KR20140075679A - Improved edge accuracy in a capacitive sense array - Google Patents

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KR20140075679A
KR20140075679A KR1020147006363A KR20147006363A KR20140075679A KR 20140075679 A KR20140075679 A KR 20140075679A KR 1020147006363 A KR1020147006363 A KR 1020147006363A KR 20147006363 A KR20147006363 A KR 20147006363A KR 20140075679 A KR20140075679 A KR 20140075679A
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타오 펭
민 친 차이
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사이프레스 세미컨덕터 코포레이션
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Abstract

전도성 물체의 존재의 검출시에 에지 정확도를 개선시키도록 구성된 정전용량식 감지 어레이가 설명된다. 일 실시예에서, 정전용량식 감지 어레이는 정전용량식 감지 어레이의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 제 1 세트의 감지 엘리먼트들을 적어도 포함한다. 피치는 감지 엘리먼트들의 폭 및 감지 엘리먼트들 사이의 간격을 포함한다. A capacitive sensing array is described that is configured to improve edge accuracy upon detection of the presence of a conductive object. In one embodiment, the capacitive sensing array includes at least a first set of sensing elements having non-homogeneous pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitive sensing array. The pitch includes the width of the sensing elements and the spacing between the sensing elements.

Figure P1020147006363
Figure P1020147006363

Description

정전용량식 감지 어레이에서의 개선된 에지 정확도{IMPROVED EDGE ACCURACY IN A CAPACITIVE SENSE ARRAY}IMPROVED EDGE ACCURACY IN A CAPACITIVE SENSE ARRAY < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 사용자 인터페이스 디바이스들의 분야에 관한 것으로, 특히, 정전용량식 감지 디바이스들에 관한 것이다. The present invention relates to the field of user interface devices, and more particularly to capacitive sensing devices.

정전용량식(capacitive) 감지 어레이들은 기계적 버튼들, 노브들(knobs) 및 다른 유사한 기계적 사용자 인터페이스 제어부들을 대체하기 위해 사용될 수 있다. 정전용량식 감지 엘리먼트의 사용은, 복잡한 기계적 스위치들 및 버튼들의 제거를 허용하여, 가혹한(harsh) 조건들 하에서도 신뢰가능한 동작을 제공한다. 또한, 정전용량식 감지 엘리먼트들은 현대의 소비자 애플리케이션들에서 널리 사용되고, 기존의 제품들에서 새로운 사용자 인터페이스 옵션들을 제공한다. 정전용량식 감지 엘리먼트들은 터치 감지 표면에 대하여 정전용량식 감지 어레이의 형태로 배열될 수 있다. 손가락과 같은 전도성 물체가 터치 감지 표면과 접촉하거나 그에 근접할 때, 하나 또는 둘 이상의 정전용량식 터치 감지 엘리먼트들의 정전용량은 변화한다. 정전용량식 터치 감지 엘리먼트들의 정전용량 변화들은 전기 회로에 의해 측정될 수 있다. 전기 회로는 정전용량식 감지 엘리먼트들의 측정된 커패시턴스들을 디지털 값들로 변환한다. Capacitive sensing arrays may be used to replace mechanical buttons, knobs, and other similar mechanical user interface controls. The use of capacitive sensing elements allows the removal of complex mechanical switches and buttons, thus providing reliable operation even under harsh conditions. Capacitive sensing elements are also widely used in modern consumer applications and offer new user interface options in existing products. The capacitive sensing elements may be arranged in the form of a capacitive sensing array with respect to the touch sensitive surface. The capacitance of one or more capacitive touch sensing elements changes when a conductive object such as a finger is in contact with or near the touch sensitive surface. Capacitive changes in capacitive touch sensing elements can be measured by electrical circuitry. The electrical circuit converts the measured capacitances of the capacitive sensing elements to digital values.

정전용량식 감지 어레이들을 이용하는 투명한 터치 스크린들은 오늘날 산업 및 소비 시장들에서 어디서나 볼 수 있다. 이들은 셀룰러 폰들, GPS 디바이스들, 카메라들, 컴퓨터 스크린들, MP3 플레이어들, 디지털 태블릿들 등 상에서 찾아볼 수 있다. 현대의 셀룰러 폰들 및 스마트 폰들에서, 사용자 상호작용을 위해 이용가능한 작은 양의 공간이 부여된 터치 스크린 면적은 제조사들에게 상당히 중요하다. 이와 같이, 제조사들은 균일한 위치 추적 정확도를 유지하면서 자체의 가용 면적을 최대화하는 터치 스크린을 구한다. 그러나, 종래의 설계들은 터치 스크린의 에지들 부근에서 상당한 위치 추적 에러를 나타낸다. Transparent touch screens using capacitive sensing arrays can be seen everywhere in today's industrial and consumer markets. They can be found on cellular phones, GPS devices, cameras, computer screens, MP3 players, digital tablets, and the like. In modern cellular phones and smart phones, the touch screen area given a small amount of space available for user interaction is of considerable importance to manufacturers. Thus, manufacturers obtain touch screens that maximize their available area while maintaining uniform tracking accuracy. However, conventional designs exhibit significant position tracking errors near the edges of the touch screen.

도 1은 균질한 폭 스트라이프(stripe)들 또는 감지 엘리먼트들을 갖는 정전용량(capacitance) 감지 어레이 패널(100)의 종래의 패턴 설계를 도시한다. 정전용량 감지 어레이 패널(100)은 송신("Tx") 감지 엘리먼트(102) 및 수신("Rx") 감지 엘리먼트들(104)을 포함하는 N×M 감지 엘리먼트 매트릭스를 포함한다. N×M 감지 엘리먼트 매트릭스의 송신 및 수신 감지 엘리먼트들은, 송신 감지 엘리먼트들의 각각이 수신 감지 엘리먼트들의 각각과 교차하도록, 배열된다. 따라서, 각각의 송신 감지 엘리먼트는 수신 감지 엘리먼트들 각각과 용량성으로 커플링된다. 예를 들면, 송신 감지 엘리먼트(102)는, 송신 감지 엘리먼트(102)와 수신 감지 엘리먼트(104)가 교차하는 위치에서 수신 감지 엘리먼트(104)와 용량성으로 커플링된다. 송신 감지 엘리먼트(102)와 수신 감지 엘리먼트(104)의 교차점은 감지 엘리먼트로 지칭된다. 도 1에 개시된 실시예에서, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 이해될 수 있는 바와 같이, Tx 감지 엘리먼트들의 축들의 방향은 Rx 감지 엘리먼트들과 스위칭될(switched) 수 있음에 유의한다. FIG. 1 illustrates a conventional pattern design of a capacitance sensing array panel 100 having homogeneous width stripes or sensing elements. The capacitance sensing array panel 100 includes an NxM sensing element matrix that includes a transmit ("Tx") sensing element 102 and receiving ("Rx") sensing elements 104. The transmit and receive sensing elements of the NxM sensing element matrix are arranged such that each of the transmission sensing elements intersects each of the receiving sensing elements. Thus, each transmit sensing element is capacitively coupled to each of the receive sensing elements. For example, the transmit sensing element 102 is capacitively coupled to the receive sensing element 104 at a location where the transmit sensing element 102 and the receive sensing element 104 intersect. The intersection of the transmit sensing element 102 and the receive sensing element 104 is referred to as the sensing element. It should be noted that, in the embodiment disclosed in FIG. 1, the direction of the axes of the Tx sensing elements may be switched with the Rx sensing elements, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure.

송신 및 수신 감지 엘리먼트들 사이의 용량성 커플링(capacitive coupling)으로 인해, 각 송신 감지 엘리먼트들에 인가되는 Tx 신호(미도시)는 수신 감지 엘리먼트들의 각각에 전류를 유도한다. 예를 들면, Tx 신호가 송신 감지 엘리먼트(102)에 인가되면, Tx 신호는 수신 감지 엘리먼트(104) 상에서 Rx 신호(미도시)를 유도한다. 손가락과 같은 전도성 물체가 N×M 감지 엘리먼트 매트릭스에 접근할 때, 물체는 Tx와 Rx 감지 엘리먼트들 사이의 접합점, 또는 교차점에서 상호 정전용량을 변경함으로써 신호를 변조할 것이다. 손가락이 보통은 약 3 내지 5개의 이웃하는 접합부들을 활성화할 것이기 때문에, 신호 프로파일은 쉽게 획득될 수 있다. 이에 따라, 손가락 위치는 무게중심 알고리즘(centroid algorithm)을 이용하여 이런 프로파일의 분포에 의해 결정될 수 있다. Due to the capacitive coupling between the transmit and receive sensing elements, the Tx signal (not shown) applied to each transmit sensing elements induces a current in each of the receive sensing elements. For example, when a Tx signal is applied to the transmit sensing element 102, the Tx signal induces an Rx signal (not shown) on the receive sensing element 104. When a conductive object such as a finger approaches the NxM sensing element matrix, the object will modulate the signal by changing the mutual capacitance at the junction or junction between the Tx and Rx sensing elements. Since the fingers will normally activate about three to five neighboring junctions, the signal profile can be easily obtained. Accordingly, the finger position can be determined by the distribution of this profile using a centroid algorithm.

도 1에 도시된 바와 같이, Tx 감지 엘리먼트들(102) 및 Rx 감지 엘리먼트들(104)은 패널에 걸쳐 균일한(uniformly) 센서 폭들을 갖는다. 이들은 균질한(homogenous) 폭 감지 엘리먼트들로 지칭된다. 이런 종래의 설계를 통한 하나의 문제점은, 중앙 영역과 에지 영역 사이의 정확도 편차이다. 에지 영역은 종종 터치 패널의 물리적 에지로부터 하나의 센서 피치 내에 있는 것으로 정의되고, 그 이외의 곳은 중앙 영역으로 지칭된다. 센서 피치의 크기는 전형적으로 하나의 감지 엘리먼트의 폭이다. 터치 패널 애플리케이션들에서, 정확도는 터치 패널 상의 또는 그에 근접한 전도성 물체의 위치와 터치 패널에 의해 감지되는 위치 사이의 오차로 정의된다. 통상적으로, 중앙 영역 내의 정확도는 에지 영역 내의 정확도보다 상당히 크다. 예를 들면, 종래의 정전용량식 감지 어레이의 에지들을 따른 이런 패턴의 정확도는 종종 상기 어레이의 중앙 영역의 정확도보다 적어도 3배 나쁘다. 정확도에서의 이런 상당한 차이에 대한 주요 원인은, 에지 센서 상에 놓이는 손가락이 신호 프로파일이 패널의 에지에서 잘린다(chopped off)는 것이다. 그래서, 완전한 신호 프로파일 없이, 정보가 불균형하기 때문에, 손가락의 무게중심 결정은 무게중심 알고리즘에서 분명히 일부 오차를 가질 것이고, 이에 따라 패널의 에지들을 따라 시스템적인 무게중심 오프셋을 초래한다. As shown in FIG. 1, Tx sensing elements 102 and Rx sensing elements 104 have uniform sensor widths across the panel. These are referred to as homogenous width sensing elements. One problem with this conventional design is the accuracy deviation between the center and edge regions. The edge area is often defined as being within one sensor pitch from the physical edge of the touch panel, and the rest is referred to as the center area. The size of the sensor pitch is typically the width of one sensing element. In touch panel applications, the accuracy is defined as the error between the position of the conductive object on or near the touch panel and the position sensed by the touch panel. Typically, the accuracy within the central region is significantly greater than the accuracy within the edge region. For example, the accuracy of such a pattern along the edges of a conventional capacitive sensing array is often at least three times worse than the accuracy of the central region of the array. The main reason for this significant difference in accuracy is that the finger placed on the edge sensor is chopped off at the edge of the panel. Thus, without the complete signal profile, since the information is unbalanced, the center of gravity of the finger will obviously have some error in the center-of-gravity algorithm, resulting in a systematic center-of-gravity offset along the edges of the panel.

