KR101597346B1 - Electromagnetic interference shielding film using coating composition with low specific gravity conductive particle - Google Patents

Electromagnetic interference shielding film using coating composition with low specific gravity conductive particle Download PDF

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Abstract

본 발명은 비중이 3 이하인 저비중 도전(導電) 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 코팅하여 형성시킨 도전성 열경화 수지층을 포함하는 전자파 차폐 필름을 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 의한 전자파 차폐 필름은 전사필름(transfer film)(10), 제 1 절연층(20), 제 2 절연층(30), 도전성 열경화 수지층(40), 보호필름(50) 등으로 구성되어 있다. 기존의 전자파 차폐 필름에서는 도전성 열경화 수지층을 형성하는 코팅제 조성물에 은을 도금한 구리 입자와 같은 금속계 도전 입자를 주로 사용하였다. 이러한 코팅제 조성물은 금속 도전 입자의 비중이 크기 때문에 실제의 양산 공정에서 코팅하는 동안에 침강이 발생하고, 그 결과 도전성 열경화 수지층의 전자파 차폐 성능이 불균일해진다는 문제가 있다. 이에 비하여 본 발명은 비중이 3 이하인 저비중 도전(導電) 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 사용하기 때문에 전도성 열경화 수지층을 코팅할 때 도전 입자의 침강이 방지되어 실제의 양산 공정에서도 도전성 열경화 수지층의 전자파 차폐 성능이 균일해진다.The present invention provides an electromagnetic wave shielding film comprising a conductive thermosetting resin layer formed by coating a coating composition containing low specific gravity conductive particles having a specific gravity of 3 or less. The electromagnetic wave shielding film according to an embodiment of the present invention includes a transfer film 10, a first insulating layer 20, a second insulating layer 30, a conductive thermosetting resin layer 40, 50). In the conventional electromagnetic wave shielding film, metal-based conductive particles such as copper particles plated with silver are mainly used for a coating composition for forming a conductive thermosetting resin layer. Such a coating composition has a problem in that since the specific gravity of the metal conductive particles is large, sedimentation occurs during coating in an actual mass production process, and as a result, the electromagnetic shielding performance of the conductive thermosetting resin layer becomes uneven. In contrast, the present invention uses a coating composition containing low specific gravity conductive particles having a specific gravity of 3 or less, so that sedimentation of conductive particles is prevented when coating the conductive thermosetting resin layer, so that even in an actual mass production process, The electromagnetic wave shielding performance of the ground layer becomes uniform.

Description

저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름{Electromagnetic interference shielding film using coating composition with low specific gravity conductive particle}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising a low specific gravity conductive particle,

본 발명은 비중이 3 이하인 저비중 도전 입자를 포함하는 전자파 차폐 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는 비중이 3 이하로 저비중인 도전 입자를 사용함으로써 입자의 침전이 방지된 코팅제를 제조하고, 이러한 코팅제를 사용함으로써 코팅할 때 도전 입자가 균일하게 코팅되는 전자파 차폐 필름에 관한 것이다.
The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film using an electromagnetic wave shielding coating composition comprising a low specific gravity conductive particle having a specific gravity of 3 or less. More particularly, the present invention relates to an electromagnetic wave shielding film in which a coating agent having a specific gravity of 3 or less and a low specific gravity is used to prepare a coating agent in which precipitation of particles is prevented, and conductive particles are uniformly coated when the coating agent is coated.

현대와 같은 정보사회에서는 컴퓨터나 휴대전화, 무선 LAN 등 정보 전달 수단으로서 전파를 적극적으로 사용하고 있다. 이러한 전자기술과 반도체기술의 발달을 기초로 전자기기나 디지털기기의 기능성 향상은 물론 소형화 및 슬림화를 위한 연구가 활발히 추진되고 있으며, 이를 위해 회로의 고밀도화 및 소자의 집적화가 이루어지고 있다.In today's information society, radio waves are actively used as information transmission means such as computers, mobile phones, and wireless LANs. On the basis of the development of such electronic technology and semiconductor technology, studies for miniaturization and slimming have been actively pursued as well as improvement of functions of electronic devices and digital devices. For this purpose, circuit density and device integration have been achieved.

회로의 고밀도화 및 소자의 집적화는 전자기파의 발생 및 유도 가능성을 증대시키고 있고, 노이즈(noise)의 방사로 인한 간섭으로 불필요한 전파의 외부 노출이나 내부 회로간의 간섭 및 장치의 오동작 등이 유발되고 있고 고속도, 고밀도의 정보 전달화에 따라 증대되는 전파장해에 의한 인체의 유해성 및 각종 계기류의 오작동이나 정보 누설 등의 문제가 일어나고 있다.Densification of the circuit and integration of the elements increase the possibility of generation and induction of electromagnetic waves and interference with the radiation of noise causes unnecessary external exposure of radio waves, interference between internal circuits, malfunction of the apparatus, There are problems such as harmfulness of the human body caused by propagation disturbance increasing due to high-density information transmission, malfunction of various instruments and information leakage.

이에 따라, 전자기기나 디지털기기의 장치에서 전자기파(노이즈)의 발생에 의한 간섭을 억제시키기 위한 연구들이 진행되고 있으며, 그 하나의 예로서 전자기파의 발생을 차폐하거나 전자기파를 흡수하여 전자기파의 간섭을 억제시키는 합성자기시트의 전자기파 흡수체(차폐재)가 제시되고 있다.As a result, studies have been made to suppress interference caused by the generation of electromagnetic waves (noise) in electronic apparatuses and devices of digital apparatuses. As one example thereof, there has been proposed a technique of shielding the generation of electromagnetic waves or absorbing electromagnetic waves to suppress the interference of electromagnetic waves An electromagnetic wave absorber (shielding member) of a composite magnetic sheet is proposed.

한국 공개특허 2007-0008407호(“성능이 강화된 도전성 충전재 및 이로부터 제조된 도전성폴리머”)는 크기가 350 내지 1000 ㎛인 흑연과 같은 조립상의 탄소계 코어 상에 형성된 도전성 금속 피막을 포함하는 입자 도전성 충전재를 제공한다. 상기 도전성 충전재는 엘라스토머, 대표적인 예로 실리콘 엘라스토머와 같은 폴리머 매트릭스와 함께 사용되어, 도전성 및 전자파 방해 차폐 복합 재료를 형성한다. 그러나 흑연의 비중이 2 이상이고, 흑연에 비중이 더 큰 금속 피막을 형성시키기 때문에 비중이 3 이하의 저비중 도전 입자를 형성하는 데에는 제한 요소가 있다.Korean Unexamined Patent Publication No. 2007-0008407 (" performance-enhanced conductive filler and conductive polymer made therefrom ") discloses a composition comprising a conductive metal film formed on a granular carbon-based core such as graphite having a size of 350 to 1000 μm Thereby providing a conductive filler. The conductive filler is used with an elastomer, typically a polymer matrix, such as a silicone elastomer, to form a conductive and EMI shielding composite material. However, since the graphite has a specific gravity of 2 or more and forms a metal film having a larger specific gravity in graphite, there is a limitation in forming a low specific gravity conductive particle having a specific gravity of 3 or less.

