Vss is a terminal to which a Low level voltage is applied as a reference voltage and the Low level voltage as a reference voltage is a voltage at which the transistors T21 to T26 constituting each shift circuit of this embodiment are composed of oxide transistors It is preferable that the threshold voltage of the oxide transistor is lower than the threshold voltage of the oxide transistor, considering the threshold voltage of the oxide transistor.
시프트 회로(21_k)는 트랜지스터 T21-T26을 구비하고 있다. 트랜지스터(T21-T26)는 산화물 박막 트랜지스터로 이루어지는 n채널형의 FET로 구성된다.The shift circuit 21_k includes transistors T21 to T26. The transistors T21 to T26 are composed of an n-channel type FET composed of an oxide thin film transistor.
트랜지스터(T21-T26)는 드레인, 소스 및 게이트를 가지며, 드레인과 소스 간에는 반도체 층이 설치되어 있고, 드레인-소스 간에 소정의 바이어스 전압이 인가되고, 게이트에 임계치 전압보다 큰 전압이 인가되면 반도체 층 중에 채널이 형성되어서, 이 채널이 드레인- 소스 간의 전류통로가 된다.The transistors T21 to T26 have a drain, a source, and a gate. A semiconductor layer is provided between the drain and the source. When a predetermined bias voltage is applied between the drain and the source and a voltage greater than the threshold voltage is applied to the gate, A channel is formed, and this channel becomes a current path between the drain and the source.
트랜지스터(T21)는 입력단자(IN)에 공급되는 입력신호(IN[k])의 신호 레벨에 따라서 노드 Q의 전위를 결정하기 위한 트랜지스터이며, 이 트랜지스터(T21)의 게이트와 드레인은 입력단자(IN)에 접속되고, 노드 Q는 신호 출력단으로서의 트랜지스터(T21)의 소스에 접속된 접속점이다.The transistor T21 is a transistor for determining the potential of the node Q in accordance with the signal level of the input signal IN [k] supplied to the input terminal IN. The gate and the drain of the transistor T21 are connected to the input terminal IN IN, and the node Q is a connection point connected to the source of the transistor T21 as a signal output terminal.
트랜지스터(T23)는 리셋 단자(RST)에 공급되는 High 레벨의 신호에 의해 시프트 회로(21_k)를 리셋하기 위한 트랜지스터이며, 이 트랜지스터(T23)의 게이트와 드레인은 리셋 단자(RST)에 접속되고, 소스는 노드(QB)를 통해서 트랜지스터(T24)와 트랜지스터(T26)의 게이트 및 트랜지스터(T25)의 드레인 측과 접속되어 있다.The transistor T23 is a transistor for resetting the shift circuit 21_k by a high level signal supplied to the reset terminal RST. The gate and the drain of the transistor T23 are connected to the reset terminal RST, The source is connected to the gate of the transistor T24 and the transistor T26 through the node QB and the drain side of the transistor T25.
여기서, 노드(QB)는 노드(Q)와는 반대 극성의 전위를 갖는 반전단자이며, 트랜지스터(T21)와 트랜지스터(T23)는 본 발명의 입력회로에 상당한다.Here, the node QB is an inverting terminal having a potential of the opposite polarity to the node Q, and the transistor T21 and the transistor T23 correspond to the input circuit of the present invention.
트랜지스터(T24) 및 트랜지스터(T25)는 노드(Q)의 전위와 노드(QB)의 전위를 서로 역의 관계를 갖는 전위로 반전시키는 인버터회로(INV)를 구성한다.The transistor T24 and the transistor T25 constitute an inverter circuit INV which inverts the potential of the node Q and the potential of the node QB to a potential having an inverse relationship with each other.
트랜지스터(T24)는 리셋 단자(RST)의 입력에 따라서 노드(Q)의 전위를 반전시키며, 트랜지스터(T24)의 게이트는 트랜지스터(T23)의 소스 측과 접속되고, 드레인은 노드(Q)에, 소스는 기준전압단자(Vss)에 각각 접속되어 있다.The transistor T24 inverts the potential of the node Q in accordance with the input of the reset terminal RST and the gate of the transistor T24 is connected to the source side of the transistor T23, And the sources are connected to the reference voltage terminal Vss, respectively.
