KR102522237B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern and method for manufacturing touch panel - Google Patents
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Abstract
(A)성분:바인더 폴리머, (B)성분:광중합성 화합물, 및, (C)성분:광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)성분이, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트와, 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 상기 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트의 함유량이, 상기 (A)성분 및 상기 (B)성분의 총량 100질량부 중, 10질량부 이하인, 감광성 수지 조성물.(A) component: a binder polymer, (B) component: a photopolymerizable compound, and (C) component: a photopolymerization initiator, wherein the (B) component has six ethylenically unsaturated bonds in a molecule (meta) It contains an acrylate and (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule, and the content of the (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule is (B) The photosensitive resin composition which is 10 mass parts or less in 100 mass parts of total amounts of a component.
Description
본 발명은, 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a photosensitive resin composition, a photosensitive element, a resist pattern, and a method of manufacturing a touch panel.
터치 패널의 터치 센서부는, 시각적 정보를 표시하는 범위(뷰 에리어(view area))에 있어서, 사람의 손가락 등의 접촉에 의한 위치 정보를 검출하는 센서 부위와, 위치 정보를 외부 소자에 전달하기 위한 인출배선 부위를 구비하는 구성으로 이루어져 있다.The touch sensor part of the touch panel includes a sensor part for detecting positional information due to a contact of a human finger or the like in a range (view area) displaying visual information, and for transmitting positional information to an external element. It consists of a configuration having a lead-out wiring portion.
상기 센서 부위에는, 가시광의 흡수 및 산란이 적고, 또한 도전성을 가지는 전극의 패턴이 형성되어 있다. 또한, 인출배선 부위의 각각의 배선에는 저항값이 작은 금속이 사용되고 있다.At the sensor portion, a pattern of electrodes having little absorption and scattering of visible light and having conductivity is formed. In addition, a metal having a low resistance value is used for each wiring in the lead-out wiring portion.
이와 같은 센서 부위 및 인출배선 부위는, 예를 들면, 네가티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 도 2와 같이 하여 제조된다. 또한, 도 2는, 터치 패널의 터치 센서부의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다. 우선, 투명 도전층(14)을 가지는 지지 기재(基材)(12)(폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 필름 기판 또는 유리 기판) 상에 감광성 수지 조성물의 도포 등에 의해, 감광층(16)을 형성한다(감광층 형성 공정)(도 2(a)). 다음으로, 감광층(16)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시킨다(노광 공정). 그 후, 미(未)경화 부분을 투명 도전층(14) 상으로부터 제거함으로써, 투명 도전층(14) 상에 감광성 수지 조성물의 광경화물을 포함하는 레지스터 패턴을 형성한다(현상 공정)(도 2(b)). 레지스터 패턴에 대하여 에칭 처리를 실시하고, 지지 기재(12) 상으로부터 투명 도전층(14)의 일부를 제거하여, 센서 부위의 투명 도전층의 패턴을 형성한다(에칭 공정)(도 2(c)). 이어서, 투명 도전층(14)으로부터 레지스터 패턴을 박리하여, 제거한다(박리 공정)(도 2(d)). 계속하여, 형성된 센서 부위의 투명 도전층의 패턴으로부터의 인출배선(18)을, 은페이스트 등을 사용한 스크린 인쇄로 형성함으로써, 터치 센서부를 제조한다.Such a sensor site and outgoing wiring site are manufactured as shown in FIG. 2 using, for example, a negative photosensitive resin composition. 2 is a schematic cross-sectional view showing a conventional manufacturing method for a touch sensor part of a touch panel. First, the
또한, 터치 패널의 액자(베젤)의 협소화에 의해, 인출배선 부위에 있어서의 배선폭 및 피치의 협소화가 요구되고 있다. 은페이스트를 사용한 스크린 인쇄에서는 L/S(라인폭/스페이스폭)가 50/50(단위:㎛) 정도의 패턴 형성이 한도로 여겨지지만, 액자의 협소화에 대응하기 위해서 L/S가 30/30(단위:㎛) 이하의 패턴 형성이 요구되고 있다.In addition, with the narrowing of the frame (bezel) of the touch panel, narrowing of the wiring width and pitch in the outgoing wiring portion is required. In screen printing using silver paste, pattern formation with an L/S (line width/space width) of about 50/50 (unit: μm) is considered to be the limit, but L/S is 30/30 to cope with the narrowing of the picture frame. (Unit: μm) or less pattern formation is required.
L/S가 작고, 피치가 협소한 인출배선의 패턴을 가지는 터치 센서부를 제조하기 위해, 포토리소그래피의 기법을 사용한 터치 센서부의 형성 방법이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 터치 센서부의 제조 방법에서는, 우선, 투명 도전층 및 금속층을 가지는 지지 기재 상에, 감광성 수지 조성물을 사용하여, 제1의 감광층을 형성한다(제1의 감광층 형성 공정). 다음으로, 감광층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시키고(제1의 노광 공정), 그 후, 미경화 부분을 금속층 상으로부터 제거함으로써, 금속층 상에, 감광성 수지 조성물의 광경화물을 포함하는 레지스터 패턴을 형성한다(제1의 현상 공정). 다음으로, 에칭 처리에 의해, 금속층 및 투명 도전층을 제거한다(제1의 에칭 공정). 이어서, 레지스터 패턴을 금속층 상으로부터 박리하여, 제거한다(제1의 박리 공정). 계속하여, 새롭게, 감광성 수지 조성물을 사용하여, 금속층 상에 제2의 감광층을 형성한다(제2의 감광층 형성 공정). 다음으로, 감광층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시키고(제2의 노광 공정), 그 후, 미경화 부분을 금속층 상으로부터 제거함으로써, 금속층 상에, 레지스터 패턴을 형성한다(제2의 현상 공정). 다음으로, 센서 부위에서 불필요한, 레지스터 패턴이 형성되어 있지 않은 금속층만을 에칭 처리에 의해 제거하고(제2의 에칭 공정), 최종적으로, 레지스터 패턴을 박리하여, 제거함으로써 터치 센서부를 제조한다.In order to manufacture a touch sensor unit having a pattern of outgoing wires having a small L/S and a narrow pitch, a method of forming a touch sensor unit using a photolithography technique has been proposed (see Patent Document 1, for example). In this touch sensor part manufacturing method, first, a 1st photosensitive layer is formed on the support base material which has a transparent conductive layer and a metal layer using a photosensitive resin composition (1st photosensitive layer forming process). Next, a predetermined portion of the photosensitive layer is irradiated with actinic light to cure the exposed portion (first exposure step), and thereafter, the uncured portion is removed from the metal layer to form a photocured product of the photosensitive resin composition on the metal layer. A resist pattern including is formed (first developing process). Next, the metal layer and the transparent conductive layer are removed by etching treatment (first etching step). Next, the resist pattern is peeled off and removed from the metal layer (first peeling step). Subsequently, a second photosensitive layer is newly formed on the metal layer using the photosensitive resin composition (second photosensitive layer forming step). Next, a predetermined portion of the photosensitive layer is irradiated with actinic light to cure the exposed portion (second exposure step), and then, by removing the uncured portion from the metal layer, a resist pattern is formed on the metal layer ( 2nd developing process). Next, only the unnecessary metal layer on which the resist pattern is not formed is removed from the sensor portion by an etching process (second etching process), and finally, the resist pattern is peeled off and removed to manufacture the touch sensor unit.
이와 같은 터치 센서부의 제조 방법에서는, 포토리소그래피의 기법을 사용함으로써, 원리적으로 L/S를 30/30(단위:㎛) 이하로 하는 것이 가능하고, 터치 패널의 박형(薄型) 경량화에 크게 공헌할 수 있다. 한편, 터치 센서부의 투명 도전층은, 예를 들면, 산화인듐주석(ITO)을 스퍼터링의 기법을 사용하여 제막(製膜)함으로써 형성된다. 또한, 투명 도전층 상에 형성되는 금속층은, 예를 들면, 투명 도전층과 동일하게, 스퍼터링의 기법을 사용하여 형성된다. 스퍼터링의 기법을 사용하여 형성된 투명 도전층 및 금속층의 표면은 매우 높은 평활성을 가지고 있다. 매우 높은 평활성을 가지는 금속층과 감광성 수지 조성물과의 밀착성은 저하되는 경우가 있기 때문에, 구리, 구리와 니켈과의 합금, 구리와 니켈과 티탄의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리와의 합금 등이 사용되는 금속층에 대하여, 사용되는 감광성 수지 조성물에는, 높은 밀착성이 요구된다.In such a method of manufacturing a touch sensor unit, by using a photolithography technique, it is possible to make L/
또한, 투명 도전층에는, 에칭 처리의 용이성의 관점에서, 예를 들면, 비정성(非晶性)의 ITO가 사용된다. 그러나, 비정성의 ITO는 저항값이 높기 때문에, 예를 들면, 가열(어닐) 처리에 의해 ITO의 결정화를 실시함으로써, 저항값을 낮추고 있다. 그러나, 최근, 터치 패널의 박형 경량화에 따라, 터치 패널부의 지지 기재로서, 필름 기재를 사용하는 것이 요구되고 있다. 지지 기재로서 필름 기재를 사용하는 경우, 어닐 처리를 실시하면 필름 기재의 수축이 일어나는 등 치수 안정성이 악화된다. 그 때문에, 지지 기재로서 필름 기재를 사용하는 경우는, 투명 도전층의 패턴을 형성하기 전에, 투명 도전층으로서 결정성의 ITO를 사용하는 것이 필요하게 된다.Moreover, from a viewpoint of the ease of an etching process, amorphous ITO is used for a transparent conductive layer, for example. However, since amorphous ITO has a high resistance value, the resistance value is lowered by, for example, crystallizing ITO by heating (annealing) treatment. However, in recent years, along with thinness and weight reduction of touch panels, it is required to use a film substrate as a support substrate for a touch panel portion. In the case of using a film substrate as the supporting substrate, dimensional stability deteriorates, such as shrinkage of the film substrate when subjected to annealing treatment. Therefore, when using a film base material as a support base material, it becomes necessary to use crystalline ITO as a transparent conductive layer before forming the pattern of a transparent conductive layer.
비정성의 ITO는, 옥살산 등의 약산으로 충분히 용해할 수 있지만, 결정성의 ITO는 농염산(>20질량%) 등의 강산을 사용하고, 또한 가열 조건(40∼50℃ 정도)에서 에칭할 필요가 있다. 그 때문에, 사용되는 감광성 수지 조성물에는, 높은 내산성, 즉, 강산을 사용한 에칭에 의해, 금속층과의 밀착성을 확보할 수 있고, 강산에 의한 금속층의 부식을 억제할 수 있는 것이 요구된다.Amorphous ITO can be sufficiently dissolved with a weak acid such as oxalic acid, but crystalline ITO requires the use of a strong acid such as concentrated hydrochloric acid (>20% by mass) and further etching under heating conditions (about 40 to 50°C). there is Therefore, the photosensitive resin composition used is required to have high acid resistance, that is, to be able to secure adhesion to the metal layer by etching using strong acid, and to be able to suppress corrosion of the metal layer by strong acid.
또한, 레지스터 패턴의 L/S를 30/30(단위:㎛) 이하로 하여 고해상성을 가지는 배선 패턴(도체 패턴이라고도 할 수 있다)을 형성하는 방법으로서, 금속층과 투명 도전층을 일괄로 에칭하는 방법이 있다. 종래까지의 금속층을 에칭한 후, 투명 도전층을 에칭하는 방법에서는, 에칭 시의 면내(面內) 편차가 커지기 때문에, 고해상성을 가지는 배선 패턴을 얻는 것이 곤란했다. 금속층과 투명 도전층을 일괄로 에칭하는 약액으로서는, ITO-4400Z(주식회사 ADEKA제)가 상업적으로 입수 가능하다.In addition, as a method of forming a wiring pattern (which can also be referred to as a conductor pattern) having high resolution by making the L/S of the
또한, 내산성(강산 중에 침지한 후의 밀착성)을 향상시키는 기술로서, 특정의 에폭시 화합물, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 필수 성분으로 하는 감광성 수지 조성물이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조).Further, as a technique for improving acid resistance (adhesion after being immersed in strong acid), a photosensitive resin composition containing a specific epoxy compound, a photopolymerizable compound and a photopolymerization initiator as essential components has been proposed (for example, see Patent Document 2). .
또한, 레지스터 패턴의 형성에 사용되는 감광성 수지 조성물로서, 여러 가지의 감광성 수지 조성물이 검토되고 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 있어서, 특정의 가교제, 특정의 실란 커플링제 등을 첨가하는 것, 특정의 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머를 필수 성분으로 하는 것 등이 제안되고 있다(예를 들면, 특허문헌 3∼7 참조).In addition, as a photosensitive resin composition used for formation of a resist pattern, various photosensitive resin compositions are examined. For example, in the photosensitive resin composition, adding a specific crosslinking agent, a specific silane coupling agent, etc., using a binder polymer having a specific structural unit as an essential component, etc. have been proposed (eg, patent See Documents 3-7).
레지스터 패턴의 L/S를 30/30(단위:㎛) 이하로 하여, 높은 해상성을 가지는 레지스터 패턴을 형성하는 경우, 레지스터 패턴의 굴곡(사행(蛇行)이라고도 한다), 조각, 벗겨짐 등의 불량이 발생되기 쉬워진다. 특히, 이 분야에 있어서는, 불량의 발생에 의해, 센서 부위의 전극 및 인출배선에, 단락(短絡) 및 단선이 발생될 가능성이 있다. 따라서, 레지스터 패턴에는, 굴곡, 조각, 벗겨짐 등이 발생되지 않는 것이, 종래 이상으로 요구된다.In the case of forming a resist pattern with high resolution by setting L/S of the resist pattern to 30/30 (unit: μm) or less, defects such as bending (also called meandering), chipping, peeling, etc. of the resist pattern It is easier for this to happen. In particular, in this field, there is a possibility that a short circuit or disconnection may occur in the electrode and lead wiring at the sensor site due to the occurrence of a defect. Therefore, it is required more than before that resist patterns do not have bends, chips, peeling, or the like.
그러나, 특허문헌 2에 기재된 감광성 수지 조성물은, 해상성이 뛰어난 레지스터 패턴을 형성하는 것이 곤란하고, 레지스터 패턴의 불량이 발생되는 경우가 있었다. 또한, 특허문헌 3∼7에 기재된 감광성 수지 조성물은, ITO 에칭 시에 레지스터의 벗겨짐, 조각 등의 불량이 발생되는 경우가 있었다. 특히, ITO를 제거하기 위해서 사용되는, 강한 에칭액을 사용한 경우에, 레지스터 패턴에 벗겨짐 및 조각 등의 불량이 발생되거나, 또한, 레지스터 패턴에 벗겨짐 및 조각 등의 불량이 발생되고 있지 않아도, 형성되는 배선 패턴의 라인 형상에 흔들거림이 발생되거나 하기 쉬워지는 경향이 있다는 것을 알았다. 또한, 레지스터 패턴에 발생할 수 있는 불량이 적고, 배선 패턴의 라인 형상이 양호한 것과, 레지스터 패턴의 박리성이 양호하고 박리 시간이 짧은 것을 균형있게 고수준으로 양립시키는 것이 곤란하다는 것을 알았다.However, in the photosensitive resin composition described in Patent Literature 2, it is difficult to form a resist pattern having excellent resolution, and the resist pattern may be defective. In addition, in the photosensitive resin compositions described in Patent Documents 3 to 7, defects such as peeling and chipping of the resist may occur during ITO etching. In particular, when a strong etchant used to remove ITO is used, defects such as peeling and chipping occur in the resist pattern, or wiring formed even if defects such as peeling and chipping do not occur in the resist pattern. It has been found that there is a tendency for wobble to occur or to easily occur in the line shape of the pattern. In addition, it has been found that it is difficult to achieve both a good line shape of the wiring pattern with few defects that may occur in the resist pattern and a good peelability and short peeling time of the resist pattern at a high level in a well-balanced manner.