본 발명은 첨부된 도면들의 도면들에서 한정이 아닌 예로 도시된다.
도 1은 균질한 폭 스트라이프들을 갖는 상호 정전용량식 감지 어레이의 종래의 설계를 도시한다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들을 갖는 정전용량식 감지 어레이 상의 전도성 물체의 존재를 검출하기 위한 프로세싱 디바이스를 갖는 전자 시스템의 일 실시예를 나타내는 블록도를 도시한다.
도 3은 감지 엘리먼트들의 다양한 폭들을 갖는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이의 일 실시예의 평면도를 도시한다.
도 4는 감지 엘리먼트들 사이의 다양한 간격을 갖는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이의 일 실시예의 평면도를 도시한다.
도 5a는 감지 엘리먼트들의 다양한 폭들 및 감지 엘리먼트들 사이의 다양한 간격을 갖는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이의 일 실시예의 평면도를 도시한다.
도 5b는 감지 엘리먼트들의 다양한 폭들 및 감지 엘리먼트들 사이의 다양한 간격을 갖는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이의 다른 실시예의 평면도를 도시한다.
도 6은 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이의 다른 실시예의 평면도를 도시한다.
도 7은 균질한 피치들 및 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 조합을 갖는 상호 정전용량식 감지 어레이의 일 실시예의 평면도를 도시한다.
도 8a는 감지 엘리먼트들의 다양한 폭들을 갖는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 상호 정전용량식 감지 어레이의 다른 실시예의 평면도를 도시한다.
도 8b는 일 실시예에 따른 단일 루팅을 갖는 도 8a의 상호 정전용량식 감지 어레이의 평면도를 도시한다.
도 8c는 다른 실시예에 따른 이중 루팅을 갖는 도 8a의 상호 정전용량식 감지 어레이의 평면도를 도시한다.
도 9a 내지 도 9c는 상호 정전용량식 감지 어레이의 조립된 층 구조체들의 실시예들을 도시한다. The invention is illustrated by way of example and not by way of limitation in the figures of the accompanying drawings.
Figure 1 shows a conventional design of a mutual capacitive sensing array with homogeneous width stripes.
2 is a block diagram illustrating one embodiment of an electronic system having a processing device for detecting the presence of a conductive object on a capacitive sensing array having sensing elements having inhomogeneous pitches in accordance with embodiments of the present invention. do.
Figure 3 shows a top view of one embodiment of a capacitive sensing array of sensing elements having heterogeneous pitches with various widths of sensing elements.
Figure 4 shows a top view of one embodiment of a capacitive sensing array of sensing elements having heterogeneous pitches with different spacing between sensing elements.
5A shows a top view of one embodiment of a capacitive sensing array of sensing elements having heterogeneous pitches with different widths of sensing elements and different spacing between sensing elements.
Figure 5B shows a top view of another embodiment of a capacitive sensing array of sensing elements having heterogeneous pitches with different widths of sensing elements and different spacing between sensing elements.
Figure 6 shows a top view of another embodiment of a capacitive sensing array of sensing elements having inhomogeneous pitches.
Figure 7 shows a plan view of one embodiment of a mutual capacitive sensing array having a combination of sensing elements with homogeneous pitches and inhomogeneous pitches.
8A shows a top view of another embodiment of a mutual capacitive sensing array of sensing elements having heterogeneous pitches with different widths of sensing elements.
FIG. 8B shows a top view of the mutual capacitive sensing array of FIG. 8A with a single routing according to one embodiment.
Figure 8c shows a top view of the mutual capacitive sensing array of Figure 8a with dual routing according to another embodiment.
Figures 9A-9C illustrate embodiments of assembled layer structures of a mutual capacitive sensing array.

전도성 물체의 존재의 검출시에 에지 정확도를 개선시키도록 구성된 정전용량식 감지 어레이가 설명된다. 일 실시예에서, 정전용량식 감지 어레이는, 상기 정전용량식 감지 어레이의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 적어도 하나의 제 1 세트의 감지 엘리먼트들을 포함한다. 본 발명에 정의된 바와 같은 상기 피치는 상기 감지 엘리먼트들의 폭 및 상기 감지 엘리먼트들 사이의 간격을 포함한다.A capacitive sensing array is described that is configured to improve edge accuracy upon detection of the presence of a conductive object. In one embodiment, the capacitive sensing array includes at least one first set of sensing elements having non-homogeneous pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitive sensing array. The pitch as defined in the present invention includes the width of the sensing elements and the spacing between the sensing elements.

본 명세서에서 설명된 실시예들은 정전용량식 감지 어레이의 에지 정확도를 개선시키도록 구성된다. The embodiments described herein are configured to improve the edge accuracy of the capacitive sensing array.

위에서 설명된 바와 같이, 터치 패널 애플리케이션들에서, 정확도는 터치 패널 상의 또는 그에 근접한 전도성 물체의 위치와 상기 터치 패널에 의해 감지되는 위치 사이의 오차로 정의된다. 감지된, 또는 계산된 위치는 정전용량식 감지 회로에 의해 검출된 전도성 물체의 존재의 전체 신호 크기 및 프로파일에 기반한다. 예를 들면, 단일 손가락 터치는 감지 엘리먼트들의 이웃에 걸쳐 신호들을 발생시키는데, 여기서 감지 엘리먼트들의 이웃은 신호 프로파일을 생성한다. 신호 저하 또는 변형된 신호 프로파일은 정확도 문제를 야기하고, 터치 패널의 중앙 영역과 에지 영역 사이의 정확도의 편차들을 포함한다. 위에서 설명된 바와 같이, 에지 영역은 종종 터치 패널의 물리적 에지로부터 하나의 센서 피치 내에 있는 것으로 정의되고, 그 이외의 곳은 중앙 영역으로 지칭된다. 중앙 영역 내의 정확도는 에지 영역보다 상당하고, 예를 들면, 중앙 영역의 정확도는 에지 영역에서의 대략 1.5㎜의 정확도에 비하여 대략 0.5㎜이다(대략 적어도 3배 나쁨). 본 명세서에서 설명된 실시예들은 에지 영역 내의 정확도를 개선한다. As described above, in touch panel applications, the accuracy is defined as the error between the position of the conductive object on or near the touch panel and the position sensed by the touch panel. The sensed or calculated position is based on the overall signal magnitude and profile of the presence of the conductive object detected by the capacitive sensing circuit. For example, a single-finger touch generates signals across the neighborhoods of the sensing elements, where the neighbors of the sensing elements produce a signal profile. Signal degradation or distorted signal profiles cause accuracy problems and include deviations in accuracy between the center and edge regions of the touch panel. As described above, the edge area is often defined as being within one sensor pitch from the physical edge of the touch panel, and the rest is referred to as the center area. The accuracy within the central region is greater than the edge region, for example, the accuracy of the center region is approximately 0.5 mm (approximately at least 3 times worse) compared to an accuracy of approximately 1.5 mm in the edge region. The embodiments described herein improve the accuracy within the edge region.

다음 설명에서, 설명을 위해, 많은 특정 세부사항들이 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 설명된다. 그러나, 당업자에게 본 발명은 이러한 특정 세부사항들 없이도 실행될 수 있다는 것이 분명할 것이다. 다른 예들에서, 잘-알려진 회로들, 구조체들, 및 기법들이 이 상세한 설명의 이해를 불필요하게 모호하게 하는 것을 회피하기 위해 상세하게 도시되지 않고, 오히려 블록도로 도시된다. In the following description, for purposes of explanation, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be practiced without these specific details. In other instances, well-known circuits, structures, and techniques are not shown in detail in order not to unnecessarily obscure an understanding of this detailed description, but rather in a block diagram.

설명에서 "일 실시예" 또는 "실시예"에 대한 참조는, 상기 실시예와 관련하여 설명된 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 본 발명의 적어도 일 실시예에 포함됨을 의미한다. 본 상세한 설명에서 다양한 부분들에 위치된 문구 "일 실시예에서"는 반드시 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. Reference in the description to "one embodiment" or "an embodiment" means that a particular feature, structure, or characteristic described in connection with the embodiment is included in at least one embodiment of the invention. The phrase "in one embodiment" located in the various portions of this specification does not necessarily refer to the same embodiment.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 비균질한 피치들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(220) 상의 전도성 물체의 존재를 검출하기 위한 프로세싱 디바이스를 갖는 전자 시스템(200)의 일 실시예를 도시하는 블록도이다. 전자 시스템(200)은 프로세싱 디바이스(210), 비균질한 피치들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(220), 터치-감지 버튼들(240), 호스트 프로세서(250), 내장형 컨트롤러들(260), 및 비-정전용량 감지 엘리먼트(270)을 포함한다. 프로세싱 디바이스(210)는 아날로그 및/또는 디지털 범용 입/출력("GPIO") 포트들(207)을 포함할 수 있다. GPIO 포트들(207)은 프로그램가능할 수 있다. GPIO 포트들(207)은 프로그램가능한 상호접속 및 로직("PIL")에 커플링될 수 있는데, 이는 프로세싱 디바이스(210)의 GPIO 포트들(207)과 디지털 블록 어레이(미도시) 사이의 상호접속부로서 역할을 한다. 디지털 블록 어레이는 일 실시예에서, 구성가능한 사용자 모듈들("UM들")을 이용하여 다양한 디지털 로직 회로들(예를 들면, DAC들, 디지털 필터들, 또는 디지털 제어 시스템들)을 구현하도록 구성될 수 있다. 디지털 블록 어레이는 시스템 버스에 커플링될 수 있다. 프로세싱 디바이스(210)는 또한 랜덤 액세스 메모리("RAM")(205) 및 프로그램 플래시(204)와 같은 메모리를 포함할 수 있다. RAM(205)은 정적 RAM("SRAM")일 수 있고, 프로그램 플래시(204)는 펌웨어(예를 들면, 본 명세서에서 설명된 동작들을 구현하기 위해 프로세싱 코어(202)에 의해 실행가능한 제어 알고리즘들)를 저장하기 위해 사용될 수 있는 비휘발성 스토리지일 수 있다. 프로세싱 디바이스(210)는 또한 메모리에 커플링된 메모리 마이크로제어기 유닛("MCU")(203) 및 프로세싱 코어(202)를 포함할 수 있다. 2 is a block diagram illustrating one embodiment of an electronic system 200 having a processing device for detecting the presence of a conductive object on a capacitive sensing array 220 having inhomogeneous pitches in accordance with embodiments of the present invention. . The electronic system 200 includes a processing device 210, a capacitive sensing array 220 with inhomogeneous pitches, touch-sensing buttons 240, a host processor 250, embedded controllers 260, And a capacitance sensing element (270). The processing device 210 may include analog and / or digital general purpose input / output ("GPIO") ports 207. GPIO ports 207 may be programmable. GPIO ports 207 may be coupled to a programmable interconnect and logic ("PIL"), which may be an interconnect between the GPIO ports 207 of the processing device 210 and a digital block array . The digital block array is configured in one embodiment to implement various digital logic circuits (e.g., DACs, digital filters, or digital control systems) using configurable user modules ("UMs & . The digital block array can be coupled to the system bus. The processing device 210 may also include memory, such as random access memory ("RAM") 205 and program flash 204. [ The RAM 205 may be static RAM ("SRAM") and the program FLASH 204 may be implemented as firmware (e.g., control algorithms executable by the processing core 202 to implement the operations described herein Nonvolatile storage that can be used to store the < / RTI > The processing device 210 may also include a memory microcontroller unit ("MCU") 203 and a processing core 202 coupled to the memory.

프로세싱 디바이스(210)는 또한 아날로그 블록 어레이(미도시)를 포함할 수 있다. 아날로그 블록 어레이는 또한 시스템 버스에 커플링될 수 있다. 아날로그 블록 어레이는 또한, 일 실시예에서, 구성가능한 UM들을 이용하여 다양한 아날로그 회로들(예를 들면, ADC들 또는 아날로그 필터들)을 구현하도록 구성될 수 있다. 아날로그 블록 어레이는 또한 GPIO 포트들(207)에 커플링될 수 있다. The processing device 210 may also include an analog block array (not shown). The analog block array can also be coupled to the system bus. The analog block array may also be configured to implement various analog circuits (e.g., ADCs or analog filters) using configurable UMs, in one embodiment. The analog block array may also be coupled to the GPIO ports 207.

예시된 바와 같이, 정전용량 센서(201)는 프로세싱 디바이스(210)에 통합될 수 있다. 정전용량 센서(201)는 비균질한 피치들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(220), 터치-감지 버튼들(240), 및/또는 다른 디바이스들과 같은 외부 컴포넌트에 커플링하기 위한 아날로그 I/O를 포함할 수 있다. 정전용량 센서(201) 및 프로세싱 디바이스(210)는 아래에서 더욱 상세하게 설명된다. As illustrated, the capacitance sensor 201 may be integrated into the processing device 210. The capacitive sensor 201 may include an analog I / O for coupling to an external component, such as a capacitive sensing array 220 having inhomogeneous pitches, touch-sensing buttons 240, and / or other devices . The capacitance sensor 201 and the processing device 210 are described in further detail below.