트랜지스터(T25)는 노드(Q)의 전위에 따라서 노드(QB)의 전위를 제어하기 위한 트랜지스터이며, 트랜지스터(T25)의 게이트는 노드(Q)에, 드레인은 노드(QB)에, 소스는 기준전압단자(Vss)에 각각 접속된다.The transistor T25 is a transistor for controlling the potential of the node QB according to the potential of the node Q. The gate of the transistor T25 is connected to the node Q, the drain is connected to the node QB, Voltage terminal Vss, respectively.
트랜지스터(T24, T25)에 의해 구성되는 인버터회로(INV)에 의해 노드(Q)와 노드(QB)의 전위는 상보적으로 High 레벨(온 레벨)과 Low 레벨(오프 레벨)로 스위칭되며, 한쪽이 High 레벨이 되면 다른 쪽은 Low 레벨이 된다.The potentials of the node Q and the node QB are complementarily switched to the high level (on level) and the low level (off level) by the inverter circuit INV constituted by the transistors T24 and T25, Becomes the high level, the other becomes the low level.
트랜지스터(T22)는 클록 단자(CLK)로부터 인가되는 클록 신호(CLK1 또는 CLK2)가 공급되며, 노드(Q)의 전위에 따라서 온 또는 오프 하고, 온 상태일 때는 클록신호에 동기하여 시프트 신호로서의 출력신호(OUT[k])를 출력단자(OUT)에 출력하는 트랜지스터이다.The transistor T22 is supplied with the clock signal CLK1 or CLK2 applied from the clock terminal CLK and is turned on or off according to the potential of the node Q. In the on state, And outputs the signal OUT [k] to the output terminal OUT.
이 트랜지스터(T22)는 게이트가 노드(Q)에 접속되고, 드레인은 클록 단자(CLK)에, 소스는 출력단자(OUT)에 각각 접속된다. 이 트랜지스터(T22)의 게이트와 소스 사이에는 부트스트랩 효과를 발생하기 위한 커패시터(CQ)가 접속되어 있다.The transistor T22 has a gate connected to the node Q, a drain connected to the clock terminal CLK, and a source connected to the output terminal OUT. A capacitor C Q for generating a bootstrap effect is connected between the gate and the source of the transistor T22.
또, 트랜지스터(T26)는 노드(QB)의 전위에 따라서 온 또는 오프하며, 제 k행의 화소 회로(11(i, k))의 비 선택기간에 온 해서 출력단자(OUT)로 출력하는 출력신호(OUT[k])를 기준전압으로서의 Vss(각 트랜지스터의 문턱 전압 미만의 전압)에 고정하여 출력신호(OUT[k])를 안정시키기 위한 트랜지스터이다.The transistor T26 is turned on or off according to the potential of the node QB and is turned on during the non-selection period of the pixel circuit 11 (i, k) in the k-th row to output to the output terminal OUT Is a transistor for stabilizing the output signal OUT [k] by fixing the signal OUT [k] to Vss (voltage lower than the threshold voltage of each transistor) as a reference voltage.
트랜지스터(T26)의 게이트는 노드(QB)에 접속되고, 드레인은 트랜지스터(T22)의 소스와 출력단자(OUT)에 접속되며, 소스는 기준전압단자(Vss)에 접속된다.The gate of the transistor T26 is connected to the node QB, the drain is connected to the source and the output terminal OUT of the transistor T22, and the source is connected to the reference voltage terminal Vss.
트랜지스터(T22)와 트랜지스터(T26)는 출력회로에 상당한다.The transistor T22 and the transistor T26 correspond to an output circuit.