본 발명은, 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴이 형성 가능해지는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in order to solve such problems, and even when a strong etchant is used, peeling and chipping of the resist can be suppressed, and a wiring pattern having a good line shape without wobble can be obtained. It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition capable of forming a resistor pattern having a sufficiently short peeling time while being able to be formed. Another object of the present invention is to provide a method of forming a photosensitive element, a resist pattern, and a method of manufacturing a touch panel using the photosensitive resin composition.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의(銳意) 검토를 거듭한 결과, 소정의 성분을 함유하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 뛰어난 특성을 가지는 레지스터 패턴을 형성할 수 있다는 것을 발견했다.The inventors of the present invention, as a result of repeated studies in order to solve the above problems, found that a resist pattern having excellent characteristics can be formed by using a photosensitive resin composition containing predetermined components.
즉, 본 발명의 제1의 태양(態樣)은, (A)성분:바인더 폴리머, (B)성분:광중합성 화합물, 및, (C)성분:광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)성분이, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트와, 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 상기 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트의 함유량이, 상기 (A)성분 및 상기 (B)성분의 총량 100질량부 중, 10질량부 이하인, 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.That is, the 1st aspect of this invention contains (A) component: a binder polymer, (B) component: a photopolymerizable compound, and (C) component: a photoinitiator, and said (B) component This includes (meth)acrylate having 6 ethylenically unsaturated bonds in the molecule and (meth)acrylate having 1 ethylenically unsaturated bond in the molecule, and having 1 ethylenically unsaturated bond in the molecule ( It is related with the photosensitive resin composition whose content of meth)acrylate is 10 mass parts or less in 100 mass parts of total amounts of the said (A) component and the said (B) component.
이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 감광성 수지 조성물의 광경화물에 있어서 가교 밀도를 제어하기 쉽기 때문에, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 그 때문에, 이와 같은 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 고해상인 미세 회로 패턴을 형성할 수 있다.According to such a photosensitive resin composition, since it is easy to control the crosslinking density in the photocured product of the photosensitive resin composition, peeling and chipping of the resist can be suppressed even when a strong etchant is used, and shaking is prevented. It is possible to obtain a wiring pattern having a good line shape without any problems and to form a resistor pattern with a sufficiently short peeling time. Therefore, a high-resolution fine circuit pattern can be formed by using such a photosensitive resin composition.
상기 (B)성분은, (폴리)옥시에틸렌기를 가지는 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 더 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 레지스터 패턴의 내산성이 한층 향상되고, ITO 에칭 시에 레지스터 패턴의 팽윤에 의한 벗겨짐을 한층 현저하게 억제할 수 있다.The said (B) component may further contain the bisphenol-A di(meth)acrylate which has a (poly)oxyethylene group. According to such a photosensitive resin composition, the acid resistance of the resist pattern is further improved, and peeling due to swelling of the resist pattern at the time of ITO etching can be further remarkably suppressed.
본 발명의 제2의 태양은, 지지체와, 그 지지체의 일면 상에 설치된, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광층을 구비하는, 감광성 엘리먼트에 관한 것이다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광층을 구비하기 때문에, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 그 때문에, 이와 같은 감광성 엘리먼트를 사용함으로써, 고해상의 미세 회로 패턴을 형성할 수 있다.A second aspect of the present invention relates to a photosensitive element comprising a support and a photosensitive layer provided on one surface of the support and formed using the photosensitive resin composition according to the first aspect. Since such a photosensitive element includes a photosensitive layer formed using the photosensitive resin composition according to the first aspect, peeling and chipping of the resist can be suppressed even when a strong etchant is used, and , it is possible to obtain a wiring pattern having a good line shape without wobbling and at the same time to form a resistor pattern with a sufficiently short peeling time. Therefore, by using such a photosensitive element, a high-resolution fine circuit pattern can be formed.
본 발명의 제3의 태양은, 기재 상에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물 또는 상기 제2의 태양에 관련되는 감광성 엘리먼트를 사용하여 감광층을 형성하는 감광층 형성 공정과, 상기 감광층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 광경화물 영역을 형성하는 노광 공정과, 상기 감광층의 상기 광경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 상으로부터 제거하여, 상기 광경화물 영역으로 이루어지는 레지스터 패턴을 얻는 현상 공정을 가지는, 레지스터 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 이와 같은 레지스터 패턴의 형성 방법에 의하면, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 이와 같은 레지스터 패턴의 형성 방법에 의하면, 평활성이 높은 기판에 대하여도 뛰어난 밀착성을 가지며, 해상성이 뛰어난 레지스터 패턴을 형성하는 것이 가능하다.A third aspect of the present invention is a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer on a substrate using the photosensitive resin composition according to the first aspect or the photosensitive element according to the second aspect; An exposure step of curing a part of the photosensitive layer by irradiation with actinic light to form a photocured region; and removing an area of the photosensitive layer other than the photocured region from the base material to form the photocured region. It is related with the formation method of the resist pattern which has a developing process which obtains the formed resist pattern. According to such a resist pattern formation method, even when a strong etchant is used, peeling and chipping of the resist can be suppressed, and a wiring pattern having a good line shape without wobble can be obtained. , a resist pattern with a sufficiently short peeling time can be formed. In addition, according to such a method for forming a resist pattern, it is possible to form a resist pattern having excellent adhesion even to a substrate having high smoothness and excellent resolution.
본 발명의 제4의 태양은, 지지 기재와 그 지지 기재의 일면 상에 설치된 산화인듐주석을 포함하는 투명 도전층과 그 투명 도전층 상에 설치된 금속층을 구비하는 적층 기재의, 상기 금속층 상에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물의 광경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성하는 제1의 공정과, 상기 금속층 및 상기 투명 도전층을 에칭하여, 상기 투명 도전층의 잔부(殘部) 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과, 상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명 도전층의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The fourth aspect of the present invention is a laminated substrate having a support substrate, a transparent conductive layer containing indium tin oxide provided on one surface of the support substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. On the metal layer, A first step of forming a resist pattern made of a photocured product of the photosensitive resin composition according to the first aspect, etching the metal layer and the transparent conductive layer, and removing the remainder of the transparent conductive layer and the metal layer. a second step of forming a laminated pattern composed of the remainder of the laminated pattern; and a step of removing the metal layer from a part of the laminated pattern to form a transparent electrode composed of the remainder of the transparent conductive layer and a metal wiring composed of the remainder of the metal layer. It relates to a manufacturing method of a touch panel having three steps.
이와 같은 터치 패널의 제조 방법에 의하면, 레지스터 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물의 광경화물로부터 형성된 것이기 때문에, 에칭 처리에 있어서의 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제되어, 용이하게 또한 효율적으로 협피치의 터치 패널(예를 들면, L/S가 30/30 이하의 인출배선을 가지는 터치 패널)을 제조할 수 있다.According to the manufacturing method of such a touch panel, since the resist pattern is formed from the photocured material of the photosensitive resin composition according to the first aspect, peeling of the resist pattern in the etching process is sufficiently suppressed and easily It is possible to efficiently manufacture a narrow pitch touch panel (for example, a touch panel having an L/S of 30/30 or less outgoing wiring).
상기 투명 도전층은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고 있어도 되고, 상기 제2의 공정에 있어서의 에칭은, 강산에 의한 에칭이어도 된다. 상기 제조 방법에 있어서는, 레지스터 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물의 광경화물로부터 형성된 것이기 때문에, 강산에 의한 에칭에 의해도 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다. 그 때문에, 상기 제조 방법은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하는 투명 도전층을 구비하는 적층 기재를 사용한 터치 패널의 제조에 적합하게 적용할 수 있다.The transparent conductive layer may contain crystalline indium tin oxide, and the etching in the second step may be etching with a strong acid. In the above manufacturing method, since the resist pattern is formed from a photocured material of the photosensitive resin composition according to the first aspect, peeling or the like of the resist pattern is sufficiently suppressed even by etching with a strong acid. Therefore, the above manufacturing method can be suitably applied to the manufacture of a touch panel using a laminated substrate provided with a transparent conductive layer containing crystalline indium tin oxide.
본 발명에 의하면, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴이 형성 가능해지는 감광성 수지 조성물이 제공된다. 또한, 본 발명에 의하면, 해당 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, even when a strong etchant is used, peeling and chipping of the resist can be suppressed, and a wiring pattern having a good line shape without wobble can be obtained, and the peeling time can be sufficiently reduced. A photosensitive resin composition capable of forming a short resist pattern is provided. Moreover, according to this invention, the formation method of the photosensitive element using the said photosensitive resin composition, the resist pattern, and the manufacturing method of a touch panel are provided.
[도 1] 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 터치 패널의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 3] 본 발명의 터치 패널의 제조 방법의 일 태양을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 4] 본 발명을 이용하여 얻어지는 터치 패널의 일 태양을 나타내는 상면도이다.Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a photosensitive element of the present invention.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing a conventional manufacturing method for a touch panel.
[Fig. 3] A schematic cross-sectional view showing one aspect of a method for manufacturing a touch panel according to the present invention.
[Fig. 4] It is a top view showing one aspect of a touch panel obtained by using the present invention.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, (메타)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미하고, (메타)아크릴옥시기란 아크릴옥시기 또는 그에 대응하는 메타크릴옥시기를 의미한다.Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, in the present specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid, (meth)acrylate means acrylate or a methacrylate corresponding thereto, and (meth)acryloxy group means acrylic acid. period or a methacryloxy group corresponding thereto.
또한, 본 명세서에 있어서, (폴리)옥시알킬렌기란, 옥시알킬렌기 또는 2 이상의 알킬렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시알킬렌기의 적어도 1종을 의미한다. 즉, (폴리)옥시에틸렌기란, 옥시에틸렌기 또는 2 이상의 에틸렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시에틸렌기의 적어도 1종을 의미하며, (폴리)옥시프로필렌기 등의 다른 유사 표현에 관해서도 동일하다. 또한, (폴리)옥시에틸렌기를, "EO기"이라고, (폴리)옥시프로필렌기를, "PO기"이라고 칭하는 경우가 있다. 또한, "층"이라는 용어는, 평면도로 관찰했을 때에, 전면(全面)에 형성되어 있는 형상의 구조에 더하여, 일부에 형성되어 있는 형상의 구조도 포함된다. 또한, "공정"이라는 용어는, 독립한 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이어도, 그 공정의 소기의 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다. 또한, "∼"를 사용해서 나타낸 수치 범위는, "∼"의 전후에 기재되는 수치를, 각각 최소값 및 최대값으로 포함하는 범위를 나타낸다. 또한, 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어느 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.In addition, in this specification, a (poly)oxyalkylene group means at least 1 sort(s) of the oxyalkylene group or the polyoxyalkylene group in which two or more alkylene groups were connected by the ether bond. That is, the (poly)oxyethylene group means at least one of an oxyethylene group or a polyoxyethylene group in which two or more ethylene groups are connected by an ether bond, and the same applies to other similar expressions such as a (poly)oxypropylene group. In addition, a (poly)oxyethylene group is sometimes referred to as an "EO group" and a (poly)oxypropylene group is referred to as a "PO group". In addition, the term "layer" includes a structure formed on a part of the structure in addition to a structure formed on the entire surface when observed in a plan view. In addition, the term "process" is included in this term, not only in an independent process, but also in a case where it cannot be clearly distinguished from other processes, provided that the intended purpose of the process is achieved. In addition, the numerical range expressed using "-" shows the range which includes the numerical value described before and after "-" as a minimum value and a maximum value, respectively. In addition, in the numerical range described step by step in this specification, you may replace the upper limit or lower limit of the numerical range of a certain stage with the upper limit or lower limit of the numerical range of another stage. In addition, in the numerical range described in this specification, you may replace the upper limit value or the lower limit value of the numerical range with the value shown in the Example.
<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>
본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 "감광성 수지 조성물"이라고 한다.)은, (A)성분:바인더 폴리머, (B)성분:광중합성 화합물, 및, (C)성분:광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)성분이, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트와, 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 포함하고, 상기 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트의 함유량이, 상기 (A)성분 및 상기 (B)성분의 총량 100질량부 중, 10질량부 이하(다만 0질량부 초과)인, 감광성 수지 조성물이다.The photosensitive resin composition (hereinafter, simply referred to as "photosensitive resin composition") according to the present embodiment includes (A) component: binder polymer, (B) component: photopolymerizable compound, and (C) component: photopolymerization initiator. , wherein the component (B) contains (meth)acrylate having 6 ethylenically unsaturated bonds in the molecule and (meth)acrylate having 1 ethylenically unsaturated bond in the molecule, and in the molecule A photosensitive resin in which the content of (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond is 10 parts by mass or less (however, more than 0 parts by mass) in 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B) is a composition
이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 벗겨짐 및 조각의 발생이 억제된 고해상의 레지스터 패턴이 형성 가능해진다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 레지스터 패턴은, 강산을 사용하여 ITO를 에칭 한 경우이어도, 벗겨짐 및 조각이 발생되기 어려운 경향이 있기 때문에, 얻어지는 회로 패턴은 라인 형상이 양호해진다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, ITO 에칭용으로서, 특히 결정성 ITO를 포함하는 투명 도전층의 에칭용으로서, 적합하다.According to such a photosensitive resin composition, it is possible to form a high-resolution resist pattern in which peeling and generation of chips are suppressed. In addition, since the resist pattern formed using the photosensitive resin composition tends to be less prone to peeling and chipping even when ITO is etched using a strong acid, the obtained circuit pattern has a good line shape. Therefore, the photosensitive resin composition according to this embodiment is suitable for ITO etching, particularly for etching a transparent conductive layer containing crystalline ITO.
(A)성분:바인더 폴리머 (A) Component: Binder polymer
감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서 바인더 폴리머를 적어도 1종 함유한다. 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 중합성 단량체(모노머)를 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체를 들 수 있다.The photosensitive resin composition contains at least 1 sort(s) of binder polymer as (A) component. As a binder polymer, the polymer obtained by radically polymerizing a polymerizable monomer (monomer) is mentioned, for example.
중합성 단량체(모노머)로서는, (메타)아크릴산;(메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 벤질 유도체, (메타)아크릴산 푸르푸릴, (메타)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, (메타)아크릴산 이소보닐, (메타)아크릴산 아다만틸, (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산 글리시딜, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, α-브로모아크릴산, α-크롤아크릴산, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜타닐옥시에틸, (메타)아크릴산 이소보닐옥시에틸, (메타)아크릴산 시클로헥실옥시에틸, (메타)아크릴산 아다만틸옥시에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜타닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산 디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산 아다만틸옥시프로필옥시에틸, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산 등의 (메타)아크릴산 에스테르;스티렌;비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α-위치 또는 방향족환에서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체;디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드;아크릴로니트릴;비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르 화합물;말레산;말레산 무수물;말레산 모노메틸, 말레산 모노에틸, 말레산 모노이소프로필 등의 말레산 모노에스테르;푸말산, 신남산, α-시아노신남산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등의 불포화 카복실산 유도체; 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다.As the polymerizable monomer (monomer), (meth)acrylic acid; (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters, (meth)acrylic acid benzyl, (meth)acrylic acid benzyl derivatives, (meth)acrylic acid furfuryl, (meth)acrylic acid ) tetrahydrofurfuryl acrylate, isobornyl (meth)acrylate, adamantyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dimethylaminoethyl (meth)acrylate, diethylaminoethyl (meth)acrylate, (meth)acrylate Glycidyl acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth)acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth)acrylate, α-bromoacrylic acid, α-chloroacrylic acid, Dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, dicyclopentanyloxyethyl (meth)acrylate, isobornyloxyethyl (meth)acrylate, cyclohexyloxyethyl (meth)acrylate, adamantyloxyethyl (meth)acrylate, ( meth)acrylate dicyclopentenyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylate dicyclopentanyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylate dicyclopentenyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylate adamantyloxypropyloxyethyl, β -(meth)acrylic acid esters such as furyl(meth)acrylic acid and β-styryl(meth)acrylic acid; styrene; polymerizable styrene derivatives substituted at the α-position or aromatic ring such as vinyltoluene and α-methylstyrene; Acrylamides such as acetone acrylamide; Acrylonitrile; Ether compounds of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; Maleic acid; Maleic anhydride; Monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate, etc. maleic acid monoesters; unsaturated carboxylic acid derivatives such as fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid and propiolic acid; and the like. These can be used individually or in combination of 2 or more types arbitrarily.