한국 등록특허 10-0597555호(“전자파 흡수체”)는 전자파의 흡수 성능이 높고, 박형, 경량화가 가능하며, 매우 넓은 범위에 걸쳐 전자파 흡수 성능을 발휘할 수 있는 신뢰성이 뛰어난 전자파 흡수체를 제공한다. 도 2에 도시되어 있는 바와 같이 관통된 복수의 투과공(2)을 갖는 다공질 기체(3)의 상기 투과공 주위면에 전자파 흡수성 충전재와 전자파 흡수성 고분자재의 혼합물로 이루어지는 흡수피막(8)을 형성하고, 그 투과공(2)이 상기 흡수 피막(8)으로 막히지 않고 통기성을 가지는 것을 특징으로 한다. 그러나 이러한 전자파 흡수체에 사용된 흡수성 충전재는 저비중 도전 입자가 아니다.Korean Patent No. 10-0597555 (" Electromagnetic wave absorber ") provides an electromagnetic wave absorber having high absorption performance of electromagnetic waves, capable of being thin and lightweight, and capable of exhibiting electromagnetic wave absorption performance over a very wide range. An absorption film 8 made of a mixture of an electromagnetic wave absorbing filler and an electromagnetic wave absorbing polymer material is formed on the peripheral surface of the permeable hole of the porous substrate 3 having a plurality of penetrating holes 2 as shown in Fig. , And the permeability hole (2) is not blocked by the absorbent coating (8) and has air permeability. However, the absorbent filler used in such an electromagnetic wave absorber is not a low specific gravity conductive particle.

한국 공개특허 2002-0086237호(“중공구 형상의 입자를 함유하는 합성섬유”)는 중공구 형태의 입자를 함유하는 합성섬유에 관한 것으로, 무기물 또는 유기물로 이루어진 중공구 또는 이들의 복합물질로 이루어진 중공구를 함유하는 것을 특징으로 하며, 이 특허의 섬유는 비중이 가벼워서 기능성 섬유의 단점인 무거운 착용감 문제를 효과적으로 해결할 수 있다. 그러나 이 특허는 중공구 형태의 입자를 함유하는 합성섬유에 관한 것으로, 보다 상세하게는 섬유내부에 중공구의 존재로 인해 섬유에 경량성을 부여하고 중공구의 구성물질에 따라서 여러 가지 부가적인 기능을 부여할 수 있는 합성섬유에 관한 기술로 저비중 도전 입자 및 이를 사용한 전자파 차폐 필름에 관한 것이 아니다.Korean Patent Laid-Open Publication No. 2002-0086237 (" synthetic fiber containing hollow spherical particles ") relates to synthetic fibers containing hollow spherical particles, and is made of hollow spheres made of inorganic or organic materials, And the fibers of this patent are light in weight and can effectively solve the problem of heavy wearing comfort which is a disadvantage of functional fibers. However, this patent relates to a synthetic fiber containing hollow spherical particles, more particularly, to provide a fiber with light weight due to the presence of a hollow sphere inside the fiber and to provide various additional functions depending on the constituent material of the hollow sphere The present invention is not directed to low specific gravity conductive particles and electromagnetic wave shielding films using the same.

일본 공개특허 1998-190280(“전자파 흡수 도료”)는 경량 소재임에도 불구하고 전자파 흡수성능이 발휘되고, 전자파 흡수층을 형성할 수 있는 전자파 흡수 도료를 제공하고 있다. 그러나 이 발명도 저비중의 도전 입자를 사용한 전자파 차폐 필름에 관한 것이 아니다.Japanese Patent Application Laid-Open No. 1998-190280 (" electromagnetic wave absorbing coating material ") provides an electromagnetic wave absorbing material capable of exhibiting electromagnetic wave absorbing performance and capable of forming an electromagnetic wave absorbing layer in spite of being a lightweight material. However, this invention does not relate to an electromagnetic wave shielding film using conductive particles having a low specific gravity.

미국 등록특허 US5,968,600(“EMI/RFI-shielding coating”)는 전자파 차폐 수성 코팅 조성물에 관한 것이며, 점토(clay), 실리카 등의 무기물과 구리, 은, 니켈, 금 등의 입자를 넣은 것으로 저비중 도전 입자를 사용한 것이 아니다.US 5,968,600 (" EMI / RFI-shielding coating ") relates to an electromagnetic shielding aqueous coating composition comprising an inorganic material such as clay, silica, and particles of copper, silver, nickel, Specific gravity conductive particles are not used.

미국 등록특허 US6670545(“Conductive coating on a non-conductive flexible substrate”)은 비전도성이고 연성인 기재에 전자파 차폐의 전도성 코팅을 한 전자파 차폐 필름에 관한 것이다. 그러나 코팅액에 사용된 도전 물질이 저비중 도전 입자가 아니다.US Patent No. 6,670,545 (" Conductive coating on a non-conductive flexible substrate ") relates to an electromagnetic shielding film having a conductive coating of electromagnetic shielding on a nonconductive, ductile substrate. However, the conductive material used in the coating liquid is not a low specific gravity conductive particle.

전자파 차폐 필름에 대한 선행 기술에는 대한민국 등록특허 10-1095325, 대한민국 등록특허 10-0896739, 대한민국 등록특허 10-1046200, 대한민국 공개특허10-2008-0019841, 대한민국 공개특허 10-2012-0137702 등이 있는데, 은, 구리, 니켈 등의 금속 입자를 도전 입자로 사용하거나, 탄소나노튜브를 도전 입자로 사용하는 것으로 저비중 도전 입자를 사용하는 것은 아니다.The prior art for the electromagnetic wave shielding film includes Korean Patent No. 10-1095325, Korean Patent No. 10-0896739, Korean Patent No. 10-1046200, Korean Patent Publication No. 10-2008-0019841, Korean Patent No. 10-2012-0137702, Silver, copper, nickel, or the like is used as the conductive particles, or the carbon nanotubes are used as the conductive particles, so that the low specific gravity conductive particles are not used.

대부분의 선행 기술에서와 같이, 금속 입자를 사용한 코팅액의 경우 비중의 차이로 인하여 쉽게 금속 도전 입자가 침강하여 코팅액의 조성이 불균일해지고 이로 인하여 코팅이 불균일해져서 전자파 차폐 필름의 품질이 저하된다는 문제가 있다.As in most prior arts, in the case of coating liquids using metal particles, the metal conductive particles easily settle due to the difference in specific gravity, resulting in nonuniform composition of the coating liquid, resulting in uneven coating and deteriorating the quality of the electromagnetic wave shielding film .

그리고 고분자 수지 입자에 금속을 도금하여 저비중 도전 입자를 제조하는 것은 가능하지만 고분자 수지에는 금속이 잘 도금되지 않기 때문에 이를 사용한 코팅액과 전자파 차폐 필름의 성능 또한 저하된다는 문제가 있다.In addition, although it is possible to produce low specific gravity conductive particles by plating metal on the polymer resin particles, there is a problem that the performance of the coating liquid and the electromagnetic wave shielding film using the polymer resin is deteriorated because the metal is not plated well.

전자파 차폐 필름의 품질을 테스트하는 항목 중에 Solder Dip/Float 테스트와 Hot Oil 평가가 있다. Solder Dip/Float 테스트는 전자파 차폐 필름이 고온의 납땜(Soldering) 공정을 견딜 수 있는지 여부의 내열성을 평가하는 것으로, 전자파 차폐 필름 시편을 135±5℃의 건조기에서 1시간 동안 베이킹(Baking)한 후에 288±5℃의 Solder Pot에 10초간 침지(Dipping)하기를 3회 반복한다. 또한 260±5℃의 Solder Pot에 10초간 띄우기(Floating)를 3회 반복한다.Solder Dip / Float test and Hot Oil evaluation are among the items to test the quality of electromagnetic shielding film. The solder dip / float test evaluates the heat resistance of whether the electromagnetic wave shielding film can withstand a high temperature soldering process. After the electromagnetic wave shielding film sample is baked in a drier at 135 ± 5 ° C. for 1 hour Repeat the dipping for 10 seconds in the solder pot at 288 ± 5 ℃ three times. Repeat 3 times for 10 seconds on the solder pot of 260 ± 5 ℃.