도 2의 (a), (b)로 되돌아가서, 애노드 드라이버(13)는 애노드 라인(La(1)-La(n))에 각각 전압 VHigh 또는 VLow의 신호(Vsource(1)-Vsource(n))를 출력하는 드라이버이며, 애노드 드라이버(13)는 각각 애노드 라인(Laj(j=1-n))을 통해서 각 화소 회로(11(i, j))의 트랜지스터(T12)의 드레인에 접속된다.Returning to FIG. (A), (b) of Figure 2, the
애노드 드라이버(13)는 컨트롤러(15)로부터 공급되는 스타트신호(St)에 의해 동작을 개시하며, 컨트롤러(15)로부터 공급되는 클록 신호(CLK1)에 따라서 동작하여, 전압 VHigh 또는 VLow의 전압신호(Vsource(1)-Vsource(n))를 출력한다. 전압 VLow는 기입 처리시에 각 화소 회로(11(i, j))의 유기EL소자(101)를 비 발광상태로 하기 위한 전압이고, 또, 전압 VHigh는 각 화소 회로(11(i, j))의 유기EL소자(101)를 발광상태로 하기 위한 전압이다.The
그러나 필요에 따라서는 애노드 드라이버(13)를 별도로 설치하지 않고, 복수의 화소 회로의 애노드 라인에 대해 동시에 애노드 전압을 인가하는 이른바 공통 애노드로 함으로써 하나의 애노드 전원만을 갖는 구성으로 해도 좋다.However, if necessary, the
예를 들어 유기EL소자(101)의 캐소드 전압(Vcath)은 0V로 설정되고, 전압 VLow은 0V 또는 그보다 낮은 전위로 설정되며, 전압 VHigh는 예를 들어 +15V로 설정된다.For example, the cathode voltage (Vcath) of the
데이터 드라이버(14)는 화소 회로(11(i, j))의 각 커패시터(C1)에 공급된 화소데이터(Data)에 의거한 표시신호의 계조신호(Vdata)를 기입하는 드라이버이며, 컨트롤러(15)로부터의 화상데이터(Data)의 공급에 따라서 행 단위로 계조신호(Vdata)를 생성하고, 생성한 계조신호(Vdata)를 각각 데이터 라인(Ld1-Ldm)을 통해서 게이트 드라이버(12)가 선택한 제 j행의 화소 회로(11(1, j)-11(m, j))에 공급한다.The
컨트롤러(15)는 게이트 드라이버(12) 및 데이터 드라이버(14)를 제어하며, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory) 및 RAM(Random Access Memory) 등을 구비하고, 시프트 회로(21_1-21_n)의 홀수 단에 클록 신호 CLK1을 출력하고, 짝수 단에 클록 신호 CLK2를 출력한 상태에서 스타트신호(St)를 게이트 드라이버(12)의 제 1 단의 시프트 회로(21_1)에 공급함으로써 게이트 드라이버(12)가 동작을 개시하도록 한다.The
또, 컨트롤러(15)는 데이터 드라이버(14)에 스타트신호(St) 및 화상 데이터(Data), 클록 신호 CLK1 등을 공급한다.The
다음에 본 실시형태의 표시장치의 동작을 설명한다. 도 5는 도 4의 시프트 회로의 동작을 나타내는 타이밍차트이다.Next, the operation of the display apparatus of the present embodiment will be described. 5 is a timing chart showing the operation of the shift circuit of Fig.
도 5에 도시하는 것과 같이, 컨트롤러(15)는 위상이 서로 180도 다른 클록 신호 CLK1 및 CLK2와 High 레벨의 스타트신호(St)를 게이트 드라이버(12)에 공급하며, 클록 신호 CLK1이 Low 레벨인 시각 t10에서 High 레벨의 스타트신호(St)가 제 1 단의 시프트 회로(21_1)의 입력단자(IN)에 입력신호(IN[1])로서 공급되고, 이에 의해 다이오드 구조를 갖는 시프트 회로(21_1)의 트랜지스터(T21)가 온이 된다. 이 High 레벨의 스타트신호(St)가 공급되는 기간이 입력기간(tin)이다.5, the
트랜지스터(T21)가 온이 되면 노드(Q)의 전위는 High 레벨이 되며, 이에 의해 트랜지스터(T22) 및 트랜지스터(T25)가 온이 되고, 트랜지스터(T25)의 온에 의해 노드(QB)의 전압은 Vss전압, 즉 오프 전압이 되며, 이에 따라 트랜지스터(T26)는 역방향 다이오드 상태가 되어서 완전한 오프 상태가 된다.When the transistor T21 is turned on, the potential of the node Q becomes a high level, whereby the transistor T22 and the transistor T25 are turned on. When the transistor T25 is turned on, the voltage of the node QB Becomes a Vss voltage, that is, an OFF voltage, so that the transistor T26 becomes a reverse diode state and becomes a completely OFF state.
다음에, 입력기간(tin)이 지난 후, 클록 신호 CLK1이 High가 되는 출력기간(tout)에는 입력신호(IN[1])가 Low 레벨이 되며, 트랜지스터(T21)는 오프한다.Next, after the input period tin, the input signal IN [1] goes Low level and the transistor T21 turns off in the output period tout when the clock signal CLK1 goes High.