(A)성분은, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가져도 된다. (A)성분이, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 박리성(에칭 후의 레지스터 박리성)이 뛰어난 점에서는, (A)성분의 전량을 기준(100질량%, 이하 동일)으로 하여, 10∼60질량%, 15∼50질량%, 또는, 20∼35질량%이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, "(A)성분의 전량"은, 그 중의 고형분의 전량을 의미한다. 또한, 후술하는 "(A)성분 및 (B)성분의 총량"도, 동일하다. 또한, "고형분"이란, 감광성 수지 조성물의 물, 용매 등의 휘발되는 물질을 제외한 불휘발분을 가리킨다. 즉, 건조 공정에서 휘발하지 않고 남는 용매 이외의 성분을 가리키며, 25℃ 부근의 실온에서 액상(液狀), 물엿상(狀) 및 왁스상(狀)의 것도 포함한다.(A) component may have a structural unit derived from (meth)acrylic acid. When the component (A) has a structural unit derived from (meth)acrylic acid, the content is based on the total amount of the component (A) (100 mass) in terms of resolution and peelability (resist peelability after etching). 10 to 60% by mass, 15 to 50% by mass, or 20 to 35% by mass may be used as %, the same below). In addition, in this specification, "the whole amount of (A) component" means the whole amount of solid content in it. In addition, the "total amount of (A) component and (B) component" mentioned later is also the same. In addition, "solid content" refers to the non-volatile matter except for volatilizing substances, such as water and a solvent, of the photosensitive resin composition. That is, it refers to components other than the solvent that remains without volatilization in the drying step, and includes liquid, starch syrup, and waxy components at room temperature around 25°C.
또한, (A)성분은, 알칼리 현상성 및 박리성이 한층 향상되는 관점에서, (메타)아크릴산 알킬에스테르에서 유래하는 구조 단위를 가져도 된다.Further, the component (A) may have a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate from the viewpoint of further improving alkali developability and releasability.
(메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, (메타)아크릴산과 탄소수 1∼12의 알킬 알코올과의 에스테르이어도 된다. 이와 같은 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실 및 (메타)아크릴산 2-에틸헥실을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다.The (meth)acrylic acid alkyl ester may be an ester of (meth)acrylic acid and an alkyl alcohol having 1 to 12 carbon atoms. Examples of such alkyl (meth)acrylates include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate and and 2-ethylhexyl (meth)acrylate. These can be used individually or in combination of 2 or more types arbitrarily.
(A)성분이 (메타)아크릴산 알킬에스테르에서 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 밀착성이 향상되는 점에서는, (A)성분의 전량을 기준으로 하여, 40∼90질량%, 50∼85질량%, 또는, 65질량%∼80질량%이어도 된다.When the component (A) has a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate, the content is 40 to 90% by mass based on the total amount of the component (A), in terms of resolution and adhesion. It may be 50 to 85% by mass or 65% to 80% by mass.
(A)성분의 산가는, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 90∼250mgKOH/g, 100∼240mgKOH/g, 120∼235mgKOH/g, 또는, 130mgKOH/g∼230mgKOH/g이어도 된다.The acid value of the component (A) may be 90 to 250 mgKOH/g, 100 to 240 mgKOH/g, 120 to 235 mgKOH/g, or 130 mgKOH/g to 230 mgKOH/g in view of excellent developability and adhesiveness.
현상 시간을 단축하는 점에서, 이 산가는, 90mgKOH/g 이상, 100mgKOH/g 이상, 120mgKOH/g 이상, 또는, 130mgKOH/g 이상이어도 된다.From the point of shortening development time, this acid value may be 90 mgKOH/g or more, 100 mgKOH/g or more, 120 mgKOH/g or more, or 130 mgKOH/g or more.
또한, 감광성 수지 조성물의 광경화물의 밀착성이 한층 향상되는 점에서, 이 산가는, 250mgKOH/g 이하, 240mgKOH/g 이하, 235mgKOH/g 이하, 또는, 230mgKOH/g 이하이어도 된다. 또한, 용제 현상을 실시하는 경우는, (메타)아크릴산 등의 카복실기를 가지는 중합성 단량체(모노머)를 소량으로 조정해도 된다.Moreover, 250 mgKOH/g or less, 240 mgKOH/g or less, 235 mgKOH/g or less, or 230 mgKOH/g or less may be sufficient as this acid value from the point which further improves the adhesiveness of the photocured material of the photosensitive resin composition. In addition, when performing solvent development, you may adjust a small amount of polymerizable monomers (monomers) which have a carboxyl group, such as (meth)acrylic acid.
(A)성분의 중량평균분자량(Mw)은, 겔침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정(표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의해 환산)한 경우, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000∼200000, 20000∼100000, 25000∼80000, 또는, 30000∼60000이어도 된다. 현상성이 뛰어난 점에서는, 200000 이하, 100000 이하, 80000 이하, 또는, 60000 이하여도 된다. 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000 이상, 20000 이상, 25000 이상, 또는, 30000 이상이어도 된다.(A) The weight average molecular weight (Mw) of component is 10000 to 200000, 20000 in terms of excellent developability and adhesion when measured by gel permeation chromatography (GPC) (converted by a calibration curve using standard polystyrene) It may be -100000, 25000-80000, or 30000-60000. In terms of excellent developability, it may be 200000 or less, 100000 or less, 80000 or less, or 60000 or less. In terms of excellent adhesion, it may be 10000 or more, 20000 or more, 25000 or more, or 30000 or more.
(A)성분의 분산도(중량평균분자량/수평균분자량)는, 해상도, 밀착성이 뛰어난 점에서는, 3.0 이하, 2.8 이하, 또는, 2.5 이하여도 된다.(A) The degree of dispersion (weight average molecular weight/number average molecular weight) of the component may be 3.0 or less, 2.8 or less, or 2.5 or less in terms of resolution and adhesion.
(A)성분으로서는, 1 종류의 바인더 폴리머를 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상의 바인더 폴리머를 임의로 조합하여 사용해도 된다.As the component (A), one type of binder polymer may be used alone, or two or more types of binder polymers may be used in combination arbitrarily.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (A)성분의 함유량은, 필름 형성성, 감도 및 해상도가 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에 30∼70질량부, 35∼65질량부, 또는, 40∼60질량부이어도 된다. 필름(감광층)의 형성성의 점에서, 이 함유량은 30질량부 이상, 35질량부 이상, 또는, 40질량부 이상이어도 된다. 또한, 감도 및 해상도가 균형있게 향상되는 점에서는, 이 함유량은 70질량부 이하, 65질량부 이하, 또는, 60질량부 이하여도 된다.The content of the component (A) in the photosensitive resin composition is 30 to 70 parts by mass and 35 to 65 parts by mass in 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B) in terms of film formability, sensitivity, and resolution. Part by mass or 40 to 60 parts by mass may be sufficient. From the point of formation of a film (photosensitive layer), this content may be 30 mass parts or more, 35 mass parts or more, or 40 mass parts or more. In addition, in terms of well-balanced improvement in sensitivity and resolution, this content may be 70 parts by mass or less, 65 parts by mass or less, or 60 parts by mass or less.
(B)성분:광중합성 화합물 (B) component: photopolymerizable compound
감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 및 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 함유한다.The photosensitive resin composition contains, as component (B), (meth)acrylate having six ethylenically unsaturated bonds in the molecule and (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule.
분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 6개 가지는 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들은, EO기 또는 PO기를 가져도 된다. 또한, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 6개 가지는 (메타)아크릴레이트가 EO기를 가지는 경우, 분자 내의 EO기의 수는, 밀착성을 향상시키는 관점에서, 6∼30, 6∼24 또는 6∼12이어도 된다.As (meth)acrylate which has 6 ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate is mentioned, for example. These may have EO group or PO group. Further, when (meth)acrylate having six ethylenically unsaturated bonds in the molecule has an EO group, the number of EO groups in the molecule may be 6 to 30, 6 to 24, or 6 to 12 from the viewpoint of improving adhesion. do.
EO기 또는 PO기를 가지는 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트로서, 보다 구체적으로는, 예를 들면, 하기 일반식(1)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.As dipentaerythritol hexa(meth)acrylate which has EO group or PO group, more specifically, the compound represented by the following general formula (1) is mentioned, for example.
일반식(1) 중, R은 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In general formula (1), R represents a hydrogen atom or a methyl group each independently.
일반식(1) 중, A는 탄소수 2∼6의 알킬렌기, 탄소수 2∼5의 알킬렌기, 또는, 탄소수 2∼4의 알킬렌기를 나타낸다. 탄소수 2∼6의 알킬렌기로서는, 예를 들면, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, 부틸렌기, 펜틸렌기 및 헥실렌기 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 해상도, 밀착성, 및 레지스터 옷자락 발생의 억제성을 향상시키는 견지에서, 에틸렌기 또는 이소프로필렌기이어도 되고, 에틸렌기이어도 된다. 또한, 복수 존재하는 A는, 서로 동일해도 상이해도 된다.In general formula (1), A represents a C2-C6 alkylene group, a C2-C5 alkylene group, or a C2-C4 alkylene group. As a C2-C6 alkylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, a pentylene group, and a hexylene group etc. are mentioned, for example. Among these, from the standpoint of improving resolution, adhesion, and suppression of register hemming, an ethylene group or an isopropylene group may be used, or an ethylene group may be used. In addition, a plurality of A's may be the same as or different from each other.
일반식(1) 중, n은 각각 독립하여, 0∼20의 정수이다. 해상도를 더욱 향상시키는 견지에서, n은, 1∼20, 1∼7, 1∼5, 1∼4 또는 1∼2이어도 된다. 일반식(1) 중의 6개의 n의 합계는, 6∼30, 6∼24 또는 6∼12이어도 된다. In general formula (1), n is an integer of 0-20 each independently. From the standpoint of further improving the resolution, n may be 1 to 20, 1 to 7, 1 to 5, 1 to 4, or 1 to 2. The total of six n in Formula (1) may be 6 to 30, 6 to 24, or 6 to 12.
감광성 수지 조성물에 있어서의, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 6개 가지는 (메타)아크릴레이트의 함유량은, 에칭 후의 밀착성과 박리성을 균형있게 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 3∼20질량부, 3∼15질량부 또는 3∼10질량부이어도 된다. 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 6개 가지는 (메타)아크릴레이트는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In the photosensitive resin composition, the content of (meth)acrylate having six ethylenically unsaturated bonds in the molecule is, from the viewpoint of improving the adhesiveness and peelability after etching in a well-balanced manner, (A) component and (B) component It may be 3 to 20 parts by mass, 3 to 15 parts by mass, or 3 to 10 parts by mass in 100 parts by mass of the total amount. The (meth)acrylates having six ethylenically unsaturated bonds in the molecule may be used alone or in combination of two or more.
분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트("노닐페녹시폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트"라고도 한다.), 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트, 프탈산계 화합물 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르를 들 수 있다. 이들 중에서도, 해상도, 밀착성 및 경화 후의 박리 특성을 균형있게 향상시키는 관점에서, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트 또는 프탈산계 화합물 중 적어도 어느 1 종류를 포함해도 된다.Examples of (meth)acrylates having one ethylenically unsaturated bond in the molecule include nonylphenoxypolyethyleneoxyacrylate (also referred to as “nonylphenoxypolyethylene glycol acrylate”), 2-hydroxy-3- and phenoxypropyl (meth)acrylate, phthalic acid-based compounds, and (meth)acrylic acid alkyl esters. Among these, at least any one of 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate or a phthalic acid-based compound may be included from the viewpoint of improving resolution, adhesiveness, and release characteristics after curing in a well-balanced manner.
분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 프탈산계 화합물로서는, 예를 들면, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸-2-히드록시에틸-프탈산 및 2-아크릴로일옥시에틸-프탈산을 들 수 있다.Examples of the phthalic acid compound having one ethylenically unsaturated bond in the molecule include γ-chloro-β-hydroxypropyl-β'-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, 2-acryloyloxyethyl -2-hydroxyethyl-phthalic acid and 2-acryloyloxyethyl-phthalic acid.
감광성 수지 조성물에 있어서의, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 (메타)아크릴레이트의 함유량은, 에칭 후의, 레지스터의 벗겨짐 및 조각을 저감하는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 10질량부 이하이고, 8질량부 이하, 또는, 5질량부 이하이어도 된다. 또한, 그 하한값은, 0질량부 초과이며, 박리성을 향상시키는 관점에서, 0.1질량부 이상이어도 된다. 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 (메타)아크릴레이트는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In the photosensitive resin composition, the content of (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule is, from the viewpoint of reducing peeling and chipping of the resist after etching, (A) component and (B) component In 100 parts by mass of the total amount, it may be 10 parts by mass or less, 8 parts by mass or less, or 5 parts by mass or less. Moreover, the lower limit is more than 0 parts by mass and may be 0.1 parts by mass or more from the viewpoint of improving the peelability. The (meth)acrylates having one ethylenically unsaturated bond in the molecule may be used alone or in combination of two or more.
(B)성분은, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 및 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트 이외의 그 밖의 광중합성 화합물을 더 함유해도 된다. 그 밖의 광중합성 화합물은, 광중합이 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없다. 그 밖의 광중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물, 또는, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물이어도 된다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물로서는, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물((메타)아크릴레이트), 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 가지는 화합물((메타)아크릴레이트) 등을 들 수 있다. 그 밖의 광중합성 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다.Component (B) may further contain other photopolymerizable compounds other than (meth)acrylate having six ethylenically unsaturated bonds in the molecule and (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule. Other photopolymerizable compounds are not particularly limited as long as they are capable of photopolymerization. The other photopolymerizable compound may be a radically polymerizable compound or a compound having an ethylenically unsaturated bond. Examples of compounds having ethylenically unsaturated bonds include compounds having two ethylenically unsaturated bonds in a molecule ((meth)acrylate), compounds having three or more ethylenically unsaturated bonds in a molecule ((meth)acrylate), and the like. can Other photopolymerizable compounds may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
(B)성분은, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물을 더 함유해도 된다.(B) component may further contain the compound which has two ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator.
분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트, 분자 내에 우레탄 결합을 가지는 디(메타)아크릴레이트, 분자 내에 (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기의 양쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 및 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the compound having two ethylenically unsaturated bonds in the molecule include bisphenol A di(meth)acrylate, hydrogenated bisphenol A di(meth)acrylate, and di(meth)acrylic having a urethane bond in the molecule. rate, polyalkylene glycol di(meth)acrylate having both a (poly)oxyethylene group and a (poly)oxypropylene group in the molecule, and trimethylolpropane di(meth)acrylate.
(B)성분은, 내산성을 한층 향상시키는 관점에서, 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함해도 된다.(B) component may also contain bisphenol-A di(meth)acrylate from a viewpoint of further improving acid resistance.
