KR102158640B1 - Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method - Google Patents

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Abstract

제어부(27) 및 신호 절환부(26)는, 측정 대상의 복수의 회로 패턴(41, 42)을 경유해서 전압 측정 루프를 형성한다. 제어부(27)는, 보정 전압 측정 공정에서, 상기 측정 대상의 회로 패턴(41, 42)의 어느 것에도 전류를 공급하지 않은 상태에서, 전압 측정부(19)에 의해 열기전력(V0)을 측정한다. 제어부(27)는, 회로 패턴 측정 공정에서, 측정 대상의 회로 패턴(41, 42) 중 어느 하나에 전류를 공급한 상태에서, 전압 측정부(19)에 의해 전압 강하를 측정한다. 또한 제어부(27)는, 보정 공정에서, 상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압 강하를, 보정 전압 측정 공정에서 측정된 열기전력(V0)의 값을 사용해서 보정한다. 그리고, 제어부(27)는 회로 패턴 측정 공정 및 보정 공정을, 측정 대상의 복수의 회로 패턴(41, 42)의 각각에 대해 실행한다.The control unit 27 and the signal switching unit 26 form a voltage measurement loop via a plurality of circuit patterns 41 and 42 to be measured. The control unit 27, in the correction voltage measurement process, in a state in which no current is supplied to any of the circuit patterns 41 and 42 to be measured, the thermoelectric power V 0 is measured by the voltage measurement unit 19. Measure. The control unit 27 measures the voltage drop by the voltage measurement unit 19 in a state in which a current is supplied to any one of the circuit patterns 41 and 42 to be measured in the circuit pattern measurement process. In addition, in the correction process, the controller 27 corrects the voltage drop measured in the circuit pattern measurement process using the value of the thermoelectric power V 0 measured in the correction voltage measurement process. Then, the control unit 27 executes a circuit pattern measurement process and a correction process for each of the plurality of circuit patterns 41 and 42 to be measured.

Description

기판 검사 장치 및 기판 검사 방법{CIRCUIT BOARD INSPECTION APPARATUS AND CIRCUIT BOARD INSPECTION METHOD}Board inspection apparatus and board inspection method {CIRCUIT BOARD INSPECTION APPARATUS AND CIRCUIT BOARD INSPECTION METHOD}

본 발명은 기판 검사 장치에 있어서 열기전력의 영향을 제거하기 위한 구성에 관한 것이다.The present invention relates to a configuration for removing the influence of thermoelectric power in a substrate inspection apparatus.

종래부터, 회로 기판에 형성된 복수의 회로 패턴을 검사하는 기판 검사 장치가 알려져 있다. 이러한 종류의 기판 검사 장치는, 예를 들어 특허문헌 1에 기재되어 있다.Conventionally, a substrate inspection apparatus has been known for inspecting a plurality of circuit patterns formed on a circuit board. A substrate inspection apparatus of this kind is described in Patent Document 1, for example.

도 9에, 회로 기판(11)에 형성된 회로 패턴(12)을, 종래의 기판 검사 장치에 의해 검사하고 있는 모습을 모식적으로 예시한다. 도 9에 도시한 예의 회로 패턴(12)에는, 검사점(13, 14)이 형성되어 있다. 기판 검사 장치는, 각 검사점(13, 14)에 접촉시키는 것이 가능한 검사용의 프로브(15)를 복수개 갖고 있다.In FIG. 9, the circuit pattern 12 formed on the circuit board 11 is schematically illustrated by a conventional board inspection apparatus. In the circuit pattern 12 of the example shown in FIG. 9, inspection points 13 and 14 are formed. The substrate inspection apparatus has a plurality of inspection probes 15 that can be brought into contact with each inspection point 13 and 14.

기판 검사 장치는, 검사점(13, 14) 사이의 전위차를 측정하는 전압 측정부(전압계)(19)를 구비하고 있다. 또한, 기판 검사 장치는, 회로 패턴(12)에 소정의 전류를 공급할 수 있는 전류 공급부(17)를 구비하고 있다.The substrate inspection apparatus includes a voltage measurement unit (voltmeter) 19 that measures a potential difference between the inspection points 13 and 14. Further, the substrate inspection apparatus includes a current supply unit 17 capable of supplying a predetermined current to the circuit pattern 12.

이상과 같이 구성된 기판 검사 장치는, 전류 공급부(17)에 의해 회로 패턴(12)에 소정의 전류 i[A]를 공급함과 함께, 이때 검사점(13, 14) 사이에 생긴 전압 강하를 전압 측정부(19)에 의해 측정한다. 회로 패턴(12)의 검사점(13, 14) 사이의 전기 저항을 R[Ω]으로 하면, 그 검사점(13, 14) 사이에 생기는 전압 강하의 크기는 iR[V]가 된다.The substrate inspection apparatus configured as described above supplies a predetermined current i[A] to the circuit pattern 12 by the current supply unit 17 and measures the voltage drop generated between the inspection points 13 and 14 at this time. It is measured by part 19. When the electrical resistance between the check points 13 and 14 of the circuit pattern 12 is R[Ω], the magnitude of the voltage drop occurring between the check points 13 and 14 becomes iR[V].

기판 검사 장치는, 회로 패턴(12)에 공급한 전류(i)의 크기와, 전압 측정부(19)에 의해 측정된 전압 강하(iR)의 크기에 기초하여, 그 회로 패턴(12)의 전기 저항(R)을 구한다. 기판 검사 장치는, 구한 전기 저항(R)의 값에 기초하여, 회로 패턴(12)이 정상인지 여부를 판단할 수 있다.The substrate inspection apparatus is based on the magnitude of the current i supplied to the circuit pattern 12 and the magnitude of the voltage drop iR measured by the voltage measuring unit 19, Find the resistance (R). The substrate inspection apparatus may determine whether the circuit pattern 12 is normal based on the calculated value of the electrical resistance R.

일본 특허 공개 제2009-139182호Japanese Patent Publication No. 2009-139182

이러한 종류의 기판 검사 장치에 있어서는, 검사용의 프로브(15)와, 검사점(13 또는 14)이 접촉함으로써, 제베크 효과(seebeck effect)에 의한 열기전력이 발생할 수 있다. 따라서, 도 9의 전압 측정부(19)는, 검사점(13, 14) 사이에 생기는 전압 강하(iR) 만을 순수하게 측정할 수는 없으며, 열기전력의 영향을 받는다. 여기서, 제베크 효과에 의해 생기는 열기전력이 전압 측정부(19)의 측정 결과 V[V]에 미치는 영향을 V0[V]로 하면, 그 측정 결과(V)는, 수학식 1과 같이 같이 나타낼 수 있다.In this type of substrate inspection apparatus, when the inspection probe 15 and the inspection points 13 or 14 contact each other, thermoelectric power due to the Seebeck effect can be generated. Therefore, the voltage measurement unit 19 of FIG. 9 cannot purely measure only the voltage drop iR generated between the check points 13 and 14, but is affected by thermoelectric power. Here, if the influence of the thermoelectric power generated by the Seebeck effect on the measurement result V[V] by the voltage measurement unit 19 is V 0 [V], the measurement result V is as shown in Equation 1 Can be indicated.

V=iR+V0 수학식 1V=iR+V 0 Equation 1

따라서, 회로 패턴(12)에 생긴 전압 강하(iR)의 크기를 정확하게 측정하기 위해서는, 전압 측정부(19)에 의한 측정 결과(V)로부터 열기전력(V0)의 영향을 제거하도록 보정하는 것이 바람직하다. 그러나, 일반적으로, 열기전력(V0)의 크기는 미지이다.Therefore, in order to accurately measure the magnitude of the voltage drop (iR) generated in the circuit pattern 12, it is necessary to correct to remove the influence of the thermoelectric power (V 0 ) from the measurement result (V) by the voltage measuring unit 19. desirable. However, in general, the magnitude of the thermoelectric power V 0 is unknown.

종래, 열기전력(V0)은 오차의 범위라고 생각되었다. 이 때문에, 종래는, 열기전력(V0)의 영향을 제거하는 보정은 특별히 행해지고 있지 않았다.Conventionally, thermoelectric power (V 0 ) was considered to be a range of errors. For this reason, conventionally, correction for removing the influence of the thermoelectric power V 0 has not been specifically performed.

그런데, 최근 워크의 얇은 코어화나 코어리스화가 진행되어, 회로 기판(11)의 두께가 얇아진 만큼, 회로 패턴(12)의 전기 저항도 작아져 있다. 이 때문에, 최근의 검사 장치에서는, 미소한 전기 저항을 양호한 정밀도로 측정할 수 있는 것이 요구되고 있어, 열기전력(V0)의 영향을 무시할 수 없게 되고 있다.By the way, in recent years, the thin core or coreless work has progressed, and as the thickness of the circuit board 11 becomes thin, the electrical resistance of the circuit pattern 12 also decreases. For this reason, in recent inspection apparatuses, it is required to be able to measure minute electric resistance with high precision, and the influence of thermoelectric power V 0 cannot be ignored.

따라서, 최근에는, 열기전력(V0)의 영향을 제거하도록 보정을 행하는 것이 생각되고 있다. 이를 위해서는, 도 9의 측정을 행한 후, 회로 패턴(12)에 공급하는 전류의 크기를 바꾸어, 한번 더 측정을 행한다. 예를 들어 도 10과 같이, 1회째의 측정(도 9)과는 반대 방향의 전류(-i[A])를 회로 패턴(12)에 공급하고, 전압 측정부(19)에 의해 전압을 측정한다. 이때의 전압 측정부(19)에 의한 전압의 측정 결과(2회째의 측정 결과)를 V'로 하면, V'=-iR+V0이 된다. 여기서, 1회째의 측정(도 9)과 2회째의 측정(도 10)에 의해 열기전력(V0)의 크기가 변화되어 있지 않다고 간주하면, 1회째의 측정 결과(V)와 2회째의 측정 결과(V')의 차이를 취함으로써, 열기전력(V0)의 영향을 상쇄할 수 있다. 즉, V-V'=2iR이 된다. 따라서, R=(V-V')/2i에 의해, 회로 패턴(12)의 전기 저항(R)을 양호한 정밀도로 구할 수 있다. 또한, 이하의 설명에서는, 이상과 같이 하여 열기전력(V0)의 영향을 상쇄하는 방법을, 간단히 「종래의 검사 방법」이라고 칭하는 경우가 있다.Therefore, in recent years, it is considered to perform correction so as to remove the influence of the thermoelectric power V 0 . To this end, after the measurement in Fig. 9 is performed, the magnitude of the current supplied to the circuit pattern 12 is changed, and measurement is performed once more. For example, as shown in Fig. 10, a current (-i[A]) in the opposite direction to the first measurement (Fig. 9) is supplied to the circuit pattern 12, and the voltage is measured by the voltage measuring unit 19. do. When the voltage measurement result (second measurement result) by the voltage measuring unit 19 at this time is V', V'= -iR+V 0 is obtained. Here, assuming that the magnitude of the thermoelectric power (V 0 ) is not changed by the first measurement (Fig. 9) and the second measurement (Fig. 10), the first measurement result (V) and the second measurement By taking the difference between the results (V'), it is possible to cancel the influence of the thermoelectric power (V 0 ). That is, V-V'=2iR. Therefore, by R=(V-V')/2i, the electric resistance R of the circuit pattern 12 can be obtained with good precision. In addition, in the following description, the method of canceling the influence of the thermoelectric power V 0 as described above is sometimes simply referred to as a "conventional inspection method".