그러나 노드(Q)의 전압은 트랜지스터(T26)가 오프 상태이므로 Low 레벨로 떨어지지 않고 플로팅 상태를 유지하며, 이때 클록 신호 CLK1이 High 레벨이 되면 부트 스트랩 커패시터(CQ)에 의해 노드(Q)에는 클록 신호 CLK1 만큼의 부트 스트랩 일어나며, 트랜지스터(T22)의 게이트 전압은 상기 플로팅 전압과 CLK1의 합이 되므로 클록 신호 CLK1은 확실하게 출력단자(OUT)를 통해서 출력신호(OUT[1])로서 출력된다.However, since the transistor T26 is off, the voltage of the node Q does not fall to the low level and remains in a floating state. At this time, when the clock signal CLK1 becomes high level, the node Q is supplied with the node Q by the bootstrap capacitor C Q A bootstrap occurs as much as the clock signal CLK1 and the gate voltage of the transistor T22 becomes the sum of the floating voltage and CLK1 so that the clock signal CLK1 is reliably output as the output signal OUT [1] through the output terminal OUT .
이 High 레벨의 출력신호(OUT[1])는 게이트 라인(Lg1)에 출력되는 동시에 다음 단의 시프트 회로(21_2)에 입력신호(IN[2])로서 공급되며, 시프트 회로(21_2)는 이 입력신호(IN[2])를 클록 신호 CLK2에 동기하여 시프트해서 High 레벨의 출력신호(OUT[2])를 출력한다.The output signal OUT [1] of the high level is outputted to the gate line Lg1 and is supplied as the input signal IN [2] to the next shift circuit 21_2. The shift circuit 21_2 outputs And shifts the input signal IN [2] in synchronization with the clock signal CLK2 to output the high level output signal OUT [2].
또, High 레벨의 출력신호(OUT[2])는 앞 단의 시프트 회로(21_1)의 리셋 신호(RST[1])로서 시프트 회로(21_1)의 리셋 단자(RST)에 공급된다.The output signal OUT [2] of the high level is supplied to the reset terminal RST of the shift circuit 21_1 as the reset signal RST [1] of the shift circuit 21_1 of the preceding stage.
시프트 회로(21_1)의 리셋 단자(RST)에 리셋 신호(RST[1])가 공급되면 다이오드 구조를 갖는 트랜지스터(T23)가 온 상태가 되어서 노드(QB)의 전압이 High 레벨이 되며, 이에 의해 트랜지스터(T24) 및 트랜지스터(T26)가 온 상태가 되어서 노드(Q) 및 출력단자(OUT)의 전압은 Vss 전압, 즉 Low 레벨로 하강한다.When the reset signal RST [1] is supplied to the reset terminal RST of the shift circuit 21_1, the transistor T23 having the diode structure is turned on and the voltage of the node QB becomes high level, The transistor T24 and the transistor T26 are turned on and the voltage of the node Q and the output terminal OUT falls to the Vss voltage, that is, the Low level.
또, 노드(Q)의 전압이 Low 레벨이 되므로 트랜지스터(T25)는 오프 상태가 되며, 리셋 기간(RST)이 지나서 리셋 신호(RST[1])가 Low 레벨이 되어도 노드(QB)의 전위는 플로팅 상태를 유지하며, 이에 의해 트랜지스터(T26)는 온 상태가 되어 출력신호가 확실하게 오프 상태를 유지할 수 있다.In addition, the voltage of the node Q becomes low level, so that the transistor T25 is turned off. Even when the reset signal RST [1] becomes Low level after the reset period RST, the potential of the node QB becomes The floating state is maintained, whereby the transistor T26 is turned on and the output signal can be reliably kept off.
이상의 동작과 동일하게 시프트 회로(21_k)(k=2~n)는 각각 클록 신호 CLK1 및 CLK2에 동기시켜서 시프트 회로(21_k-1)로부터 출력되는 출력신호(OUT[k-1])를 입력신호(IN[k])로 하여 이 입력신호(IN[k])를 시프트한다. 그리고 시프트 회로(21_k)는 시프트 한 신호를 출력신호(OUT[k])로서 출력한다.Similarly to the above operation, the shift circuit 21_k (k = 2 to n) outputs the output signal OUT [k-1] output from the shift circuit 21_k-1 in synchronism with the clock signals CLK1 and CLK2, (IN [k]) and shifts this input signal IN [k]. The shift circuit 21_k outputs the shifted signal as the output signal OUT [k].