비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트로서는, 하기 일반식(2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.Examples of the bisphenol A di(meth)acrylate include compounds represented by the following general formula (2).
일반식(2) 중, R1 및 R2는 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. XO 및 YO는 각각 독립하여, 옥시에틸렌기 또는 옥시프로필렌기를 나타낸다. m1, m2, n1 및 n2는 각각 독립하여 0∼40을 나타낸다. 다만, m1+n1 및 m2+n2는 모두 1 이상이다. XO가 옥시에틸렌기, YO가 옥시프로필렌기인 경우, m1+m2는 1∼40이며, n1+n2는 0∼20이다. XO가 옥시프로필렌기, YO가 옥시에틸렌기인 경우, m1+m2는 0∼20이며, n1+n2는 1∼40이다. m1, m2, n1 및 n2는 구성 단위의 구성 단위수를 나타낸다. 따라서 단일의 분자에 있어서는 정수값을 나타내며, 복수종의 분자의 집합체로서는 평균값인 유리수를 나타낸다. 이하, 구성 단위의 구성 단위수에 관해서는 동일하다.In General Formula (2), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. XO and YO each independently represent an oxyethylene group or an oxypropylene group. m 1 , m 2 , n 1 and n 2 each independently represent 0 to 40. However, m 1 +n 1 and m 2 +n 2 are both 1 or more. When XO is an oxyethylene group and YO is an oxypropylene group, m 1 + m 2 is 1 to 40, and n 1 + n 2 is 0 to 20. When XO is an oxypropylene group and YO is an oxyethylene group, m 1 + m 2 is 0 to 20, and n 1 + n 2 is 1 to 40. m 1 , m 2 , n 1 and n 2 represent the number of structural units of the structural unit. Therefore, it represents an integer value for a single molecule, and represents a rational number, which is an average value, for an aggregate of plural types of molecules. Hereinafter, the number of structural units of the structural unit is the same.
내산성이 뛰어난 점에서는, 일반식(2) 중, XO가 옥시에틸렌기, YO가 옥시프로필렌기인 경우, m1+m2는 8∼40, 8∼20, 또는, 8∼10이어도 되고, XO가 옥시프로필렌기, YO가 옥시에틸렌기인 경우, n1+n2는 8∼40, 8∼20, 또는, 8∼10이어도 된다.In terms of excellent acid resistance, when XO is an oxyethylene group and YO is an oxypropylene group in the general formula (2), m 1 + m 2 may be 8 to 40, 8 to 20, or 8 to 10, and XO is oxy When the propylene group and YO are oxyethylene groups, n 1 + n 2 may be 8 to 40, 8 to 20, or 8 to 10.
얻어지는 배선 패턴의 라인 형상에 의해 뛰어난 관점에서는, (B)성분은, 일반식(2)에 있어서, XO가 옥시에틸렌기인 경우의 m1+m2가 1∼30, 또는, YO가 옥시에틸렌기인 경우의 n1+n2가 1∼30인 화합물을 함유하고, 그 함유량이, (B)성분의 총량 100질량부 중에 30∼50질량부, 30∼45질량부 또는 30∼40질량부이어도 된다.From the standpoint of excellent line shape of the wiring pattern to be obtained, component (B) is, in General Formula (2), when XO is an oxyethylene group, m 1 + m 2 is 1 to 30, or when YO is an oxyethylene group contains a compound in which n 1 + n 2 of is 1 to 30, and the content may be 30 to 50 parts by mass, 30 to 45 parts by mass, or 30 to 40 parts by mass in 100 parts by mass of the total amount of the component (B).
감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 포함하는 경우, 그 함유량으로서는, 에칭 후의 밀착성을 향상시키는 관점에서, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1∼50질량부, 또는, 5∼50질량부이어도 된다.When the photosensitive resin composition contains bisphenol A di(meth)acrylate as component (B), the content is 100 parts by mass of total amount of component (A) and component (B) from the viewpoint of improving the adhesion after etching. In, 1-50 mass parts or 5-50 mass parts may be sufficient.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (B)성분 전체의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 30∼70질량부, 35∼65질량부, 40∼60질량부, 또는, 35∼55질량부이어도 된다. 이 함유량이 30질량부 이상이면, 감도 및 해상도가 균형있게 향상되는 경향이 있다. 70질량부 이하이면, 필름(감광층)을 형성하기 쉬워지는 경향이 있고, 또한 양호한 레지스터 패턴 형상을 얻기 쉬워지는 경향이 있다.Content of the whole (B) component in the photosensitive resin composition is 30-70 mass parts, 35-65 mass parts, 40-60 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, or , 35 to 55 parts by mass may be sufficient. When this content is 30 parts by mass or more, sensitivity and resolution tend to improve in a well-balanced manner. When it is 70 parts by mass or less, it tends to make it easier to form a film (photosensitive layer), and it tends to make it easier to obtain a good resist pattern shape.
(C)성분:광중합 개시제(C) component: photopolymerization initiator
감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서 광중합 개시제를 적어도 1종 함유한다. 광중합 개시제는, (B)성분을 중합시킬 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 통상 사용되는 광중합 개시제로부터 적절히 선택할 수 있다.The photosensitive resin composition contains at least 1 sort(s) of photoinitiator as (C)component. The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it can polymerize the component (B), and can be appropriately selected from commonly used photopolymerization initiators.
(C)성분으로서는, 벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판온-1 등의 방향족 케톤;알킬안트라퀴논 등의 퀴논류;벤조인알킬에테르 등의 벤조인에테르 화합물;벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물;벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체;2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체;9-페닐아크리딘, 1,7-(9,9'-아크리디닐) 헵탄 등의 아크리딘 유도체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As component (C), benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]- Aromatic ketones such as 2-morpholino-propanone-1; Quinones such as alkylanthraquinone; Benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether; Benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin; Benzyldimethylketal, etc. Benzyl derivatives; 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, etc.; 4,5-triarylimidazole dimer; Acridine derivatives, such as 9-phenylacridine and 1,7-(9,9'-acridinyl) heptane, etc. are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
(C)성분은, 감도 및 밀착성을 한층 향상시키는 관점에서, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체의 적어도 1종을 포함하고 있어도 되고, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체를 포함해도 된다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체는, 그 구조가 대칭이어도 비대칭이어도 된다.(C) component may contain at least 1 sort(s) of 2,4,5-triaryl imidazole dimer from a viewpoint of further improving sensitivity and adhesiveness, 2-(o-chlorophenyl) -4, A 5-diphenylimidazole dimer may also be included. The 2,4,5-triarylimidazole dimer may have a symmetrical or asymmetrical structure.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 0.1∼10질량부, 1∼7질량부, 2∼6질량부, 또는, 3∼5질량부이어도 된다. 이 함유량이 0.1질량부 이상이면 양호한 감도, 해상도 또는 밀착성을 얻기 쉬워지는 경향이 있고, 10질량부 이하이면 양호한 레지스터 패턴 형상을 얻기 쉬워지는 경향이 있다.Content of (C)component in the photosensitive resin composition is 0.1-10 mass parts, 1-7 mass parts, 2-6 mass parts, or, with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, It may be 3 to 5 parts by mass. When this content is 0.1 parts by mass or more, it tends to be easy to obtain good sensitivity, resolution or adhesion, and when it is 10 parts by mass or less, it tends to be easy to obtain a good resist pattern shape.
(D):실란 커플링제(D): Silane coupling agent
감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 실란 커플링제를 더 함유하고 있어도 된다. 실란 커플링제로서는, (D1)성분:메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물, (D2)성분:아미노기를 가지는 실란 화합물(바람직하게는, 우레이드기를 가지는 실란 화합물), (D3)성분:(메타)아크릴옥시기를 가지는 실란 화합물을 들 수 있다.The photosensitive resin composition may further contain a silane coupling agent as (D)component. As a silane coupling agent, component (D1): a silane compound having a mercaptoalkyl group, component (D2): a silane compound having an amino group (preferably a silane compound having a ureid group), component (D3): (meth)acrylic The silane compound which has an oxy group is mentioned.
감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 (D1)성분을 함유하는 경우, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어나고, 또한 염산에 의한 ITO 에칭에 의해서도 벗겨짐 등이 발생되기 어려운 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 형성할 수 있다는, 뛰어난 효과를 나타낼 수 있다.When the photosensitive resin composition contains the component (D1) as the component (D), it is excellent in adhesion to a substrate having high smoothness, and also has excellent acid resistance that is resistant to peeling or the like even by ITO etching with hydrochloric acid. It can form, can show an outstanding effect.
또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분 이외의 실란 커플링제를 함유하고 있어도 된다.Moreover, the photosensitive resin composition may contain silane coupling agents other than (D1) component as (D)component.
예를 들면, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분과 (D3)성분을 병용할 수 있다. 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분만을 포함하는 경우, 뛰어난 밀착성을 나타내는 레지스터 패턴이 얻어지는 한편, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사가 발생되기 쉬운(즉, 구리 기판 상에 형성된 레지스터 패턴이, 에칭 후에 박리되기 어려운) 경향이 있고, 에칭 시간이 증가되는 경향이 있다. 이에 대하여, 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분 및 (D3)성분을 함유하는 경우, 뛰어난 밀착성을 유지하면서, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하여, 에칭 시간의 단축을 도모할 수 있다.For example, the photosensitive resin composition can use a component (D1) and a component (D3) together as (D) component. When the photosensitive resin composition contains only the component (D1) as the component (D), a resist pattern exhibiting excellent adhesion is obtained, while development residues on a copper substrate or the like are easily generated (ie, a resist pattern formed on a copper substrate, It tends to be difficult to peel after etching), and the etching time tends to increase. On the other hand, when the photosensitive resin composition contains the component (D1) and the component (D3) as the component (D), while maintaining excellent adhesion, generation of development residues to copper substrates and the like is suppressed, and the etching time is shortened. can do.
또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분, (D2)성분 및 (D3)성분을 모두 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하면서, 보다 높은 밀착성을 실현할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may contain all of the (D1) component, (D2) component, and (D3) component as (D)component. According to such a photosensitive resin composition, higher adhesiveness is realizable, suppressing generation|occurrence|production of the development residue with respect to a copper substrate etc.
(D1)성분으로서는, 메르캅토알킬기 및 알콕시기를 가지는 실란 화합물(메르캅토알킬알콕시실란)이어도 되고, 이와 같은 (D1)성분으로서는, 메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 메르캅토프로필트리메톡시실란, 메르캅토프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 가수분해가 일어나기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 메르캅토프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.As the component (D1), a silane compound (mercaptoalkylalkoxysilane) having a mercaptoalkyl group and an alkoxy group may be used, and as such component (D1), mercaptopropylmethyldimethoxysilane, mercaptopropyltrimethoxysilane, Captopropyltriethoxysilane etc. are mentioned. Among these, mercaptopropyltrimethoxysilane, which easily undergoes hydrolysis and is capable of crosslinking at three points, is most preferred for expression of adhesiveness. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
(D2)성분으로서는, 말단에 1급 아미노기를 가지는 실란 화합물이어도 되고, 이와 같은 (D2)성분으로서는, 예를 들면, 3-아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리메톡시실란, 우레이드메틸트리메톡시실란, 우레이드메틸트리에톡시실란, 2-우레이드에틸트리메톡시실란, 2-우레이드에틸트리에톡시실란, 4-우레이드부틸트리메톡시실란, 4-우레이드부틸트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 바인더 폴리머와의 반응성을 고려하여, 우레이드기 등의 카복실산기와의 반응성이 낮은 관능기를 가지는 실란 화합물이어도 되고, (D1)성분과 병용했을 때에 현상 잔사의 억제 효과가 특히 현저하게 나타나는 3-우레이드프로필트리에톡시실란이 가장 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(D2) As a component, the silane compound which has a primary amino group at the terminal may be sufficient, As such a (D2) component, 3-aminopropyl methoxysilane, aminopropyl ethoxysilane, N-2- (amino Ethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidpropyltriethoxysilane, 3-ureidpropyltrimethoxysilane, ureaidmethyltrimethoxysilane, ureaidmethyltriethoxysilane, 2- Urade ethyl trimethoxysilane, 2-ureid ethyl triethoxysilane, 4-ureid butyl trimethoxysilane, 4-ureid butyl triethoxysilane, etc. are mentioned. Among these, in consideration of the reactivity with the binder polymer, it may be a silane compound having a functional group having a low reactivity with a carboxylic acid group such as a ureide group, and when used in combination with the component (D1), the effect of suppressing development residue is particularly remarkable. 3 -Ureidpropyltriethoxysilane is most preferred. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
(D3)성분으로서는, 예를 들면, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란을 들 수 있다. 이들 중에서도, 가수분해를 일으키기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.(D3) As a component, for example, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltri Ethoxysilane is mentioned. Among these, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, which easily undergoes hydrolysis and is capable of crosslinking at three points, is most preferable for expression of adhesiveness. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (D)성분의 함유량은, 밀착성이 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01∼10질량부, 0.05∼5질량부, 또는, 0.1∼3질량부이어도 된다. (D)성분의 함유량이 상기 범위보다 많으면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사가 발생되기 쉬워지는 경향이 있고, 또한, 해상성의 저하·감도의 대폭적인 상승에 의한 레지스터 저부(底部)의 경화 부족 등이 발생될 우려가 있다. 이에 대하여, (D)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사를 충분히 억제하면서, 레지스터 저부에서의 경화성을 향상시키는 경향이 있다. 레지스터 저부까지 충분히 경화시킴으로써, 양호한 레지스터 패턴 형상이 얻어지는 것과 동시에, 에칭액에 대한 내성이 한층 양호하게 된다.The content of the component (D) in the photosensitive resin composition is 0.01 to 10 parts by mass, 0.05 to 5 parts by mass, or 0.05 to 5 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B), in view of excellent adhesion. , 0.1 to 3 parts by mass may be sufficient. If the content of component (D) is greater than the above range, there is a tendency for development residue to be easily generated on copper substrates and the like, and also, insufficient curing of the bottom of the resist due to a decrease in resolution and a significant increase in sensitivity may occur. may occur. On the other hand, when the content of component (D) is within the above range, the curability at the bottom of the resist tends to be improved while sufficiently suppressing the development residue on the copper substrate or the like. By sufficiently curing to the bottom of the resist, a good resist pattern shape is obtained, and the resistance to the etchant is further improved.
(그 밖의 성분) (other ingredients)
감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 상기 (A)∼(D)성분 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 증감 색소, 비스[4-(디메틸 아미노)페닐]메탄, 비스[4-(디에틸아미노)페닐]메탄 및 로이코 크리스탈 바이올렛으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition may contain components other than the said (A) - (D) component as needed. For example, the photosensitive resin composition contains at least one selected from the group consisting of a sensitizing dye, bis[4-(dimethylamino)phenyl]methane, bis[4-(diethylamino)phenyl]methane, and leuco crystal violet. may contain
(E)성분:증감 색소 (E) An ingredient: Sensitizing dye
본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, (E)성분으로서, 증감 색소를 더 함유해도 된다. 증감 색소로서는, 예를 들면, 디알킬아미노벤조페논 화합물, 피라졸린 화합물, 안트라센 화합물, 쿠마린 화합물, 크산톤 화합물, 티옥산톤 화합물, 옥사졸 화합물, 벤조옥사졸 화합물, 티아졸 화합물, 벤조티아졸 화합물, 트리아졸 화합물, 스틸벤 화합물, 트리아진 화합물, 티오펜 화합물, 나프탈이미드 화합물, 트리아릴아민 화합물, 및 아미노아크리딘 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 레지스터 저부의 경화도를 더욱 향상시키고, 밀착성이 뛰어나다는 관점에서, 피라졸린 화합물을 함유해도 된다.The photosensitive resin composition according to this embodiment may further contain a sensitizing dye as (E) component. Examples of the sensitizing dye include dialkylaminobenzophenone compounds, pyrazoline compounds, anthracene compounds, coumarin compounds, xanthone compounds, thioxanthone compounds, oxazole compounds, benzoxazole compounds, thiazole compounds, and benzothiazole. compounds, triazole compounds, stilbene compounds, triazine compounds, thiophene compounds, naphthalimide compounds, triarylamine compounds, and aminoacridine compounds. These can be used individually or in combination of 2 or more types. A pyrazoline compound may be contained from the viewpoint of further improving the degree of curing at the bottom of the resistor and providing excellent adhesion.