상기의 종래의 검사 방법은, 열기전력(V0)의 영향을 제거하기 위해, 1개의 회로 패턴에 대해 적어도 2회의 측정이 필요하다. 이 때문에, 열기전력의 영향을 보정하지 않는 경우에 비해, 단순 계산으로 2배의 검사 시간이 든다.The conventional inspection method described above requires at least two measurements for one circuit pattern in order to remove the influence of the thermoelectric power (V 0 ). For this reason, compared to the case where the influence of the thermoelectric power is not corrected, it takes twice as much inspection time by simple calculation.

이와 같이, 종래의 기판 검사 장치에 있어서, 열기전력(V0)의 영향을 제거하는 보정을 행하는 경우에는, 회로 기판의 검사 시간이 길어져 버린다고 하는 과제가 있었다.As described above, in the case of performing correction to remove the influence of the thermoelectric power V 0 in a conventional substrate inspection apparatus, there is a problem that the inspection time of the circuit board is lengthened.

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본 발명은 이상의 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 열기전력의 영향을 제거하면서, 고속의 검사가 가능한 기판 검사 장치를 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상과 같으며, 다음에 이 과제를 해결하기 위한 수단과 그 효과를 설명한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a substrate inspection apparatus capable of high-speed inspection while eliminating the influence of thermoelectric power.
The problems to be solved by the present invention are as described above, and the means for solving this problem and its effects will be described next.

본원 발명의 관점에 의하면, 회로 기판에 형성된 회로 패턴을 검사하는 기판 검사 장치가 제공된다. 즉, 이 기판 검사 장치는 전압 측정 루프 형성부와, 전압 측정부와, 전류 공급부와, 제어부를 구비한다. 상기 전압 측정 루프 형성부는, 측정 대상의 회로 패턴을 경유해서 전압 측정 루프를 형성한다. 상기 전압 측정부는, 상기 전압 측정 루프에 배치된다. 상기 전류 공급부는, 상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하는 것이 가능하다. 상기 제어부는, 보정 전압 측정 공정과, 회로 패턴 측정 공정과, 보정 공정을 실행 가능하다. 상기 보정 전압 측정 공정에서는, 상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하지 않은 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 전압을 측정한다. 상기 회로 패턴 측정 공정에서는, 상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급한 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 전압을 측정한다. 상기 보정 공정에서는, 상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압을, 상기 보정 전압 측정 공정에서 측정된 전압에 의해 보정한다.According to an aspect of the present invention, a substrate inspection apparatus is provided for inspecting a circuit pattern formed on a circuit board. That is, this substrate inspection apparatus includes a voltage measurement loop forming unit, a voltage measurement unit, a current supply unit, and a control unit. The voltage measurement loop forming unit forms a voltage measurement loop via a circuit pattern to be measured. The voltage measurement unit is disposed in the voltage measurement loop. The current supply unit may supply current to the circuit pattern to be measured. The control unit may perform a correction voltage measurement process, a circuit pattern measurement process, and a correction process. In the correction voltage measurement step, the voltage is measured by the voltage measuring unit in a state in which no current is supplied to the circuit pattern to be measured. In the circuit pattern measurement step, voltage is measured by the voltage measuring unit while current is supplied to the circuit pattern to be measured. In the correction process, the voltage measured in the circuit pattern measurement process is corrected by the voltage measured in the correction voltage measurement process.

이상의 보정 전압 측정 공정에 의해, 전압 측정 루프에 생기는 열기전력의 영향을 측정할 수 있다. 따라서, 보정 전압 측정 공정에서의 측정값을 사용하여, 열기전력의 영향을 제거하는 보정을 행할 수 있다. 보정 전압 측정 공정에서는, 회로 패턴에 전류를 흘리지 않으므로, 돌입 전력이 없어, 전압을 바로 측정할 수 있다. 이 때문에, 보정 전압 측정 공정은, 회로 패턴의 전압 강하를 측정하는 경우에 비해, 고속으로 완료시키는 것이 가능하다. 따라서, 열기전력의 영향을 제거하기 위해 회로 패턴의 전압 강하를 2회 측정하고 있었던 종래의 검사 방법에 비해, 측정에 드는 시간을 단축할 수 있다.By the above correction voltage measurement process, the influence of thermoelectric power generated in the voltage measurement loop can be measured. Therefore, correction to remove the influence of thermoelectric power can be performed using the measured value in the correction voltage measurement step. In the correction voltage measurement process, since no current flows through the circuit pattern, there is no rush power, and the voltage can be measured immediately. For this reason, it is possible to complete the correction voltage measurement process at a higher speed compared to the case of measuring the voltage drop of the circuit pattern. Therefore, compared to the conventional inspection method in which the voltage drop of the circuit pattern is measured twice in order to eliminate the influence of thermoelectric power, the measurement time can be shortened.

이상의 기판 검사 장치는, 이하와 같이 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 전압 측정 루프 형성부는, 측정 대상의 회로 패턴을 복수 경유시켜 상기 전압 측정 루프를 형성한다. 그리고, 상기 제어부는, 상기 회로 패턴 측정 공정 및 상기 보정 공정을, 상기 측정 대상의 복수의 회로 패턴 각각에 대해 실행한다.It is preferable that the above board|substrate inspection apparatus is comprised as follows. That is, the voltage measurement loop forming unit forms the voltage measurement loop through a plurality of circuit patterns to be measured. In addition, the control unit performs the circuit pattern measurement process and the correction process for each of the plurality of circuit patterns of the measurement object.

이와 같이, 측정 대상의 복수의 회로 패턴을 경유해서 전압 측정 루프를 형성함으로써, 1개의 전압 측정 루프에 의해 복수의 회로 패턴을 측정할 수 있다. 열기전력의 영향은 1번 측정해 두면 되고, 측정 대상의 각 회로 패턴의 측정도 1회씩이어도 된다. 따라서, 열기전력의 영향을 제거하기 위해 회로 패턴마다 2회의 측정이 필요한 종래의 검사 방법에 비해, 측정 횟수를 줄여, 측정에 필요한 시간을 단축할 수 있다.In this way, by forming a voltage measurement loop via a plurality of circuit patterns to be measured, a plurality of circuit patterns can be measured by a single voltage measurement loop. The effect of thermoelectric power may be measured once, and each circuit pattern to be measured may be measured once. Therefore, compared to the conventional inspection method, which requires two measurements for each circuit pattern in order to eliminate the influence of thermoelectric power, the number of measurements can be reduced and the time required for measurement can be shortened.

상기의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 전압 측정 루프 형성부는, 측정 대상의 회로 패턴을 3개 이상 경유시켜 상기 전압 측정 루프를 형성하는 것이 바람직하다.In the above board inspection apparatus, it is preferable that the voltage measurement loop forming unit forms the voltage measurement loop by passing three or more circuit patterns to be measured.

이와 같이, 다수의 회로 패턴을 경유시켜 전압 측정 루프를 형성할 수 있다. 이에 의해, 1개의 전압 측정 루프에 의해 측정할 수 있는 회로 패턴의 수가 많아지므로, 측정에 필요한 시간을 단축하는 효과를 높일 수 있다.In this way, a voltage measurement loop can be formed through a plurality of circuit patterns. As a result, the number of circuit patterns that can be measured by one voltage measurement loop increases, so that the effect of shortening the time required for measurement can be enhanced.

상기의 기판 검사 장치에 있어서, 상기 전압 측정 루프에는, 상기 회로 기판의 양면을 도통하는 회로 패턴이 짝수개 포함되어 있는 것이 바람직하다.In the above-described board inspection apparatus, it is preferable that the voltage measurement loop includes an even number of circuit patterns for conducting both sides of the circuit board.

이에 의하면, 기판의 표면과 이면을 접속하기 위한 배선을 필요로 하지 않고, 전압 측정 루프를 폐쇄할 수 있다. 이에 의해, 전압 측정 루프의 면적을 작게 할 수 있으므로, 노이즈의 영향을 받기 어려워져, 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to this, the voltage measurement loop can be closed without requiring wiring for connecting the front and back surfaces of the substrate. Thereby, since the area of the voltage measurement loop can be made small, it becomes difficult to be affected by noise, and measurement accuracy can be improved.

본원 발명의 다른 관점에 의하면, 회로 기판에 형성된 회로 패턴을 검사하는 기판 검사 방법이 제공된다. 즉, 이 기판 검사 방법은, 전압 측정 루프 형성 공정과, 보정 전압 측정 공정과, 회로 패턴 측정 공정과, 보정 공정을 포함한다. 상기 전압 측정 루프 형성 공정에서는, 측정 대상의 회로 패턴을 경유해서 전압 측정 루프를 형성한다. 상기 보정 전압 측정 공정에서는, 상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하지 않은 상태에서, 상기 전압 측정 루프에 배치된 전압 측정부에 의해 전압을 측정한다. 상기 회로 패턴 측정 공정에서는, 상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급한 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 전압을 측정한다. 상기 보정 공정에서는, 상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압을, 상기 보정 전압 측정 공정에서 측정된 전압에 의해 보정한다.According to another aspect of the present invention, a substrate inspection method for inspecting a circuit pattern formed on a circuit board is provided. That is, this substrate inspection method includes a voltage measurement loop formation process, a correction voltage measurement process, a circuit pattern measurement process, and a correction process. In the voltage measurement loop forming step, a voltage measurement loop is formed via a circuit pattern to be measured. In the correction voltage measurement process, a voltage is measured by a voltage measurement unit disposed in the voltage measurement loop while no current is supplied to the circuit pattern to be measured. In the circuit pattern measuring step, voltage is measured by the voltage measuring unit while current is supplied to the circuit pattern to be measured. In the correction process, the voltage measured in the circuit pattern measurement process is corrected by the voltage measured in the correction voltage measurement process.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 검사 장치의 전체적인 구성을 도시하는 정면도.
도 2는 제1 실시 형태의 보정 전압 측정 공정을 도시하는 모식도.
도 3은 전압 측정 루프를 설명하는 도면.
도 4는 제1 회로 패턴 측정 공정을 도시하는 모식도.
도 5는 제2 회로 패턴 측정 공정을 도시하는 모식도.
도 6은 제2 실시 형태를 도시하는 모식도.
도 7은 제2 실시 형태의 전압 측정 루프를 설명하는 도면.
도 8은 변형예를 도시하는 도면.
도 9는 종래의 기판 검사 방법을 설명하는 도면.
도 10은 종래의 기판 검사 방법을 설명하는 도면.1 is a front view showing the overall configuration of a substrate inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a schematic diagram showing a correction voltage measurement process according to the first embodiment.
Fig. 3 is a diagram for explaining a voltage measurement loop.
4 is a schematic diagram showing a first circuit pattern measurement process.
5 is a schematic diagram showing a second circuit pattern measurement process.
Fig. 6 is a schematic diagram showing a second embodiment.
Fig. 7 is a diagram illustrating a voltage measurement loop according to a second embodiment.
Fig. 8 is a diagram showing a modified example.
9 is a diagram for explaining a conventional substrate inspection method.
10 is a diagram for explaining a conventional substrate inspection method.