그리고 Hot Oil 평가는 전자파 차폐 필름 시편을 고온의 Oil과 상온의 Oil에 반복적으로 침적(沈積)시킴으로써 신뢰성을 측정하는 것으로, 전자파 차폐 필름 시편을 135±5℃의 건조기에서 1시간 동안 베이킹(Baking)한 후에 260±5℃의 Hot Oil에 40초간 침적(沈積)시킨 후에 20℃의 Oil에 4분간 침적(沈積)시키기를 3회 반복한다.In addition, hot oil evaluation measures reliability by repeatedly depositing electromagnetic wave shielding film specimen on high temperature oil and room temperature oil. Baking of electromagnetic wave shielding film specimen is carried out at 135 ± 5 ° C for 1 hour, And then immersed in Hot Oil at 260 ± 5 ° C for 40 seconds and then immersed in Oil at 20 ° C for 4 minutes.

그러므로 고분자 수지에 금속을 혼합하거나 도금을 하여 저비중 도전 입자를 제조하여 코팅액 조성물을 만들고 이를 사용하여 전자파 차폐 필름을 제조하면 상기의 Solder Dip/Float 테스트와 Hot Oil 평가에서 고온을 견디지 못하고 불량이 발생한다.
Therefore, when a low-specific gravity conductive particle is prepared by mixing or plating a metal with a polymer resin to prepare a coating liquid composition and using the same to manufacture an electromagnetic wave shielding film, the solder dip / float test and the hot oil evaluation can not withstand high temperatures, do.

KR 10-2007-0008407 (2007.01.17)KR 10-2007-0008407 (2007.01.17) KR 10-0597555 (2006.06.29)KR 10-0597555 (2006.06.29) KR 10-2002-0086237 (2002.11.18)KR 10-2002-0086237 (November 11, 2002) JP 1998-190280 (1998.07.21)JP 1998-190280 (Jul. 21, 1998) US 5,968,600 (1999.10.19)US 5,968,600 (Oct. 19, 1999) US 6,670,545 (2003.12.30)US 6,670,545 (Dec. 30, 2003)

따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 저비중 도전 입자를 포함으로써 입자의 침강이 방지되는 전자파 차폐 코팅제 조성물을 제조하고, 이를 사용함으로써 도전 입자가 균일하게 코팅된 도전성 열경화 수지층을 포함하는 전자파 차폐 필름을 제공하는 것이다. 즉, 대량 생산을 하는 경우에도 도전 입자가 균일하게 코팅된 도전성 열경화 수지층을 형성시킴으로써 전자파 차폐 성능이 균일하고 우수한 전자파 차폐 필름을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide an electromagnetic shielding coating composition containing particles of low specific gravity and preventing precipitation of particles, and using the same, Shielding film. That is, by forming a conductive thermosetting resin layer in which conductive particles are evenly coated even in the case of mass production, an electromagnetic shielding film with uniform electromagnetic shielding performance is provided.

그리고 도전 입자의 구성 성분으로 고분자 수지를 사용하는 경우 고분자 수지를 가교시킴으로써 열안정성을 향상시켜서 고온에서도 내열성이 있는 전자파 차폐 필름을 제공하는 것이다.And when the polymer resin is used as a constituent component of the conductive particles, the polymer resin is crosslinked to improve the thermal stability, thereby providing an electromagnetic wave shielding film having heat resistance even at high temperatures.

또한, 고분자 수지 입자에 금속을 도금하여 저비중 도전 입자를 제조하는 경우 도금이 잘 되지 않는 문제를 해결하여 이를 사용하는 전자파 차폐 필름의 성능을 향상시키는 것이다.
In addition, when metal particles are coated on the polymer resin particles to produce low specific gravity conductive particles, the problem of poor plating is solved and the performance of the electromagnetic wave shielding film using the particles is improved.

본 발명에서 저비중 도전(導電) 입자는 저비중 중공(中空) 도전 입자와 저비중 비중공(非中空) 도전 입자로 나눌 수 있다.  In the present invention, the low specific gravity conductive particles can be divided into low specific gravity hollow conductive particles and low specific gravity non-solid conductive particles.

비중공(非中空) 도전 입자는 예를 들어 비중이 1인 고분자 수지에 비중이 2인 전도성 카본을 임의의 중량비로 혼합하여도 비중이 2 이하로 저비중이 된다. 또 다른 예로는 비중이 1인 고분자 수지, 비중이 2인 전도성 카본 및 비중이 9인 금속 분말을 혼합하는 경우 후술하는 표 1, 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 고분자 수지 40중량%에 전도성 카본 40 내지 55중량% 및 금속 분말 5 내지 20중량%를 혼합하면 혼합물은 비중이 3 이하인 저비중이 된다. 또한 고분자 수지 60중량%에 전도성 카본 20 내지 35중량% 및 금속 분말 5 내지 20중량%를 혼합하면 혼합물은 비중이 3 이하인 저비중이 된다. 이와 같이 다양한 혼합비율로 혼합하여 비중이 3 이하인 저비중 도전 입자를 제조할 수 있다.The non-hollow conductive particles have a specific gravity of 2 or less and a low specific gravity, for example, even when a polymer resin having a specific gravity of 1 is mixed with a conductive carbon having a specific gravity of 2 at an arbitrary weight ratio. As another example, when a polymer resin having a specific gravity of 1, a conductive carbon having a specific gravity of 2, and a metal powder having a specific gravity of 9 are mixed, as shown in Tables 1 and 2, a conductive carbon 40 To 55% by weight and the metal powder in an amount of 5 to 20% by weight, the mixture has a low specific gravity of 3 or less. Further, when 20 to 35% by weight of the conductive carbon and 5 to 20% by weight of the metal powder are mixed in 60% by weight of the polymer resin, the mixture has a low specific gravity of 3 or less. By mixing in various mixing ratios as described above, low specific gravity conductive particles having a specific gravity of 3 or less can be produced.

그러나 고분자 수지를 도전 입자의 구성 성분으로 한 전자파 차폐 필름은 288±5℃ 및 260±5℃에서 수행하는 내열성 및 신뢰성 테스트에서 불량이 발생하게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 가교제를 넣고 가교시킴으로써 내열성을 향상시키는 것이 좋다.However, the electromagnetic wave shielding film using the polymer resin as a constituent component of the conductive particles causes defects in the heat resistance and reliability test performed at 288 占 폚 and 260 占 5 占 폚. In order to solve such a problem, it is preferable in the present invention to improve the heat resistance by adding a cross-linking agent and crosslinking it.

그리고 상기와 같이 제조한 비중공(非中空) 도전 입자를 금속으로 도금하거나 전도성 고분자를 코팅하여 전도성을 더욱 향상시킬 수도 있다. 이 경우 고분자 수지에 실리카, 유리 분말, 금속분말 등을 혼합하여 입자를 제조하면 입자 표면에 실리카, 유리 분말, 금속분말 등이 일정 부분 노출되고, 금속을 도금할 때 이 부분이 도금의 성장점이 되어 도금이 양호하게 된다.The non-hollow conductive particles prepared as described above may be plated with a metal or coated with a conductive polymer to further improve conductivity. In this case, silica, glass powder, and metal powder are partially exposed on the particle surface by mixing silica resin, glass powder, and metal powder into the polymer resin, and when the metal is plated, this portion becomes a growth point of the plating Plating becomes good.

비중공(非中空) 도전 입자의 전도성을 향상시키는 다른 방법으로는 전도성이 양호한 카본 분말, 금속 분말 등의 미세 분말을 피복(被覆)시키는 방법이 있다.Another method for improving the conductivity of non-hollow conductive particles is to coat (coat) fine powder such as carbon powder or metal powder with good conductivity.

비중공(非中空) 도전 입자의 전도성을 향상시키는 또 다른 방법으로는 미세한 실리카, 유리 분말, 금속 분말 등을 도전 입자의 표면에 피복(被覆)시켜서 입자 표면의 성질을 도금이 양호하게 되는 성질로 개질시킨 후에 금속으로 도금하는 방법이 있다. 이 방법을 상세하게 설명하면 다음과 같다.Another method for improving the conductivity of non-hollow conductive particles is to coat the surfaces of the conductive particles with fine silica, glass powder, metal powder or the like so that the properties of the particle surface are improved by plating There is a method of plating with metal after reforming. This method will be described in detail as follows.