감광성 수지 조성물이 (E)성분을 함유하는 경우, 그 함유량은, 레지스터 저부의 경화도를 향상시키고, 더욱 밀착성을 향상시키는 관점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01∼5질량부, 0.01∼1질량부, 또는, 0.01∼0.2질량부이어도 된다.When the photosensitive resin composition contains component (E), its content improves the curing degree of the bottom of the resist and further improves adhesion, with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B), It may be 0.01 to 5 parts by mass, 0.01 to 1 part by mass, or 0.01 to 0.2 parts by mass.
또한, 감광성 수지 조성물은, 분자 내에 적어도 1개의 양이온 중합 가능한 환상 에테르기를 가지는 중합성 화합물(옥세탄 화합물 등);양이온 중합 개시제;말라카이트 그린, 빅토리아 퓨어 블루, 브릴리언트 그린, 메틸 바이올렛 등의 염료;트리브로모페닐설폰, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, o-클로로아닐린 등의 광발색제;발열색방지제;p-톨루엔설폰아미드 등의 가소제;안료;충전제;소포제;난연제;안정제;밀착성부여제;레벨링제;박리촉진제;산화 방지제;향료;이미징제;열가교제; 등을 함유해도 된다. 이들은, 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Further, the photosensitive resin composition is a polymerizable compound having at least one cationically polymerizable cyclic ether group in a molecule (such as an oxetane compound); a cationic polymerization initiator; dyes such as malachite green, Victoria pure blue, brilliant green, and methyl violet; Photochromic agents such as ribomophenylsulfone, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline, and o-chloroaniline; anti-coloring agents; plasticizers such as p-toluenesulfonamide; pigments; fillers; antifoaming agents; flame retardants; Stabilizer; Adhesion imparting agent; Leveling agent; Peeling accelerator; Antioxidant; Flavoring agent; Imaging agent; Thermal crosslinking agent; etc. may be contained. These can be used individually or in combination of 2 or more types.
감광성 수지 조성물이 그 밖의 성분((A)∼(D)성분 이외의 성분)을 포함하는 경우, 이들 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 각각 0.01질량부∼20질량부 정도이어도 된다.When the photosensitive resin composition contains other components (components other than components (A) to (D)), these contents are each 0.01 part by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B). It may be about 20 parts by mass.
[감광성 수지 조성물의 용액][Solution of photosensitive resin composition]
감광성 수지 조성물은, 유기용제의 적어도 1종을 더 포함하는 액상 조성물이어도 된다. 유기용제로서는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올 용제;아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용제;메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르 용제;톨루엔 등의 방향족 탄화수소 용제;N,N-디메틸폼아미드 등의 비(非)프로톤성 극성 용제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.The photosensitive resin composition may be a liquid composition further containing at least one organic solvent. Examples of the organic solvent include alcohol solvents such as methanol and ethanol; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; glycol ether solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve and propylene glycol monomethyl ether; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene; and aprotic polar solvents such as N,N-dimethylformamide. These may be used alone or in combination of two or more.
감광성 수지 조성물에 포함되는 유기용제의 함유량은, 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 고형분이 30질량%∼60질량%정도가 되는 액상 조성물(이하, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 "도포액"이라고도 한다.)로서 사용할 수 있다.The content of the organic solvent contained in the photosensitive resin composition can be appropriately selected depending on the purpose and the like. For example, the photosensitive resin composition can be used as a liquid composition having a solid content of about 30% to 60% by mass (hereinafter, a photosensitive resin composition containing an organic solvent is also referred to as “coating liquid”).
도포액을, 후술하는 지지체, 금속판 등의 표면 상에 도포하고, 건조시킴으로써, 감광성 수지 조성물의 도막인 감광층을 형성할 수 있다. 금속판으로서는 특별히 제한되지 않고 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철, 스테인리스 등의 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다. 바람직한 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다.The photosensitive layer which is a coating film of the photosensitive resin composition can be formed by apply|coating a coating liquid on the surface of the support body mentioned later, a metal plate, etc., and drying it. The metal plate is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose or the like. As a metal plate, the metal plate which consists of metals, such as iron type alloys, such as copper, a copper type alloy, nickel, chromium, iron, and stainless steel, is mentioned. As a preferable metal plate, the metal plate which consists of metals, such as copper, a copper type alloy, and an iron type alloy, is mentioned.
형성되는 감광층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 그 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 감광층의 두께(건조 후의 두께)는, 1∼100㎛ 정도이어도 된다.The thickness of the photosensitive layer to be formed is not particularly limited and may be appropriately selected according to its use. The thickness of the photosensitive layer (thickness after drying) may be about 1 to 100 µm.
금속판 상에 감광층을 형성한 경우, 감광층의 금속판과는 반대측의 표면을, 보호층에서 피복해도 된다. 보호층으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름 등을 들 수 있다.When a photosensitive layer is formed on a metal plate, the surface of the photosensitive layer opposite to the metal plate may be covered with a protective layer. As a protective layer, polymer films, such as polyethylene and a polypropylene, etc. are mentioned.
<감광성 엘리먼트><Photosensitive element>
본 실시형태에 관련되는 감광성 엘리먼트(이하, 간단히 "감광성 엘리먼트"라고 한다.)는, 지지체와, 그 지지체의 일면 상에 설치된, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광층을 구비한다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광층을 구비하기 때문에, 강한 에칭액을 사용한 경우이어도, 레지스터의 벗겨짐 및 조각이 발생되는 것을 억제할 수 있고, 또한, 흔들거림이 없는 양호한 라인 형상을 가지는 배선 패턴을 얻을 수 있음과 동시에, 박리 시간이 충분히 짧은 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 평활성이 높은 기판에 대하여도 충분한 밀착성을 가지고, 또한 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. 감광성 엘리먼트는, 필요에 따라 보호층 등의 그 밖의 층을 가지고 있어도 된다.A photosensitive element (hereinafter simply referred to as "photosensitive element") according to this embodiment includes a support and a photosensitive layer provided on one surface of the support and formed using the photosensitive resin composition. According to such a photosensitive element, since it has a photosensitive layer formed using the photosensitive resin composition, peeling and chipping of the resist can be suppressed even when a strong etching solution is used, and in addition, it has good quality without shaking. A wiring pattern having a line shape can be obtained, and a resistor pattern with a sufficiently short peeling time can be formed. In addition, it is possible to efficiently form a resist pattern having sufficient adhesion even to a substrate having high smoothness and having excellent acid resistance. The photosensitive element may have other layers, such as a protective layer, as needed.
도 1은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 엘리먼트(10)에서는, 지지체(2), 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광층(4) 및 보호층(6)이 이 순서로 적층되어 있다. 감광층(4)은, 감광성 수지 조성물의 도막이라고 할 수도 있다. 또한 도막은, 감광성 수지 조성물이 미경화 상태의 것이다.1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a photosensitive element of the present invention. In the photosensitive element 10 shown in Fig. 1, a support 2, a photosensitive layer 4 formed using a photosensitive resin composition, and a protective layer 6 are laminated in this order. The photosensitive layer 4 can also be referred to as a coating film of a photosensitive resin composition. In addition, as for the coating film, the photosensitive resin composition is in an uncured state.
감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 우선, 지지체(2) 상에, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물인 도포액을 도포하여 도포층을 형성하고, 이것을 건조(도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거)함으로써 감광층(4)을 형성한다. 이어서, 감광층(4)의 지지체(2)와는 반대측의 면을 보호층(6)으로 피복함으로써, 지지체(2)와, 그 지지체(2) 상에 적층된 감광층(4)과, 그 감광층(4) 상에 적층된 보호층(6)을 구비하는, 감광성 엘리먼트(10)를 얻을 수 있다. 또한, 감광성 엘리먼트(10)는, 보호층(6)을 반드시 구비하지 않아도 된다.The photosensitive element 10 can be obtained, for example, as follows. First, the photosensitive layer 4 is formed by applying a coating liquid, which is a photosensitive resin composition containing an organic solvent, onto the support 2 to form a coating layer, and drying this (removing at least a part of the organic solvent from the coating layer). form Next, the surface of the photosensitive layer 4 on the opposite side to the support 2 is covered with the protective layer 6, thereby providing the support 2, the photosensitive layer 4 laminated on the support 2, and the photosensitive layer. A photosensitive element 10 having a protective layer 6 laminated on the layer 4 can be obtained. In addition, the photosensitive element 10 does not necessarily need to include the protective layer 6 .
지지체(2)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르;폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 등의, 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다.As the support 2, a film made of a polymer having heat resistance and solvent resistance, such as polyester such as polyethylene terephthalate; polyolefin such as polypropylene and polyethylene, can be used.
지지체(2)의 두께는, 1∼100㎛, 5∼50㎛, 또는, 5∼30㎛이어도 된다. 지지체(2)의 두께가 1㎛ 이상임으로써, 지지체(2)를 박리할 때에 지지체(2)가 찢어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 100㎛ 이하임으로써, 지지체(2)를 통해 노광한 경우의 해상도의 저하가 억제된다.The thickness of the support 2 may be 1 to 100 μm, 5 to 50 μm, or 5 to 30 μm. When the thickness of the support body 2 is 1 micrometer or more, when peeling the support body 2, it can suppress that the support body 2 is torn. Moreover, by being 100 micrometers or less, the fall of the resolution at the time of exposure through the support body 2 is suppressed.
보호층(6)으로서는, 감광층(4)에 대한 접착력이, 지지체(2)의 감광층(4)에 대한 접착력보다 작은 것이어도 된다. 구체적으로, 보호층(6)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르;폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 등의, 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다. 시판되는 것으로서는, 오지세시 주식회사제의 알팬MA-410, E-200, 신에츠필름 주식회사제 등의 폴리프로필렌 필름, 테이진 주식회사제의 PS-25 등의 PS시리즈의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 타마폴리 주식회사제의 NF-15A를 들 수 있다. 또한, 보호층(6)은 지지체(2)와 동일한 것이어도 된다.As the protective layer 6, the adhesive force to the photosensitive layer 4 may be smaller than the adhesive force of the support body 2 to the photosensitive layer 4. Specifically, as the protective layer 6, a film made of a polymer having heat resistance and solvent resistance, such as polyester such as polyethylene terephthalate; polyolefin such as polypropylene and polyethylene, can be used. As commercially available products, polypropylene films such as Alpine MA-410 and E-200 manufactured by Ojise City Co., Ltd. and manufactured by Shin-Etsu Film Co., Ltd., polyethylene terephthalate films of PS series such as PS-25 manufactured by Teijin Co., Ltd., and Tamapoly Co., Ltd. The first NF-15A can be mentioned. In addition, the protective layer 6 may be the same as that of the support body 2 .
보호층(6)의 두께는, 1∼100㎛, 5∼50㎛, 5∼30㎛, 또는, 15∼30㎛이어도 된다. 보호층(6)의 두께가 1㎛ 이상이면, 보호층(6)을 벗기면서, 감광층(4) 및 지지체(2)를 기재 상에 라미네이트할 때, 보호층(6)이 찢어지는 것을 억제할 수 있다. 100㎛ 이하이면, 취급성과 염가성이 뛰어나다.The thickness of the protective layer 6 may be 1 to 100 μm, 5 to 50 μm, 5 to 30 μm, or 15 to 30 μm. If the thickness of the protective layer 6 is 1 μm or more, tearing of the protective layer 6 is suppressed when the photosensitive layer 4 and the support 2 are laminated on a substrate while the protective layer 6 is peeled off. can do. If it is 100 micrometers or less, it is excellent in handling property and cheapness.
감광성 엘리먼트(10)는, 구체적으로는 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 즉, 감광성 엘리먼트(10)는, 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 준비하는 공정과, 상기 도포액을 지지체(2) 상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과, 상기 도포층을 건조하여 감광층(4)을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법으로 제조할 수 있다.The photosensitive element 10 can be specifically manufactured, for example, as follows. That is, the photosensitive element 10 includes a step of preparing a coating solution containing a photosensitive resin composition, a step of applying the coating solution on the support 2 to form a coating layer, and drying the coating layer to be photosensitive. It can manufacture with the manufacturing method including the process of forming the layer 4.
도포액의 지지체(2) 상에의 도포는, 롤 코트, 콤마 코트, 그라비아 코트, 에어 나이프 코트, 다이 코트, 바 코트 등의 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.The application of the coating solution onto the support 2 can be performed by a known method such as roll coating, comma coating, gravure coating, air knife coating, die coating, or bar coating.
도포층의 건조는, 도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 70∼150℃에서, 5∼30분간 정도 실시해도 된다. 건조 후, 감광층(4) 중의 잔존 유기 용제량은, 후(後) 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하는 관점에서, 2질량% 이하이어도 된다.Drying of the coating layer is not particularly limited as long as at least a part of the organic solvent can be removed from the coating layer. For example, you may carry out about 5 to 30 minutes at 70-150 degreeC. After drying, the amount of the organic solvent remaining in the photosensitive layer 4 may be 2% by mass or less from the viewpoint of preventing diffusion of the organic solvent in a later step.
감광성 엘리먼트(10)에 있어서의 감광층(4)의 두께는, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 건조 후의 두께로 1∼100㎛, 1∼50㎛, 또는, 5∼40㎛이어도 된다.감광층(4)의 두께가 1㎛ 이상임으로써, 공업적인 도공이 용이하게 된다. 100㎛ 이하이면, 밀착성 및 해상도가 충분히 얻어지는 경향이 있다.The thickness of the photosensitive layer 4 in the photosensitive element 10 can be appropriately selected according to the intended use. The thickness after drying may be 1 to 100 μm, 1 to 50 μm, or 5 to 40 μm. When the thickness of the photosensitive layer 4 is 1 μm or more, industrial coating becomes easy. If it is 100 micrometers or less, there exists a tendency for sufficient adhesiveness and resolution to be obtained.
감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 후술하는 레지스터 패턴의 형성 방법에 적합하게 사용할 수 있다.The photosensitive element 10 can be suitably used for, for example, a resist pattern formation method described later.
<레지스터 패턴의 형성 방법><Formation method of register pattern>
본 실시형태에 관련되는 레지스터 패턴의 형성 방법은, (i) 기재 상에 감광성 수지 조성물 또는 감광성 엘리먼트를 사용하여 감광층을 형성하는 감광층 형성 공정과, (ii) 감광층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하고, 광경화물 영역을 형성하는 노광 공정과, (iii) 감광층의 광경화물 영역 이외의 영역을 기재 상으로부터 제거하여, 기재 상에, 감광성 수지 조성물의 광경화물(광경화물 영역)로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성하는 현상 공정을 가진다. 레지스터 패턴의 형성 방법은, 필요에 따라 그 밖의 공정을 더 가지고 있어도 된다. 또한, 레지스터 패턴이란, 수지 패턴, 또는, 릴리프 패턴이라고도 할 수 있다. 이하, 각 공정에 관하여 상세히 설명한다.The resist pattern formation method according to the present embodiment includes (i) a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer on a base material using a photosensitive resin composition or a photosensitive element; (ii) activating a part of the photosensitive layer region; An exposure step of curing by irradiation with light to form a photocured region, and (iii) removing a region other than the photocured region of the photosensitive layer from the substrate to form a photocured region of the photosensitive resin composition (photocured product) on the substrate. region) and a developing step of forming a resist pattern. The formation method of a resist pattern may further have other steps as needed. In addition, a resist pattern can also be called a resin pattern or a relief pattern. Hereinafter, each process is explained in detail.