다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시 형태를 설명한다. 이 제1 실시 형태에 따른 기판 검사 장치(10)의 개략적인 정면도를 도 1에 도시한다.Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a schematic front view of a substrate inspection apparatus 10 according to the first embodiment.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 검사 장치(10)는 하우징(30)을 갖고 있다. 하우징(30)의 내부 공간에는, 검사 대상의 회로 기판을 재치하기 위한 기판 재치대(20)와, 제1 검사부(21)와, 제2 검사부(22)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 1, the substrate inspection apparatus 10 has a housing 30. In the inner space of the housing 30, a board mounting table 20 for mounting a circuit board to be inspected, a first inspection portion 21, and a second inspection portion 22 are provided.

기판 재치대(20)는, 검사 대상의 회로 기판(11)을 재치 가능하도록 구성되어 있다. 제1 검사부(21)는, 기판 재치대(20)에 재치된 회로 기판(11)의 상방에 위치한다. 제2 검사부(22)는, 기판 재치대(20)에 재치된 회로 기판(11)의 하방에 위치한다. 제1 및 제2 검사부(21, 22)는, 각각, 다수의 프로브(접촉 단자)(15)를 갖는 검사 지그(23)와, 상기 검사 지그(23)를 보유 지지하는 보유 지지체(24)를 갖고 있다.The board mounting table 20 is configured so that the circuit board 11 to be inspected can be mounted. The first inspection unit 21 is positioned above the circuit board 11 placed on the substrate mounting table 20. The second inspection unit 22 is located under the circuit board 11 placed on the substrate mounting table 20. The first and second inspection units 21 and 22 each include an inspection jig 23 having a plurality of probes (contact terminals) 15 and a holding body 24 for holding the inspection jig 23. I have.

또한, 기판 검사 장치(10)는, 지그 이동 기구(25)를 구비하고 있다. 지그 이동 기구(25)는, 하우징(30)의 내부 공간에 있어서, 제1 검사부(21) 및 제2 검사부(22)를 적절히 이동시킬 수 있도록 구성되어 있다.Moreover, the board|substrate inspection apparatus 10 is equipped with the jig movement mechanism 25. The jig movement mechanism 25 is configured to be able to appropriately move the first inspection unit 21 and the second inspection unit 22 in the inner space of the housing 30.

이상과 같이 구성된 기판 검사 장치(10)는, 기판 재치대(20)에 재치된 회로 기판(11)에 대해 제1 및 제2 검사부(21, 22)를 이동시킴으로써, 그 회로 기판(11)이 갖는 회로 패턴 상에 형성된 검사점에 대해, 프로브(15)를 접촉시킬 수 있다.In the substrate inspection apparatus 10 configured as described above, by moving the first and second inspection portions 21 and 22 with respect to the circuit board 11 placed on the substrate mounting table 20, the circuit board 11 The probe 15 can be brought into contact with the inspection point formed on the circuit pattern.

검사점에 프로브(15)를 접촉시킨 모습을, 도 2에 모식적으로 도시한다. 도 2에 예시한 회로 기판(11)에는, 제1 회로 패턴(41) 및 제2 회로 패턴(42)이 형성되어 있다. 또한, 이것은 도시를 위해 간략화한 것이며, 실제의 회로 기판에는 수십 내지 수천의 회로 패턴이 형성되어 있는 경우가 있다.A state in which the probe 15 is brought into contact with the inspection point is schematically shown in FIG. 2. A first circuit pattern 41 and a second circuit pattern 42 are formed on the circuit board 11 illustrated in FIG. 2. In addition, this is simplified for illustration, and tens to thousands of circuit patterns are sometimes formed on an actual circuit board.

도 2에 예시한 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)은 서로 절연되어 있다. 또한, 도 2에 예시한 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)은, 각각 회로 기판(11)의 상면(제1 면)과 하면(제2 면)을 도통하게 형성되어 있다. 각 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)의 각각에는, 프로브(15)를 접촉시킬 수 있는 검사점이 적어도 2개 형성되어 있다. 예를 들어, 도 2에 예시한 제1 회로 패턴(41)은, 회로 기판(11)의 상면측에 검사점(43)과, 하면측에 검사점(44)을 갖고 있다. 또한, 도 2에 예시한 제2 회로 패턴(42)은, 회로 기판(11)의 상면측에 검사점(45)과, 하면측에 검사점(46)을 갖고 있다. 또한, 도 2는 간략화한 것이며, 실제의 회로 기판은 수백 내지 수천의 검사점을 갖는 경우가 있다.The first and second circuit patterns 41 and 42 illustrated in FIG. 2 are insulated from each other. In addition, the first and second circuit patterns 41 and 42 illustrated in FIG. 2 are formed so as to conduct an upper surface (first surface) and a lower surface (second surface) of the circuit board 11, respectively. In each of the first and second circuit patterns 41 and 42, at least two inspection points capable of contacting the probe 15 are formed. For example, the first circuit pattern 41 illustrated in FIG. 2 has an inspection point 43 on the upper surface side of the circuit board 11 and an inspection point 44 on the lower surface side. Further, the second circuit pattern 42 illustrated in FIG. 2 has an inspection point 45 on the upper surface side of the circuit board 11 and an inspection point 46 on the lower surface side. In addition, FIG. 2 is simplified, and an actual circuit board may have hundreds to thousands of inspection points.

프로브(15)는 전도성을 갖는 침 형상 또는 선 형상의 부재이다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 제1 검사부(21)가 구비하는 복수의 프로브(15)는, 검사 대상의 회로 기판(11)의 상면(제1 면)에 형성된 검사점(43, 45, …)에 접촉 가능하게 설치되어 있다. 마찬가지로, 제2 검사부(32)가 구비하는 복수의 프로브(15)는, 검사 대상의 회로 기판(11)의 하면(제2 면)에 형성된 검사점(44, 46, …)에 접촉 가능하게 설치되어 있다. 또한, 도 2에서는, 제1 및 제2 검사부(21, 22)가 각각 4개의 프로브를 갖고 있는 모습이 그려져 있지만, 이것은 도시를 위해 간략화한 것이며, 실제의 장치는 수백 내지 수천의 프로브(15)를 갖고 있는 경우가 있다.The probe 15 is a needle-shaped or linear member having conductivity. As shown in Fig. 2, the plurality of probes 15 included in the first inspection unit 21 are inspection points 43, 45, ... formed on the upper surface (first surface) of the circuit board 11 to be inspected. ) Is installed to allow contact. Similarly, the plurality of probes 15 included in the second inspection unit 32 are provided so as to be in contact with the inspection points 44, 46, ... formed on the lower surface (second surface) of the circuit board 11 to be inspected. Has been. In addition, in Fig. 2, a state in which the first and second inspection units 21 and 22 each have four probes, but this is simplified for illustration, and the actual device is hundreds to thousands of probes 15 May have.

제1 및 제2 검사부(21, 22)는, 검사점의 각각에 대해, 2개의 프로브(15)를 접촉시킬 수 있도록 구성되어 있다. 이것은, 본 실시 형태의 기판 검사 장치(10)가, 소위 4단자법에 의해, 검사점 사이의 전기 저항을 측정하도록 구성되어 있기 때문이다. 즉, 각 검사점에 접촉하고 있는 2개의 프로브(15) 중, 한쪽은 전류 공급용의 프로브이며, 다른 쪽은 전압 측정용의 프로브로 되어 있다. The first and second inspection units 21 and 22 are configured so that the two probes 15 can be brought into contact with each of the inspection points. This is because the substrate inspection apparatus 10 of the present embodiment is configured to measure electrical resistance between inspection points by a so-called four-terminal method. That is, of the two probes 15 in contact with each inspection point, one is a current supply probe, and the other is a voltage measurement probe.

도 1에 도시하는 바와 같이, 상하의 제1 및 제2 검사부(21, 22)는, 각각, 보유 지지체(24) 내에, 전류 공급부(17), 전류 측정부(18) 및 전압 측정부(19)를 갖고 있다. 또한, 상하의 제1 및 제2 검사부(21, 22)의 보유 지지체(24) 내에는, 신호 절환부(26)가 배치되어 있다. 기판 검사 장치(10)는 신호 절환부(26)를 제어 가능한 제어부(27)를 구비하고 있다. 이 제어부(27)는 CPU, ROM, RAM 등으로 이루어지는 컴퓨터로서 구성되어 있다. 제어부(27)는 회로 기판(11)에 형성된 회로 패턴 등에 관한 데이터를 보유하고 있다.As shown in Fig. 1, the upper and lower first and second inspection units 21 and 22 are, respectively, in the holding body 24, a current supply unit 17, a current measurement unit 18, and a voltage measurement unit 19. Has. Further, in the holding body 24 of the upper and lower first and second inspection portions 21 and 22, a signal switching portion 26 is disposed. The substrate inspection apparatus 10 includes a control unit 27 capable of controlling the signal switching unit 26. This control unit 27 is configured as a computer made of a CPU, ROM, RAM, or the like. The control unit 27 holds data related to a circuit pattern or the like formed on the circuit board 11.

전류 공급부(17)는 소정의 전류(본 실시 형태의 경우는 직류 전류)를 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 신호 절환부(26)는 전류 측정용의 프로브(15)와, 전류 공급부(17)의 정극측의 단자 사이의 접속/비접속 상태를 절환 가능한 스위치를, 전류 측정용의 프로브(15)마다 갖고 있다. 또한, 도 2 등에 있어서는, 설명의 편의상 불필요한 스위치 및 배선의 도시를 적절히 생략하고 있다.The current supply unit 17 is configured to supply a predetermined current (direct current in the present embodiment). As shown in Fig. 2 and the like, the signal switching unit 26 is a switch capable of switching the connected/disconnected state between the probe 15 for current measurement and the terminal on the positive electrode side of the current supply unit 17, measuring current. It has it for each dragon probe 15. In addition, in Fig. 2 and the like, unnecessary illustrations of switches and wiring are omitted for convenience of explanation.

전류 측정부(18)는 흐르는 전류를 측정할 수 있도록 구성되어 있다. 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 신호 절환부(26)는 전류 측정용의 프로브(15)와, 전류 측정부(18)의 정극측의 단자 사이의 접속/비접속 상태를 절환 가능한 스위치를, 전류 측정용의 프로브(15)마다 갖고 있다. 또한, 도 2 등에 있어서는, 설명의 편의상 불필요한 스위치 및 배선의 도시를 적절히 생략하고 있다. 또한, 전류 측정부(18)의 부극측의 단자는 접지되어 있다.The current measuring unit 18 is configured to measure a flowing current. As shown in Fig. 2 and the like, the signal switching unit 26 includes a switch capable of switching the connected/disconnected state between the probe 15 for current measurement and the terminal on the positive electrode side of the current measurement unit 18. It has each probe 15 for measurement. In addition, in Fig. 2 and the like, unnecessary illustrations of switches and wiring are omitted for convenience of explanation. In addition, the terminal on the negative electrode side of the current measuring unit 18 is grounded.