비중공(非中空) 고분자 수지 입자는 비중이 1 정도 내지 1 이하이기 때문에 이를 금속으로 도금하면 저비중의 비중공(非中空) 도전 입자를 제조할 수 있다.Since the specific gravity of the non-hollow polymer resin particles is 1 to less than 1, it is possible to produce non-hollow conductive particles having a low specific gravity by plating them with a metal.

그러나 고분자 입자는 구리, 은 등의 금속이 쉽게 도금이 되지 않은 특성이 있다. 따라서 도금이 불균일하고 전기전도도가 저하되어 이를 사용한 코팅액과 전자파 차폐 필름의 성능이 저하된다. 이러한 도금의 불안정성을 해결하기 위하여 여러 가지 방법을 실험한 결과, 고분자 수지보다는 실리카, 유리, 금속 등이 도금이 잘 된다는 사실을 규명하였다. 고분자 수지 입자의 표면에 유리, 실리카, 금속의 미세 분말을 부착시키면 입자의 표면 특성이 유리, 실리카, 금속과 같게 되므로 용이하게 도금이 될 수 있다는 점에 착안하여 다성분 복합 입자를 제조하는 방법을 집중적으로 연구하여 본 발명을 완성하였다. However, the polymer particles have characteristics that metals such as copper and silver are not easily plated. Therefore, the plating is uneven and the electric conductivity is lowered, and the performance of the coating solution and the electromagnetic wave shielding film using the same is lowered. In order to solve this instability of plating, various methods have been experimented and it has been found that silica, glass, and metal are more plated than polymer resin. Silica, and metal are adhered to the surface of the polymer resin particles, the surface characteristics of the particles become the same as those of glass, silica, and metal, and thus plating can be easily performed. The present invention has been completed intensively.

제조하고자 하는 저비중 입자의 직경의 5분의 1 내지 10,000분의 1인 직경을 갖는 미세한 분말을 저비중 입자의 표면에 피복(被覆)시키면 저비중 입자의 비중은 원래의 값을 거의 그대로 유지하면서 표면 특성은 피복된 분체의 특성으로 변하게 된다. 이렇게 표면 특성을 도금이 잘 되게 변화시킨 다성분 복합 입자를 구리나 은 등의 금속으로 도금하면 양호하게 도금이 되어 전기전도도가 높아지고, 이를 포함한 코팅액을 사용하여 제조한 전자파 차폐 필름의 성능도 크게 향상된다.When a fine powder having a diameter which is one fifth to one-tenth of a diameter of a low specific gravity particle to be produced is coated (coated) on the surface of the low specific gravity particle, the specific gravity of the low specific gravity particle is maintained The surface properties change to the properties of the coated powder. When the multi-component composite particles having the surface characteristics changed by plating are plated with a metal such as copper or silver, the electroplating is satisfactorily performed, and the performance of the electromagnetic wave shielding film manufactured by using the coating liquid containing the same is greatly improved do.

중공(中空) 도전 입자는 예를 들면 고분자 수지계 중공 입자, 고분자 수지계를 제외한 유기계 중공 입자, 무기계 중공 입자, 탄소계 중공 입자, 금속계 중공 입자, 이들의 혼합물로 된 혼합물 중공 도전 입자 등이 있다. 입자 내부의 중공의 개수에 따라 단중공 입자와 다중공 입자로 나눌 수 있으며, 어느 것이나 사용이 가능하다.The hollow conductive particles include, for example, polymeric resin hollow particles, organic hollow particles other than the polymer resin, inorganic hollow particles, carbon hollow particles, metal hollow particles, and mixtures thereof. Depending on the number of hollows inside the particle, it can be divided into single hollow particles and multiple hollow particles. Any of them can be used.

도전성이 좋으면서 저비중인 탄소 중공 입자나 금속 중공 입자를 사용하여 코팅제 조성물을 제조하면 도전 입자의 침강이 방지되기 때문에 이를 사용한 전자파 차폐 필름은 성능이 균일하고 양호하다. When a coating composition is prepared using carbon hollow particles or hollow metal particles having a high specific gravity and a low specific gravity, the precipitation of conductive particles is prevented, and thus the electromagnetic wave shielding film using the coating composition has uniform and good performance.

고분자 수지계 중공 도전 입자, 또는 고분자 수지에 탄소계 물질, 금속 분말 등의 전도성 물질이 혼합된 중공 도전 입자는 내열성이 약하기 때문에 가교제를 입자 표면에 도포시키거나 입자 구성 물질과 혼합하고 가열하여 가교시킴으로써 내열성을 향상시킬 수 있다.Hollow conductive particles in which polymeric resin-based hollow conductive particles or a polymer resin is mixed with a conductive material such as a carbon-based material or a metal powder have poor heat resistance, so that a crosslinking agent is applied to the surface of the particles, Can be improved.

중공 도전 입자를 금속으로 도금하거나 전도성 고분자를 코팅하여 전도성을 더욱 향상시킬 수 있다. 고분자 수지를 사용하는 경우 고분자 수지에 실리카, 유리 분말, 금속 분말 등을 혼합하여 중공 도전 입자를 제조하면 입자 표면에 실리카, 유리 분말, 금속 분말 등이 일정 부분 노출되고, 금속을 도금할 때 이 부분이 도금의 성장점이 되어 도금이 양호하게 된다.The hollow conductive particles may be plated with a metal or coated with a conductive polymer to further improve the conductivity. In the case of using a polymer resin, silica, glass powder, metal powder, etc. are mixed with the polymer resin to prepare hollow conductive particles, and silica, glass powder, metal powder, and the like are partially exposed on the particle surface. Becomes a growth point of the plating, and the plating becomes good.

중공(中空) 도전 입자의 전도성을 향상시키는 다른 방법으로는 전도성이 양호한 카본 분말, 금속 분말 등의 미세 분말을 피복(被覆)시키는 방법이 있다.Another method for improving the conductivity of the hollow conductive particles is to coat (coat) fine powder such as carbon powder or metal powder with good conductivity.

중공(中空) 도전 입자의 전도성을 향상시키는 또 다른 방법으로는 미세한 실리카, 유리 분말, 금속 분말 등을 도전 입자의 표면에 피복(被覆)시켜서 입자 표면의 성질을 도금이 양호하게 되는 성질로 개질시킨 후에 금속으로 도금하는 방법이 있다. 이 방법은 비중공 도전 입자의 경우에서 상세하게 설명한 바와 같다.Another method for improving the conductivity of the hollow conductive particles is to coat the surface of the conductive particles with fine silica, glass powder, metal powder or the like to modify the properties of the particle surface to a property of good plating Thereafter, there is a method of plating with metal. This method is as described in detail in the case of non-perforated conductive particles.

상기의 유기계 분말, 유기계 물질, 유기계 중공 입자, 고분자 수지를 구성하는 물질로 공액구조를 갖는 전기전도성 고분자인 폴리피롤, 폴리싸이펜, 폴리아닐린 및 이들의 유도체에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개를 사용하는 것도 바람직하다.It is also preferable to use any one or more selected from the above-described organic conductive powder, organic material, organic hollow particle, and electroconductive polymer having conjugated structure as the material constituting the polymer resin, polypyrrole, polythiophene, polyaniline and derivatives thereof Do.

상기와 같이 제조한 저비중의 도전(導電) 입자에 열경화성 바인더 수지, 용매, 경화제, 계면활성제 등을 혼합하여 코팅제 조성물을 제조한다. 이 코팅제는 저비중 도전 입자를 사용했기 때문에 장기간 동안 침전이 발생하지 않는다.A coating composition is prepared by mixing a thermosetting binder resin, a solvent, a curing agent, a surfactant, and the like to the conductive particles having a low specific gravity prepared as described above. Since this coating uses low specific gravity conductive particles, precipitation does not occur for a long period of time.