(i) 감광층 형성 공정 (i) photosensitive layer formation process
감광층 형성 공정에서는, 기재 상에 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광층을 형성한다.In the photosensitive layer forming step, a photosensitive layer is formed on a substrate using a photosensitive resin composition.
기재 상에 감광층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 기재 상에, 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 도포한 후, 건조시키는 방법을 들 수 있다.As a method of forming a photosensitive layer on a substrate, for example, a method of applying a coating liquid containing a photosensitive resin composition onto a substrate and then drying it is exemplified.
또한, 기재 상에 감광층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 감광성 엘리먼트로부터 필요에 따라 보호층을 제거한 후, 감광성 엘리먼트의 감광층을 기재 상에 라미네이트하는 방법을 들 수 있다. 라미네이트는, 감광성 엘리먼트의 감광층을 가열하면서 기재에 압착함으로써, 실시할 수 있다. 이 라미네이트에 의해, 기재와 감광층과 지지체가 이 순서로 적층된 적층체를 얻을 수 있다.Moreover, as a method of forming a photosensitive layer on a base material, after removing a protective layer from a photosensitive element as needed, for example, a method of laminating the photosensitive layer of a photosensitive element on a base material is mentioned. The lamination can be performed by pressing the photosensitive layer of the photosensitive element to the substrate while heating. With this lamination, a laminate can be obtained in which the substrate, the photosensitive layer, and the support are laminated in this order.
라미네이트는, 예를 들면 70∼130℃의 온도에서 실시해도 되고, 0.1∼1.0MPa 정도(1∼10kgf/cm2 정도)의 압력으로 압착하여 실시해도 된다. 이들 조건은 필요에 따라 적절히 조정할 수 있다. 라미네이트할 때에는, 기재가 예열 처리되어 있어도 되고, 감광층이 70∼130℃로 가열되어 있어도 된다.The lamination may be performed at a temperature of, for example, 70 to 130°C, or may be performed by pressing at a pressure of about 0.1 to 1.0 MPa (about 1 to 10 kgf/cm 2 ). These conditions can be appropriately adjusted as needed. When laminating, the substrate may be preheated, and the photosensitive layer may be heated at 70 to 130°C.
(ii) 노광 공정 (ii) exposure process
노광 공정에서는, 감광층의 일부의 영역에 활성 광선을 조사함으로써, 활성 광선이 조사된 노광부가 광경화되어, 잠상이 형성된다. 여기서, 감광층 형성 공정에서 감광성 엘리먼트를 사용했을 때, 감광층 상에는 지지체가 존재하지만, 지지체가 활성 광선에 대하여 투과성을 가지는 경우에는, 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있다. 한편, 지지체가 활성 광선에 대하여 차광성을 나타내는 경우에는, 지지체를 제거한 후에, 감광층에 활성 광선을 조사한다.In the exposure process, by irradiating actinic light to a part of the photosensitive layer, the exposed portion irradiated with actinic light is photocured and a latent image is formed. Here, when a photosensitive element is used in the photosensitive layer forming step, a support exists on the photosensitive layer, but when the support has transparency to actinic light, actinic light can be irradiated through the support. On the other hand, when the support exhibits light blocking properties with respect to actinic light, the photosensitive layer is irradiated with actinic light after removing the support.
노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)이라고 불리는 네가티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통해 활성 광선을 화상상(畵像狀)으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 또한, LDI(Laser Direct Imaging) 노광법 및 DLP(Digital Light Processing) 노광법 등의 직접 묘화(描畵) 노광법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.As an exposure method, a method (mask exposure method) in which actinic light is irradiated onto an image through a negative or positive mask pattern called artwork is exemplified. Alternatively, a method of irradiating actinic light onto an image by a direct drawing exposure method such as a laser direct imaging (LDI) exposure method and a digital light processing (DLP) exposure method may be employed.
활성 광선의 파장(노광 파장)으로서는, 본 발명의 효과를 보다 확실히 얻는 관점에서, 340∼430nm, 또는, 350∼420nm이어도 된다.The wavelength (exposure wavelength) of actinic light may be 340 to 430 nm or 350 to 420 nm from the viewpoint of obtaining the effect of the present invention more reliably.
(iii) 현상 공정 (iii) developing process
현상 공정에서는, 감광층의 광경화물 영역 이외의 영역(즉, 감광층의 미경화 부분)을 기재 상으로부터 현상 처리에 의해 제거하여, 감광층의 광경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 기재 상에 형성한다. 또한, 노광 공정을 거친 감광층 상에 지지체가 존재하고 있는 경우에는, 지지체를 제거하고 나서 현상 공정을 실시한다.현상 처리에는, 웨트 현상과 드라이 현상이 있지만, 웨트 현상이 적합하게 사용된다.In the developing step, regions other than the photocured region of the photosensitive layer (i.e., the uncured portion of the photosensitive layer) are removed from the substrate by developing treatment to form a resist pattern made of the photocured photocured photosensitive layer on the substrate. In the case where a support exists on the photosensitive layer that has undergone the exposure process, the development process is performed after the support is removed. [0032] In the development treatment, there are wet development and dry development, but wet development is suitably used.
웨트 현상에서는, 감광성 수지 조성물에 대응한 현상액을 사용하여, 공지의 현상 방법에 의해 현상을 실시한다. 현상 방법으로서는, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬랩핑, 스크러빙, 요동 침지 등을 사용한 방법을 들 수 있으며, 해상도 향상의 관점에서는, 고압 스프레이 방식이 가장 적합하다. 이들 2종 이상의 방법을 조합하여 현상을 실시해도 된다.In wet development, development is performed by a known developing method using a developing solution corresponding to the photosensitive resin composition. Examples of the developing method include a dip method, a paddle method, a spray method, a method using brushing, slapping, scrubbing, rocking dipping, and the like, and a high-pressure spray method is most suitable from the viewpoint of resolution improvement. You may develop by combining these 2 or more types of methods.
현상액은, 감광성 수지 조성물의 구성에 따라 적절히 선택할 수 있다. 현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등을 들 수 있다.A developing solution can be suitably selected according to the structure of the photosensitive resin composition. As a developing solution, an alkaline aqueous solution, aqueous developing solution, organic solvent developing solution, etc. are mentioned.
현상에 사용되는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1∼5질량% 탄산나트륨 수용액, 0.1∼5질량% 탄산칼륨 수용액, 0.1∼5질량% 수산화나트륨 수용액, 0.1∼5질량% 4붕산나트륨 수용액 등이어도 된다. 알칼리성 수용액의 pH는 9∼11이어도 된다. 또한, 그 온도는, 감광층의 알칼리 현상성에 맞추어 조절된다. 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다.As the alkaline aqueous solution used for development, a 0.1 to 5 mass% sodium carbonate aqueous solution, a 0.1 to 5 mass% potassium carbonate aqueous solution, a 0.1 to 5 mass% sodium hydroxide aqueous solution, a 0.1 to 5 mass% sodium tetraborate aqueous solution, or the like may be used. The pH of the alkaline aqueous solution may be 9 to 11. In addition, the temperature is adjusted according to the alkali developability of the photosensitive layer. In the alkaline aqueous solution, a surface active agent, an antifoaming agent, and a small amount of an organic solvent for accelerating development may be incorporated.
레지스터 패턴의 형성 방법은, 미노광 부분을 제거한 후, 필요에 따라 60∼250℃ 정도의 가열 및/또는 0.2∼10J/cm2 정도의 노광을 실시함으로써, 레지스터 패턴을 더욱 경화하는 공정을 더 가지고 있어도 된다.The method for forming the resist pattern further includes a step of further curing the resist pattern by heating at about 60 to 250°C and/or exposing at about 0.2 to 10 J/cm 2 as necessary after removing the unexposed portion. may be
<터치 패널의 제조 방법><Manufacturing method of touch panel>
본 실시형태에 관련되는 터치 패널의 제조 방법은, 상기 레지스터 패턴의 형성 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기재를, 에칭 처리하는 공정을 가진다. 에칭 처리는, 형성된 레지스터 패턴을 마스크("레지스터"라고도 할 수 있다)로서, 기재의 도체층 등에 대하여 실시된다. 에칭 처리에 의해, 인출배선과 투명 전극의 패턴을 형성함으로써, 터치 패널이 제조된다.The method for manufacturing a touch panel according to the present embodiment includes a step of etching a base material on which a resist pattern is formed by the resist pattern formation method described above. The etching process is performed on the conductor layer or the like of the base material using the formed resist pattern as a mask (which can also be referred to as "resistor"). A touch panel is manufactured by forming a pattern of outgoing wirings and transparent electrodes by an etching process.
도 3은, 본 발명의 터치 패널의 제조 방법의 일 태양을 나타내는 모식 단면도이다. 본 태양의 제조 방법은, 지지 기재(22)와, 지지 기재(22)의 일면 상에 설치된 투명 도전층(24)과, 투명 도전층(24) 상에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 상에, 감광성 수지 조성물의 광경화물로 이루어지는 레지스터 패턴(29)을 형성하는 제1의 공정과, 금속층(26) 및 투명 도전층(24)을 에칭하여, 투명 도전층(24)의 잔부 및 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴(도 3(d)에 있어서의 24+26)을 형성하는 제2의 공정과, 적층 패턴의 일부로부터 금속층을 제거하여, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가진다.3 is a schematic cross-sectional view showing one aspect of the method for manufacturing a touch panel of the present invention. The manufacturing method of this aspect is a laminated substrate provided with a
제1의 공정에서는, 우선, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기재(22)와, 지지 기재(22)의 일면 상에 설치된 투명 도전층(24)과, 투명 도전층(24) 상에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 상에, 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광층(28)을 형성한다. 감광층(28)은, 금속층(26)과 반대측의 면 상에 지지체를 구비하고 있어도 된다.In the first step, first, as shown in Fig. 3(a), the
금속층(26)으로서는, 예를 들면, 구리를 포함하는 금속층이어도 된다. 또한, 구리를 포함하는 금속층으로서는, 구리, 구리와 니켈의 합금, 구리와 니켈과 티탄의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리의 합금 등을 포함하는 금속층을 들 수 있다. 이들 중, 본 발명의 효과가 한층 현저하게 얻어지는 관점에서, 구리, 구리와 니켈의 합금 또는 구리와 니켈과 티탄의 합금을 포함하는 금속층을 적합하게 사용할 수 있다.As the
투명 도전층(24)은, 산화인듐주석(ITO)를 함유한다. 투명 도전층(24)은, 어닐 처리가 불필요하게 되는 관점에서, 결정성의 ITO를 포함하는 것이어도 된다.The transparent
이어서, 감광층(28)의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하고, 광경화물 영역을 형성하여, 감광층의 광경화물 영역 이외의 영역을 적층 기재 상으로부터 제거한다. 이에 의해, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 기재 상에 레지스터 패턴(29)이 형성된다.Subsequently, a part of the region of the
제2의 공정에서는, 에칭 처리에 의해, 레지스터 패턴(29)으로 마스크되어 있지 않은 영역의 금속층(26) 및 투명 도전층(24)을, 지지 기재(22) 상으로부터 제거한다.In the second step, the
에칭 처리의 방법은, 제거해야 할 층에 따라 적절히 선택된다. 예를 들면, 금속층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 인산 용액 등을 들 수 있다. 또한, 투명 도전층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 옥살산, 염산, 왕수(王水) 등이 사용된다.A method of etching treatment is appropriately selected depending on the layer to be removed. For example, as an etchant for removing a metal layer, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, a phosphoric acid solution, etc. are mentioned. In addition, as an etchant for removing the transparent conductive layer, oxalic acid, hydrochloric acid, aqua regia, or the like is used.
투명 도전층(24)이 결정성의 ITO를 포함하는 것인 경우, 투명 도전층(24)을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 농염산, 왕수 등의 강산 또는 금속층과 투명 도전층을 일괄로 에칭하는 약액(예를 들면, ITO-4400Z 등의 ITO 시리즈)을 사용할 필요가 있지만, 본 태양의 제조 방법에서는, 레지스터 패턴이 상기 감광성 수지 조성물의 광경화물로 이루어지는 것이기 때문에, 강산 등에 의한 에칭 처리하에서도 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다. 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, 에칭액으로서 상술한 농염산, 왕수 등의 강산 또는 금속층과 투명 도전층을 일괄로 에칭하는 약액을 사용하는 에칭용 감광성 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있다.When the transparent
도 3(c)은 에칭 처리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(c)에 있어서는 지지 기재(22) 상에, 금속층(26)의 잔부, 투명 도전층(24)의 잔부 및 레지스터 패턴(29)의 잔부로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 본 태양의 제조 방법에 있어서는, 이 적층체로부터 레지스터 패턴(29)이 제거된다.FIG. 3(c) is a view showing after etching treatment, and in FIG. 3(c), the remainder of the
레지스터 패턴(29)의 제거는, 예를 들면, 상술한 현상 공정에 사용되는 알칼리성 수용액보다 알칼리성이 강한 수용액을 사용하여 실시할 수 있다. 이 강알칼리성의 수용액으로서는, 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액, 1∼10질량% 수산화칼륨 수용액 등이 사용된다. 그 중에서도 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액 또는 1∼10질량% 수산화칼륨 수용액을 사용해도 되고, 1∼5질량% 수산화나트륨 수용액 또는 1∼5질량% 수산화칼륨 수용액을 사용해도 된다. 레지스터 패턴의 박리 방식으로서는, 침지 방식, 스프레이 방식 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 병용해도 된다.Removal of the resist
도 3(d)는, 레지스터 패턴 박리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(d)에 있어서는 지지 기재(22) 상에, 금속층(26)의 잔부 및 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴이 형성되어 있다.Fig. 3(d) is a diagram showing the resist pattern after peeling, and in Fig. 3(d), the laminated pattern composed of the remainder of the
제3의 공정에서는, 이 적층 패턴으로부터, 금속층(26) 중 금속 배선을 이루기 위한 일부분 이외를 제거하여, 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선과 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극을 형성한다. 또한, 본 태양에서는, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법으로서, 에칭을 실시하는 방법을 채용하지만, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법은 반드시 에칭에 한정되지 않는다.In the third step, the
제3의 공정에서는, 우선, 제2의 공정을 거친 적층 기재 상에 감광층(30)을 형성한다(도 3(e)). 이어서, 감광층(30)의 노광 및 현상을 거쳐, 감광층(30)의 광경화물로 이루어지는 레지스터(31)를 형성한다(도 3(f)). 또한, 감광층은, 상술한 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 층이어도 되고, 종래 공지의 에칭용 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 층이어도 된다.In the third step, first, the
다음으로, 에칭 처리에 의해, 적층 패턴 중 레지스터(31)가 형성되어 있지 않은 부분으로부터, 금속층(26)을 제거한다. 이 때, 에칭 처리액으로서는, 상술한 금속층을 제거하기 위한 에칭액과 동일한 것을 사용할 수 있다.Next, by an etching process, the
도 3(g)는 에칭 처리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(g)에 있어서는, 지지 기재(22) 상에, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극이 형성되고, 또한, 일부의 투명 전극 상에 금속층(26) 및 레지스터(31)로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 이 적층체로부터, 레지스터(31)를 제거함으로써, 도 3(h)에 나타내는 바와 같이, 지지 기재(22) 상에, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선이 형성된다.Fig. 3(g) is a diagram showing the etching treatment, and in Fig. 3(g), a transparent electrode made of the rest of the transparent
도 4는, 본 발명을 사용하여 얻어지는 터치 패널의 일 태양을 나타내는 상면도이다. 터치 패널(100)에 있어서는, 투명 전극인 X전극(52) 및 Y전극(54)이 교호(交互)로 병설되어 있고, 길이 방향의 동일 열에 설치된 X전극(52)끼리가 하나의 인출배선(56)에 의해 각각 연결되며, 또한, 폭 방향의 동일 열에 설치된 Y전극(54)끼리가 하나의 인출배선(57)에 의해 각각 연결되어 있다.Fig. 4 is a top view showing one aspect of a touch panel obtained using the present invention. In the
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 관하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
As mentioned above, although the preferable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment.