본 명세서에서 설명된 실시예들은 임의의 정전용량식 감지 어레이 애플리케이션에 사용될 수 있고, 예를 들면, 비균질한 피치들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(220)는 터치 스크린, 터치-감지 슬라이더, 또는 터치-감지 버튼들(240)(예를 들면, 정전용량 감지 버튼들)일 수 있다. 일 실시예에서, 이들 감지 디바이스들은 하나 또는 둘 이상의 정전용량식 감지 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 설명된 동작들은 노트북 포인터 동작들, 조명 제어(조광기), 볼륨 제어, 그래픽 이퀄라이저 제어, 속도 제어, 또는 점진적 또는 개별적 조정들을 필요로 하는 다른 제어 동작들을 포함할 수 있다(그러나, 이에 한정되는 것은 아님). 정전용량식 감지 구현예들의 이러한 실시예들이, 선택(pick) 버튼들, 슬라이더들(예를 들면, 디스플레이 휘도 및 콘트라스트), 스크롤-휠들, 멀티-미디어 제어(예를 들면, 볼륨, 트랙 어드밴스(track advance) 등), 필체 인식 및 숫자 키패드 동작을 포함하는(그런, 이에 한정되는 것은 아님) 비-정전용량식 감지 엘리먼트들(270)과 함께 사용될 수 있음에 또한 유의해야 한다. The embodiments described herein can be used in any capacitive sensing array application, for example, the capacitive sensing array 220 having non-homogeneous pitches can be used as a touch screen, touch-sensitive slider, or touch- And sensing buttons 240 (e.g., capacitance sensing buttons). In one embodiment, these sensing devices may include one or more capacitive sensing elements. The operations described herein may include, but are not limited to, notebook pointer operations, light control (dimming), volume control, graphic equalizer control, rate control, or other control operations that require gradual or individual adjustments But not necessarily). These embodiments of capacitive sensing implementations may be implemented in a variety of ways, including pick buttons, sliders (e.g., display brightness and contrast), scroll-wheels, multi-media control (e.g., volume, track advance track advance, etc.), handwriting recognition, and numeric keypad operation, as well as non-capacitive sensing elements 270.

일 실시예에서, 전자 시스템(200)은 버스(221)를 통하여 프로세싱 디바이스(210)에 커플링된, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이(220)를 포함한다. 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이(220)는 일 실시예에서 1차원 감지 어레이를 포함할 수 있고 다른 실시예에서 2차원 감지 어레이를 포함할 수 있다. 대안적으로, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이(220)는 더 큰 차원들을 가질 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 정전용량식 감지 어레이(220)는 슬라이더들, 터치패드들, 터치 스크린들 또는 다른 감지 디바이스들일 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 시스템(200)은 버스(241)를 통하여 프로세싱 디바이스(210)에 커플링되는 터치-감지 버튼들(240)을 포함한다. 터치-감지 버튼들(240)은 단일-차원 또는 다차원 감지 어레이를 포함할 수 있다. 단일- 또는 다차원 감지 어레이는 복수의 감지 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 터치-감지 버튼에 대하여, 감지 엘리먼트들은 감지 디바이스의 전체 표면에 걸친 전도성 물체의 존재를 검출하기 위해 함께 커플링될 수 있다. 대안적으로, 터치-감지 버튼들(240)은 전도성 물체의 존재를 검출하기 위해 단일 감지 엘리먼트를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 터치-감지 버튼들(240)은 정전용량식 감지 엘리먼트를 포함할 수 있다. 정전용량식 감지 엘리먼트들은 비접촉 감지 엘리먼트들로서 사용될 수 있다. 이런 감지 엘리먼트들은, 절연 층에 의해 보호되는 경우, 가혹한 환경들에 대한 저항을 제안한다. In one embodiment, the electronic system 200 includes a capacitive sensing array 220 of sensing elements having inhomogeneous pitches coupled to the processing device 210 via a bus 221. The capacitive sensing array 220 of sensing elements with inhomogeneous pitches may comprise a one-dimensional sensing array in one embodiment and may include a two-dimensional sensing array in another embodiment. Alternatively, the capacitive sensing array 220 of sensing elements with inhomogeneous pitches may have larger dimensions. Also, in one embodiment, the capacitive sensing array 220 of sensing elements with non-homogeneous pitches may be sliders, touch pads, touch screens, or other sensing devices. In another embodiment, the electronic system 200 includes touch-sensing buttons 240 coupled to the processing device 210 via a bus 241. Touch-sensitive buttons 240 may include a single-dimensional or multi-dimensional sensing array. The single- or multi-dimensional sensing array may comprise a plurality of sensing elements. For the touch-sensitive button, the sensing elements may be coupled together to detect the presence of a conductive object over the entire surface of the sensing device. Alternatively, the touch-sensitive buttons 240 may have a single sensing element to detect the presence of a conductive object. In one embodiment, the touch-sensitive buttons 240 may include a capacitive sensing element. The capacitive sensing elements can be used as contactless sensing elements. These sensing elements, when protected by an insulating layer, offer resistance to harsh environments.

전자 시스템(200)은 비균질한 피치들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(220), 및/또는 터치-감지 버튼(240) 중 하나 또는 둘 이상의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 시스템(200)은 또한 버스(271)를 통하여 프로세싱 디바이스(210)에 커플링된 비정전용량 감지 엘리먼트들(270)을 포함할 수 있다. 비-정전용량 감지 엘리먼트들(270)은 버튼들, 발광 다이오드들("LED들"), 및 마우스, 키보드, 또는 정전용량식 감지를 필요로 하지 않는 다른 기능 키들과 같은 다른 사용자 인터페이스 디바이스들을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 버스들(271, 241, 231, 및 221)은 단일 버스일 수 있다. 대안적으로, 이들 버스들은 하나 또는 둘 이상의 별도의 버스들의 임의의 조합으로 구성될 수 있다. The electronic system 200 may include any combination of one or more of the capacitive sensing array 220 having inhomogeneous pitches, and / or the touch-sensing buttons 240. In another embodiment, the electronic system 200 may also include non-capacitive sensing elements 270 coupled to the processing device 210 via a bus 271. Non-capacitive sensing elements 270 include other user interface devices such as buttons, light emitting diodes ("LEDs"), and other function keys that do not require a mouse, keyboard, or capacitive sensing can do. In one embodiment, buses 271, 241, 231, and 221 may be a single bus. Alternatively, these buses may be comprised of any combination of one or more separate buses.

프로세싱 디바이스(210)는 내부 발진기/클록들(206) 및 통신 블록("COM")(208)을 포함할 수 있다. 발진기/클록들 블록(206)은 프로세싱 디바이스(210)의 컴포넌트들 중 하나 또는 둘 이상에 클록 신호들을 제공한다. 통신 블록(208)은 호스트 인터페이스("I/F") 라인(251)을 통하여 호스트 프로세서(250)와 같은 외부 컴포넌트와 통신하기 위해 사용될 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 디바이스(210)는 또한 호스트 프로세서(250)와 같은 외부 컴포넌트들과 통신하기 위해 내장형 컨트롤러(260)에 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 프로세싱 디바이스(210)는 데이터를 송신 및/또는 수신하기 위해 내장형 컨트롤러(260) 또는 호스트 프로세서(250)와 통신하도록 구성된다. The processing device 210 may include internal oscillators / clocks 206 and a communications block ("COM") 208. The oscillator / clocks block 206 provides clock signals to one or more of the components of the processing device 210. Communication block 208 may be used to communicate with external components, such as host processor 250, via a host interface ("I / F") line 251. Alternatively, the processing device 210 may also be coupled to the embedded controller 260 for communicating with external components, such as the host processor 250. In one embodiment, the processing device 210 is configured to communicate with the embedded controller 260 or the host processor 250 to transmit and / or receive data.

프로세싱 디바이스(210)는, 예를 들면, 집적 회로("IC") 다이 기판, 멀티-칩 모듈 기판 등과 같은 공통 캐리어 기판 상에 상주할 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 디바이스(210)의 컴포넌트들은 하나 또는 둘 이상의 별도의 집적 회로들 및/또는 이산 컴포넌트들일 수 있다. 하나의 예시적인 실시예에서, 프로세싱 디바이스(210)는 캘리포니아 산호세 소재의 Cypress Semiconductor Corporation에 의해 제조되는 "PSoC®"(Programmable System on a Chip) 프로세싱 디바이스일 수 있다. 대안적으로, 프로세싱 디바이스(210)는 마이크로프로세서 또는 중앙 처리 유닛, 컨트롤러, 특수-목적 프로세서, 디지털 신호 프로세서("DSP"), 주문형 집적 회로("ASIC"), 필드 프로그램가능한 게이트 어레이("FPGA") 등과 같은, 당업자에게 알려진 하나 또는 둘 이상의 다른 프로세싱 디바이스들일 수 있다. The processing device 210 may reside on a common carrier substrate, such as, for example, an integrated circuit ("IC") die substrate, a multi-chip module substrate, Alternatively, the components of processing device 210 may be one or more discrete integrated circuits and / or discrete components. In one exemplary embodiment, processing device 210 may be a " PSoC "(Programmable System on a Chip) processing device manufactured by Cypress Semiconductor Corporation of San Jose, CA. Alternatively, the processing device 210 may be a microprocessor or central processing unit, a controller, a special purpose processor, a digital signal processor ("DSP"), an application specific integrated circuit Quot;), < / RTI > and the like, which are known to those skilled in the art.

본 명세서에서 설명되는 실시예들은 호스트에 커플링된 프로세싱 디바이스의 구성을 갖는 것으로 한정되는 것은 아니지만, 감지 디바이스 상의 정전용량을 측정하여 호스트 컴퓨터로 미가공 데이터를 전송하는 시스템(상기 호스트 컴퓨터에서는 애플리케이션에 의해 미가공 데이터가 분석됨)을 포함할 수 있다는 것에 또한 유의해야 한다. 실제로, 프로세싱 디바이스(210)에 의해 이루어지는 프로세싱은 또한 호스트에서 이루어질 수 있다. Although the embodiments described herein are not limited to having a configuration of a processing device coupled to a host, a system for measuring the capacitance on a sensing device and transferring raw data to the host computer The raw data may be analyzed). In fact, the processing performed by the processing device 210 may also be done at the host.

도 2의 프로세싱 디바이스(210)는 자기-정전용량 감지 및 상호 정전용량 감지와 같은 다양한 기법들을 이용하여 정전용량을 측정할 수 있음에 유의한다. 자기-정전용량 감지 모드는 또한 각각의 감지 엘리먼트가 감지 회로로의 오직 하나만의 연결 와이어 만을 필요로 하기 때문에 단일-전극 감지 모드로 지칭된다. 자기-정전용량 감지 모드에 대하여, 감지 엘리먼트를 터치하는 것은 손가락 터치에 의해 부가되는 정전용량이 센서 정전용량에 부가되기 때문에 센서 정전용량을 증가시킨다. 상호 정전용량 변화는 상호 정전용량-감지 모드에서 검출된다. 각각의 센서 엘리먼트는 적어도 2개의 전극들을 이용한다: 하나는 송신기(Tx) 전극(또한, 본 명세서에서 송신기 전극으로서 지칭됨)이고, 다른 하나는 수신기(Rx) 전극이다. 손가락이 센서 엘리먼트를 터치하거나 센서 엘리먼트에 근접할 때, 손가락이 전계의 일부를 접지(예를 들면, 섀시 또는 지면)로 션트하기 때문에, 감지 엘리먼트의 수신기와 송신기 사이의 용량성 커플링은 감소된다. It is noted that the processing device 210 of FIG. 2 may measure capacitance using various techniques such as self-capacitance sensing and mutual capacitance sensing. The self-capacitance sensing mode is also referred to as a single-electrode sensing mode because each sensing element requires only one connecting wire to the sensing circuit. For the self-capacitive sensing mode, touching the sensing element increases the sensor capacitance because the capacitance added by the finger touch is added to the sensor capacitance. Mutual capacitance changes are detected in mutual capacitive-sensing mode. Each sensor element uses at least two electrodes: one is a transmitter (Tx) electrode (also referred to herein as a transmitter electrode) and the other is a receiver (Rx) electrode. When the finger touches or approaches the sensor element, the capacitive coupling between the receiver and the transmitter of the sensing element is reduced because the finger shunts a portion of the electric field to ground (e.g., chassis or ground) .