전사필름(transfer film)에 제 1 절연층과 제 2 절연층을 형성시킨 후에 상기의 코팅제 조성물을 코팅하여 도전성 열경화 수지층을 형성시키고 보호필름을 부착하여 전자파 차폐 필름을 제조한다.After forming a first insulating layer and a second insulating layer on a transfer film, the above-mentioned coating composition is coated to form a conductive thermosetting resin layer, and a protective film is attached to produce an electromagnetic wave shielding film.

상기의 전자파 차폐 필름의 제 2 절연층과 도전성 열경화 수지층 사이에 은, 구리 등의 금속 박막층을 한 개 또는 복수 개 추가할 수도 있다. 금속 박막층은 스파터링, 진공증착, 금속용사, 이온플레이팅 등의 방법으로 형성시킬 수 있다.One or more metal thin film layers such as silver and copper may be added between the second insulating layer and the conductive thermosetting resin layer of the electromagnetic wave shielding film. The metal thin film layer can be formed by sputtering, vacuum deposition, metal spraying, ion plating, or the like.

상기의 금속 박막층에 크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하여 짧은 순간에 고열을 발생시킴으로써 금속 박막층을 소결시킬 수 있다.The metallic thin film layer can be sintered by generating a high temperature in a short time by irradiating a white flash with a xenon lamp to the metal thin film layer.

이렇게 금속 박막층을 소결시키면 금속 박막층의 밀도가 증가하고 핀홀(pinhole) 등의 결함이 제거되어 전도도가 증가하기 때문에 전자파 차폐 필름의 성능이 향상된다.When the metal thin film layer is sintered, the density of the metal thin film layer increases and the defects such as pinholes are removed, thereby increasing the conductivity and improving the performance of the electromagnetic wave shielding film.

상기의 전자파 차폐 필름의 도전성 열경화 수지층을 상기와 같은 방법으로 소결시킬 수 있다. 이렇게 열경화 수지층을 소결시키면 열경화 수지층의 밀도가 증가하여 전도도가 증가하기 때문에 전자파 차폐 필름의 성능이 향상된다.
The conductive thermosetting resin layer of the electromagnetic wave shielding film may be sintered in the same manner as described above. When the thermosetting resin layer is sintered, the density of the thermosetting resin layer is increased to increase the conductivity, thereby improving the performance of the electromagnetic shielding film.

본 발명에 의해, 비중이 3 이하인 저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물은 장기간에 걸쳐 도전 입자의 침전이 방지되기 때문에 실제의 양산 공정에서도 균일하게 코팅을 할 수 있고 그 결과 성능이 우수하고 품질이 일정한 전자파 차폐 필름을 제조할 수 있게 된다.According to the present invention, since the coating composition containing a low specific gravity conductive particle having a specific gravity of 3 or less prevents the deposition of conductive particles over a long period of time, the coating can be uniformly performed even in an actual mass production process. As a result, A certain electromagnetic wave shielding film can be produced.

그리고 고분자 수지를 구성 성분으로 하는 도전 입자의 경우에는 가교제를 사용하여 가교시킴으로써 내열성을 향상시킨 전자파 차폐 필름을 제조할 수 있게 된다.In the case of conductive particles comprising a polymer resin as a constituent, an electromagnetic wave shielding film having improved heat resistance can be produced by crosslinking using a crosslinking agent.

또한, 고분자 수지 입자에 금속을 도금하여 저비중 도전 입자를 제조하는 경우, 입자 표면에 도금이 잘 되는 물질을 피복시켜서 표면 개질을 함으로써 도금을 양호하게 하고, 이를 사용하는 전자파 차폐 필름의 성능을 향상시킬 수 있다.
Further, in the case of producing a low specific gravity conductive particle by plating a metal on the polymer resin particle, the surface of the particle is coated with a material that can be plated, thereby improving the plating and improving the performance of the electromagnetic wave shielding film .

도 1은 본 발명의 전자파 차폐 필름의 기본 구성도.
도 2는 종래의 전자파 차단 필름을 나타낸 도면.
도 3은 실시예에서 사용되는 알파-시클로덱스트린의 화학 구조를 나타낸 도면.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a basic structural view of an electromagnetic wave shielding film of the present invention. FIG.
2 is a view showing a conventional electromagnetic wave shielding film.
Figure 3 shows the chemical structure of alpha-cyclodextrin used in the Examples.

이하 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.

1. 본 발명의 전자파 차폐 필름은 기본적으로 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 전사필름(10), 제 1 절연층(20), 제 2 절연층(30), 도전성 열경화 수지층(40), 보호필름(50)으로 구성된다.
1. The electromagnetic wave shielding film of the present invention basically comprises a transfer film 10, a first insulating layer 20, a second insulating layer 30, a conductive thermosetting resin layer 40, And a protective film 50.

전사필름(10)은 제 1 절연층(20)의 원활한 코팅성 및 도전성 열경화 수지층의 열경화 후의 이형성 확보가 중요하다. 매트(Matt) PET(polyethylene terephthalate) 필름에 이형코팅을 적용하여 사용하는 것이 바람직하다. 폴리 페닐렌 설파이드(Polyphenylene Sulfide, PPS), 폴리이미드(poly-imide) 필름 등도 사용할 수 있다.
It is important that the transfer film 10 has a smooth coating property of the first insulating layer 20 and a releasability of the conductive thermosetting resin layer after heat curing. It is preferable to apply a release coating to a matte PET (polyethylene terephthalate) film. Polyphenylene sulfide (PPS), polyimide film and the like can also be used.

제 1 절연층(20)은 절연 물성을 가짐과 동시에 내용제성 및 내화학성, 스크래치와 같은 손상에 대한 보호물성이 추가로 요구된다. 제 1 절연층(20)은 제 2 절연층(30)과 호환성에서 문제가 되지 않는다면 입자가 적용되지 않은 투명한 코팅제도 적용이 가능하다. 제 2 절연층(30)은 제 1 절연층(20)과 부착성이 높아야 함으로 같은 계열의 수지를 적용하는 것이 가장 바람직하다. 이러한 물성들을 감안할 경우, 제 1 절연층(20)에 사용되는 바인더 수지로는 폴리에스터, 멜라민 등이 바람직하다.
The first insulating layer 20 is required to have insulating properties and to further protect against damage such as solvent resistance, chemical resistance and scratches. The first insulating layer 20 is also applicable to a transparent coating material to which the particles are not applied, provided that compatibility with the second insulating layer 30 is not a problem. Since the second insulating layer 30 must have high adhesion with the first insulating layer 20, it is most preferable to apply the same type of resin. In view of such properties, polyester, melamine and the like are preferable as the binder resin used for the first insulating layer 20. [

도전성 열경화 수지층(40)은 고온 가압한 후에 기재와의 높은 접착력과 도전성 및 전자파 차폐 성능을 나타내야 한다. 열경화 수지로는 에폭시 수지, 폴리에스터, 멜라민, 폴리아마이드 수지 등이 바람직하다.
The conductive thermosetting resin layer (40) should exhibit a high adhesive force with the base material, conductivity and electromagnetic shielding performance after being pressurized at high temperature. The thermosetting resin is preferably an epoxy resin, a polyester, a melamine, a polyamide resin, or the like.

절연층(10, 20)이나 도전성 열경화 수지층(40)을 코팅하는 방법은 콤마(comma) 코팅, 그라비아 코팅, 슬롯다이 코팅, 마이크로그라비아 코팅, 및 스프레이 코팅 등의 방법이 있으며, 코팅을 한 후에는 50 내지 120℃에서 5 내지 15분 동안 건조한다.
Methods for coating the insulating layers 10 and 20 and the conductive thermosetting resin layer 40 include comma coating, gravure coating, slot die coating, microgravure coating, and spray coating. And then dried at 50 to 120 DEG C for 5 to 15 minutes.