실시예Example
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.
(제조예 1:바인더 폴리머(A-1)의 제조) (Production Example 1: Production of binder polymer (A-1))
중합성 단량체(모노머)인 메타크릴산 30g, 메타크릴산 메틸 35g 및 메타크릴산 부틸 35g(질량비 30/35/35)과, 아조비스이소부티로니트릴 0.5g과, 아세톤 10g을 혼합하여 얻은 용액을 "용액 a"이라고 했다. 아세톤 30g에 아조비스이소부티로니트릴 0.6g을 용해하여 얻은 용액을 "용액 b"이라고 했다.A solution obtained by mixing 30 g of polymerizable monomers (monomers) methacrylic acid, 35 g of methyl methacrylate, and 35 g of butyl methacrylate (
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 아세톤 80g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20g의 혼합액(질량비 4:1) 100g을 투입하고, 플라스크 내에 질소 가스를 취입 및 교반하면서 가열하여, 80℃까지 승온시켰다.100 g of a mixture of 80 g of acetone and 20 g of propylene glycol monomethyl ether (mass ratio 4:1) was put into a flask equipped with a stirrer, reflux condenser, thermometer, dropping funnel, and nitrogen gas inlet pipe, and nitrogen gas was blown into the flask and stirred. While heating, the temperature was raised to 80°C.
플라스크 내의 상기 혼합액에, 상기 용액 a를 4시간 걸쳐 적하 속도를 일정하게 하여 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 80℃에서 2시간 교반했다. 이어서, 플라스크 내의 용액에, 상기 용액 b를 10분간 걸쳐 적하 속도를 일정하게 하여 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 80℃에서 3시간 교반했다. 또한, 플라스크 내의 용액을 30분간 걸쳐 90℃까지 승온시키고, 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머(A-1)의 용액을 얻었다.After the said solution a was dripped at the said liquid mixture in a flask with the dripping rate constant over 4 hours, the solution in a flask was stirred at 80 degreeC for 2 hours. Subsequently, the solution b was added dropwise to the solution in the flask over 10 minutes at a constant dropping rate, and then the solution in the flask was stirred at 80°C for 3 hours. Further, the solution in the flask was heated up to 90°C over 30 minutes, kept warm at 90°C for 2 hours, and then cooled to obtain a solution of binder polymer (A-1).
바인더 폴리머(A-1)의 용액의 불휘발분 (고형분)은 42.8질량%이었다. 또한, 바인더 폴리머(A-1)의 중량평균분자량은 50000이며, 산가는 195mgKOH/g, 분산도는 2.58이었다.The non-volatile content (solid content) of the solution of the binder polymer (A-1) was 42.8% by mass. In addition, the weight average molecular weight of the binder polymer (A-1) was 50000, the acid value was 195 mgKOH/g, and the degree of dispersion was 2.58.
또한, 중량평균분자량 및 분산도는, 겔침투 크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 도출했다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다.In addition, the weight average molecular weight and degree of dispersion were measured by gel permeation chromatography (GPC) and derived by conversion using a standard polystyrene calibration curve. The conditions of GPC are shown below.
(GPC 조건) (GPC conditions)
펌프:히타치/ L-6000형(주식회사 히타치세이사쿠쇼) Pump: Hitachi/ L-6000 type (Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)
컬럼:이하의 합계 3개, 컬럼 사양:10.7mmφ×300mmColumn: 3 columns in total as below, Column specification: 10.7mmφ×300mm
Gelpack GL-R440Gelpack GL-R440
Gelpack GL-R450Gelpack GL-R450
Gelpack GL-R400M(이상, 히타치가세이 주식회사) Gelpack GL-R400M (above, Hitachigasei Co., Ltd.)
용리액:테트라히드로푸란(THF) Eluent: Tetrahydrofuran (THF)
시료 농도:고형분이 40질량%의 수지 용액을 120mg 채취하고, 5mL의 THF에 용해하여 시료를 조제했다.Sample concentration: 120 mg of a resin solution having a solid content of 40% by mass was sampled and dissolved in 5 mL of THF to prepare a sample.
측정 온도:40℃Measurement temperature: 40 degrees Celsius
주입량:200μLInjection amount: 200 μL
압력:49Kgf/cm2(4.8MPa) Pressure: 49Kgf/cm 2 (4.8MPa)
유량:2.05mL/분 Flow rate: 2.05mL/min
검출기:히타치 L-3300형 RI(주식회사 히타치세이사쿠쇼)Detector: Hitachi L-3300 RI (Hitachi Seisakusho Co., Ltd.)
또한, 산가는, 다음과 같이 하여 측정했다. 우선, 바인더 폴리머의 용액을 130℃에서 1시간 가열하고, 휘발분을 제거하여, 고형분을 얻었다. 그리고, 상기 고형분의 폴리머 1g을 정칭(精秤)한 후, 이 폴리머에 아세톤을 30g 첨가하고, 이것을 균일하게 용해했다. 이어서, 지시약인 페놀프탈레인을 그 용액에 적당량 첨가하고, 0.1N의 KOH 수용액을 사용하여 적정을 실시했다. 그리고, 다음 식에 의해 산가(酸價)를 산출했다.In addition, the acid value was measured as follows. First, a solution of a binder polymer was heated at 130°C for 1 hour to remove a volatile component to obtain a solid content. Then, after accurately weighing 1 g of the solid polymer, 30 g of acetone was added to the polymer, and this was dissolved uniformly. Next, an appropriate amount of phenolphthalein as an indicator was added to the solution, and titration was performed using a 0.1 N KOH aqueous solution. And the acid value was computed by the following Formula.
산가=0.1×Vf×56.1/(Wp×I/100) Acid value = 0.1 × Vf × 56.1 / (Wp × I / 100)
식 중, Vf는 KOH 수용액의 적정량(mL)을 나타내고, Wp는 측정한 폴리머 용액의 질량(g)을 나타내며, I는 측정한 폴리머 용액 중의 불휘발분의 비율(질량%)을 나타낸다.In the formula, Vf represents the titrated amount (mL) of the KOH aqueous solution, Wp represents the mass (g) of the measured polymer solution, and I represents the ratio (% by mass) of the non-volatile matter in the measured polymer solution.
[실시예 1∼8및 비교예 1∼3][Examples 1 to 8 and Comparative Examples 1 to 3]
실시예 및 비교예는, 이하의 방법으로 실시했다.Examples and comparative examples were carried out in the following manner.
<감광성 수지 조성물(도포액)의 조제><Preparation of photosensitive resin composition (coating liquid)>
표 1 및 표 2에 나타내는 각 성분을, 동일 표에 나타내는 배합량(질량부)으로 혼합함으로써, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물의 도포액을 얻었다. 표 중의 (A)성분의 배합량은 고형분의 질량이다. 또한, "-"은 미배합을 의미한다. 표 1 및 표 2에 나타내는 각 성분의 상세(詳細)는 이하와 같다.The coating liquid of the photosensitive resin composition of the Example and the comparative example was obtained by mixing each component shown in Table 1 and Table 2 by the compounding quantity (mass part) shown in the same table|surface. The compounding quantity of (A) component in a table|surface is the mass of solid content. In addition, "-" means unmixed. Details of each component shown in Table 1 and Table 2 are as follows.
((A)성분)(Component (A))
A-1:제조예 1에서 얻어진 바인더 폴리머(A-1).A-1: Binder polymer (A-1) obtained in Production Example 1.
((B)성분)((B) component)
FA-321M:2,2-비스(4-(메타크릴옥시펜타에톡시)페닐)프로판(히타치가세이 주식회사, EO기의 수:10(평균값))FA-321M: 2,2-bis(4-(methacryloxypentaethoxy)phenyl)propane (Hitachi Chemical Co., Ltd., number of EO groups: 10 (average value))
BPE-900:2,2-비스(4-(메타크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(신나카무라가가쿠고교 주식회사, EO기의 수:17(평균값))BPE-900: 2,2-bis(4-(methacryloxypolyethoxy)phenyl)propane (Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., number of EO groups: 17 (average value))
BPE-1300H:2,2-비스(4-(메타크릴옥시폴리에톡시)페닐)프로판(신나카무라가가쿠고교 주식회사, EO기의 수:30(평균값))BPE-1300H: 2,2-bis(4-(methacryloxypolyethoxy)phenyl)propane (Shin Nakamura Chemical Industry Co., Ltd., number of EO groups: 30 (average value))
FA-3200MY:폴리옥시알킬렌화 비스페놀 A디메타크릴레이트(히타치가세이 주식회사, EO기의 수:12(평균값), PO기의 수:4(평균값))FA-3200MY: polyoxyalkylenated bisphenol A dimethacrylate (Hitachi Chemical Co., Ltd., number of EO groups: 12 (average value), number of PO groups: 4 (average value))
R-128H:2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트(니폰가야쿠 주식회사)R-128H: 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd.)
FA-MECH:γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴옥시에틸-o-프탈레이트(히타치가세이 주식회사)FA-MECH: γ-chloro-β-hydroxypropyl-β'-methacryloxyethyl-o-phthalate (Hitachi Chemical Co., Ltd.)
FA-318A:노닐페녹시폴리에틸렌글리콜아크릴레이트(히타치가세이 주식회사)FA-318A: Nonylphenoxypolyethylene glycol acrylate (Hitachi Chemical Co., Ltd.)
DPEA-12:EO기를 가지는 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트(니폰가야쿠 주식회사, EO기의 수:12(평균값))DPEA-12: dipentaerythritol hexaacrylate having an EO group (Nippon Kayaku Co., Ltd., number of EO groups: 12 (average value))
((C)성분)((C) component)
B-CIM:2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸(상주강력전자신재료 주식회사)B-CIM: 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenylbiimidazole (Sangju Strong Electronic New Materials Co., Ltd.)
((D)성분:실란 커플링제)(Component (D): silane coupling agent)
AY43-031:3-우레이드프로필트리에톡시실란(토레·다우코닝 주식회사)AY43-031: 3-ureidpropyltriethoxysilane (Torre Dow Corning Co., Ltd.)
KBM-803:3-메르캅토프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교 주식회사)KBM-803: 3-Mercaptopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
SZ-6030:3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(토레·다우코닝 주식회사)SZ-6030: 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane (Torre Dow Corning Co., Ltd.)
((E)성분:증감 색소)((E) component: sensitizing dye)
PZ-501D:1-페닐-3-(4-메톡시스티릴)-5-(4-메톡시페닐)피라졸린(주식회사 일본가가쿠고교쇼)PZ-501D: 1-phenyl-3-(4-methoxystyryl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrazoline (Japan Chemical Industry Co., Ltd.)
(그 밖의 성분:(A)∼(E)성분 이외)(Other components: (A) to (E) other than components)
LCV:로이코 크리스탈 바이올렛(야마다가가쿠고교 주식회사)LCV: Leuko Crystal Violet (Yamada Gakuko Kogyo Co., Ltd.)
TBC:4-t-부틸카테콜(DIC 주식회사, "DIC-TBC-5 P")TBC: 4-t-butylcatechol (DIC Corporation, "DIC-TBC-5P")
SF-808H:카복시벤조트리아졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 메톡시프로판올의 혼합물(산와가세이 주식회사, "SF-808 H")SF-808H: A mixture of carboxybenzotriazole, 5-amino-1H-tetrazole, and methoxypropanol (Sanwa Kasei Co., Ltd., "SF-808H")
AZCV-PW:[4-{비스(4-디메틸아미노페닐)메틸렌}-2,5-시클로헥사디엔-1-이리덴](호도가야가가쿠고교 주식회사)AZCV-PW: [4-{bis(4-dimethylaminophenyl)methylene}-2,5-cyclohexadiene-1-ylidene] (Hodogaya Chemical Industry Co., Ltd.)
<감광성 엘리먼트의 제작><Production of photosensitive element>
상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물의 도포액을, 각각 두께 16㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레 주식회사제, 제품명 "FB-40") 상에 두께가 균일하게 되도록 도포하고, 70℃ 및 110℃의 열풍 대류식 건조기로 순차 건조 처리하고, 건조 후의 막두께가 15㎛인 감광층을 형성했다. 이 감광층 상에 보호층(타마폴리 주식회사제, 제품명 "NF-15A")을 첩합(貼合)하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지체)과, 감광층과, 보호층이 순서로 적층된 감광성 엘리먼트를 얻었다.The coating liquid of the photosensitive resin composition obtained above was applied to a uniform thickness on a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Corporation, product name "FB-40") having a thickness of 16 μm, respectively, and hot air convection at 70 ° C. and 110 ° C. The drying treatment was carried out sequentially with a drying machine to form a photosensitive layer having a film thickness of 15 µm after drying. A photosensitive element in which a protective layer (manufactured by Tamapoly Co., Ltd., product name "NF-15A") is bonded on the photosensitive layer, and a polyethylene terephthalate film (support), a photosensitive layer, and a protective layer are laminated in this order. got
<적층 기재의 제작><Manufacture of laminated substrate>
폴리에틸렌테레프탈레이트재의 상층에 결정성의 ITO로 이루어지는 투명 도전층, 또한 그 상층에 구리로 이루어지는 금속층이 형성되고, 금속층의 최표면에는 방청 처리를 실시한 필름 기재를 준비했다. 이 필름 기재(이하, "기재"이라고 한다.)를 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 상기에서 제작한 감광성 엘리먼트를, 기재의 금속층 표면에 라미네이트(적층)했다. 라미네이트는, 보호층을 제거하면서, 감광성 엘리먼트의 감광층이 기재의 금속층 표면에 밀착되도록 하여, 온도 110℃, 라미네이트 압력 4kgf/cm2(0.4MPa)의 조건하에서 실시했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 상에 감광층 및 지지체가 적층된 적층 기재를 얻었다.A transparent conductive layer made of crystalline ITO was formed on a polyethylene terephthalate material, and a metal layer made of copper was formed on the upper layer, and a film substrate was prepared on which an anti-rust treatment was applied to the outermost surface of the metal layer. After heating this film substrate (hereinafter referred to as “substrate”) and raising the temperature to 80° C., the photosensitive element produced above was laminated (laminated) on the surface of the metal layer of the substrate. The lamination was carried out under conditions of a temperature of 110° C. and a lamination pressure of 4 kgf/cm 2 (0.4 MPa) while removing the protective layer so that the photosensitive layer of the photosensitive element adhered to the surface of the metal layer of the substrate. In this way, a laminated substrate in which the photosensitive layer and the support were laminated on the surface of the metal layer of the substrate was obtained.
