硒化铅
外观
硒化铅 | |
---|---|
![]() | |
英文名 | Lead selenide |
识别 | |
CAS号 | 12069-00-0 ![]() |
PubChem | 61550 |
SMILES |
|
性质 | |
化学式 | PbSe |
摩尔质量 | 286.16 g/mol g·mol⁻¹ |
密度 | 8.1 g/cm3 |
熔点 | 1078 °C(1351 K) |
溶解性(水) | 难溶 |
结构 | |
晶体结构 | Halite (cubic), cF8 |
空间群 | Fm3m, No. 225 |
晶格常数 | a = 6.12 Angstroms [1] |
配位几何 | Octahedral (Pb2+) Octahedral (Se2−) |
危险性 | |
警示术语 | R:R61, R20/22, R23/25, R33, R62, R50/53 |
安全术语 | S:S1/2, S20/21, S28, S53, S45, S60, S61 |
欧盟分类 | Repr. Cat. 1/3 Toxic (T) Harmful (Xn) Dangerous for the environment (N) |
相关物质 | |
其他阴离子 | 一氧化铅 硫化铅 碲化铅 |
其他阳离子 | 一硒化碳 一硒化硅 一硒化锗 硒化亚锡 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
硒化铅是铅的硒化物,化学式为PbSe,它是一种半导体材料,是具有NaCl结构的立方晶体。它的直接带隙在室温下为0.27 eV[注1]。[2]
制备
[编辑]硒化铅可由硒脲和乙酸铅在联氨(N2H4)或三碘化钾(KI3)的存在下反应得到。[3]
注释
[编辑]注1. 需要注意一些文献会错误地将PbSe和其它IV–VI当作间接带隙半导体材料。[4]
参考文献
[编辑]- ^ Lead selenide (PbSe) crystal structure, lattice parameters, thermal expansion. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24]. doi:10.1007/10681727_903. (原始内容存档于2016-09-16).
- ^ Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. Optical properties of PbTe and PbSe. Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E. doi:10.1103/PhysRevB.85.085205.
- ^ 姚官生, 司俊杰, 陈凤金. 化学沉淀法制备硒化铅薄膜[J]. 低温与超导, 2009, 37(9):73-76.
- ^ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4.
|
|