도전성 열경화 수지층(40)을 보호하는 보호필름(50)은 일반적인 실리콘 보호필름을 사용할 수 있다. 보호필름(50)은 도전성 무기물이 혼합되어 있는 도전성 무기물 수지층을 보호하고, 도전성 무기물의 산화를 방지하며, 제거했더라도 전자파 차폐 필름을 미사용한 후에 재사용을 위한 합지에서 원활한 재작업성(Rework성)을 나타내야 한다.
The protective film 50 for protecting the conductive thermosetting resin layer 40 may be a general silicone protective film. The protective film 50 protects the conductive inorganic material resin layer in which the conductive inorganic material is mixed and prevents the oxidation of the conductive inorganic material. Even if the electromagnetic shielding film is not used, the protective film 50 can be reworked ).

2. 본 발명에서 저비중 도전(導電) 입자는 저비중 중공(中空) 도전 입자와 저비중 비중공(非中空) 도전 입자로 나눌 수 있다.2. In the present invention, the low specific gravity conductive particles can be divided into low specific gravity hollow conductive particles and low specific gravity non-solid conductive particles.

비중공(非中空) 도전 입자는 예를 들어 비중이 1인 고분자 수지에 비중이 2인 전도성 카본을 임의의 중량비로 혼합하여도 비중이 2 이하로 저비중이 된다. 또 다른 예로는 비중이 1인 고분자 수지, 비중이 2인 전도성 카본 및 비중이 9인 금속 분말을 혼합하는 경우 표 1, 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 고분자 수지 40중량%에 전도성 카본 40 내지 55중량% 및 금속 분말 5 내지 20중량%를 혼합하면 혼합물은 비중이 3 이하인 저비중이 된다. 또한 고분자 수지 60중량%에 전도성 카본 20 내지 35중량% 및 금속 분말 5 내지 20중량%를 혼합하면 혼합물은 비중이 3 이하인 저비중이 된다. 이와 같이 다양한 혼합비율로 혼합하여 비중이 3 이하인 저비중 도전 입자를 제조할 수 있다.
The non-hollow conductive particles have a specific gravity of 2 or less and a low specific gravity, for example, even when a polymer resin having a specific gravity of 1 is mixed with a conductive carbon having a specific gravity of 2 at an arbitrary weight ratio. As another example, when a polymer resin having a specific gravity of 1, a conductive carbon having a specific gravity of 2, and a metal powder having a specific gravity of 9 are mixed, as shown in Tables 1 and 2, the conductive carbon 40 to 55 By weight and 5 to 20% by weight of the metal powder are mixed, the mixture has a low specific gravity of 3 or less. Further, when 20 to 35% by weight of the conductive carbon and 5 to 20% by weight of the metal powder are mixed in 60% by weight of the polymer resin, the mixture has a low specific gravity of 3 or less. By mixing in various mixing ratios as described above, low specific gravity conductive particles having a specific gravity of 3 or less can be produced.

고분자 수지(비중 1), 전도성 카본(비중 2) 및 금속 분말(비중 9)의 혼합비율에 따른 혼합물의 비중1Specific gravity of mixture according to mixing ratio of polymer resin (specific gravity 1), conductive carbon (specific gravity 2) and metal powder (specific gravity 9) 1 고분자 수지 함량
(중량%)
Polymer resin content
(weight%)
전도성 카본 함량
(중량%)
Conductive carbon content
(weight%)
금속 함량
(중량%)
Metal content
(weight%)
혼합물의 비중Specific gravity of mixture
4040 5555 55 1.951.95 2020 1010 2.32.3 4545 1515 2.652.65 4040 2020 33 4545 5050 55 1.91.9 4545 1010 2.252.25 4040 1515 2.62.6 3535 2020 2.952.95

고분자 수지(비중 1), 전도성 카본(비중 2) 및 금속 분말(비중 9)의 혼합비율에 따른 혼합물의 비중2Specific gravity of mixture according to mixing ratio of polymer resin (specific gravity 1), conductive carbon (specific gravity 2) and metal powder (specific gravity 9) 2 고분자 수지 함량
(중량%)
Polymer resin content
(weight%)
전도성 카본 함량
(중량%)
Conductive carbon content
(weight%)
금속 함량
(중량%)
Metal content
(weight%)
혼합물의 비중Specific gravity of mixture
5050 4545 55 1.851.85 4040 1010 2.22.2 3535 1515 2.552.55 3030 2020 2.92.9 5555 4040 55 1.81.8 3535 1010 2.152.15 3030 1515 2.52.5 2525 2020 2.852.85 6060 3535 55 1.751.75 3030 1010 2.12.1 2525 1515 2.452.45 2020 2020 2.82.8

비중공 도전 입자는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐크로라이드(polyvinyl chloride), 폴리메칠메타아크릴레이트(poly methyl meta acrylate), 폴리부타디엔(polybutadiene) 및 이들의 공중합체에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 고분자 수지를 사용하여 제조할 수 있다. 이러한 고분자 수지에 도전성을 부여하기 위하여 기상 성장 카본 파이버(VGCF, Vapor Grown Carbon Fiber), 전도성 카본블랙, 케첸블랙(ketjen black), 아세틸렌블랙(acetylene black), 퍼니스 블랙(furnace black), 서멀블랙(thermal black), 채널 블랙(channel black), 탄소섬유, 탄소나노튜브, 흑연, 그래핀(graphene), 전도성 고분자, 금속분말에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 전도성 물질을 혼합하여 제조한다.
The non-hollow conductive particles may be selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, poly methyl meta acrylate, polybutadiene, And can be produced by using any one or two or more polymer resins selected from copolymers. In order to impart conductivity to such a polymer resin, a vapor-grown carbon fiber (VGCF), a conductive carbon black, a ketjen black, an acetylene black , a furnace black, a thermal black a conductive black material, a thermal black, a channel black, a carbon fiber, a carbon nanotube, a graphite, a graphene, a conductive polymer, and a metal powder.

혼합하는 방법은 110 내지 200℃로 가열 용융 혼합 방법, 용매에 용해시켜서 혼합하는 방법, 이 두 방법을 혼용하는 방법 등이 있다. 혼합기는 통상의 압출기, 브라벤더 플라스티코더(Brabender Plasticorder), 반바리 믹서(Banbary Mixer), 니더(Kneader), 롤밀(Roll Mill) 등을 사용할 수 있다.
The mixing method may be a heating melt mixing method at 110 to 200 캜, a method of dissolving and mixing in a solvent, a method of mixing these two methods, and the like. The mixer may be a conventional extruder, a Brabender Plasticorder, a Banbary Mixer, a Kneader, a Roll Mill, or the like.

고분자 수지의 함량은 20 내지 70중량%가 적당하고, 특히 40 내지 60중량%가 바람직하다. 고분자 수지의 함량이 20중량% 미만인 경우에는 입자의 결합력이 저하되고, 70중량%를 초과하는 경우에는 전도도가 저하된다. 전도성 물질의 함량은 5 내지 80중량%가 적당하고, 특히 10 내지 70중량%가 바람직하다. 전도성 물질의 함량이 5중량% 미만인 경우에는 전도도가 저하되고, 80중량%를 초과하는 경우에는 결합력이 저하된다.
The content of the polymer resin is suitably from 20 to 70% by weight, particularly preferably from 40 to 60% by weight. When the content of the polymer resin is less than 20% by weight, the binding force of the particles is lowered, and when it exceeds 70% by weight, the conductivity is lowered. The content of the conductive material is suitably from 5 to 80% by weight, particularly preferably from 10 to 70% by weight. When the content of the conductive substance is less than 5% by weight, the conductivity is lowered, and when it exceeds 80% by weight, the bonding force is decreased.