정전용량 센서(201)는 프로세싱 디바이스(210)의 IC, 또는 대안적으로는 별도의 IC에 통합될 수 있다. 정전용량 센서(201)는 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 정전용량을 측정하기 위한, 완화 발진기(relaxation oscillator; RO) 회로, 시그마 델타 변조기(또한, CSD로서 지칭됨) 회로, 전하 전송 회로, 전하 축적 회로 등을 포함할 수 있다. 대안적으로, 정전용량 센서(201)의 디스크립션들(descriptions)은 다른 집적 회로들로의 통합을 위해 생성되거나 컴파일링될 수 있다. 예를 들면, 정전용량 센서(201), 또는 이의 일부들을 설명하는 거동 레벨 코드(behavioral level code)가 VHDL 또는 Verilog와 같은 하드웨어 기술 언어(hardware descriptive language)를 이용하여 발생될 수 있고, 머신-액세스가능한 매체(예를 들면, CD-ROM, 하드 디스크, 플로피 디스크 등)에 저장될 수 있다. 게다가, 거동 레벨 코드는 레지스터 전송 레벨("RTL") 코드, 넷리스트(netlist), 또는 심지어 회로 레이아웃으로 컴파일링될 수 있고, 머신-액세스가능한 매체에 저장될 수 있다. 거동 레벨 코드, RTL 코드, 넷리스트, 및 회로 레이아웃 모두는 정전용량 센서(201)를 설명하기 위한 다양한 레벨의 추상적 개념(abstraction)을 나타낸다. The capacitive sensor 201 may be integrated into the IC of the processing device 210, or alternatively, a separate IC. The capacitive sensor 201 may be a relaxation oscillator (RO) circuit, a sigma delta modulator (also referred to as a CSD) for measuring capacitance, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure ) Circuit, a charge transfer circuit, a charge storage circuit, and the like. Alternatively, the descriptions of the capacitance sensor 201 may be generated or compiled for integration into other integrated circuits. For example, a behavioral level code describing the capacitive sensor 201, or portions thereof, may be generated using a hardware descriptive language, such as VHDL or Verilog, and a machine-accessible (E. G., CD-ROM, hard disk, floppy disk, etc.). In addition, the behavior level code may be compiled into a register transfer level ("RTL") code, a netlist, or even a circuit layout, and stored in a machine-accessible medium. Both the behavior level code, the RTL code, the netlist, and the circuit layout represent various levels of abstraction to describe the capacitive sensor 201.

전자 시스템(200)의 컴포넌트들은 위에서 설명한 모든 컴포넌트들을 포함할 수 있음에 유의해야 한다. 대안적으로, 전자 시스템(200)은 위에서 설명한 컴포넌트들 중 단지 일부만을 포함할 수 있다. It should be noted that components of electronic system 200 may include all of the components described above. Alternatively, the electronic system 200 may include only a portion of the components described above.

일 실시예에서, 전자 시스템(200)은 노트북 컴퓨터에서 사용된다. 대안적으로, 전자 디바이스는 모바일 핸드셋, 휴대 정보 단말기("PDA"), 키보드, 텔레비전, 리모컨, 모니터, 핸드헬드 멀티-미디어 디바이스, 핸드헬드 비디오 플레이어, 핸드헬드 게임 디바이스, 또는 제어 패널과 같은 다른 애플리케이션들에서 사용될 수 있다. In one embodiment, the electronic system 200 is used in a notebook computer. Alternatively, the electronic device may be a mobile handset, a personal digital assistant ("PDA"), a keyboard, a television, a remote control, a monitor, a handheld multi- media device, a handheld video player, Applications.

도 3은 정전용량 감지 어레이(300)의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들(302)의 정전용량식 감지 어레이(300)의 일 실시예의 예시적인 평면도를 도시한다. 위에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서의 피치는 감지 엘리먼트들의 폭 및 감지 엘리먼트들 사이의 간격으로 정의된다. 예로서, 도 3의 피치(304)는 감지 엘리먼트(302a)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(302b)의 동일한 우측 에지까지의 거리로 도시된다. 유사하게, 피치(306)는 감지 엘리먼트(302b)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(302c)의 동일한 우측 에지까지의 거리로 도시되고, 피치(308)는 감지 엘리먼트(302c)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(302d)의 우측 에지까지의 거리로 도시된다. 피치(304)는 감지 엘리먼트(302a)의 좌측 에지에서 감지 엘리먼트(302b)의 동일한 좌측 에지까지의 거리를 포함할 수 있음에 유의한다. 또한, 피치(304)는 감지 엘리먼트(302a)의 중앙에서 감지 엘리먼트(302b)의 중앙까지의 거리를 포함할 수 있음(감지 엘리먼트들(302a 및 302b) 사이의 간격을 포함함)에 유의한다. 구체적으로, 비균질한 피치 감지 엘리먼트들(302)은 가로축에 위치되고, 비균질한 감지 엘리먼트들(302)의 피치들은 그것들이 정전용량 감지 어레이(300)의 에지들을 향하여 배치되기 때문에 점진적으로 감소한다. 정전용량 감지 어레이(300)의 에지를 따라 배치된 비균질한 감지 엘리먼트들(302)의 피치들(즉, 감지 엘리먼트 피치)은 더 작다; 반면, 정전용량 감지 어레이(300)의 중앙 영역에 더 근접한 감지 엘리먼트들의 감지 엘리먼트 피치는 비교적 더 크다. 이는 에지들에 더 근접한 감지 엘리먼트들(302)의 폭들이 정전용량 감지 어레이의 중앙 영역에 더 근접한 감지 엘리먼트들의 폭들보다 작은 반면, 감지 엘리먼트들 사이의 간격(309, 311 및 313)은 도 3에 도시된 실시예에서 동일하게 유지한다는 사실에 기인한다. 예를 들면, 정전용량 감지 어레이(300)의 중앙 영역에 배치되는 중앙 감지 엘리먼트(302c)의 폭(307)은 30-40㎛의 범위일 수 있고, 정전용량 감지 어레이(300)의 중앙 영역에 더 근접하게 배치되는 내부 감지 엘리먼트(302b)의 폭(305)은 150-200㎛의 범위일 수 있으며, 정전용량 감지 어레이(300)의 에지를 따라 더 근접하게 배치되는 에지 감지 엘리먼트(302a)의 폭(303)은 5-10㎛의 범위일 수 있다. 대안적으로, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 폭들의 다른 치수들이 사용될 수 있다. 감지 엘리먼트(302a 및 302b) 사이의 간격(309)은 감지 엘리먼트들(302b 및 302c) 사이의 간격(311) 및 감지 엘리먼트들(302c 및 302d) 사이의 간격(313)과 동일하다. 위에서 설명된 바와 같이, 신호 프로파일이 어레이의 중앙에서 훨씬 강하기 때문에, 중앙에서의 비균질한 감지 엘리먼트들(302)의 더 넓은 피치는 신호 프로파일의 정확도에 거의 영향을 미치지 않는다. 반면, 도 3에 도시된 바와 같이, 에지들에서의 감지 엘리먼트 피치를 감소시킴으로써, 어레이 패널의 에지에서 신호 프로파일의 정확도를 상당히 개선하는 손가락 입도(granularity)를 갖는 프로파일을 가능하게 한다. 감지 엘리먼트들(302)은 송신(Tx) 또는 수신(Rx) 감지 엘리먼트들 중 어느 하나일 수 있음에 유의한다. 도 3이 가로축에 배치되는 비균질한 감지 엘리먼트들 중 단지 하나의 층만을 갖는 정전용량 감지 어레이(300)를 도시할지라도, 정전용량 감지 어레이(300)는 유사한 구성을 갖는 다른 세로축에 배치되는 비균질한 감지 엘리먼트들의 제 2 층을 포함할 수 있음에 유의한다. 또한, 도 3은, 감지 엘리먼트들이 패널의 에지를 향하여 더 근접하게 위치됨에 따라서, 감지 엘리먼트들 각각의 피치들이 감소하는 것을 도시하지만, 감지 엘리먼트들의 피치들을 감소시키는 것은 임의의 형태의 입도를 취할 수 있음에 유의한다. FIG. 3 illustrates an exemplary top view of one embodiment of a capacitive sensing array 300 of sensing elements 302 having non-homogeneous pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitance sensing array 300. As described above, the pitch in the present invention is defined as the width of the sensing elements and the spacing between sensing elements. By way of example, pitch 304 in FIG. 3 is shown as the distance from the right edge of sensing element 302a to the same right edge of sensing element 302b. Similarly, the pitch 306 is shown as the distance from the right edge of the sensing element 302b to the same right edge of the sensing element 302c and the pitch 308 is shown as the sensing element 302c at the right edge of the sensing element 302c 302d. ≪ / RTI > Note that pitch 304 may include the distance from the left edge of sensing element 302a to the same left edge of sensing element 302b. Note also that the pitch 304 may include the distance from the center of the sensing element 302a to the center of the sensing element 302b (including the spacing between the sensing elements 302a and 302b). Specifically, the inhomogeneous pitch sensing elements 302 are positioned on the abscissa axis and the pitches of the inhomogeneous sensing elements 302 gradually decrease as they are placed toward the edges of the capacitive sensing array 300. [ The pitches (i.e., sensing element pitch) of the heterogeneous sensing elements 302 disposed along the edge of the capacitive sensing array 300 are smaller; On the other hand, the sensing element pitches of the sensing elements closer to the central region of the electrostatic capacitance sensing array 300 are relatively larger. This is because the widths of the sensing elements 302 closer to the edges are smaller than the widths of the sensing elements closer to the central region of the capacitance sensing array while the spacing 309,311 and 313 between the sensing elements is But remains the same in the illustrated embodiment. For example, the width 307 of the central sensing element 302c disposed in the central region of the electrostatic capacity sensing array 300 may be in the range of 30-40 占 퐉 and may be in the central region of the electrostatic capacitance sensing array 300 The width 305 of the inner sensing element 302b disposed closer together may be in the range of 150-200 占 퐉 and may be greater than the width 305 of the edge sensing element 302a disposed more closely along the edge of the capacitive sensing array 300 The width 303 may be in the range of 5-10 占 퐉. Alternatively, other dimensions of widths may be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure. The spacing 309 between the sensing elements 302a and 302b is equal to the spacing 311 between the sensing elements 302b and 302c and the spacing 313 between the sensing elements 302c and 302d. As described above, since the signal profile is much stronger in the center of the array, the wider pitch of the heterogeneous sensing elements 302 in the center has little effect on the accuracy of the signal profile. On the other hand, by reducing the sensing element pitch at the edges, as shown in FIG. 3, it enables a profile with finger granularity that significantly improves the accuracy of the signal profile at the edge of the array panel. It is noted that the sensing elements 302 may be either transmit (Tx) or receive (Rx) sensing elements. Although FIG. 3 shows a capacitive sensing array 300 having only one of the inhomogeneous sensing elements disposed in the abscissa, the capacitive sensing array 300 includes a non-uniform And may include a second layer of sensing elements. Figure 3 also shows that the pitch of each of the sensing elements decreases as the sensing elements are positioned closer to the edge of the panel, but reducing the pitch of the sensing elements can take any form of granularity .