제어부(27)는, 신호 절환부(26)의 상기 스위치를 적절히 제어함으로써, 전류 측정용의 각 프로브(15)를, 전류 공급부(17)에 접속한 상태, 전류 측정부(18)에 접속한 상태, 또는 전류 공급부(17)와 전류 측정부(18) 중 어느 쪽에도 접속하고 있지 않은 상태, 중 어느 하나의 상태로 절환할 수 있다.The control unit 27 properly controls the switch of the signal switching unit 26 so that each probe 15 for current measurement is connected to the current supply unit 17 and connected to the current measurement unit 18. The state can be switched to either the state or the state in which neither of the current supply unit 17 and the current measurement unit 18 is connected.

예를 들어 도 4와 같이, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제1 회로 패턴(41)의 검사점(43)에 접촉하고 있는 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 공급부(17)에 접속한다. 또한 이때, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제1 회로 패턴(41)이 다른 검사점(44)에 접촉하고 있는 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 측정부(18)에 접속한다. 또한 이때, 제어부(27)는, 상기 이외의 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 공급부(17)에도 전류 측정부(18)에도 접속하지 않는 상태로 해 둔다. 이에 의해, 제1 회로 패턴(41)의 검사점(43, 44) 사이에 소정의 전류를 전류 공급부(17)에 의해 공급함과 함께, 이 때 흐르는 전류의 크기를 전류 측정부(18)에 의해 측정할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the control unit 27 appropriately controls the signal switching unit 26 to allow the current measurement probe 15 in contact with the inspection point 43 of the first circuit pattern 41. , Connected to the current supply unit 17. In addition, at this time, the control unit 27 appropriately controls the signal switching unit 26 so that the first circuit pattern 41 is in contact with the other test point 44 and the current measurement probe 15 Connect to (18). In addition, at this time, the control unit 27 makes the current measurement probe 15 other than the above not connected to the current supply unit 17 or the current measurement unit 18. Accordingly, a predetermined current is supplied by the current supply unit 17 between the test points 43 and 44 of the first circuit pattern 41, and the magnitude of the current flowing at this time is determined by the current measurement unit 18. Can be measured.

마찬가지로, 예를 들어 도 5와 같이, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제2 회로 패턴(42)의 검사점(45)에 접촉하고 있는 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 공급부(17)에 접속한다. 또한 이때, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제2 회로 패턴(42)이 다른 검사점(46)에 접촉하고 있는 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 측정부(18)에 접속한다. 또한 이때, 제어부(27)는, 상기 이외의 전류 측정용의 프로브(15)를, 전류 공급부(17)에도 전류 측정부(18)에도 접속하지 않는 상태로 해 둔다. 이에 의해, 제2 회로 패턴(42)의 검사점(45, 46) 사이에 소정의 전류를 전류 공급부(17)에 의해 공급함과 함께, 이 때 흐르는 전류의 크기를 전류 측정부(18)에 의해 측정할 수 있다.Likewise, for example, as shown in FIG. 5, the control unit 27 properly controls the signal switching unit 26 to provide a current measurement probe 15 in contact with the inspection point 45 of the second circuit pattern 42. ) Is connected to the current supply unit 17. In addition, at this time, the control unit 27 appropriately controls the signal switching unit 26, so that the second circuit pattern 42 is in contact with the other inspection point 46 and the current measurement probe 15 Connect to (18). In addition, at this time, the control unit 27 makes the current measurement probe 15 other than the above not connected to the current supply unit 17 or the current measurement unit 18. Accordingly, a predetermined current is supplied by the current supply unit 17 between the inspection points 45 and 46 of the second circuit pattern 42, and the magnitude of the current flowing at this time is determined by the current measurement unit 18. Can be measured.

이상과 같이, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 회로 기판(11)이 구비하는 임의의 회로 패턴에 대해 전류를 공급함과 함께, 그때 해당 회로 패턴에 흐르는 전류의 크기를 측정할 수 있다.As described above, by appropriately controlling the signal switching unit 26, the control unit 27 supplies current to an arbitrary circuit pattern provided in the circuit board 11, and adjusts the magnitude of the current flowing through the circuit pattern at that time. Can be measured.

전압 측정부(19)는 전압을 측정할 수 있도록 구성되어 있다. 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 신호 절환부(26)는 전압 측정용의 프로브(15)와, 전압 측정부(19)의 정극측의 단자 사이의 접속/비접속 상태를 절환 가능한 스위치를, 전압 측정용의 프로브(15)마다 갖고 있다. 또한, 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 신호 절환부(26)는 전압 측정용의 프로브(15)와, 전압 측정부(19)의 부극측의 단자 사이의 접속/비접속 상태를 절환 가능한 스위치를, 전압 측정용의 프로브(15)마다 갖고 있다. 또한, 도 2 등에 있어서는, 설명의 편의상 불필요한 스위치 및 배선의 도시를 적절히 생략하고 있다.The voltage measuring unit 19 is configured to measure a voltage. As shown in FIG. 2 and the like, the signal switching unit 26 includes a switch capable of switching the connected/disconnected state between the probe 15 for voltage measurement and the terminal on the positive electrode side of the voltage measurement unit 19. It has each probe 15 for measurement. In addition, as shown in Fig. 2 and the like, the signal switching unit 26 includes a switch capable of switching the connected/disconnected state between the probe 15 for voltage measurement and the terminal on the negative electrode side of the voltage measurement unit 19. And each probe 15 for voltage measurement. In addition, in Fig. 2 and the like, unnecessary illustrations of switches and wiring are omitted for convenience of explanation.

또한, 도 2 등에 도시하는 바와 같이, 신호 절환부(26)는, 전압 측정용의 프로브(15)끼리를 단락하는 상호 접속 버스(31)를 갖고 있다. 또한 신호 절환부(26)는, 상기 상호 접속 버스(31)와, 전압 측정용의 프로브(15) 사이의 접속/비접속 상태를 절환 가능한 스위치를, 전압 측정용의 프로브(15)마다 갖고 있다. 또한, 도 2 등에 있어서는, 설명의 편의상 불필요한 스위치 및 상호 접속 버스(31)의 도시를 적절히 생략하고 있다.Further, as shown in Fig. 2 or the like, the signal switching unit 26 has an interconnection bus 31 for shorting the voltage measurement probes 15 to each other. Further, the signal switching unit 26 has a switch capable of switching the connected/disconnected state between the interconnection bus 31 and the voltage measurement probe 15 for each voltage measurement probe 15. . In addition, in Fig. 2 and the like, unnecessary illustrations of switches and interconnection buses 31 are omitted for convenience of explanation.

제어부(27)는, 신호 절환부(26)의 상기 스위치를 적절히 제어함으로써, 복수의 회로 패턴을 경유한 전압 측정 루프를 형성할 수 있다.The control unit 27 can form a voltage measurement loop through a plurality of circuit patterns by appropriately controlling the switch of the signal switching unit 26.

예를 들어 도 2의 예에서는, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제1 회로 패턴(41)의 검사점(43)에 접촉하고 있는 전압 측정용의 프로브(15)를, 전압 측정부(19)의 정극측 단자에 접속한다. 또한 이때, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제2 회로 패턴(42)의 검사점(45)에 접촉하고 있는 전압 측정용의 프로브(15)를, 전압 측정부(19)의 부극측 단자에 접속한다. 또한, 이때, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 제1 회로 패턴(41)의 검사점(44)에 접촉하고 있는 전압 측정용의 프로브(15)와, 제2 회로 패턴(42)의 검사점(46)에 접촉하고 있는 전압 측정용의 프로브(15)를, 상호 접속 버스(31)에 의해 접속한다. 이에 의해, 도 2의 예에서는, 제1 회로 패턴(41) 및 제2 회로 패턴(42)을 경유한 전압 측정 루프가 형성되어 있다.For example, in the example of Fig. 2, the control unit 27 properly controls the signal switching unit 26, so that the voltage measurement probe 15 in contact with the inspection point 43 of the first circuit pattern 41 Is connected to the positive electrode side terminal of the voltage measuring unit 19. In addition, at this time, the control unit 27 appropriately controls the signal switching unit 26 so that the voltage measurement probe 15 in contact with the inspection point 45 of the second circuit pattern 42 is connected to the voltage measurement unit ( Connect to the negative terminal of 19). In addition, at this time, the control unit 27 properly controls the signal switching unit 26 to provide a voltage measurement probe 15 and a second circuit contacting the test point 44 of the first circuit pattern 41. The probe 15 for voltage measurement, which is in contact with the inspection point 46 of the pattern 42, is connected by an interconnection bus 31. Thereby, in the example of FIG. 2, the voltage measurement loop through the 1st circuit pattern 41 and the 2nd circuit pattern 42 is formed.

전압 측정 루프를 알기 쉽게 나타내기 위해, 도 2의 회로를 더욱 모식적으로 하여 도 3에 도시한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 전압 측정 루프(29)는, 폐쇄된 루프 형상으로 형성된 전기 회로이며, 그 도중에 전압 측정부(19)가 직렬로 삽입되어 있다. 도 2 및 도 3에 예시한 전압 측정 루프(29)는, 제1 회로 패턴(41) 및 제2 회로 패턴(42)을 경유해서 형성되어 있다. In order to clearly show the voltage measurement loop, the circuit of FIG. 2 is further schematically shown in FIG. 3. As shown in Fig. 3, the voltage measurement loop 29 is an electric circuit formed in a closed loop shape, and a voltage measurement unit 19 is inserted in series in the middle. The voltage measurement loop 29 illustrated in FIGS. 2 and 3 is formed via the first circuit pattern 41 and the second circuit pattern 42.

이상의 구성에 의해, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 회로 기판(11)이 구비하는 임의의 회로 패턴을 경유시켜 전압 측정 루프(29)를 형성할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태의 제어부(27)와 신호 절환부(26)는 전압 측정 루프 형성부라고 말할 수 있다.With the above configuration, the control unit 27 can form the voltage measurement loop 29 via an arbitrary circuit pattern provided in the circuit board 11 by appropriately controlling the signal switching unit 26. Therefore, it can be said that the control unit 27 and the signal switching unit 26 of the present embodiment are voltage measurement loop forming units.

계속해서, 본 실시 형태의 기판 검사 장치(10)를 사용한 기판 검사 방법에 대해서, 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.Subsequently, a substrate inspection method using the substrate inspection apparatus 10 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

우선, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 측정 대상의 복수의 회로 패턴을 경유시켜, 전압 측정 루프를 구성한다(전압 측정 루프 형성 공정). 이 모습을, 도 2에 예시한다. 도 2의 경우, 회로 기판(11)에 형성된 제1 회로 패턴(41) 및 제2 회로 패턴(42)이 측정 대상으로 되어 있다. 이 도 2의 경우, 제어부(27)는, 측정 대상의 제1 회로 패턴(41) 및 제2 회로 패턴(42)을 경유시켜, 전압 측정 루프(29)를 형성하고 있다(도 3 참조).First, the control unit 27 properly controls the signal switching unit 26 to configure a voltage measurement loop via a plurality of circuit patterns to be measured (voltage measurement loop formation step). This state is illustrated in FIG. 2. In the case of FIG. 2, the first circuit pattern 41 and the second circuit pattern 42 formed on the circuit board 11 are objects to be measured. In the case of Fig. 2, the control unit 27 forms the voltage measurement loop 29 via the first circuit pattern 41 and the second circuit pattern 42 as a measurement object (see Fig. 3).