<감도의 평가><Evaluation of sensitivity>
얻어진 적층 기재를 23℃가 될 때까지 방냉했다. 다음으로, 적층 기재를 3개의 영역으로 분할하고, 그 중 하나의 영역의 지지체 상에, 농도 영역 0.00∼2.00, 농도 스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛을 가지는 포토 툴을 밀착시켰다. 노광은, 쇼트 아크 UV램프(주식회사 오크세이사쿠쇼제, 제품명 "AHD-5000R")를 광원으로 하는 평행 광선 노광기(주식회사 오크세이사쿠쇼제, 제품명 "EXM-1201")를 사용하고, 100mJ/cm2의 에너지량(노광량)으로 포토 툴 및 지지체를 통하여 감광층에 대하여 노광했다. 이때, 사용하지 않은 다른 영역은, 블랙 시트로 가렸다. 또한, 각각 다른 영역에 대하여, 동일한 방법으로 각각 200mJ/cm2, 400mJ/cm2의 에너지량으로 노광했다. 또한, 조도의 측정은, 405nm 대응 프로브를 적용한 자외선 조도계(우시오덴키 주식회사제, 제품명 "UIT-150")를 사용했다.The obtained laminated substrate was allowed to cool until it reached 23°C. Next, the laminated substrate is divided into three areas, and on the support in one of the areas, 41 layers with a concentration area of 0.00 to 2.00, a density step of 0.05, a tablet size of 20 mm × 187 mm, and each step size of 3 mm × 12 mm. A photo tool with a single step tablet was brought into close contact. Exposure was carried out using a parallel light exposure machine (manufactured by Oak Seisakusho Co., Ltd., product name "EXM-1201") using a short arc UV lamp (product name "AHD-5000R" made by Oak Seisakusho Co., Ltd.) as a light source, 100 mJ/cm 2 The photosensitive layer was exposed to light through the photo tool and the support at an energy amount (exposure amount) of . At this time, other unused areas were covered with a black sheet. In addition, the different regions were exposed to energy amounts of 200 mJ/cm 2 and 400 mJ/cm 2 respectively in the same manner. In addition, for the measurement of illuminance, an ultraviolet illuminance meter (manufactured by Ushio Denki Co., Ltd., product name "UIT-150") to which a 405 nm compatible probe was applied was used.
노광 후, 적층 기재로부터 지지체를 박리하고, 감광층을 노출시켜, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액을 16초간 스프레이함으로써, 미노광 부분을 제거했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 상에 감광성 수지 조성물의 광경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성했다. 각 노광량에 있어서의 레지스터 패턴(경화막)으로서 얻어진 스텝 타블렛의 잔존 단수(스텝 단수)로부터, 노광량과 스텝 단수와의 검량선을 작성하고, 스텝 단수가 17단이 되는 노광량을 구함으로써, 감광성 수지 조성물의 감도를 평가했다. 감도는, 검량선으로부터 구한 스텝 단수가 17단이 되는 노광량에 의해 나타나며, 이 노광량이 적을수록 감도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.After exposure, the support was peeled off from the laminated base material, the photosensitive layer was exposed, and an unexposed portion was removed by spraying a 1% by mass aqueous solution of sodium carbonate at 30°C for 16 seconds. In this way, a resist pattern made of a photocured material of the photosensitive resin composition was formed on the surface of the metal layer of the base material. The photosensitive resin composition is obtained by creating a calibration curve between the exposure amount and the step number from the remaining number of steps (step number) of the step tablet obtained as a register pattern (cured film) at each exposure amount, and obtaining the exposure amount at which the number of step steps becomes 17 steps. of the sensitivity was evaluated. Sensitivity is expressed by the exposure amount at which the number of steps obtained from the calibration curve becomes 17, and the smaller the exposure amount, the better the sensitivity. The results are shown in Table 3 and Table 4.
<밀착성의 평가><Evaluation of adhesion>
라인폭(L)/스페이스폭(S)(이하, "L/S"이라고 기재한다.)이 4/400∼30/400(단위:㎛)인 마스크 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다.Using a mask pattern with a line width (L) / space width (S) (hereinafter referred to as "L/S") of 4/400 to 30/400 (unit: µm), a 41-step step tablet remains. The photosensitive layer of the laminated base material was exposed to light with an amount of energy at which the number of stages was 17. After exposure, development processing similar to the evaluation of the above sensitivity was performed.
현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗이 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행, 벗겨짐 및 조각을 발생시키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.After development, the space portion (unexposed portion) is clearly removed, and the line portion (exposed portion) is formed by the minimum value of the line width / space width values in the resist pattern formed without meandering, peeling, or chipping. , the adhesion was evaluated. It means that adhesiveness is so good that this numerical value is small. The results are shown in Table 3 and Table 4.
<해상성의 평가><Evaluation of resolution>
L/S가 1/1∼30/30(단위:㎛)인 마스크 패턴을 사용하고, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다.A mask pattern having an L/S of 1/1 to 30/30 (unit: µm) was used, and the photosensitive layer of the laminated base material was exposed with an energy amount such that the number of remaining steps of the 41-step tablet was 17 steps. After exposure, development processing similar to the evaluation of the above sensitivity was performed.
현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗이 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행, 벗겨짐 및 조각을 발생시키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 해상도를 평가했다. 이 수치가 작을수록 해상도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.After development, the space portion (unexposed portion) is clearly removed, and the line portion (exposed portion) is formed by the minimum value of the line width / space width values in the resist pattern formed without meandering, peeling, or chipping. , evaluated the resolution. The smaller this number means the better the resolution. The results are shown in Table 3 and Table 4.
<에칭 후의 밀착성의 평가><Evaluation of adhesion after etching>
레지스터 패턴의 에칭 후의 밀착성을 이하와 같이 평가했다. L/S가 4/400∼47/400(단위:㎛)인 마스크 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 23단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시하여 패턴 형성된 기재를 얻었다.The adhesiveness of the resist pattern after etching was evaluated as follows. Using a mask pattern with an L/S of 4/400 to 47/400 (unit: μm), the photosensitive layer of the laminated base material was exposed with an energy amount such that the number of remaining steps of the 41-step tablet was 23 steps. After the exposure, the same development treatment as in the sensitivity evaluation was performed to obtain a patterned substrate.
얻어진 기재에 대하여, ITO-4400Z(주식회사 ADEKA제, 상품명)를 사용하여 40℃에서 30초간 에칭을 실시하고, 그 후, 수세, 건조시켰다.The obtained base material was etched at 40°C for 30 seconds using ITO-4400Z (trade name, manufactured by ADEKA Corporation), and then washed with water and dried.
스페이스 부분(미노광 부분)의 금속층 및 투명 도전층이 깨끗이 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행, 벗겨짐 및 조각을 발생시키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 에칭 후의 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 내에칭액성이 높고 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.Among the values of the line width/space width in the resist pattern formed without the metal layer and the transparent conductive layer of the space portion (unexposed portion) being clearly removed and the line portion (exposed portion) meandering, peeling, or chipping. Adhesion after etching was evaluated by the minimum value. This means that the smaller the numerical value, the higher the liquid resistance and the better the adhesion. The results are shown in Table 3 and Table 4.
<에칭 후의 라인 형상의 평가><Evaluation of line shape after etching>
배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상은, 상기 에칭 후의 밀착성의 평가 시에, L/S가 47/400(단위:㎛)의 레지스터 패턴 아래에 형성된 배선 패턴에 관하여, 디지털 현미경 VHX-2000(주식회사 키엔스제)을 사용하여 관찰했다. 또한, 레지스터 패턴의 라인폭과 에칭 후의 회로 패턴의 라인폭과의 차로부터 사이드 에칭폭을 산출했다. 사이드 에칭폭의 값과 흔들거림의 유무에 의해, 배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상을 이하의 기준으로 평가를 실시했다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.The line shape after etching of the wiring pattern was determined by using a digital microscope VHX-2000 (manufactured by Keyence Corporation) for the wiring pattern formed under the resist pattern with an L/S of 47/400 (unit: µm) in evaluating the adhesion after etching. ) was used to observe. Further, the side etching width was calculated from the difference between the line width of the resist pattern and the line width of the circuit pattern after etching. Based on the value of the side etching width and the presence or absence of wobble, the line shape after etching of the wiring pattern was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 3 and Table 4.
A:배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상에 흔들거림이 보이지 않고, 사이드 에칭폭의 값이 5㎛ 미만이다.A: Unevenness is not observed in the line shape after etching of the wiring pattern, and the value of the side etching width is less than 5 µm.
B:배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상에 흔들거림은 보이지 않지만, 사이드 에칭폭의 값이 5㎛ 이상이다.B: The line shape after etching of the wiring pattern does not fluctuate, but the value of the side etching width is 5 μm or more.
C:배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상에 흔들거림이 보인다.C: Unevenness is seen in the line shape after the etching of the wiring pattern.
<박리성의 평가><Evaluation of peelability>
PET 네가티브:60mm×45mm 각(角)(베타:패턴 없음)을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시하여, 60mm×45mm 각의 경화막이 기재 상에 형성된 적층 기재를 얻었다. 이 적층 기재를 50℃의 2.5질량% 수산화나트륨 수용액에 침지하여 박리 평가를 실시했다. 적층 기재를 침지시키고 나서, 경화막이 기재로부터 완전하게 박리 제거될 때까지의 시간을 박리 시간(초)으로 했다. 또한, 박리 후의 박리편의 사이즈를 육안으로 관찰하고, 이하의 기준으로 평가했다. 박리 시간이 짧고, 박리편사이즈가 작을수록 박리 특성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타낸다.Using a PET negative: 60 mm x 45 mm square (solid: no pattern), the photosensitive layer of the laminated base material was exposed with an energy amount such that the remaining number of steps of the 41-step tablet was 17 steps. After the exposure, the same development treatment as in the evaluation of the above sensitivity was performed to obtain a laminated substrate having a 60 mm x 45 mm square cured film formed on the substrate. Peeling evaluation was performed by immersing this laminated substrate in a 2.5% by mass aqueous solution of sodium hydroxide at 50°C. The time from when the laminated substrate was immersed until the cured film was completely peeled off from the substrate was taken as the peeling time (seconds). In addition, the size of the peeling piece after peeling was visually observed and evaluated according to the following criteria. The shorter the peeling time and the smaller the peeled piece size, the better the peeling property. The results are shown in Table 3 and Table 4.
S:40mm 각(角)보다 작다.S: Smaller than 40mm angle.
M:40mm∼50mm 각.M: 40mm to 50mm each.
L:시트상(狀)(50mm 각보다 크다).L: Sheet-like (larger than 50 mm square).
광중합성 화합물로서, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트, 및, 10질량부 이하((A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중)의 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 사용한 실시예 1∼8은, 비교예 1∼3과 비교하여, 레지스터 패턴의 에칭 후의 밀착성, 배선 패턴의 에칭 후의 라인 형상, 레지스터 패턴의 박리성을 균형있게 향상시키는 것이 가능하다는 것을 알았다.As a photopolymerizable compound, (meth)acrylate having 6 ethylenically unsaturated bonds in a molecule, and 10 parts by mass or less (out of 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B)) of one ethylene in the molecule In Examples 1 to 8 using (meth)acrylate having a sexually unsaturated bond, compared with Comparative Examples 1 to 3, the adhesiveness after etching the resist pattern, the line shape after etching the wiring pattern, and the peelability of the resist pattern were balanced. I knew that it was possible to improve.
2…지지체, 4…감광층, 6…보호층, 10…감광성 엘리먼트, 12…지지 기재, 14…투명 도전층, 16…감광층, 18…인출배선, 22…지지 기재, 24…투명 도전층, 26…금속층, 28…감광층, 29…레지스터 패턴, 30…감광층, 31…레지스터, 52…투명 전극(X전극), 54…투명 전극(Y전극), 56, 57…인출배선, 100…터치 패널.2… support, 4 . . . photosensitive layer, 6 . . . protective layer, 10 . . . photosensitive element, 12 . . . supporting substrate, 14 . . . transparent conductive layer, 16 . . . photosensitive layer, 18 . . . outgoing wiring, 22 . . . supporting substrate, 24 . . . transparent conductive layer, 26 . . . metal layer, 28 . . . photosensitive layer, 29 . . . register pattern, 30... photosensitive layer, 31 . . . register, 52... transparent electrode (X electrode), 54 . . . transparent electrode (Y electrode), 56, 57... Outgoing wiring, 100... touch panel.
Claims (7)
(B)성분:광중합성 화합물, 및,
(C)성분:광중합 개시제를 함유하고,
상기 (B)성분이, 분자 내에 6개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트와, 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트를 포함하고,
상기 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 (메타)아크릴레이트가, 프탈산계 화합물을 포함하며,
상기 프탈산계 화합물이, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, 2-아크릴로일옥시에틸-2-히드록시에틸-프탈산, 또는, 2-아크릴로일옥시에틸-프탈산이며,
상기 분자 내에 1개의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 (메타)아크릴레이트의 함유량이 상기 (A) 성분 및 상기 (B) 성분의 총량 100질량부 중, 10질량부 이하인 감광성 수지 조성물.(A) component: binder polymer,
(B) component: a photopolymerizable compound, and
(C) Component: Contains a photopolymerization initiator,
The component (B) contains (meth)acrylate having 6 ethylenically unsaturated bonds in the molecule and (meth)acrylate having 1 ethylenically unsaturated bond in the molecule,
The (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule includes a phthalic acid-based compound,
The phthalic acid compound is γ-chloro-β-hydroxypropyl-β'-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, 2-acryloyloxyethyl-2-hydroxyethyl-phthalic acid, or 2- Acryloyloxyethyl-phthalic acid,
The photosensitive resin composition in which the content of (meth)acrylate having one ethylenically unsaturated bond in the molecule is 10 parts by mass or less in 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B).
상기 (B)성분이, (폴리)옥시에틸렌기를 가지는 비스페놀 A형 디(메타)아크릴레이트를 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.The method of claim 1,
The photosensitive resin composition in which the said (B) component further contains the bisphenol-A di(meth)acrylate which has a (poly)oxyethylene group.
상기 감광층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 광경화물 영역을 형성하는 노광 공정과,
상기 감광층의 상기 광경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 상으로부터 제거하여, 상기 광경화물 영역으로 이루어지는 레지스터 패턴을 얻는 현상 공정
을 가지는, 레지스터 패턴의 형성 방법.A photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer on a substrate using the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2;
an exposure step of curing a part of the photosensitive layer by irradiation with actinic light to form a photocured region;
A developing step of obtaining a resist pattern composed of the photocured region by removing an area of the photosensitive layer other than the photocured region from the base material.
A method of forming a resist pattern having a.
상기 금속층 및 상기 투명 도전층을 에칭하여, 상기 투명 도전층의 잔부(殘部) 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과,
상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명 도전층의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정
을 가지는, 터치 패널의 제조 방법.The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 on the metal layer of a laminated substrate comprising a support substrate, a transparent conductive layer containing indium tin oxide provided on one surface of the support substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer. A first step of forming a resist pattern made of a photocured material of
a second step of etching the metal layer and the transparent conductive layer to form a lamination pattern comprising a remainder of the transparent conductive layer and a remainder of the metal layer;
A third step of removing the metal layer from a part of the laminated pattern to form a transparent electrode made of the remainder of the transparent conductive layer and a metal wiring made of the remainder of the metal layer.
A manufacturing method of a touch panel having a.
상기 투명 도전층이, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고,
상기 제2의 공정에 있어서의 에칭이, 강산에 의한 에칭인, 터치 패널의 제조 방법.The method of claim 5,
The transparent conductive layer contains crystalline indium tin oxide,
The method of manufacturing a touch panel wherein the etching in the second step is etching with a strong acid.
상기 감광층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 광경화물 영역을 형성하는 노광 공정과,
상기 감광층의 상기 광경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 상으로부터 제거하여, 상기 광경화물 영역으로 이루어지는 레지스터 패턴을 얻는 현상 공정
을 가지는, 레지스터 패턴의 형성 방법.A photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer on a substrate using the photosensitive element according to claim 3;
an exposure step of curing a part of the photosensitive layer by irradiation with actinic light to form a photocured region;
A developing step of obtaining a resist pattern composed of the photocured region by removing an area of the photosensitive layer other than the photocured region from the base material.
A method of forming a resist pattern having a.
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