게이트 드라이버(12)는 시프트 회로(21_1)의 High 레벨의 출력신호(OUT[1])를 게이트 라인(Lg1)에 출력하고, 화소 회로(11(1, 1)~11(m, 1))의 각 트랜지스터(T11)는 이 High 레벨의 출력신호(OUT[1])에 의해 온 상태가 된다.The
또, 데이터 드라이버(14)는 이 기간에 데이터 라인(Ld1~Ldm)을 통해서 게이트 드라이버(12)가 선택한 화소 회로(11(1, 1)~11(m, 1))에 계조 신호(Vdata)를 공급하며, 화소 회로(11(1, 1)~11(m, 1))의 각 커패시터(C1)에는 각 트랜지스터(T11)를 통해서 계조 신호(Vdata)가 기입된다.The
동일한 방법으로 게이트 드라이버(12)는 시프트 회로(21_2, 21_3, …, 21_n)의 High 레벨의 출력신호(OUT[2], OUT[3], …, OUT[n])을 순차 게이트 라인(Lg2, Lg3, …, Lgn)에 출력한다.The
게이트 라인(Lg2, Lg3, …, Lgn)에 순차로 출력신호(OUT[2], OUT[3], …, OUT[n])가 출력되면 화소 회로(11(1, 2)~11(m, 2), 11(1, 3)~11(m, 3), …, 11(1, n)~11(m, n))이 선택되고, 데이터 드라이버(14)는 공급된 화소 데이터에 의한 계조 신호(Vdata)를 각각 데이터 라인(Ld1-Ldm)에 인가하여, 선택된 화소 회로(11(1, 2)~11(m, 2), 11(1, 3)~11(m, 3), …, 11(1, n)~11(m, n))의 각각의 커패시터(C1)에 계조 신호(Vdata)를 기입한다.When the output signals OUT [2], OUT [3], ..., OUT [n] are sequentially output to the gate lines Lg2, Lg3, ..., Lgn, , 11 (1, n) to 11 (m, n)) are selected and the
이상과 같은 방법으로 기입이 완료하면 컨트롤러(15)는 발광동작을 제어한다.When the writing is completed in the above manner, the
애노드 드라이버(13)는 High 레벨의 신호(Vsource(1)~Vsource(n))를 애노드 라인(La(1)~La(n))에 출력하고, 이에 의해 화소 회로(11(i, j))의 트랜지스터(T22)는 각 커패시터(C1)가 보유한 전압을 게이트 전압으로 하여, 이 게이트 전압(Vgs)에 대응하는 전류를 유기EL소자(101)에 공급하며, 유기EL소자(101)는 이 전류의 전류 값에 대응하는 휘도로 발광한다.The
그러나 이에 한정되는 것은 아니며, 만일 표시장치가 공통 애노드인 경우에는 하나의 애노드 전원으로부터 복수의 화소 회로에 동시에 애노드 전압을 인가해도 좋다.However, the present invention is not limited thereto. If the display device is a common anode, the anode voltage may be simultaneously applied to a plurality of pixel circuits from one anode power source.
이상 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments.
상기 실시형태에서는 본 발명의 표시장치를 유기EL소자를 구비하는 표시장치로 하여 설명하였으나, 표시장치는 이에 한정되는 것은 아니며, 발광소자를 구비하는 표시장치이면 어떤 표시장치라도 좋다. 예를 들어 액정소자를 구비하는 액정표시장치라도 좋다.In the above embodiment, the display device of the present invention has been described as a display device having an organic EL device. However, the display device is not limited thereto and any display device may be used as long as it is a display device having a light emitting element. For example, a liquid crystal display device having a liquid crystal element.
또, 상기 실시형태에서는 시프트 회로를 구성하는 각 트랜지스터는 n채널형의 FET로 구성하는 것으로 설명하였으나, p채널형 FET로 구성해도 좋다. 이 경우에는 각 트랜지스터의 제어 전극(게이트 )에 공급되는 제어신호는 n채널형의 FET로 구성하는 경우와는 역의 신호를 공급하면 된다.In the above-described embodiment, each of the transistors constituting the shift circuit is formed of an n-channel FET, but may be a p-channel FET. In this case, the control signal supplied to the control electrode (gate) of each transistor may be supplied with a signal opposite to that of the n-channel type FET.