계속해서, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 측정 대상의 회로 패턴의 검사점에 접촉하고 있는 프로브(15)의 어느 것도 전류 공급부(17)에 접속하고 있지 않은 상태로 한다(도 2의 상태). 이에 의해, 측정 대상의 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)의 어느 것에도 전류가 공급되어 있지 않은 상태가 된다.Subsequently, the control unit 27 properly controls the signal switching unit 26 so that none of the probes 15 in contact with the inspection point of the circuit pattern to be measured are connected to the current supply unit 17. (The state of Fig. 2). As a result, the current is not supplied to any of the first and second circuit patterns 41 and 42 to be measured.

이 상태에서, 제어부(27)는 전압 측정부(19)에 의해 전압을 측정한다(보정 전압 측정 공정). 이에 의해, 전압 측정 루프(29)에 발생하고 있는 열기전력이 전압 측정부(19)의 측정 결과에 미치는 영향의 크기(V0)(이하, 간단히 「열기전력(V0)」이라고 칭함)을 측정할 수 있다. 제어부(27)는 이때 측정한 열기전력(V0)의 값을 기억해 둔다.In this state, the control unit 27 measures the voltage by the voltage measurement unit 19 (correction voltage measurement process). Thereby, the magnitude of the influence (V 0 ) of the thermoelectric power generated in the voltage measurement loop 29 on the measurement result of the voltage measurement unit 19 (hereinafter, simply referred to as “thermomotive force (V 0 )”) is determined. Can be measured. The control unit 27 memorizes the measured thermoelectric power (V 0 ) value.

계속해서, 제어부(27)는 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하여, 그 때 흐르는 전류의 크기를 전류 측정부(18)에 의해 측정함과 함께, 그 때 생긴 전위차(전압 강하)를 전압 측정부(19)에 의해 측정한다(제1 및 제2 회로 패턴 측정 공정). 제어부(27)는, 상기의 회로 패턴 측정 공정을, 측정 대상의 회로 패턴(41, 42)의 각각에 대해 실시한다.Subsequently, the control unit 27 supplies a current to the circuit pattern to be measured, measures the magnitude of the current flowing at that time by the current measuring unit 18, and measures the potential difference (voltage drop) generated at that time. It measures by the part 19 (the 1st and 2nd circuit pattern measurement process). The control unit 27 performs the circuit pattern measurement step described above for each of the circuit patterns 41 and 42 to be measured.

예를 들어 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 도 4에 도시하는 바와 같이, 측정 대상인 제1 회로 패턴(41)의 2개의 검사점(43, 44) 사이에 전류를 공급한다. 그리고 제어부(27)는, 이 때 흐르는 전류의 크기를 전류 측정부(18)에 의해 검출한다. 이때의 전류 측정부(18)에 의한 전류의 측정 결과를 i1로 한다. 제1 회로 패턴(41)의 2개의 검사점(43, 44) 사이의 전기 저항을 R1로 하면, 검사점(43, 44) 사이에는 전압 강하(i1R1)이 생길 것이다. 제어부(27)는, 검사점(43, 44) 사이에 생긴 전압 강하를 전압 측정부(19)에 의해 측정한다. 이때의 전압 측정부(19)에 의한 전압 강하의 측정 결과를 V1로 한다. 설명의 편의상, 이상의 측정을 「제1 회로 패턴 측정 공정」이라고 칭한다.For example, by appropriately controlling the signal switching unit 26, the control unit 27 transfers a current between the two inspection points 43 and 44 of the first circuit pattern 41 to be measured, as shown in FIG. 4. Supply. Then, the control unit 27 detects the magnitude of the current flowing at this time by the current measurement unit 18. The current measurement result by the current measuring unit 18 at this time is taken as i 1 . When the electrical resistance between the two check points 43 and 44 of the first circuit pattern 41 is R 1 , a voltage drop (i 1 R 1 ) will occur between the check points 43 and 44. The control unit 27 measures the voltage drop generated between the inspection points 43 and 44 by the voltage measurement unit 19. The voltage drop measurement result by the voltage measuring unit 19 at this time is set to V 1 . For convenience of explanation, the above measurement is referred to as a "first circuit pattern measurement process".

또한, 상기의 회로 패턴 측정 공정에서, 전압 측정 루프 형성부(제어부(27) 및 신호 절환부(26))는, 전압 측정용의 프로브(15)가 접속되어 있는 스위치의 상태를, 보정 전압 측정 공정의 상태로부터 변경하지 않도록 구성되어 있다. 따라서, 상기의 제1 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정 루프(29)의 구성(도 4)은, 보정 전압 측정 공정에서 열기전력(V0)을 측정했을 때의 상태(도 2 및 도 3의 상태)로부터 변하지 않는 것을 지적해 둔다. 즉, 도 2 및 도 3의 전압 측정 루프(29)는, 측정 대상의 제1 회로 패턴(41)을 경유해서 구성되어 있다. 따라서, 그 전압 측정 루프(29) 중에 배치된 전압 측정부(19)는, 그대로의 상태에서 제1 회로 패턴(41)을 측정할 수 있는 것이다.Further, in the circuit pattern measurement step described above, the voltage measurement loop forming unit (control unit 27 and signal switching unit 26) measures the state of the switch to which the voltage measurement probe 15 is connected, and measures the corrected voltage. It is configured not to change from the state of the process. Therefore, the configuration (FIG. 4) of the voltage measurement loop 29 in the first circuit pattern measurement process described above is in the state when the thermoelectric power V 0 is measured in the correction voltage measurement process (FIGS. 2 and 3 Point out what does not change from the state). That is, the voltage measurement loop 29 of FIGS. 2 and 3 is configured via the first circuit pattern 41 to be measured. Accordingly, the voltage measurement unit 19 disposed in the voltage measurement loop 29 is capable of measuring the first circuit pattern 41 as it is.

마찬가지로, 제어부(27)는 신호 절환부(26)를 적절히 제어함으로써, 도 5에 도시하는 바와 같이, 또 하나의 측정 대상인 제2 회로 패턴(42)의 2개의 검사점(45, 46) 사이에 전류를 공급한다. 그리고 제어부(27)는 이 때 흐르는 전류의 크기를 전류 측정부(18)에 의해 검출한다. 이때의 전류 측정부(18)에 의한 전류의 측정 결과를 i2로 한다. 제2 회로 패턴(42)의 2개의 검사점(45, 46) 사이의 전기 저항을 R2로 하면, 검사점(45, 46) 사이에는 전압 강하(i2R2)가 생길 것이다. 제어부(27)는 검사점(45, 46) 사이에 생긴 전압 강하를 전압 측정부(19)에 의해 측정한다. 이때의 전압 측정부(19)에 의한 전압 강하의 측정 결과를 V2로 한다. 설명의 편의상, 이상의 측정을 「제2 회로 패턴 측정 공정」이라고 칭한다.Similarly, by appropriately controlling the signal switching unit 26, the control unit 27, as shown in Fig. 5, between the two inspection points 45 and 46 of the second circuit pattern 42, which is another measurement object. Supply current. Then, the control unit 27 detects the magnitude of the current flowing at this time by the current measuring unit 18. The current measurement result by the current measuring unit 18 at this time is set to i 2 . If the electrical resistance between the two check points 45 and 46 of the second circuit pattern 42 is R 2 , a voltage drop (i 2 R 2 ) will occur between the check points 45 and 46. The control unit 27 measures the voltage drop generated between the inspection points 45 and 46 by the voltage measurement unit 19. The voltage drop measurement result by the voltage measuring unit 19 at this time is set to V 2 . For convenience of explanation, the above measurement is referred to as a "second circuit pattern measurement process".

또한, 상기의 제2 회로 패턴 측정 공정(도 5)에 있어서의 전압 측정 루프(29)의 구성은, 보정 전압 측정 공정에서 열기전력(V0)을 측정했을 때의 상태(도 2 및 도 3의 상태)로부터 변하지 않는 것을 지적해 둔다. 즉, 도 2 및 도 3의 전압 측정 루프(29)는, 측정 대상의 제2 회로 패턴(42)을 경유해서 구성되어 있다. 따라서, 그 전압 측정 루프(29) 중에 배치된 전압 측정부(19)는 그대로의 상태에서 제2 회로 패턴(42)을 측정할 수 있는 것이다.In addition, the configuration of the voltage measurement loop 29 in the above second circuit pattern measurement process (Fig. 5) is in the state when the thermoelectric power V 0 is measured in the correction voltage measurement process (Figs. 2 and 3). Point out what does not change from That is, the voltage measurement loop 29 of FIGS. 2 and 3 is configured via the second circuit pattern 42 to be measured. Accordingly, the voltage measurement unit 19 disposed in the voltage measurement loop 29 is capable of measuring the second circuit pattern 42 as it is.

그런데, 전압 측정 루프(29)에는 제베크 효과에 의한 열기전력이 생길 수 있으므로, 제1 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 강하의 측정 결과(V1) 및 제2 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 강하의 측정 결과(V2)에는, 각각 열기전력의 영향이 포함되어 있다. 그러나 전술한 바와 같이, 제1 회로 패턴 측정 공정(도 4)에 있어서도, 제2 회로 패턴 측정 공정(도 5)에 있어서도, 전압 측정 루프(29)의 구성은 보정 전압 측정 공정(도 2 및 도 3)의 시점부터 변화하지 않는다. 따라서, 그 전압 측정 루프(29)에 생기는 열기전력은, 보정 전압 측정 공정, 제1 회로 패턴 측정 공정 및 제2 회로 패턴 측정 공정을 통해서 변화하지 않는다고 간주할 수 있다.However, since thermoelectric power due to the Seebeck effect may be generated in the voltage measurement loop 29, the measurement result of the voltage drop in the first circuit pattern measurement process (V 1 ) and the voltage drop in the second circuit pattern measurement process In the measurement result V 2 , the influence of thermoelectric power is included, respectively. However, as described above, also in the first circuit pattern measurement process (FIG. 4) and in the second circuit pattern measurement process (FIG. 5), the configuration of the voltage measurement loop 29 is the corrected voltage measurement process (FIG. 2 and FIG. It does not change from the point of 3). Therefore, it can be considered that the thermoelectric power generated in the voltage measurement loop 29 does not change through the correction voltage measurement process, the first circuit pattern measurement process, and the second circuit pattern measurement process.

즉, 제1 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V1)는, 보정 전압 측정 공정에서 측정된 열기전력(V0)을 사용해서 수학식 2와 같이 표현할 수 있다.That is, the measurement result V 1 of the voltage measurement unit 19 in the first circuit pattern measurement process can be expressed as Equation 2 using the thermoelectric power V 0 measured in the correction voltage measurement process.

V1=i1R1+V0 수학식 2V 1 =i 1 R 1 +V 0 Equation 2

마찬가지로, 제2 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V2)는, 보정 전압 측정 공정에서 측정된 열기전력(V0)을 사용해서 수학식 3과 같이 표현할 수 있다.Likewise, the measurement result V 2 of the voltage measuring unit 19 in the second circuit pattern measurement process can be expressed as Equation 3 using the thermoelectric power V 0 measured in the correction voltage measurement process.