도 4는 정전용량 감지 어레이(400)의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들(402)의 정전용량식 감지 어레이(400)의 일 실시예의 평면도를 도시한다. 위에서 설명된 바와 같이, 본 발명의 피치는 감지 엘리먼트들의 폭 및 감지 엘리먼트들 사이의 간격으로 정의된다. 예로서, 도 4의 피치(404)는 감지 엘리먼트(402a)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(402b)의 동일한 우측 에지까지의 거리로 도시된다. 유사하게, 피치(406)는 감지 엘리먼트(402b)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(402c)의 동일한 우측 에지까지의 거리로 도시되고, 피치(408)는 감지 엘리먼트(402c)의 우측 에지에서 감지 엘리먼트(402d)의 우측 에지까지의 거리로 도시된다. 피치(404)는 감지 엘리먼트(402a)의 좌측 에지에서 감지 엘리먼트(402b)의 동일한 좌측 에지까지의 거리를 포함할 수 있음에 유의한다. 구체적으로, 비균질한 피치 감지 엘리먼트들(402)은 일정한 폭들(407, 409, 411 및 413)을 갖고, 정전용량식 감지 어레이(400)의 에지들을 향하여 점진적으로 감소하는 비균질한 피치 감지 엘리먼트들(402) 사이의 간격으로 가로축에 위치된다. 정전용량식 감지 어레이(400)의 에지들에 더 근접하게 배치되는 감지 엘리먼트들(402) 사이의 간격은 더 작은 반면, 정전용량식 감지 어레이(400)의 중앙 영역에 더 근접하여 배치되는 감지 엘리먼트들의 사이의 간격은 비교적 더 크다. 그래서, 도 4의 에지 감지 엘리먼트(402a)는 정전용량식 감지 어레이(400)의 에지에 더 근접하게 배치된다; 제 1 내부 감지 엘리먼트(402b)는 에지 감지 엘리먼트(402a)보다 어레이(400)의 중앙 영역에 더 근접하게 배치된다; 제 2 내부 감지 엘리먼트(402c)는 제 1 내부 감지 엘리먼트(402b)보다 정전용량식 감지 어레이(400)의 중앙 영역에 더 근접하게 배치된다; 그리고 중앙 감지 엘리먼트(402d)는 정전용량식 감지 어레이(400)의 중앙 영역에 배치된다. 도 4에 도시된 바와 같이, 에지 감지 엘리먼트(402a)와 제 1 내부 감지 엘리먼트(402b) 사이의 제 1 간격(401)은 제 1 내부 감지 엘리먼트(402b)와 제 2 내부 감지 엘리먼트(402c) 사이의 제 2 간격(403)보다 작다. 또한, 제 2 간격(403)은 제 2 내부 감지 엘리먼트(402c)와 중앙 감지 엘리먼트(402d) 사이의 제 3 간격(405)보다 작다. 예를 들면, 도 4에서, 제 1 간격(401)은 10 ㎛ 내지 40㎛의 범위일 수 있고, 제 2 간격(403)은 100㎛ 내지 160㎛의 범위 일 수 있으며, 제 3 간격(405)은 160㎛ 내지 640㎛의 범위일 수 있다. 대안적으로, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 간격의 다른 치수들이 사용될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 신호 프로파일이 어레이의 중앙에서 훨씬 강하기 때문에, 정전용량식 감지 어레이(400)의 중앙 영역에 더 근접한 감지 엘리먼트들(402) 사이의 간격은 신호 프로파일의 정확도에 거의 영향을 미치지 않는다. 반면, 도 4에 도시된 바와 같이, 정전용량식 감지 어레이(400)의 에지들에 더 근접한 감지 엘리먼트들(402) 사이의 간격을 감소시킴으로써, 어레이 패널의 에지에서 신호 프로파일의 정확도를 상당히 개선한다. 감지 엘리먼트들(402)은 송신(Tx) 또는 수신(Rx) 감지 엘리먼트들 중 어느 하나일 수 있음에 유의한다. 도 4가 가로축에 배치되는 다양한 간격들을 갖는 비균질한 감지 엘리먼트들 중 단지 하나의 층만을 갖는 정전용량식 감지 어레이(400)를 도시할지라도, 정전용량식 감지 어레이(400)는 동일한 구성을 갖는 다른 세로축에 배치되는 다양한 간격으로 배치된 감지 엘리먼트들의 제 2 층을 포함할 수 있음에 유의한다. 또한, 도 4가, 감지 엘리먼트들이 패널의 에지를 향하여 위치됨에 따라서 감지 엘리먼트들 각각의 사이의 간격이 감소하는 것을 도시하지만, 감지 엘리먼트들 사이의 간격은 임의의 형태의 입도를 취할 수 있음에 유의한다. Figure 4 shows a top view of one embodiment of a capacitive sensing array 400 of sensing elements 402 having non-homogeneous pitches, disposed on a first longitudinal axis of the capacitance sensing array 400. As described above, the pitch of the present invention is defined as the width of the sensing elements and the spacing between sensing elements. By way of example, pitch 404 in FIG. 4 is shown as the distance from the right edge of sensing element 402a to the same right edge of sensing element 402b. Similarly, the pitch 406 is shown as the distance from the right edge of the sensing element 402b to the same right edge of the sensing element 402c and the pitch 408 is the distance from the sensing element 402c at the right edge of the sensing element 402c 402d. ≪ / RTI > Note that the pitch 404 may include the distance from the left edge of the sensing element 402a to the same left edge of the sensing element 402b. Specifically, the inhomogeneous pitch sensing elements 402 have uniform widths 407, 409, 411, and 413, and inhomogeneous pitch sensing elements (not shown) that progressively decrease toward the edges of the capacitive sensing array 400 402, respectively. The spacing between the sensing elements 402 disposed closer to the edges of the capacitive sensing array 400 is smaller while the distance between the sensing elements 402 disposed closer to the central region of the capacitive sensing array 400 is smaller, Are relatively large. Thus, the edge sensing element 402a of FIG. 4 is disposed closer to the edge of the capacitive sensing array 400; The first inner sensing element 402b is disposed closer to the central region of the array 400 than the edge sensing element 402a; The second inner sensing element 402c is disposed closer to the central region of the capacitive sensing array 400 than the first inner sensing element 402b; And the central sensing element 402d is disposed in the central region of the capacitive sensing array 400. [ 4, a first spacing 401 between the edge sensing element 402a and the first inner sensing element 402b is between the first inner sensing element 402b and the second inner sensing element 402c, Is smaller than the second spacing (403). Also, the second spacing 403 is less than the third spacing 405 between the second inner sensing element 402c and the central sensing element 402d. For example, in FIG. 4, the first spacing 401 may be in the range of 10 占 퐉 to 40 占 퐉, the second spacing 403 may be in the range of 100 占 퐉 to 160 占 퐉, May range from 160 [mu] m to 640 [mu] m. Alternatively, other dimensions of spacing may be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure. As described above, the spacing between the sensing elements 402 closer to the central region of the capacitive sensing array 400 has little effect on the accuracy of the signal profile, since the signal profile is much stronger in the center of the array Do not. On the other hand, by reducing the spacing between the sensing elements 402 closer to the edges of the capacitive sensing array 400, as shown in FIG. 4, the accuracy of the signal profile at the edges of the array panel is significantly improved . It is noted that the sensing elements 402 may be either transmit (Tx) or receive (Rx) sensing elements. Although FIG. 4 illustrates a capacitive sensing array 400 having only one of the heterogeneous sensing elements having various spacings disposed on the abscissa, the capacitive sensing array 400 may have a different configuration, And may include a second layer of sensing elements disposed at various intervals disposed on the longitudinal axis. It should also be noted that although Figure 4 shows that the spacing between each of the sensing elements decreases as the sensing elements are positioned towards the edge of the panel, the spacing between sensing elements can take any form of granularity do.

도 5a는 정전용량 감지 어레이(500)의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들(502)의 정전용량식 감지 어레이(500)의 일 실시예의 평면도를 도시한다. 감지 엘리먼트들(502)은 비균질한 폭들 및 감지 엘리먼트들(502) 사이의 다양한 간격 양자를 갖는다. 구체적으로, 감지 엘리먼트들(502)은 가로축에 위치되고, 감지 엘리먼트들(502)의 폭들 및 감지 엘리먼트들(502) 사이의 간격(즉, 감지 엘리먼트 피치)은 감지 엘리먼트들(502)이 정전용량 감지 어레이(500)의 에지들을 향하여 위치됨에 따라 점진적으로 감소한다. 도 5a에 도시된 바와 같이, 에지 감지 엘리먼트(502a)의 폭은 제 1 내부 감지 엘리먼트(502b)의 폭보다 작고, 제 1 내부 감지 엘리먼트(502b)의 폭은 제 2 내부 감지 엘리먼트(502c)의 폭보다 작다. 또한, 에지 감지 엘리먼트(502a)와 제 1 내부 감지 엘리먼트(502b) 사이의 제 1 간격(501)은 제 1 내부 감지 엘리먼트(502b)와 제 2 내부 감지 엘리먼트(502c) 사이의 제 2 간격(503)보다 작은 식이다. 감지 엘리먼트들(502)은 송신(Tx) 또는 수신(Rx) 감지 엘리먼트들 중 어느 하나일 수 있음에 유의한다. 위에서 언급된 바와 같이, 감지 엘리먼트들의 폭들 및 그들 사이의 간격은 수십㎛ 내지 수천㎛의 범위에서 변할 수 있다. 대안적으로; 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 폭들 및 간격의 다른 치수들이 사용될 수 있다. 도 5a가 가로축에 배치되는 다양한 간격을 갖는, 비균질한 감지 엘리먼트들의 단지 하나의 층만을 갖는 정전용량 감지 어레이(500)를 도시할지라도, 정전용량 감지 어레이(500)는 동일한 구성으로 다른 세로축에 배치되는 다양한 간격으로 배치된 균질한 감지 엘리먼트들의 제 2 층을 포함할 수 있음에 유의한다. 대안적으로, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 둘 초과의 층들이 사용될 수 있다. 또한, 감지 엘리먼트들은 단일 차원 어레이뿐만 아니라 2차원 어레이 양자에 대하여 단일 층으로 배치될 수 있음에 유의해야 한다. 다른 실시예들에서, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 층들 및 치수들의 다른 조합이 사용될 수 있다. 5A shows a top view of one embodiment of a capacitive sensing array 500 of sensing elements 502 having non-homogeneous pitches, disposed on a first longitudinal axis of the capacitance sensing array 500. The capacitive sensing array 500 of FIG. The sensing elements 502 have both the non-uniform widths and the various spacing between the sensing elements 502. Specifically, the sensing elements 502 are located on the abscissa and the widths of the sensing elements 502 and the spacing between the sensing elements 502 (i.e., the sensing element pitch) are such that the sensing elements 502 are capacitive And gradually decreases as it is positioned towards the edges of the sensing array 500. 5A, the width of the edge sensing element 502a is less than the width of the first inner sensing element 502b and the width of the first inner sensing element 502b is less than the width of the second inner sensing element 502c Width. A first spacing 501 between the edge sensing element 502a and the first inner sensing element 502b is greater than a second spacing 503 between the first inner sensing element 502b and the second inner sensing element 502c ). It is noted that the sensing elements 502 may be either transmit (Tx) or receive (Rx) sensing elements. As mentioned above, the widths of the sensing elements and the spacing therebetween can vary in the range of several tens of micrometers to several thousand micrometers. Alternatively; Other dimensions of widths and spacings may be used, as would be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure. Although FIG. 5A shows a capacitive sensing array 500 having only one layer of heterogeneous sensing elements with varying spacing on the abscissa axis, the capacitive sensing array 500 is arranged on the other longitudinal axis Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > second layer of uniformly spaced sensing elements. Alternatively, more than two layers may be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure. It should also be noted that the sensing elements may be arranged in a single layer for both a two dimensional array as well as a single dimensional array. In other embodiments, other combinations of layers and dimensions may be used, as would be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure.

도 5b는 감지 엘리먼트들 사이의 다양한 간격을 갖는 비균질한 폭 감지 엘리먼트들을 갖는 정전용량식 감지 어레이(510)의 다른 실시예의 평면도를 도시한다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 엘리먼트 폭(w) 및 감지 엘리먼트들(502) 사이의 간격(s) 양자는 임의의 형태의 입도를 취할 수 있다. 대안적으로, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 둘 초과의 층들이 사용될 수 있다. 또한, 감지 엘리먼트들은 단일 차원 어레이뿐만 아니라 2차원 어레이 양자에 대하여 단일 층에 배치될 수 있음에 유의해야 한다. 다른 실시예들에서, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 층들 및 치수들의 다른 조합이 사용될 수 있다. 5B shows a top view of another embodiment of a capacitive sensing array 510 having inhomogeneous width sensing elements with different spacing between sensing elements. As shown in FIG. 5B, both the element width w and the spacing s between the sensing elements 502 can take any form of granularity. Alternatively, more than two layers may be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure. It should also be noted that the sensing elements may be arranged in a single layer with respect to both a single dimensional array as well as a two dimensional array. In other embodiments, other combinations of layers and dimensions may be used, as would be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure.