또, 상기 실시형태에서는 시프트 회로를 구성하는 트랜지스터가 산화물 박막 트랜지스터인 경우를 예로 하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 트랜지스터라도 실시가 가능하다.In the above embodiment, the case where the transistor constituting the shift circuit is an oxide thin film transistor has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and other kinds of transistors may be used.
1 표시장치
11 화소 회로
12 게이트 드라이버
13 애노드 드라이버
14 데이터 드라이버
15 컨트롤러
21 시프트 회로
T21~T26 트랜지스터
IN 입력단자
OUT 출력단자
RST 리셋 단자
Vss 기준전압단자
IN[k}] 입력신호
OUT[k] 출력신호
RST[k] 리셋 신호1 display device
11-pixel circuit
12 gate driver
13 Anode driver
14 data driver
15 controller
21 shift circuit
T21 ~ T26 Transistors
IN input terminal
OUT output terminal
RST reset terminal
Vss reference voltage terminal
IN [k]] input signal
OUT [k] output signal
RST [k] reset signal
Claims (7)
앞 단의 출력신호가 입력신호로서 공급되는 입력단자와 다음 단의 출력신호가 리셋 신호로서 공급되는 리셋 단자 및 제 1 노드를 가지며, 상기 입력단자에 상기 입력신호가 공급된 때에 상기 제 1 노드의 전위를 상기 입력신호의 레벨에 따른 전위로 설정하는 입력회로와,
제 2 노드와 제 1 단자를 가지며, 상기 제 1 노드의 전위가 공급되어서 상기 제 2 노드의 전위를 상기 제 1 노드의 전위를 반전시킨 전위로 하는 인버터회로와,
클록 신호가 공급되는 클록 단자와 상기 출력신호를 출력하는 출력단자를 가지며, 상기 제 1 노드의 전위와 상기 제 2 노드의 전위가 공급되어 상기 출력신호의 전위를 상기 클록 신호에 따른 전위로 하는 출력회로를 구비하며,
상기 인버터회로는, 게이트 단자가 상기 리셋 단자에 접속되고 상기 제 1 노드와 상기 제 1 단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 1 트랜지스터와, 게이트 단자가 상기 제 1 노드에 접속되고 상기 제 2 노드와 상기 제 1 단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 2 트랜지스터를 구비하는 시프트 회로.A shift register shift circuit comprising a plurality of cascade-connected shift circuits,
A reset terminal to which an output signal of the previous stage is supplied as an input signal and a reset terminal to which an output signal of the next stage is supplied as a reset signal and a first node, An input circuit for setting the potential to a potential corresponding to the level of the input signal,
An inverter circuit having a second node and a first terminal and being supplied with the potential of the first node to set the potential of the second node to a potential that inverts the potential of the first node;
A clock terminal to which a clock signal is supplied and an output terminal to which the output signal is output and which is supplied with the potential of the first node and the potential of the second node to set the potential of the output signal to a potential corresponding to the clock signal Circuit,
The inverter circuit comprising: a first transistor having a gate terminal connected to the reset terminal and forming a current path between the first node and the first terminal; and a gate terminal connected to the first node, And a second transistor forming a current path between the first terminals.
상기 입력회로는 상기 입력단자에 상기 입력신호가 공급된 때에 온 하여 상기 제 1 노드의 전위를 상기 입력신호의 레벨에 따른 전위로 설정하는 제 3 트랜지스터와, 상기 리셋 단자에 상기 리셋 신호가 공급된 때에 온 하여 상기 제 1 노드의 전위를 반전시키는 제 4 트랜지스터를 포함하는 시프트 회로.The method according to claim 1,
Wherein the input circuit is turned on when the input signal is supplied to the input terminal and sets a potential of the first node to a potential corresponding to the level of the input signal; And a fourth transistor which is turned on to invert the potential of the first node.