V2=i2R2+V0 수학식 3V 2 =i 2 R 2 +V 0 Equation 3

따라서 제어부(27)는, 제1 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V1)와, 제2 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V2)를, 각각, 보정 전압 측정 공정에서 측정한 열기전력(V0)의 값을 사용해서 보정한다(보정 공정).Accordingly, the control unit 27 includes a measurement result V 1 of the voltage measurement unit 19 in the first circuit pattern measurement process and a measurement result V 2 of the voltage measurement unit 19 in the second circuit pattern measurement process. ), respectively, using the value of thermoelectric power (V 0 ) measured in the correction voltage measurement process (correction process).

보다 구체적으로는, 제어부(27)는, 제1 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V1)로부터, 보정 전압 측정 공정에서 측정한 열기전력(V0)을 감산함으로써, 열기전력의 영향을 상쇄한다(수학식 4 참조).More specifically, the control unit 27 subtracts the thermoelectric power (V 0 ) measured in the correction voltage measurement process from the measurement result (V 1 ) of the voltage measurement unit 19 in the first circuit pattern measurement process. , Offset the effect of thermoelectric power (see Equation 4).

V1-V0=i1R1 수학식 4V 1 -V 0 =i 1 R 1 Equation 4

이에 의해, 제어부(27)는 제1 회로 패턴(41)에 생겼던 전압 강하의 크기(i1R1)를 정확하게 취득할 수 있다.Thereby, the control unit 27 can accurately acquire the magnitude (i 1 R 1 ) of the voltage drop occurring in the first circuit pattern 41.

마찬가지로, 제어부(27)는, 제2 회로 패턴 측정 공정에서의 전압 측정부(19)의 측정 결과(V2)로부터, 보정 전압 측정 공정에서 측정한 열기전력(V0)을 감산함으로써, 열기전력의 영향을 상쇄한다(수학식 5 참조).Similarly, the control unit 27 subtracts the thermoelectric power (V 0 ) measured in the correction voltage measurement process from the measurement result (V 2 ) of the voltage measurement unit 19 in the second circuit pattern measurement process, Offset the effect of (see Equation 5).

V2-V0=i2R2 수학식 5V 2 -V 0 =i 2 R 2 Equation 5

이에 의해, 제어부(27)는 제2 회로 패턴(42)에 생겼던 전압 강하의 크기(i2R2)를 정확하게 취득할 수 있다.Thereby, the control unit 27 can accurately acquire the magnitude (i 2 R 2 ) of the voltage drop that occurred in the second circuit pattern 42.

이상과 같이, 본 실시 형태의 기판 검사 장치(10)를 사용한 기판 검사 방법에 의하면, 열기전력의 영향을 제거하여, 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)에 생긴 전압 강하를 정확하게 측정할 수 있다.As described above, according to the substrate inspection method using the substrate inspection apparatus 10 of the present embodiment, the influence of the thermoelectric power is removed, and the voltage drop generated in the first and second circuit patterns 41 and 42 can be accurately measured. I can.

또한, 종래의 검사 방법에서는, 열기전력의 영향을 제거하기 위해, 각 회로 패턴에 대해 2회의 전압 측정이 필요했다. 따라서, 종래의 검사 방법에서 2개의 회로 패턴(41, 42)을 측정하기 위해서는, 합계 4회의 전압 측정이 필요하다.In addition, in the conventional inspection method, in order to eliminate the influence of thermoelectric power, it is necessary to measure the voltage twice for each circuit pattern. Therefore, in order to measure the two circuit patterns 41 and 42 in the conventional inspection method, a total of four voltage measurements are required.

이에 대해, 본 실시 형태의 기판 검사 방법에 의하면, 2개의 회로 패턴(41, 42)을 측정하기 위해 필요한 전압 측정의 횟수는, 합계 3회(보정 전압 측정 공정, 제1 회로 패턴 측정 공정 및 제2 회로 패턴 측정 공정)이면 된다. 이와 같이, 본 실시 형태의 검사 방법에 의하면, 측정 횟수를, 종래의 4회로부터 3회로 저감시킬 수 있다. 따라서, 종래에 비해, 단순 계산으로 약 1.33배의 측정 속도 향상을 실현할 수 있다.On the other hand, according to the board inspection method of the present embodiment, the number of voltage measurements required to measure the two circuit patterns 41 and 42 is 3 times in total (correction voltage measurement process, first circuit pattern measurement process, and 2 circuit pattern measurement process). As described above, according to the inspection method of the present embodiment, the number of times of measurement can be reduced from four to three. Therefore, compared with the prior art, it is possible to realize a measurement speed improvement of about 1.33 times by simple calculation.

또한, 보정 전압 측정 공정은 열기전력(V0)만을 측정하면 되므로, 회로 패턴 측정 공정에 비해 고속으로 완료시키는 것이 가능하다. 즉, 보정 전압 측정 공정에서는, 어떠한 회로 패턴에도 전류를 흘리지 않으므로, 돌입 전류가 없어, 전압을 바로 측정할 수 있다. 따라서, 이 보정 전압 측정 공정에서의 전압 측정은, 회로 패턴에 전류를 공급해서 행하는 전압 측정의 1회분보다도 고속화할 수 있다. 이와 같이, 보정 전압 측정 공정을 고속화할 수 있는 만큼, 본 실시 형태의 기판 검사 방법은, 종래의 검사 방법의 1.33배보다도 더 고속화하는 것도 가능하다.In addition, since the correction voltage measurement process only needs to measure thermoelectric power (V 0 ), it is possible to complete it at a higher speed compared to the circuit pattern measurement process. That is, in the correction voltage measurement process, since no current flows through any circuit pattern, there is no rush current, and the voltage can be measured immediately. Therefore, the voltage measurement in this correction voltage measurement step can be made faster than one time of voltage measurement performed by supplying a current to the circuit pattern. In this way, the substrate inspection method of the present embodiment can be made higher than 1.33 times that of the conventional inspection method as much as the correction voltage measurement process can be accelerated.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태의 전압 측정 루프 형성부(제어부(27) 및 신호 절환부(26))는, 측정 대상의 복수의 회로 패턴(41, 42)을 경유해서 전압 측정 루프(29)를 형성한다. 제어부(27)는 보정 전압 측정 공정에서, 상기 측정 대상의 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)의 어느 것에도 전류를 공급하지 않는 상태에서, 전압 측정부(19)에 의해 열기전력(V0)을 측정한다. 제어부(27)는 회로 패턴 측정 공정에서, 측정 대상의 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42) 중 어느 하나에 전류를 공급한 상태에서, 전압 측정부(19)에 의해 전압 강하를 측정한다. 또한 제어부(27)는 보정 공정에서, 상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압 강하를, 보정 전압 측정 공정에서 측정된 열기전력(V0)의 값을 사용해서 보정한다.As described above, the voltage measurement loop forming unit (control unit 27 and signal switching unit 26) of the present embodiment is a voltage measurement loop 29 via a plurality of circuit patterns 41 and 42 to be measured. ) To form. In the correction voltage measurement process, the control unit 27 uses the voltage measurement unit 19 to perform thermoelectric power (in a state in which no current is supplied to any of the first and second circuit patterns 41 and 42 to be measured). V 0 ) is measured. In the circuit pattern measurement process, the control unit 27 measures a voltage drop by the voltage measurement unit 19 in a state in which a current is supplied to any one of the first and second circuit patterns 41 and 42 to be measured. . In addition, in the correction process, the controller 27 corrects the voltage drop measured in the circuit pattern measurement process using the value of the thermoelectric power V 0 measured in the correction voltage measurement process.

이상의 보정 전압 측정 공정에 의해, 전압 측정 루프(29)에 생기는 열기전력(V0)을 측정할 수 있다. 따라서, 보정 전압 측정 공정에서 측정된 열기전력(V0)의 값을 사용하여, 그 열기전력(V0)의 영향을 제거하는 보정을 행할 수 있다. 보정 전압 측정 공정에서는, 어떠한 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)에도 전류를 흘리지 않으므로, 돌입 전력이 없어, 전압을 바로 측정할 수 있다. 이 때문에, 보정 전압 측정 공정은, 회로 패턴의 전압 강하를 측정하는 경우에 비해, 고속으로 완료시키는 것이 가능하다. 따라서, 종래의 검사 방법에 비해, 측정에 드는 시간을 단축할 수 있다.By the above correction voltage measurement process, the thermoelectric power V 0 generated in the voltage measurement loop 29 can be measured. Accordingly, by using the value of the thermoelectric power V 0 measured in the correction voltage measurement process, correction to remove the influence of the thermoelectric power V 0 can be performed. In the correction voltage measurement process, since no current flows through any of the first and second circuit patterns 41 and 42, there is no rush power, and the voltage can be measured immediately. For this reason, it is possible to complete the correction voltage measurement process at a higher speed compared to the case of measuring the voltage drop of the circuit pattern. Therefore, compared with the conventional inspection method, the time required for measurement can be shortened.

또한, 본 실시 형태의 제어부(27)는 회로 패턴 측정 공정 및 보정 공정을, 측정 대상의 복수의 회로 패턴(41, 42)의 각각에 대해 실행한다.In addition, the control unit 27 of this embodiment performs a circuit pattern measurement process and a correction process for each of the plurality of circuit patterns 41 and 42 to be measured.

즉, 본 실시 형태에서는, 측정 대상의 복수의 회로 패턴(41, 42)을 경유해서 전압 측정 루프(29)를 형성하고 있으므로, 1개의 전압 측정 루프(29)에 의해 복수의 회로 패턴(41, 42)을 측정할 수 있다. 열기전력(V0)은 1번 측정해 두면 되고, 측정 대상의 각 회로 패턴의 측정도 1회씩이어도 된다. 따라서, 열기전력의 영향을 제거하기 위해 회로 패턴마다 2회의 측정이 필요한 종래의 검사 방법에 비해, 측정 횟수를 저감시켜, 측정에 필요한 시간을 단축할 수 있다.That is, in the present embodiment, since the voltage measurement loop 29 is formed via the plurality of circuit patterns 41 and 42 to be measured, a plurality of circuit patterns 41, 42) can be measured. Thermoelectric power (V 0 ) can be measured once, and each circuit pattern to be measured may be measured once. Therefore, compared to the conventional inspection method, which requires two measurements for each circuit pattern in order to eliminate the influence of thermoelectric power, the number of measurements can be reduced and the time required for measurement can be shortened.

다음에, 본 발명의 제2 실시 형태를 설명한다. 또한, 이 제2 실시 형태의 설명에 있어서는, 전술한 실시 형태와 동일 또는 유사한 부재에는 도면에 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략하는 경우가 있다.Next, a second embodiment of the present invention will be described. In addition, in the description of the second embodiment, members that are the same or similar to those of the above-described embodiment are given the same reference numerals in the drawings, and the description may be omitted.

상기의 제1 실시 형태에 있어서, 전압 측정 루프 형성부(제어부(27) 및 신호 절환부(26))는, 측정 대상의 2개의 회로 패턴(41, 42)을 경유시켜 전압 측정 루프(29)를 형성하고 있었다. 그러나, 전압 측정 루프(29)에 포함시키는 회로 패턴의 수는 2개로 한정되지 않고, 3개 이상이어도 된다.In the above-described first embodiment, the voltage measurement loop forming unit (control unit 27 and signal switching unit 26) is a voltage measurement loop 29 via two circuit patterns 41 and 42 to be measured. Was forming. However, the number of circuit patterns included in the voltage measurement loop 29 is not limited to two, but may be three or more.