도 6은 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들(602)의 정전용량식 감지 어레이(600)의 다른 실시예의 평면도를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이, 감지 엘리먼트들(602)은 에지들에서 비균질한 폭들을 포함하고, 정전용량 감지 어레이(600)의 수직축에 배치된다. 구체적으로, 에지 감지 엘리먼트(602a)는 수직축에 위치되고, 에지 감지 엘리먼트들(602a)의 각각은, 도 6에 도시된 바와 같이, 정전용량 감지 어레이(600)의 각 에지와 정렬되도록 더 넓게 연장된다. 에지 감지 엘리먼트(602a)의 폭(604)은 인접 감지 엘리먼트(602b)의 폭(606)보다 크다. 이러한 정렬에 기인하여, 에지 감지 엘리먼트(602a)와 정전용량 감지 어레이(600)의 에지 사이의 제 1 간격(601)은 에지 감지 엘리먼트(602a)와 인접 감지 엘리먼트(602c) 사이의 제 2 간격(603)보다 작다. 따라서, 패널 어레이의 에지와 에지 감지 엘리먼트들(602a)의 이러한 정렬은 어레이 패널의 에지에서 신호 프로파일의 정확도의 상당한 개선을 야기하는 에지들에서의 간격을 실질적으로 감소시킨다. 예로서, 감지 엘리먼트(602b)의 폭(606)은 약 100㎛일 수 있고, 에지 감지 엘리먼트(602a)의 폭(604)은 약 400㎛일 수 있다. 또한, 제 1 간격(601)은 수십㎛의 범위일 수 있고, 제 2 간격(603)은 수백㎛의 범위일 수 있다. 본 실시예에서, 신호 프로파일의 입도는 동일하게 유지할 수 있지만; 신호 세기가 개선되어 결과적으로 패널 어레이의 에지들에서 더 우수한 정확도의 초래한다는 것에 유의한다. 6 shows a top view of another embodiment of a capacitive sensing array 600 of sensing elements 602 having non-homogeneous pitches. As shown in FIG. 6, sensing elements 602 include non-uniform widths at the edges and are disposed on the vertical axis of the capacitance sensing array 600. Specifically, the edge sensing element 602a is positioned on a vertical axis and each of the edge sensing elements 602a is wider and longer to align with each edge of the capacitance sensing array 600, do. The width 604 of the edge sensing element 602a is greater than the width 606 of the adjacent sensing element 602b. Due to this alignment, the first spacing 601 between the edge sensing element 602a and the edge of the capacitance sensing array 600 is greater than the second spacing 602 between the edge sensing element 602a and the adjacent sensing element 602c 603). Thus, this alignment of the edge of the panel array and the edge sensing elements 602a substantially reduces the spacing at the edges which causes a significant improvement in the accuracy of the signal profile at the edge of the array panel. By way of example, the width 606 of the sensing element 602b may be about 100 占 퐉 and the width 604 of the edge sensing element 602a may be about 400 占 퐉. Also, the first spacing 601 may be in the range of several tens of micrometers, and the second spacing 603 may be in the range of hundreds of micrometers. In this embodiment, the grain size of the signal profile can remain the same; Note that the signal strength is improved resulting in better accuracy at the edges of the panel array.

도 7은 균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들과 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 조합을 갖는 상호 정전용량식 감지 어레이(700)의 일 실시예의 평면도를 도시한다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상호 정전용량식 감지 어레이(700)는 균질한 피치들을 갖는 제 1 세트의 송신("Tx") 감지 엘리먼트들(702)(즉, 균질한 Tx 엘리먼트들) 및 비균질한 피치들을 갖는 제 2 세트의 수신("Rx") 감지 엘리먼트들(704)(즉, 비균질한 Rx 엘리먼트들)을 포함하는 5×5 매트릭스를 포함한다. 5×5 감지 엘리먼트 매트릭스의 송신 및 수신 감지 엘리먼트들 양자는, 균질한 송신 감지 엘리먼트들(702) 각각이 비균질한 수신 감지 엘리먼트들(704)의 각각과 교차하도록 배열된다. 균질한 송신 감지 엘리먼트들(702)과 비균질한 수신 감지 엘리먼트들(704)의 교차점은 상호 정전용량식 감지 어레이의 감지 엘리먼트들로 지칭된다. 본 실시예에서, 균질한 Tx 감지 엘리먼트들(702)은 가로축에 위치되고, 균질한 Tx(702) 감지 엘리먼트들 각각의 폭들은 동일하다. 비균질한 Rx 감지 엘리먼트들(704)은 수직축에 위치되고, 에지 비균질한 Rx 감지 엘리먼트들(704a 및 704a) 각각은, 도 7에 도시된 바와 같이, 균질한 Tx 감지 엘리먼트들(702)의 각 단부와 정렬하도록 더 넓게 연장된다. 비균질한 Rx 에지 감지 엘리먼트(704a)의 폭(706)은 인접한 비균질한 Rx 감지 엘리먼트(704b)의 폭(708)보다 크다. 따라서, 패널 어레이의 Tx 감지 엘리먼트들(702)과 에지 Rx 감지 엘리먼트들의 이러한 정렬은, 비균질한 에지 Rx 감지 엘리먼트(704a)와 균질한 Tx 감지 엘리먼트들 각각의 하나의 단부 사이의 제 1 간격을 실질적으로 감소시킨다. 게다가, 이런 정렬은 또한, 비균질한 에지 Rx 감지 엘리먼트(704a)와 균질한 Tx 감지 엘리먼트들 각각의 다른 단부 사이의 제 2 간격을 감소시켜, 어레이 패널의 에지에서 신호 프로파일의 정확도에서의 상당한 개선을 야기한다. 위에서 언급한 바와 같이, 감지 엘리먼트들(702)의 폭들은 수십㎛ 내지 수백㎛의 범위에서 변할 수 있다. 본 명세서에서 설명된 실시예들은, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 자기-정전용량 감지와 같은 다른 정전용량식 감지 기법들을 이용하는 임의의 정전용량식 감지 어레이들에 사용될 수 있다. FIG. 7 shows a top view of one embodiment of a mutual capacitive sensing array 700 having a combination of sensing elements having homogeneous pitches and sensing elements having heterogeneous pitches. 7, the mutual capacitive sensing array 700 includes a first set of transmit ("Tx") sensing elements 702 (ie, homogeneous Tx elements) and a heterogeneous ("Rx ") sensing elements 704 (i. E., Inhomogeneous Rx elements) with a second set of received (" Rx") sensing elements 704 having one pitch. Both the transmit and receive sensing elements of the 5x5 sensing element matrix are arranged such that each of the homogeneous transmission sensing elements 702 intersects each of the inhomogeneous reception sensing elements 704. The intersection of homogeneous transmit sensing elements 702 and inhomogeneous receive sensing elements 704 is referred to as the sensing elements of the mutual capacitive sensing array. In this embodiment, the homogeneous Tx sensing elements 702 are located on the horizontal axis, and the widths of each of the homogeneous Tx 702 sensing elements are the same. The inhomogeneous Rx sensing elements 704 are positioned on the vertical axis and each of the edge inhomogeneous Rx sensing elements 704a and 704a are positioned such that each end of the homogeneous Tx sensing elements 702, Lt; / RTI > The width 706 of the inhomogeneous Rx edge sensing element 704a is greater than the width 708 of the adjacent inhomogeneous Rx sensing element 704b. This alignment of the Tx sensing elements 702 and the edge Rx sensing elements of the panel array thus provides a first spacing between the inhomogeneous edge Rx sensing element 704a and one end of each of the homogeneous Tx sensing elements, . In addition, this alignment also reduces the second spacing between the inhomogeneous edge Rx sensing element 704a and the other end of each of the homogeneous Tx sensing elements, thereby providing a significant improvement in the accuracy of the signal profile at the edge of the array panel It causes. As mentioned above, the widths of the sensing elements 702 can vary from a few tens of microns to a few hundreds of microns. The embodiments described herein may be used with any capacitive sensing array that utilizes other capacitive sensing techniques, such as self-capacitance sensing, as would be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure .

도 8a는 비균질한 피치들을 갖는 감지 엘리먼트들의 상호 정전용량식 감지 어레이(800)의 다른 실시예의 평면도를 도시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상호 정전용량식 감지 어레이(800)는 비균질한 피치들을 갖는, 제 1 세트의 감지 엘리먼트들, 즉, 송신("Tx") 감지 엘리먼트들(802), 및 비균질한 피치들을 갖는, 제 2 세트의 감지 엘리먼트들, 즉, 수신("Rx") 감지 엘리먼트들(804)을 갖는 5×5 매트릭스를 포함한다. 5×5 감지 엘리먼트 매트릭스의 송신 및 수신 감지 엘리먼트들 양자는 송신 감지 엘리먼트들의 각각이 수신 감지 엘리먼트들의 각각과 교차하도록 배열된다. 따라서, 각 송신 감지 엘리먼트는 수신 감지 엘리먼트의 각각과 용량성으로 커플링된다. 도 8에 도시된 바와 같이, Tx 감지 엘리먼트들(802)은 비균질한 폭들을 포함하고, 상호 정전용량 감지 어레이(800)의 제 1 세로축에 배치된다. 구체적으로, Tx 감지 엘리먼트들(802)은 가로축에 위치되고, Tx 감지 엘리먼트들(802)의 폭들은 상호 정전용량 감지 어레이(800)의 에지들을 향하여 점진적으로 감소한다. 상호 정전용량 감지 어레이(800)의 에지에 더 근접하게 위치되는 Tx 감지 엘리먼트들(802)은 더 작은 폭들(즉, 감지 엘리먼트 피치)을 갖는 반면, 중앙 영역에 더 근접하게 위치되는 Tx 감지 엘리먼트들(802)은 크기가 비교적 더 큰 폭들을 갖는다. 또한, 도 8에 도시된 바와 같이, "Rx" 감지 엘리먼트들(804)은 비균질한 폭들을 갖고, 정전용량 감지 어레이(800)의 제 2 세로축에 배치된다. 구체적으로, Rx 감지 엘리먼트들(804)은 세로축에 위치되고, Rx 감지 엘리먼트들(804)의 폭들은 또한 상호 정전용량 감지 어레이(800)의 에지들을 향하여 점진적으로 감소한다. Tx 감지 엘리먼트들(802)과 유사하게, 상호 정전용량 감지 어레이(800)의 에지에 더 근접하게 위치되는 Rx 감지 엘리먼트들(804)은 더 작은 폭들(즉, 감지 엘리먼트 피치)을 갖는 반면, 중앙 영역에 더 근접하게 위치되는 Rx 감지 엘리먼트들(804)은 크기가 비교적 더 큰 폭들을 갖는다. 8A shows a top view of another embodiment of a mutual capacitive sensing array 800 of sensing elements having non-homogeneous pitches. 8, the mutual capacitive sensing array 800 includes a first set of sensing elements, i.e., transmit ("Tx") sensing elements 802, having heterogeneous pitches, ("Rx") sensing elements 804 with a second set of sensing elements, i. E. Both the transmit and receive sensing elements of the 5x5 sensing element matrix are arranged such that each of the transmission sensing elements intersects each of the receiving sensing elements. Thus, each transmit sensing element is capacitively coupled to each of the receive sensing elements. As shown in FIG. 8, Tx sensing elements 802 include non-uniform widths and are disposed on a first longitudinal axis of the mutual capacitance sensing array 800. Specifically, the Tx sensing elements 802 are located on the horizontal axis, and the widths of the Tx sensing elements 802 gradually decrease toward the edges of the mutual capacitance sensing array 800. The Tx sensing elements 802 positioned closer to the edge of the mutual capacitance sensing array 800 have smaller widths (i.e., sensing element pitch), while the Tx sensing elements 802 positioned closer to the center region RTI ID = 0.0 > 802 < / RTI > has relatively large widths. 8, the "Rx" sensing elements 804 have non-uniform widths and are disposed on the second longitudinal axis of the capacitance sensing array 800. [ Specifically, the Rx sensing elements 804 are located on the vertical axis, and the widths of the Rx sensing elements 804 also gradually decrease toward the edges of the mutual capacitance sensing array 800. [ Similar to Tx sensing elements 802, Rx sensing elements 804 located closer to the edge of the mutual capacitive sensing array 800 have smaller widths (i.e., sensing element pitch) Rx sensing elements 804 located closer to the region have relatively large widths.