이렇게 제조한 도전 입자는 내열성이 부족하기 때문에 내열성을 향상시키기 위하여 디큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide), 라우릴 퍼옥사이드(lauryl peroxide), t-부틸 큐밀 퍼옥사이드(tert-butyl cumyl peroxide), 디(t-부틸 퍼옥시 아이소프로필)벤젠(di(tert-butyl peroxy isopropyl) benzene), 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시)헥산(2,5-dimethyl-2,5-di(tert-butyl peroxy)hexane) 및 디-t-부틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide)에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 가교제를 혼합하고 가교제의 분해 온도 이상으로 가열하여 가교시킨다.
In order to improve the heat resistance, the conductive particles thus produced are inferior in heat resistance. In order to improve the heat resistance, the dicumyl peroxide, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide butyl cumyl peroxide, di (tert-butyl peroxy isopropyl) benzene, 2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane , 5-dimethyl-2,5-di (tert-butyl peroxy) hexane and di-tert-butyl peroxide are mixed, and at least the decomposition temperature Followed by crosslinking.

가교제는 0.5 내지 5중량%를 사용할 수 있고, 1 내지 3중량%가 바람직하다. 가교제의 함량이 0.5중량% 미만인 경우에는 가교 특성이 발현되지 않으며, 5중량%를 초과하는 경우에는 작업성이 저하된다. 가교제는 혼합 초기에 투입할 수도 있고, 혼합 중기 또는 후기에 투입할 수도 있다. 내열성을 부여하고 고온에서도 고분자의 변형을 억제하기 위하여 가교 고분자를 제조하는데 적용되는 가교공정으로서는 다양한 과산화물(peroxide)을 이용하는 공정, 실란(silane)를 사용하는 Sioplas 공정, 비닐실란(vinylsilane)을 사용하는 Monosil 공정이 모두 가능하다. 실란은 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리알콕시실란, 아미노실란, 메로캅토실란, 아세톡시실란 등을 사용한다.
The crosslinking agent may be used in an amount of 0.5 to 5% by weight, preferably 1 to 3% by weight. When the content of the crosslinking agent is less than 0.5% by weight, the crosslinking property is not exhibited, and when it exceeds 5% by weight, workability is deteriorated. The cross-linking agent may be added at the beginning of the mixing, or may be added at the middle or late of the mixing. The cross-linking process used to prepare the crosslinked polymer for imparting heat resistance and suppressing the deformation of the polymer at high temperatures includes a process using various peroxides, a Sioplas process using silane, a process using vinylsilane Monosil processes are all possible. The silane includes vinyl trichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrialkoxysilane, aminosilane, meerocapthosilane, and acetoxysilane.

3. 상기와 같은 구성에서 비중공(非中空) 도전 입자를 금속으로 도금하거나 전도성 고분자를 코팅하여 전도성을 더욱 향상시킬 수 있다. 이 경우 고분자 수지에 실리카, 유리 분말, 금속분말 등을 혼합하여 입자를 제조하면 입자 표면에 실리카, 유리 분말, 금속분말 등이 일정 부분 노출되고, 금속을 도금할 때 이 부분이 도금의 성장점이 되어 도금이 양호하게 된다.3. In the above configuration, non-hollow conductive particles can be plated with metal or coated with a conductive polymer to further improve conductivity. In this case, silica, glass powder, and metal powder are partially exposed on the particle surface by mixing silica resin, glass powder, and metal powder into the polymer resin, and when the metal is plated, this portion becomes a growth point of the plating Plating becomes good.

구체적으로, 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개의 금속을 후술하는 도금 방법으로 도금하여 도전(導電) 입자의 전도도를 향상시킬 수 있다. Specifically, any one selected from copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, titanium, molybdenum, antimony, tantalum, vanadium, palladium, A plurality of metals may be plated by a plating method to be described later to improve the conductivity of the conductive particles.

또한, 비중공(非中空) 도전(導電) 입자에 폴리피롤, 폴리싸이펜, 폴리아닐린 및 이들의 유도체에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개의 전도성 고분자를 코팅하여 도전(導電) 입자의 전도도를 향상시킬 수 있다. 폴리아닐린 등의 전도성 고분자를 클로로포름(chloroform) 또는 메타클레졸(m-cresol)에 용해시키고 분무하면서 헨셀믹서에서 입자와 혼합하면 입자의 표면에 전도성 고분자가 코팅된다.In addition, the conductivity of the conductive particles can be improved by coating one or more conductive polymers selected from polypyrrole, polythiophene, polyaniline and derivatives thereof to the non-hollow conductive particles. When a conductive polymer such as polyaniline is dissolved in chloroform or m-cresol and mixed with particles in a Henschel mixer while spraying, the conductive polymer is coated on the surface of the particles.

도금 방법에는 전해 도금과 무전해 도금이 있는데, 어느 방법을 사용해도 좋다. 이하 무전해 도금 방법에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. 무전해 도금은 그 성능 면에서 다양한 분야에서 이용되고 있다. 무전해 도금은 통전이 불가능한 소재에 촉매화 처리를 함으로써 용이하게 도금을 석출할 수 있다. 이것으로, 전기 전도성이 없는 성질에서도 표면을 금속화시킬 수 있게 되기 때문에 플라스틱의 금속화나 프린트 배선판 제조에 많이 사용되고 있다. 여기서 촉매화 처리에 이용되는 촉매는 일반적으로 팔라듐(Palladium)이 사용된다. 촉매 용액은 염화팔라듐(PdCl2), 황산팔라듐(PdSO4), 염화니켈(NiCl2), 염화아연(ZnCl2), 염화은(AgCl), 염화구리(CuCl2), 염화철(FeCl2), 염화주석(SnCl2), 염화안티몬(SbCl3) 및 염화인듐(InCl3)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 금속물질을 염산, 황산 등의 수용액인 산 용액에 용해시킨 것이 바람직하다.Electroplating and electroless plating are available as plating methods. Either method may be used. Hereinafter, the electroless plating method will be described in detail. Electroless plating is used in various fields in terms of its performance. The electroless plating can easily deposit the plating by performing the catalytic treatment on the material which can not be energized. This makes it possible to metallize the surface even in the absence of electrical conductivity, and thus it is widely used for the metallization of plastics and the manufacture of printed wiring boards. The catalyst used in the catalytic treatment is generally palladium. The catalyst solution is palladium chloride (PdCl 2), sulfuric acid, palladium (PdSO 4), nickel chloride (NiCl 2), zinc chloride (ZnCl 2), silver chloride (AgCl), copper chloride (CuCl 2), iron chloride (FeCl 2), chloride It is preferable that at least one metal material selected from the group consisting of tin (SnCl 2 ), antimony chloride (SbCl 3 ) and indium chloride (InCl 3 ) is dissolved in an acid solution which is an aqueous solution of hydrochloric acid, sulfuric acid or the like.

무전해 동도금액은 5 내지 50g/ℓ의 에틸렌디니트릴로-테트라-2-프로판올(EDTP)과, 10 내지 20g/ℓ의 황산구리(Ⅱ) 5수화물 (CuSO4·5H2O)과, 5 내지 15g/ℓ의 수산화나트륨(NaOH)과, 2.5 내지 10g/ℓ의 포름알데히드(HCHO) 안정제를 포함하는 것이 바람직하다.The amount of the electroless copper plating is 5 to 50 g / l of ethylene dinitrile-tetra-2-propanol (EDTP), 10 to 20 g / l of copper sulfate (II) pentahydrate (CuSO 4 .5H 2 O) 15 g / l of sodium hydroxide (NaOH) and 2.5 to 10 g / l of formaldehyde (HCHO) stabilizer.