예를 들어 도 6에 도시하는 제2 실시 형태는, 전압 측정 루프 형성부(제어부(27) 및 신호 절환부(26))가, 측정 대상의 5개의 회로 패턴(제1 회로 패턴(51), 제2 회로 패턴(52), 제3 회로 패턴(53), 제4 회로 패턴(54) 및 제5 회로 패턴(55))을 경유시켜, 전압 측정 루프를 형성한 예를 나타내고 있다.For example, in the second embodiment shown in Fig. 6, the voltage measurement loop forming unit (control unit 27 and signal switching unit 26) comprises five circuit patterns to be measured (first circuit pattern 51, An example in which a voltage measurement loop is formed through the second circuit pattern 52, the third circuit pattern 53, the fourth circuit pattern 54, and the fifth circuit pattern 55 is shown.

제2 실시 형태의 전압 측정 루프를 알기 쉽게 나타내기 위해, 도 6의 회로를 더욱 모식적으로 하여 도 7에 도시한다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제2 실시 형태의 전압 측정 루프(59)도 폐쇄된 루프 형상으로 형성되어 있고, 그 도중에 전압 측정부(19)가 직렬로 삽입되어 있다.In order to easily show the voltage measurement loop of the second embodiment, the circuit of FIG. 6 is further schematically shown in FIG. 7. Similar to the first embodiment, the voltage measurement loop 59 of the second embodiment is also formed in a closed loop shape, and the voltage measurement unit 19 is inserted in series in the middle.

이와 같이, 측정 대상의 5개의 회로 패턴(51, 52, 53, 54, 55)을 경유시켜 전압 측정 루프(59)를 형성하면, 1개의 전압 측정 루프(59)에 의해 5개의 회로 패턴(51, 52, 53, 54, 55)을 측정할 수 있다. 따라서 이 경우, 제어부(27)는, 제1 내지 제5 회로 패턴(51, 52, 53, 54, 55)의 어디에도 전류를 공급하지 않는 상태에서 열기전력(V0)을 측정함(보정 전압 측정 공정)과 함께, 5개의 회로 패턴(51, 52, 53, 54, 55) 각각에 대해 전압 강하의 측정(회로 패턴 측정 공정)을 행하고, 각각의 측정 결과를, 보정 전압 측정 공정에서 측정한 열기전력(V0)으로 보정한다(보정 공정). 따라서, 도 6 및 도 7에 도시한 제2 실시 형태의 전압 측정 루프(59)를 이용해서 측정을 행하는 경우, 제어부(27)는 1회의 보정 전압 측정 공정과, 5회의 회로 패턴 측정 공정의 합계 6회의 전압 측정을 행하게 된다.In this way, when the voltage measurement loop 59 is formed via the five circuit patterns 51, 52, 53, 54, 55 to be measured, the five circuit patterns 51 are formed by one voltage measurement loop 59. , 52, 53, 54, 55) can be measured. Therefore, in this case, the control unit 27 measures the thermoelectric power (V 0 ) in a state where no current is supplied to any of the first to fifth circuit patterns 51, 52, 53, 54, 55 (correction voltage measurement Process), the voltage drop measurement (circuit pattern measurement process) for each of the five circuit patterns 51, 52, 53, 54, 55 is performed, and each measurement result is opened as measured in the correction voltage measurement process. It is corrected with power (V 0 ) (correction process). Therefore, when measurement is performed using the voltage measurement loop 59 of the second embodiment shown in Figs. 6 and 7, the control unit 27 is the sum of one correction voltage measurement process and five circuit pattern measurement processes. Six voltage measurements are made.

이에 대해, 종래의 검사 방법에서는, 5개의 회로 패턴(51, 52, 53, 54, 55)의 각각에 대해 2회씩 전압 측정을 행할 필요가 있으므로, 합계 10회의 측정이 필요하다. 이와 같이, 도 6 및 도 7에 도시한 제2 실시 형태에 따르면, 측정 횟수를, 종래의 10회로부터 6회로 저감시킬 수 있으므로, 종래의 검사 방법에 비해, 단순 계산으로 약 1.66배의 측정 속도 향상을 실현할 수 있다. 따라서, 이 제2 실시 형태에서는, 제1 실시 형태(1.33배)보다도, 측정 속도를 향상시키는 효과가 높아져 있다.On the other hand, in the conventional inspection method, it is necessary to measure the voltage twice for each of the five circuit patterns 51, 52, 53, 54, and 55, so a total of 10 measurements are required. As described above, according to the second embodiment shown in Figs. 6 and 7, since the number of measurements can be reduced from 10 to 6, the measurement speed is about 1.66 times higher than that of the conventional inspection method by simple calculation. Improvement can be realized. Therefore, in this second embodiment, the effect of improving the measurement speed is higher than that in the first embodiment (1.33 times).

이와 같이, 본원 발명의 기판 검사 방법에 의하면, 전압 측정 루프에 포함되는 측정 대상의 회로 패턴의 수가 많을수록, 측정 속도를 향상시키는 효과를 보다 크게 할 수 있다. 전압 측정 루프에 포함시키는 회로 패턴의 수에 제한은 없으며, 제어부(27) 및 신호 절환부(26)가 대응 가능한 한 임의수의 회로 패턴을 경유시켜 전압 측정 루프를 형성할 수 있다. 예를 들어, 100개의 회로 패턴을 경유해서 전압 측정 루프를 형성하는 것도 가능하다.As described above, according to the substrate inspection method of the present invention, the greater the number of circuit patterns to be measured included in the voltage measurement loop, the greater the effect of improving the measurement speed can be. There is no limit to the number of circuit patterns included in the voltage measurement loop, and the control unit 27 and the signal switching unit 26 may form a voltage measurement loop through an arbitrary number of circuit patterns as possible. For example, it is also possible to form a voltage measurement loop via 100 circuit patterns.

이상에서 설명한 바와 같이, 제2 실시 형태의 전압 측정 루프(59)에는, 측정 대상의 회로 패턴이 3 이상(구체적으로는 5개) 포함되어 있다.As described above, in the voltage measurement loop 59 of the second embodiment, three or more (specifically, five) circuit patterns to be measured are included.

이와 같이, 다수의 회로 패턴을 경유시켜 전압 측정 루프(59)를 형성할 수 있다. 이에 의해, 1개의 전압 측정 루프(59)에 의해 측정할 수 있는 회로 패턴의 수가 많아지므로, 측정에 필요한 시간을 단축하는 효과를 높일 수 있다.In this way, the voltage measurement loop 59 may be formed through a plurality of circuit patterns. As a result, the number of circuit patterns that can be measured by one voltage measurement loop 59 increases, and thus the effect of shortening the time required for measurement can be enhanced.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명했지만, 상기의 구성은 예를 들어 이하와 같이 변경할 수 있다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the above configuration can be changed as follows, for example.

이상의 실시 형태에서는, 전압 측정 루프 형성부가, 측정 대상의 회로 패턴을 복수 경유시켜 전압 측정 루프를 형성하는 것으로 했다. 이에 의해, 1개의 전압 측정 루프에 의해 복수의 회로 패턴을 측정할 수 있으므로, 종래의 검사 방법에 비해 전압 측정의 횟수를 저감시킬 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 전압 측정 루프 형성부는, 측정 대상의 회로 패턴을 1개만 경유시켜 전압 측정 루프를 형성해도 된다. 이 경우, 그 전압 측정 루프에서는 1개의 회로 패턴만 측정할 수 있으므로, 보정 전압 측정 공정과, 회로 패턴 측정 공정이 각각 1회씩, 합계 2회의 측정이 필요해져, 측정 횟수의 면에서는 종래의 검사 방법과 다르지 않다. 그러나, 전술한 바와 같이, 보정 전압 측정 공정에서의 전압 측정은, 회로 패턴의 전압 강하를 측정하는 경우에 비해 고속으로 완료시키는 것이 가능하다. 따라서, 전압 측정 루프가 측정 대상의 회로 패턴을 1개만 경유하고 있는 경우라도, 종래의 검사 방법에 비해 측정 시간을 단축하는 효과를 얻을 수 있다.In the above embodiment, it is assumed that the voltage measurement loop forming unit forms a voltage measurement loop through a plurality of circuit patterns to be measured. Thereby, since a plurality of circuit patterns can be measured by one voltage measurement loop, the number of voltage measurements can be reduced compared to the conventional inspection method. However, the present invention is not limited thereto, and the voltage measurement loop forming unit may form a voltage measurement loop by passing only one circuit pattern to be measured. In this case, since only one circuit pattern can be measured in the voltage measurement loop, the correction voltage measurement process and the circuit pattern measurement process need to be measured twice in total, one each, and in terms of the number of measurements, conventional inspection methods Is not different from However, as described above, it is possible to complete the voltage measurement in the correction voltage measurement process at a higher speed compared to the case of measuring the voltage drop of the circuit pattern. Therefore, even when the voltage measurement loop passes only one circuit pattern to be measured, it is possible to obtain an effect of shortening the measurement time compared to the conventional inspection method.

상기 제1 실시 형태에서는, 전압 측정 루프(29)를 구성하는 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)은, 어느 것이나 회로 기판(11)의 상면과 하면을 도통하고 있는 것으로 했지만, 반드시 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시한 제2 실시 형태에서는, 회로 기판(11)의 상면에 형성된 제3 회로 패턴(53)을 경유시켜 전압 측정 루프(59)를 형성하고 있다. 이와 같이, 회로 기판의 상면과 하면을 도통하지 않는 회로 패턴을 경유해서, 전압 측정 루프를 형성할 수도 있다.In the first embodiment, the first and second circuit patterns 41 and 42 constituting the voltage measurement loop 29 are all connected to the upper surface and the lower surface of the circuit board 11. Not limited. For example, in the second embodiment shown in FIGS. 6 and 7, the voltage measurement loop 59 is formed via the third circuit pattern 53 formed on the upper surface of the circuit board 11. In this way, it is also possible to form a voltage measurement loop via a circuit pattern that does not conduct the upper and lower surfaces of the circuit board.

단, 전압 측정 루프에는, 회로 기판(11)의 양면을 도통하는 회로 패턴이 짝수개 포함되어 있는 것이 바람직하다.However, it is preferable that the voltage measurement loop contains an even number of circuit patterns that conduct both sides of the circuit board 11.

이를 설명하기 위해, 회로 기판(11)의 양면을 도통하는 회로 패턴이, 전압 측정 루프에 홀수개만 포함되어 있는 경우를, 도 8에 예시한다. 즉, 도 8의 예에서는, 제1 회로 패턴(51), 제2 회로 패턴(52), 제3 회로 패턴(53) 및 제4 회로 패턴(54)을 경유해서, 전압 측정 루프가 형성되어 있다. 이 4개의 회로 패턴 중, 회로 기판(11)의 양면을 도통하고 있는 것은, 제1 회로 패턴(51), 제2 회로 패턴(52) 및 제4 회로 패턴(54)의 3개(홀수)뿐이다.To illustrate this, a case in which only an odd number of circuit patterns for conducting both sides of the circuit board 11 are included in the voltage measurement loop is illustrated in FIG. 8. That is, in the example of FIG. 8, the voltage measurement loop is formed via the first circuit pattern 51, the second circuit pattern 52, the third circuit pattern 53, and the fourth circuit pattern 54. . Of these four circuit patterns, only three (odd) of the first circuit pattern 51, the second circuit pattern 52, and the fourth circuit pattern 54 are conducting both sides of the circuit board 11 .