상기 출력회로는 게이트 단자가 상기 제 1 노드에 접속되고 상기 클록 단자와 상기 출력단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 5 트랜지스터와, 게이트 단자가 상기 제 2 노드에 접속되고 상기 제 1 단자와 상기 출력단자 사이에서 전류 통로를 형성하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 시프트 회로.The method according to claim 1,
The output circuit comprising: a fifth transistor having a gate terminal connected to the first node and forming a current path between the clock terminal and the output terminal; a gate terminal connected to the second node, And a sixth transistor forming a current path between the terminals.
상기 시프트 회로를 구성하는 각 트랜지스터는 산화물 박막 트랜지스터로 구성되는 시프트 회로.The method according to claim 1,
Wherein each transistor constituting the shift circuit is constituted by an oxide thin film transistor.
상기 제 1 단자는 상기 시프트 회로를 구성하는 산화물 박막 트랜지스터의 문턱 전압보다 낮은 전위로 설정되는 시프트 회로.The method of claim 4,
And the first terminal is set to a potential lower than a threshold voltage of the oxide thin film transistor constituting the shift circuit.
상기 복수의 시프트 회로 각각은 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항의 시프트 회로로 이루어지는 시프트 레지스터.A plurality of stages of shift registers composed of a plurality of shift circuits connected in cascade,
Wherein each of the plurality of shift circuits comprises a shift circuit according to any one of claims 1 to 5.
청구항 5의 시프트 레지스터를 포함하며,
상기 시프트 레지스터에 포함되는 시프트 회로의 출력신호를 행을 선택하는 행 선택신호로서 각 행 단위로 공급하여 상기 복수의 화소 회로를 행 단위로 선택하는 행 선택 드라이버를 구비하는 표시장치.A plurality of pixel circuits having light emitting elements arranged in a matrix form,
A shift register comprising the shift register of claim 5,
And a row selection driver for supplying the output signals of the shift circuits included in the shift register on a row-by-row basis as a row selection signal for selecting rows and selecting the plurality of pixel circuits in a row unit.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130060200A KR20140139757A (en) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | Shift circuit, shift resistor and display |
PCT/KR2014/004298 WO2014193102A1 (en) | 2013-05-28 | 2014-05-14 | Shift circuit, shift register and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130060200A KR20140139757A (en) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | Shift circuit, shift resistor and display |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140139757A true KR20140139757A (en) | 2014-12-08 |
Family
ID=51989076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20130060200A KR20140139757A (en) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | Shift circuit, shift resistor and display |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20140139757A (en) |
WO (1) | WO2014193102A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105185294A (en) * | 2015-10-23 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register unit and a drive method, a shift register and a display device thereof |
KR20170024542A (en) * | 2015-08-25 | 2017-03-07 | 가부시키가이샤 제이올레드 | Register circuit, driver circuit, and display unit |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104934011B (en) * | 2015-07-20 | 2018-03-23 | 合肥京东方光电科技有限公司 | Shift register cell, gate driving circuit and display device |
CN106952603B (en) | 2017-04-27 | 2020-02-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register unit, shift register circuit, driving method and display device |
US20210280108A1 (en) * | 2017-05-15 | 2021-09-09 | Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd. | Goa circuit, array substrate, and display device |
US10652963B2 (en) | 2018-05-24 | 2020-05-12 | Lumiode, Inc. | LED display structures and fabrication of same |
CN109166542B (en) | 2018-09-26 | 2024-05-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Shifting register unit, driving method, grid driving circuit and display device |
US11380252B2 (en) | 2018-12-21 | 2022-07-05 | Lumiode, Inc. | Addressing for emissive displays |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006164477A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Casio Comput Co Ltd | Shift register, drive control method of same, and display driving device provided with same |
KR101039983B1 (en) * | 2005-03-31 | 2011-06-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Gate driver and display device having the same |
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KR101335678B1 (en) * | 2013-03-11 | 2013-12-03 | 한양대학교 산학협력단 | Level Shifter using oxide TFTs and Scan Driving Circuit having the Level Shifter |
-
2013
- 2013-05-28 KR KR20130060200A patent/KR20140139757A/en not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-05-14 WO PCT/KR2014/004298 patent/WO2014193102A1/en active Application Filing
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CN105185294B (en) * | 2015-10-23 | 2017-11-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Shift register cell and its driving method, shift register and display device |
US10573245B2 (en) | 2015-10-23 | 2020-02-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Shift register unit using a bootstrap effect and driving method thereof, shift register and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014193102A1 (en) | 2014-12-04 |
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