도 8b는 일 실시예에 따른 단일 루팅을 갖는 도 8a의 상호 정전용량식 감지 어레이의 평면도를 도시한다. 단일 루팅에서, 단지 Tx 감지 엘리먼트들(802)만이 전도성 트레이스들(traces)(803)에 의해 정전용량 센서(201)(미도시)와 연결된다. Tx 신호(미도시)는 Tx 감지 엘리먼트들(802)의 각각에 인가되고, 각 Tx 감지 엘리먼트들(802)과 관련된 정전용량이 감지된다. 그래서, 손가락과 같은 물체가 상호 정전용량 감지(800)에 접근할 때, 물체는 단지 Tx 감지 엘리먼트들(802)에만 영향을 주는 정전용량의 감소를 야기한다. 도 8b에 개시된 실시예에서, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, Tx 감지 엘리먼트들의 축들의 방향은 Rx 감지 엘리먼트들과 스위칭될 수 있으며, 하나의 루팅은 Rx 감지 엘리먼트들에만 연결될 수 있음에 유의한다. FIG. 8B shows a top view of the mutual capacitive sensing array of FIG. 8A with a single routing according to one embodiment. In a single routing, only the Tx sensing elements 802 are connected to the capacitance sensor 201 (not shown) by conductive traces 803. A Tx signal (not shown) is applied to each of the Tx sensing elements 802, and the capacitance associated with each Tx sensing elements 802 is sensed. Thus, when an object, such as a finger, approaches the mutual capacitance sensing 800, the object only causes a reduction in capacitance which affects only the Tx sensing elements 802. 8B, the orientation of the axes of the Tx sensing elements can be switched with the Rx sensing elements, as can be appreciated by those of ordinary skill in the art having the benefit of this disclosure, It should be noted that the present invention is not limited thereto.

도 8c는 다른 실시예에 따른 이중 루팅을 갖는 도 8a의 상호 정전용량식 감지 어레이의 평면도를 도시한다. 도 8b에 도시된 바와 같이, 루팅은 모든 Tx 감지 엘리먼트들(802) 및 단지 에지 Rx 감지 엘리먼트(804a) 및 에지 Rx 감지 엘리먼트(804b)에만 인가된다. 당업자에게 알려진 바와 같이, 이중 루팅은 감지 엘리먼트들(802)을 전기적으로 절반으로 효과적으로 절단하는, 동일한 감지 엘리먼트들의 양 단부들로부터 수행되며, 이는 드라이버에 수여되는 감지 엘리먼트들의 총 저항 및 정전용량 부하 양자를 절반으로 감소시키는 것을 초래한다. 그러나, 이중 루팅은 가전 제품 설계에 많은 비용이 소요될 수 있는 추가의 루팅 공간을 필요로 하고, 또한 감지 엘리먼트 폭을 더 좁게 함으로써 신호 프로파일의 저하를 잠재적으로 초래할 수 있다. 그래서, 에지 감지 엘리먼트들에서만 선택적으로 이중 루팅함으로써, 양자가 비용 효율적이고, 또한 민감도를 개선하여, 결과적으로 어레이 패널의 에지들에서의 정확도를 초래한다. 위에서 언급된 바와 같이, 신호 프로파일은 어레이의 중앙에서 훨씬 강하고, 그래서, Rx 신호(미도시)는 전도성 트레이스(805)를 통하여 단지 Rx 감지 엘리먼트(804a)의 에지 및 Rx 감지 엘리먼트(804b)의 에지에서만 측정된다. 그래서, 예를 들면, 손가락이 Tx 감지 엘리먼트(802)와 Rx 감지 엘리먼트(804)의 교차점 부근에 위치하면, 손가락의 존재는 Tx 감지 엘리먼트(802)와 Rx 감지 엘리먼트(804) 사이의 정전용량을 감소시킬 것이다. 정전용량의 이러한 감소는 에지 Rx 감지 엘리먼트(804)에서만 측정된다. Figure 8c shows a top view of the mutual capacitive sensing array of Figure 8a with dual routing according to another embodiment. As shown in Fig. 8B, routing is applied to all Tx sensing elements 802 and only the edge Rx sensing element 804a and the edge Rx sensing element 804b. As is known to those skilled in the art, the dual routing is performed from both ends of the same sensing elements, effectively cutting the sensing elements 802 electrically in half, which results in both the total resistance of the sensing elements awarded to the driver, In half. However, dual routing requires additional routing space, which can be costly in consumer electronics designs, and can also potentially lead to degradation of the signal profile by narrowing the width of the sensing element. Thus, by selectively dual-routing only the edge sensing elements, both are cost-effective and also improve sensitivity, resulting in accuracy at the edges of the array panel. As noted above, the signal profile is much stronger in the center of the array, so that the Rx signal (not shown) passes only through the conductive trace 805 to the edge of the Rx sense element 804a and to the edge of the Rx sense element 804b . Thus, for example, if a finger is located near the intersection of the Tx sensing element 802 and the Rx sensing element 804, then the presence of a finger will increase the capacitance between the Tx sensing element 802 and the Rx sensing element 804 . This decrease in capacitance is measured only at the edge Rx sensing element 804.

위의 실시예들에서, 도면들은 스트라이프들을 포함하지만, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 다이아몬드, 6각형들, 오각형들뿐만 아니라 다른 모자이크 형상들과 같은 다른 형상들이 사용될 수 있음에 유의한다. In the above embodiments, the figures include stripes, but other shapes such as diamonds, hexagons, pentagons as well as other mosaic shapes may be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure .

도 9a 내지 도 9c는 상호 정전용량식 감지 어레이(900)의 조립된 층 구조들의 실시예를 도시한다. 도 9a에 도시된 바와 같이, 단일 글래스 층이 그 상부 및 하부 상에 ITO로 스퍼터링된다. 상부 ITO는 Rx 감지 엘리먼트일 수 있고 하부 ITO는 Tx 감지 엘리먼트일 수 있다. 센서 엘리먼트들은 ITO에 한정되지 않고, 다른 광학적으로 전달되는 전도성 물질들로 형성될 수 있음에 유의한다. 도 9a에 도시된 바와 같이, 0.05㎜ 내지 0.2㎜의 범위의 폭을 갖는 광 투명한 접착제(OCA)가 상부 ITO 상에만 놓인다. 0.55㎜ 내지 1.1㎜의 범위의 폭을 갖는 폴리머 또는 글래스와 같은 오버레이(overlay)가 OCA의 상부 상에 존재한다. LCD와 같은 디스플레이 모듈은 하부 ITO 아래에 위치되고, 0.3㎜ 내지 0.5㎜의 폭을 갖는 공극(air-gap)이 LCD에 의해 야기되는 임의의 방사를 감소시키기 위해 하부 ITO와 LCD 사이에 위치된다. 게다가, 상부 감지 엘리먼트에서 하부 감지 엘리먼트까지의 폭(센서 글래스를 포함함) 범위들은 0.3㎜ 내지 0.7㎜ 사이에서 변한다. 도 9b에서, 도 9a의 센서 글래스가 0.1㎜ 내지 0.18㎜의 범위의 폭을 갖는 이중 층 필름으로 대체된다. 0.05㎜ 내지 0.2㎜의 범위의 폭을 갖는 OCA는 또한 상부 ITO 위에 배치되고, 0.1㎜ 내지 0.2㎜의 범위의 폭을 갖는 OCA는 필름 아래에 배치된다. 0.55㎜ 내지 1.1㎜의 범위의 폭을 갖는 오버레이는, 도 9b에 도시된 바와 같이, OCA의 상부 상에 존재한다. 하부 ITO는 0.05㎜ 내지 0.18㎜의 범위의 폭을 갖는다. LCD와 같은 디스플레이 모듈은 하부 ITO 아래에 배치되고, 0.3㎜ 내지 0.5㎜의 범위의 폭을 갖는 공극이 LCD에 의해 야기되는 임의의 방사를 감소시키기 위해 하부 ITO와 LCD 사이에 배치된다. 도 9c는 도 9a의 글래스를 0.1㎜ 내지 0.18㎜의 범위의 폭을 갖는 단일 필름으로 대체한 글래스 필름 하이브리드 패턴을 도시한다. 오버레이는 상부 ITO 위에 배치되고, 양자의 조합은 0.55㎜ 내지 1.1㎜의 범위의 폭을 갖는다. 대략 0.2㎜의 폭을 갖는 OCA가 또한 하부 ITO 위에 배치된다. 0.3㎜ 내지 0.5㎜의 범위의 폭을 갖는 공극은 LCD에 의해 야기되는 임의의 방사를 감소시키기 위해 하부 ITO와 LCD 사이에 배치된다. 대안적으로, 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같이, 폭의 다른 치수들이 사용될 수 있다. Figures 9A-9C illustrate an embodiment of the assembled layer structures of the mutual capacitive sensing array 900. [ As shown in FIG. 9A, a single glass layer is sputtered with ITO on top and bottom thereof. The top ITO may be an Rx sensing element and the bottom ITO may be a Tx sensing element. It should be noted that the sensor elements are not limited to ITO but may be formed of other optically transmissive conductive materials. As shown in Fig. 9A, a light transparent adhesive (OCA) having a width in the range of 0.05 mm to 0.2 mm is placed only on the upper ITO. An overlay, such as a polymer or glass, having a width in the range of 0.55 mm to 1.1 mm is present on top of the OCA. A display module such as an LCD is positioned below the bottom ITO and an air-gap with a width of 0.3 mm to 0.5 mm is positioned between the bottom ITO and the LCD to reduce any radiation caused by the LCD. In addition, the range from the upper sensing element to the lower sensing element (including the sensor glass) ranges between 0.3 mm and 0.7 mm. In Fig. 9B, the sensor glass of Fig. 9A is replaced with a double layer film having a width in the range of 0.1 mm to 0.18 mm. OCA having a width in the range of 0.05 mm to 0.2 mm is also disposed on the upper ITO, and OCA having a width in the range of 0.1 mm to 0.2 mm is disposed under the film. An overlay having a width in the range of 0.55 mm to 1.1 mm is present on top of the OCA, as shown in Fig. 9B. The lower ITO has a width in the range of 0.05 mm to 0.18 mm. A display module such as an LCD is disposed below the bottom ITO and a gap with a width in the range of 0.3 mm to 0.5 mm is disposed between the bottom ITO and the LCD to reduce any radiation caused by the LCD. Fig. 9C shows a glass film hybrid pattern in which the glass of Fig. 9A is replaced with a single film having a width in the range of 0.1 mm to 0.18 mm. The overlay is disposed on the top ITO, and the combination of both has a width in the range of 0.55 mm to 1.1 mm. An OCA having a width of approximately 0.2 mm is also placed on the bottom ITO. Voids having a width in the range of 0.3 mm to 0.5 mm are disposed between the bottom ITO and the LCD to reduce any radiation caused by the LCD. Alternatively, other dimensions of width can be used, as can be appreciated by those skilled in the art having the benefit of this disclosure.

위의 실시예들에서, 축들의 방향은 당업자에 의해 알려진 다른 구성들로 구성되도록 전환될 수 있음에 유의한다. 또한, 위의 실시예들에서 개시된 바와 같은 감지 엘리먼트들이 직사각형들로 구성되지만, 당업자는 감지 엘리먼트들이 정사각형들, 다이아몬드들, 원들과 같은 다른 형상들, 또는 본 개시물의 혜택을 갖는 당업자에 의해 인식될 수 있는 바와 같은 다른 형상들을 포함할 수 있음을 인식할 것임에 유의한다. 예를 들면, 도 10은 정전용량 감지 어레이(1000)의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 피치들을 갖는 다이아몬드 형상들의 감지 엘리먼트들(1002)의 정전용량식 감지 어레이(1000)의 예시적인 평면도를 도시한다. 실시예에 도시된 예로서, 다이아몬드 형상 감지 엘리먼트들(1002)의 폭들(1004)은 변하고, 감지 엘리먼트들 사이의 간격은 동일하게 유지된다. It should be noted that, in the above embodiments, the orientation of the axes can be switched to be composed of other configurations known to those skilled in the art. Also, while the sensing elements as disclosed in the above embodiments are comprised of rectangles, those skilled in the art will appreciate that the sensing elements may be recognized by those skilled in the art having the benefit of this disclosure or other shapes such as squares, diamonds, circles It will be appreciated that other shapes may be used as well. For example, FIG. 10 illustrates an exemplary top view of a capacitive sensing array 1000 of sensing elements 1002 of diamond shapes having non-homogeneous pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitance sensing array 1000 Respectively. As an example shown in the embodiment, the widths 1004 of the diamond shaped sensing elements 1002 change and the spacing between the sensing elements remains the same.