이와 같이, 회로 기판(11)의 양면을 도통하는 회로 패턴이, 전압 측정 루프에 홀수개만 포함되어 있는 경우라도, 본원 발명을 적용할 수 있다. 단 이 경우, 전압 측정 루프를 폐쇄하기 위해, 제1 검사부(21)측과, 제2 검사부(22)측을 접속하는 배선(60)이 별도 필요하게 된다(도 8 참조). 이 때문에, 전압 측정 루프의 면적이 커져, 노이즈의 영향을 받기 쉬워진다.In this way, the present invention can be applied even when only an odd number of circuit patterns for conducting both sides of the circuit board 11 are included in the voltage measurement loop. However, in this case, in order to close the voltage measurement loop, a wiring 60 connecting the first inspection unit 21 side and the second inspection unit 22 side is required separately (see Fig. 8). For this reason, the area of the voltage measurement loop becomes large, and it becomes easy to be affected by noise.

이 점, 제1 실시 형태(도 2)나 제2 실시 형태(도 6)와 같이, 회로 기판(11)의 양면을 도통하는 회로 패턴이, 전압 측정 루프에 짝수개 포함되어 있으면, 상기와 같은 배선(60)을 필요로 하지 않고 전압 측정 루프를 폐쇄할 수 있다. 이에 의해, 전압 측정 루프의 면적이 작아지므로, 노이즈의 영향을 받기 어려워져, 측정 정밀도를 향상시킬 수 있다.In this regard, as in the first embodiment (FIG. 2) or the second embodiment (FIG. 6), if an even number of circuit patterns for conducting both sides of the circuit board 11 are included in the voltage measurement loop, the same as above. The voltage measurement loop can be closed without the need for wiring 60. As a result, since the area of the voltage measurement loop is reduced, it is difficult to be affected by noise, and measurement accuracy can be improved.

또한, 전압 측정 루프에는, 회로 기판(11)의 양면을 도통하는 회로 패턴이 전혀 포함되어 있지 않아도 된다. 예를 들어, 전압 측정 루프는, 회로 기판(11)의 상면(제1 면)에 형성된 회로 패턴(예를 들어 도 6의 제3 회로 패턴(53)과 같은 것)만을 경유해서 형성되어 있어도 된다. 또한, 이 경우, 회로 기판(11)의 상면측만으로 측정을 행할 수 있으므로, 제2 검사부(22)는 생략할 수도 있다. 또한 예를 들어, 전압 측정 루프는, 회로 기판(11)의 하면(제2 면)에 형성된 회로 패턴만을 경유해서 형성되어 있어도 된다. 또한, 이 경우, 회로 기판(11)의 하면측만으로 측정을 행할 수 있으므로, 제1 검사부(21)는 생략할 수도 있다.In addition, the voltage measurement loop does not need to contain any circuit patterns that conduct both sides of the circuit board 11. For example, the voltage measurement loop may be formed via only a circuit pattern formed on the upper surface (first surface) of the circuit board 11 (for example, the same as the third circuit pattern 53 in FIG. 6 ). . Further, in this case, since measurement can be performed only on the upper surface side of the circuit board 11, the second inspection unit 22 may be omitted. Further, for example, the voltage measurement loop may be formed via only a circuit pattern formed on the lower surface (second surface) of the circuit board 11. In this case, since measurement can be performed only on the lower surface side of the circuit board 11, the first inspection unit 21 may be omitted.

상기 실시 형태에서는, 전압 측정 루프에 포함되는 회로 패턴의 모두에 대해, 전압 강하를 측정하고 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 전압 측정 루프에 포함되는 회로 패턴의 몇 개는, 전압 강하를 측정하지 않아도 된다. 즉, 측정 대상이 아닌 회로 패턴을 경유시켜, 전압 측정 루프를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 도 6의 경우에 있어서, 제1 회로 패턴(51)과 제2 회로 패턴(52)의 전압 강하만을 측정하고, 남은 제3 내지 제5 회로 패턴(53, 54, 55)의 전압 강하는 측정하지 않는다(즉, 제3 내지 제5 회로 패턴(53, 54, 55)은 측정 대상이 아니다)라고 하는 것도 가능하다. 본원 발명의 효과를 얻기 위해서는, 측정 대상의 회로 패턴이, 적어도 1개, 전압 측정 루프에 포함되어 있으면 된다.In the above embodiment, voltage drop is measured for all of the circuit patterns included in the voltage measurement loop. However, the present invention is not limited thereto, and some of the circuit patterns included in the voltage measurement loop do not need to measure the voltage drop. That is, a voltage measurement loop may be formed through a circuit pattern that is not a measurement object. For example, in the case of FIG. 6, only the voltage drop of the first circuit pattern 51 and the second circuit pattern 52 is measured, and the remaining voltages of the third to fifth circuit patterns 53, 54, 55 It is also possible to say that the drop is not measured (that is, the third to fifth circuit patterns 53, 54, and 55 are not subject to measurement). In order to obtain the effect of the present invention, it is sufficient that at least one circuit pattern to be measured is included in the voltage measurement loop.

보정 전압 측정 공정, 회로 패턴 측정 공정 및 보정 공정을 행하는 순서는, 보정 공정 전에 보정 전압 측정 공정 및 회로 패턴 측정 공정이 완료되어 있을 필요가 있는 것 외에는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 회로 패턴 측정 공정을 행한 후에, 보정 전압 측정 공정을 행해도 된다. 또한, 상기 제1 실시 형태에서는, 측정 대상의 제1 및 제2 회로 패턴(41, 42)을 모두 측정 종료한 후에, 각 측정 결과를 보정하도록 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 예를 들어 각 회로 패턴의 측정을 종료할 때마다, 그 측정 결과를 순차적으로 보정해도 된다.The procedure for performing the correction voltage measurement process, the circuit pattern measurement process, and the correction process is not particularly limited except that the correction voltage measurement process and the circuit pattern measurement process need to be completed before the correction process. For example, after performing a circuit pattern measurement process, you may perform a correction voltage measurement process. In addition, in the first embodiment, after measuring all of the first and second circuit patterns 41 and 42 as a measurement object, it is described so as to correct each measurement result, but is not limited thereto. Whenever the measurement of the circuit pattern is finished, the measurement result may be sequentially corrected.

10: 기판 검사 장치
11: 회로 기판
17: 전류 공급부
19: 전압 측정부
26: 신호 절환부(전압 측정 루프 형성부)
27: 제어부(전압 측정 루프 형성부)
41, 42: 제1 및 제2 회로 패턴10: board inspection device
11: circuit board
17: current supply
19: voltage measuring unit
26: signal switching unit (voltage measurement loop forming unit)
27: control unit (voltage measurement loop forming unit)
41, 42: first and second circuit patterns

Claims (5)

회로 기판에 형성된 회로 패턴을 검사하는 기판 검사 장치로서,
측정 대상의 회로 패턴을 복수 경유시켜 전압 측정 루프를 형성하는 전압 측정 루프 형성부와,
상기 전압 측정 루프에 배치된 전압 측정부와,
상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하는 전류 공급부와,
제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하지 않은 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 상기 전압 측정 루프의 전압을 측정하는 보정 전압 측정 공정과,
상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급한 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 전압을 측정하는 회로 패턴 측정 공정과,
상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압을, 상기 보정 전압 측정 공정에서 측정된 전압에 의해 보정하는 보정 공정
을 실행하고,
상기 제어부는, 상기 회로 패턴 측정 공정 및 상기 보정 공정을, 상기 측정 대상의 복수의 회로 패턴 각각에 대해 실행하는, 기판 검사 장치.A board inspection apparatus for inspecting a circuit pattern formed on a circuit board,
A voltage measurement loop forming unit for forming a voltage measurement loop by passing through a plurality of circuit patterns to be measured;
A voltage measuring unit disposed in the voltage measuring loop,
A current supply unit for supplying current to the circuit pattern of the measurement object,
Having a control unit,
The control unit,
A correction voltage measurement process of measuring the voltage of the voltage measurement loop by the voltage measurement unit in a state in which no current is supplied to the circuit pattern of the measurement object;
A circuit pattern measuring step of measuring a voltage by the voltage measuring unit while supplying a current to the circuit pattern of the measurement object;
Correction process of correcting the voltage measured in the circuit pattern measurement process by the voltage measured in the correction voltage measurement process
Run,
The control unit performs the circuit pattern measurement process and the correction process on each of a plurality of circuit patterns of the measurement object. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 전압 측정 루프 형성부는 상기 측정 대상의 회로 패턴을 3개 이상 경유시켜 상기 전압 측정 루프를 형성하는, 기판 검사 장치.The method of claim 1,
The voltage measurement loop forming unit forms the voltage measurement loop by passing through three or more circuit patterns of the measurement object. 제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 전압 측정 루프에는 상기 회로 기판의 양면을 도통하는 회로 패턴이 짝수개 포함되어 있는, 기판 검사 장치.The method of claim 1 or 3,
The board inspection apparatus, wherein the voltage measurement loop includes an even number of circuit patterns for conducting both sides of the circuit board. 회로 기판에 형성된 회로 패턴을 검사하는 기판 검사 방법으로서,
측정 대상의 회로 패턴을 복수 경유시켜 전압 측정 루프를 형성하는 전압 측정 루프 형성 공정과,
상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급하지 않은 상태에서, 상기 전압 측정 루프에 배치된 전압 측정부에 의해 상기 전압 측정 루프의 전압을 측정하는 보정 전압 측정 공정과,
상기 측정 대상의 회로 패턴에 전류를 공급한 상태에서, 상기 전압 측정부에 의해 전압을 측정하는 회로 패턴 측정 공정과,
상기 회로 패턴 측정 공정에서 측정된 전압을, 상기 보정 전압 측정 공정에서 측정된 전압에 의해 보정하는 보정 공정
을 포함하고,
상기 회로 패턴 측정 공정 및 상기 보정 공정은, 상기 측정 대상의 복수의 회로 패턴 각각에 대해 실행되는, 기판 검사 방법.As a board inspection method for inspecting a circuit pattern formed on a circuit board,
A voltage measurement loop forming step of forming a voltage measurement loop by passing through a plurality of circuit patterns to be measured,
A correction voltage measurement step of measuring a voltage of the voltage measurement loop by a voltage measurement unit disposed in the voltage measurement loop in a state in which no current is supplied to the circuit pattern of the measurement object;
A circuit pattern measuring step of measuring a voltage by the voltage measuring unit while supplying a current to the circuit pattern of the measurement object;
Correction process of correcting the voltage measured in the circuit pattern measurement process by the voltage measured in the correction voltage measurement process
Including,
The circuit pattern measurement process and the correction process are performed for each of a plurality of circuit patterns of the measurement object.
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