본 명세서에서 설명된 특정 특징들, 구조들 또는 특성들은 본 발명의 하나 또는 둘 이상에 적합한 것으로 결합될 수 있다. 게다가, 본 발명이 몇몇 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 당업자들은 본 발명이 설명된 실시예들로 한정되지 않음을 이해할 것이다. 본 발명의 실시예들은 첨부된 청구항들의 범위 내에서 수정 및 변형을 통해 구현될 수 있다. 이에 따라, 상세한 설명 및 도면들은 본 발명을 한정하는 대신 예시하는 것으로 고려되어야 한다. The particular features, structures, or characteristics described herein may be combined as appropriate to one or more of the present invention. In addition, while the present invention has been described in connection with several embodiments, those skilled in the art will appreciate that the invention is not limited to the embodiments described. The embodiments of the present invention can be implemented through modifications and variations within the scope of the appended claims. Accordingly, the specification and drawings are to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense.

Claims (20)

정전용량식 감지 어레이(capacitive sense array)로서,
상기 정전용량식 감지 어레이의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한(non-homogenous) 피치들을 갖는 제 1 세트의 감지 엘리먼트들을 포함하고,
상기 피치는 상기 감지 엘리먼트들의 폭 및 상기 감지 엘리먼트들 사이의 간격을 포함하는,
정전용량식 감지 어레이.As a capacitive sense array,
A first set of sensing elements having non-homogenous pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitive sensing array,
Wherein the pitch comprises a width of the sensing elements and an interval between the sensing elements.
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 엘리먼트들의 폭들은 비균질한,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
The widths of the sensing elements are inhomogeneous,
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 엘리먼트들 사이의 간격은 비균질하고,
상기 감지 엘리먼트들의 폭들은 균질한,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
The spacing between the sensing elements is inhomogeneous,
The widths of the sensing elements are homogeneous,
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 감지 엘리먼트들 사이의 간격은 비균질하고,
상기 감지 엘리먼트들의 폭들은 비균질한,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
The spacing between the sensing elements is inhomogeneous,
The widths of the sensing elements are inhomogeneous,
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세트는, 상기 제 1 세트의 다른 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나의 피치보다 작은 피치를 갖는 적어도 제 1 감지 엘리먼트를 포함하는,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the first set comprises at least a first sensing element having a pitch less than a pitch of at least one of the first set of other sensing elements.
Capacitive sensing array. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 감지 엘리먼트는 상기 제 1 세로축에서 상기 제 1 세트의 다른 감지 엘리먼트들보다 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 에지 감지 엘리먼트인,
정전용량식 감지 어레이.6. The method of claim 5,
Wherein the first sensing element is an edge sensing element disposed closest to the edge of the capacitive sensing array at the first longitudinal axis than the first set of other sensing elements,
Capacitive sensing array. 제 5 항에 있어서,
상기 제 1 감지 엘리먼트는, 상기 제 1 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 에지 감지 엘리먼트보다 상기 정전용량식 감지 어레이의 중앙에 더 근접하게 배치된 내부 감지 엘리먼트인,
정전용량식 감지 어레이.6. The method of claim 5,
Wherein the first sensing element is an internal sensing element disposed closer to the center of the capacitive sensing array than an edge sensing element disposed closest to the edge of the capacitive sensing array at the first longitudinal axis,
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들은, 제 1 에지 감지 엘리먼트와 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지 사이의 제 1 간격이 상기 제 1 에지 감지 엘리먼트와 상기 제 1 세트의 다른 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나 사이의 제 2 간격보다 작게 되도록, 상기 제 1 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지로 연장되는 적어도 하나의 에지 감지 엘리먼트를 포함하고,
상기 다른 감지 엘리먼트들 중 상기 적어도 하나는 상기 제 1 에지 감지 엘리먼트에 인접하는,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
Wherein the first set of sensing elements are arranged such that a first gap between a first edge sensing element and an edge of the capacitive sensing array is between a first edge sensing element and at least one of the first sensing elements At least one edge sensing element extending from the first longitudinal axis to an edge of the capacitive sensing array such that the edge of the capacitive sensing array is less than the second spacing,
Wherein at least one of the other sensing elements is adjacent to the first edge sensing element,
Capacitive sensing array. 제 1 항에 있어서,
상기 정전용량식 감지 어레이의 제 2 세로축에 배치된 제 2 세트의 감지 엘리먼트들을 더 포함하고,
상기 제 2 세로축은 상기 제 1 세로축에 수직인,
정전용량식 감지 어레이.The method according to claim 1,
And a second set of sensing elements disposed on a second longitudinal axis of the capacitive sensing array,
Wherein the second longitudinal axis is perpendicular to the first longitudinal axis,
Capacitive sensing array. 제 9 항에 있어서,
상기 정전용량식 감지 어레이는 프로세싱 디바이스에 결합되고,
상기 프로세싱 디바이스는 전도성 물체의 존재를 검출하도록 구성되고, 상기 프로세싱 디바이스는 상기 제 1 세트의 비균질한 피치 감지 엘리먼트들을 송신(Tx) 감지 엘리먼트들 및 수신(Rx) 감지 엘리먼트들 중 하나로서 사용하고, 상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들을 상기 Tx 감지 엘리먼트들 및 상기 Rx 감지 엘리먼트들 중 다른 하나로서 사용하도록 구성되는,
정전용량식 감지 어레이.10. The method of claim 9,
The capacitive sensing array being coupled to the processing device,
Wherein the processing device is configured to detect the presence of a conductive object and the processing device uses the first set of inhomogeneous pitch sensing elements as one of transmit (Tx) sensing elements and receive (Rx) sensing elements, And to use the second set of sensing elements as the other of the Tx sensing elements and the Rx sensing elements.
Capacitive sensing array. 정전용량식 감지 어레이로서,
상기 정전용량식 감지 어레이의 제 1 세로축에 배치된, 비균질한 제 1 피치들을 갖는 제 1 세트의 감지 엘리먼트들 - 상기 제 1 피치는 상기 제 1 감지 엘리먼트들의 제 1 폭 및 상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들 사이의 제 1 간격을 포함함 -; 및
상기 정전용량식 감지 어레이의 제 2 세로축에 배치된, 비균질한 제 2 피치들을 갖는 제 2 세트의 감지 엘리먼트들 - 상기 제 2 세로축은 실질적으로 상기 제 1 세로축에 수직하고, 상기 제 2 피치는 상기 제 2 감지 엘리먼트들의 제 2 폭 및 상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들 사이의 제 2 간격을 포함함 - 를 포함하는,
정전용량식 감지 어레이.A capacitive sensing array comprising:
A first set of sensing elements having non-homogeneous first pitches disposed on a first longitudinal axis of the capacitive sensing array, the first pitch comprising a first width of the first sensing elements and a second width of sensing Comprising a first spacing between elements; And
A second set of sensing elements having non-homogeneous second pitches disposed on a second longitudinal axis of the capacitive sensing array, the second longitudinal axis being substantially perpendicular to the first longitudinal axis, A second width of the second sensing elements and a second spacing between the sensing elements of the second set.
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 1 폭들은 비균질하고,
상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 2 폭들은 비균질한,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
Wherein the first widths of the first set of sensing elements are inhomogeneous,
The second widths of the second set of sensing elements being inhomogeneous,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 1 폭들은 비균질하고,
상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 2 폭들은 균질한,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
Wherein the first widths of the first set of sensing elements are inhomogeneous,
The second widths of the second set of sensing elements being uniform,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 1 간격은 비균질하고,
상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 2 간격은 균질한,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
Wherein the first spacing of the first set of sensing elements is non-uniform,
Wherein the second spacing of the second set of sensing elements is a homogeneous,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 1 간격은 비균질하고,
상기 제 2 세트의 감지 엘리먼트들의 상기 제 2 간격은 비균질한,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
Wherein the first spacing of the first set of sensing elements is non-uniform,
Wherein the second spacing of the second set of sensing elements comprises an inhomogeneous,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트는 상기 제 1 세트의 다른 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나의 상기 제 1 폭보다 작은 상기 제 1 폭을 갖는 적어도 제 1 감지 엘리먼트를 포함하고,
상기 제 2 세트는 상기 제 2 세트의 다른 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나의 상기 제 2 폭보다 작은 상기 제 2 폭을 갖는 적어도 제 2 감지 엘리먼트를 포함하는,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
The first set comprising at least a first sensing element having the first width less than the first width of at least one of the first set of other sensing elements,
Wherein the second set comprises at least a second sensing element having the second width less than the second width of at least one of the second set of other sensing elements.
Capacitive sensing array. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 감지 엘리먼트는 상기 제 1 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 제 1 에지 감지 엘리먼트이고,
상기 제 2 감지 엘리먼트는 상기 제 2 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 제 2 에지 감지 엘리먼트인,
정전용량식 감지 어레이.17. The method of claim 16,
The first sensing element is a first edge sensing element located closest to an edge of the capacitive sensing array at the first longitudinal axis,
Wherein the second sensing element is a second edge sensing element located closest to an edge of the capacitive sensing array at the second longitudinal axis,
Capacitive sensing array. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 감지 엘리먼트는 상기 제 1 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 에지 감지 엘리먼트보다 상기 정전용량식 감지 어레이의 중앙에 더 근접하게 배치되는 제 1 내부 감지 엘리먼트이고,
상기 제 2 감지 엘리먼트는 상기 제 2 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지에 가장 근접하게 배치되는 에지 감지 엘리먼트보다 상기 정전용량식 감지 어레이의 중앙에 더 근접하게 배치되는 제 2 내부 감지 엘리먼트인,
정전용량식 감지 어레이.17. The method of claim 16,
Wherein the first sensing element is a first internal sensing element disposed closer to the center of the capacitive sensing array than an edge sensing element disposed closest to the edge of the capacitive sensing array at the first longitudinal axis,
Wherein the second sensing element is a second internal sensing element disposed closer to the center of the capacitive sensing array than an edge sensing element disposed closest to the edge of the capacitive sensing array at the second longitudinal axis,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 세트의 감지 엘리먼트들은, 제 1 에지 감지 엘리먼트와 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지 사이의 제 1 간격이 상기 제 1 에지 감지 엘리먼트와 상기 제 1 세트의 다른 감지 엘리먼트들 중 적어도 하나 사이의 제 2 간격보다 작게 되도록 상기 제 1 세로축에서 상기 정전용량식 감지 어레이의 에지로 연장되는 적어도 하나의 에지 감지 엘리먼트를 포함하고,
상기 다른 감지 엘리먼트들 중 상기 적어도 하나는 상기 제 1 에지 감지 엘리먼트에 인접하는,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
Wherein the first set of sensing elements are arranged such that a first gap between a first edge sensing element and an edge of the capacitive sensing array is between a first edge sensing element and at least one of the first sensing elements And at least one edge sensing element extending from the first longitudinal axis to an edge of the capacitive sensing array such that the edge is less than the second spacing,
Wherein at least one of the other sensing elements is adjacent to the first edge sensing element,
Capacitive sensing array. 제 11 항에 있어서,
상기 정전용량식 감지 어레이는 프로세싱 디바이스에 결합되고,
상기 프로세싱 디바이스는 전도성 물체의 존재를 검출하도록 구성되고, 상기 프로세싱 디바이스는 상기 제 1 세트의 비균질한 피치 감지 엘리먼트들을 송신(Tx) 감지 엘리먼트들 및 수신(Rx) 감지 엘리먼트들 중 하나로서 사용하고, 상기 제 2 세트의 비균질한 피치 감지 엘리먼트들을 상기 Tx 감지 엘리먼트들 및 상기 Rx 감지 엘리먼트들 중 다른 하나로서 사용하도록 구성되는,
정전용량식 감지 어레이.12. The method of claim 11,
The capacitive sensing array being coupled to the processing device,
Wherein the processing device is configured to detect the presence of a conductive object and the processing device uses the first set of inhomogeneous pitch sensing elements as one of the transmit (Tx) sensing elements and the receive (Rx) sensing elements, And to use the second set of inhomogeneous pitch sensing elements as the other of the Tx sensing elements and the Rx sensing elements.
Capacitive sensing array.
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