은도금액은 금속염으로서 질산은을 포함하고, 환원제로서 차아인산암모늄을 포함한다. 질산은의 농도는 0.5 내지 5 g/ℓ이며, 차아인산암모늄의 농도는 5 내지 30 g/ℓ인 것이 바람직하다. 이러한 이유는, 상기 질산은의 농도가 상기 범위 미만인 경우에는 도금 속도가 저하되고, 상기 범위를 초과하는 경우에는 도금 속도는 증가하지만 도금액의 분해가 일어나기 쉽기 때문이다. 이와 유사하게 차아인산암모늄의 농도가 5 g/ℓ 미만이면 도금속도가 저하되어 생산성이 감소하며, 30 g/ℓ를 초과하는 경우는 도금속도는 증가하지만 용액의 안정성이 저하되어 도금액의 분해가 일어나기 쉬운 단점이 있기 때문이다.The silver plating solution contains silver nitrate as a metal salt and ammonium hypophosphite as a reducing agent. The concentration of silver nitrate is preferably 0.5 to 5 g / l, and the concentration of ammonium hypophosphite is preferably 5 to 30 g / l. This is because, if the concentration of silver nitrate is less than the above range, the plating rate is lowered. If the concentration exceeds the above range, the plating rate is increased but the plating liquid is likely to decompose. Similarly, when the concentration of ammonium hypophosphite is less than 5 g / ℓ, the plating rate decreases and the productivity decreases. When the concentration exceeds 30 g / ℓ, the plating rate increases but the stability of the solution deteriorates and the plating solution decomposes This is because there are easy disadvantages.

무전해 은 도금액은 착화제로서 암모니아수를 더 포함하는데, 착화제로서 에틸렌디아민 및 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA) 중 어느 하나를 사용한다.
The electroless silver plating solution further contains ammonia water as a complexing agent, and one of ethylenediamine and ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) is used as a complexing agent.

4. 비중공(非中空) 도전 입자의 전도성을 향상시키는 다른 방법으로는 전도성이 양호한 카본 분말, 금속 분말 등의 미세 분말을 피복(被覆)시키는 방법이 있다.4. Another method for improving the conductivity of non-hollow conductive particles is to coat (coat) fine powder such as carbon powder or metal powder with good conductivity.

구체적으로, 분말 입자의 평균 직경이 비중공(非中空) 도전(導電) 입자의 평균 직경의 5분의 1 내지 10,000분의 1인 유기계 분말(粉末), 무기계 분말, 탄소계 분말, 금속계 분말에서 선택된 어느 한 종류 또는 복수 개의 종류의 분말을 도전 입자의 표면에 피복(被覆)시키는 방법이 있다. 입자의 표면에 피복시키는 미세한 분말의 직경은 비중공(非中空) 도전(導電) 입자 직경의 5분의 1내지 10,000분의 1이 좋다. 이 범위 이하로 작으면 너무 미세하여 작업성이 저하되고 이 범위 이상으로 크면 피복이 용이하지 않게 된다. 전도성이 좋고 비중이 낮은 분말이 바람직한데, 예를 들면 전도성 고분자 분말, 전도성 카본 등이 있다. 비중은 높지만 전도성이 양호하다는 측면에서 금속 분말도 유용하다. 분말을 피복시키는 장치로는 리본믹서, V-믹서, 더블콘 믹서, 터블런트 믹서, 헨셀믹서, 분체 복합기 등이 있다. 이 장치에 비중공(非中空) 도전(導電) 입자와 미세 분말을 넣고 혼합하여 발생하는 열로 입자 표면에 단단하게 부착되게 하거나 소량의 점착성 또는 접착성 물질을 분무하면서 혼합하여 미세 분말을 피복시킬 수 있다.
Specifically, in the case of an organic powder (powder), an inorganic powder, a carbon powder, and a metal powder having an average diameter of the powder particles of 1/5 to 1/10000 of the average diameter of the non-hollow conductive particles And then coating (coating) the selected one kind or plural kinds of powders on the surface of the conductive particles. The diameter of the fine powder coated on the surface of the particles is preferably 1/5 to 1/10000 of the diameter of the non-hollow conductive (conductive) particles. If it is less than this range, it becomes too fine to reduce workability. If it is larger than this range, coating becomes difficult. Powders having good conductivity and low specific gravity are preferable, and examples thereof include conductive polymer powders and conductive carbon. Metal powders are also useful because they have high specific gravity but good conductivity. Examples of the apparatus for coating the powder include a ribbon mixer, a V-mixer, a double cone mixer, a terblanc mixer, a Henschel mixer, and a powder composite machine. In this device, non-hollow conductive particles and fine powder are mixed and mixed to form a fine powder. The heat is generated by the heat generated by the mixing and bonding of a small amount of tacky or adhesive material while spraying. have.

5. 상기의 피복(被覆)된 비중공 도전(導電) 입자에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스, 전도성 고분자에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개를 코팅시켜서 도전(導電) 입자의 전도도를 더욱 향상시킬 수 있다. 방법은 전술(前述)한 바와 같다.
5. A process for producing a conductive particle as described in any one of (1) to (5) above, wherein the coated (non-conductive) conductive particles are selected from the group consisting of copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, The conductivity of the conductive particles can be further improved by coating one or more selected from antimony, tantalum, vanadium, palladium, bismuth, and conductive polymer. The method is the same as described above.

6. 본 발명에 사용되는 중공 입자는 고분자 수지계 중공 입자, 고분자 수지계를 제외한 유기계 물질, 무기계 물질, 탄소계 물질, 금속계 물질에서 선택된 복수 개의 혼합 물질로 이루어진 혼합물 중공 입자를 사용할 수 있다. 물론 혼합 물질이 아닌 유기계 중공 입자, 무기계 중공 입자, 탄소계 중공 입자를 사용할 수 있다. 전도성이 좋고 비중이 낮은 중공 입자가 바람직하다. 이러한 점에서 보면 전도성 고분자 중공 입자가 바람직하다. 중공 입자의 제조는 공지의 기술을 사용하면 된다. 예를 들면 “고분자 나노템플레이트를 이용한 중공성 무기 나노입자 제조기술”(고분자과학과 기술, 제 18 권 1 호, 2007년 2월, 39쪽), 탄산칼슘 중공 입자를 W/O에멀젼법, 스프레이 드라이법, 버블 템플릿법으로 제조하는 방법 등이 있다. 그리고 (주)서경CMT(한국)에서 시판하는 중공 유리비드나, 중공 무기 필러, 또는 세키스이화성품공업(주)(일본)에서 판매하는 단중공 수지 미립자, 다중공 수지 미립자 등을 사용할 수도 있다.
6. The hollow particles used in the present invention may be hollow polymer particles including polymeric resin hollow particles, polymeric resin materials, organic materials, inorganic materials, carbon materials and metal materials. Of course, organic hollow particles, inorganic hollow particles, and carbon-based hollow particles may be used instead of the mixed material. Hollow particles having good conductivity and low specific gravity are preferable. From this point of view, conductive polymer hollow particles are preferable. The hollow particles may be produced by a known technique. For example, "Techniques for Manufacturing Hollow Inorganic Nanoparticles Using Polymer Nanotubes" (Polymer Science and Technology, Vol. 18, No. 1, Feb. 2007, p. 39), hollow particles of calcium carbonate were prepared by W / O emulsion method, And a method of producing by a bubble template method. Hollow glass beads, hollow inorganic fillers, short hollow resin fine particles, multi-pore resin fine particles sold by Sekisui Chemical Co., Ltd. (Japan), etc., which are commercially available from Seocye CMT (Korea) .

7. 고분자 수지가 구성 성분으로 된 중공 입자는 제조할 때에 가교제를 혼합하고 가교제의 분해 온도 이상으로 가열하여 가교시키거나, 중공 입자 표면에 가교제를 도포한 후에 가교제의 분해 온도 이상으로 가열하여 가교시켜서 내열성을 향상시켜야 한다. 사용되는 가교제의 종류와 사용량은 전술한 바와 같다.
7. The hollow particles comprising the polymer resin are prepared by mixing the cross-linking agent at the time of production and heating the cross-linking agent by heating to a temperature not lower than the decomposition temperature of the cross-linking agent, or by applying the cross-linking agent to the surface of the hollow particles, Heat resistance should be improved. The kind and amount of the crosslinking agent used are as described above.

8. 상기의 중공(中空) 도전(導電) 입자에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개의 금속을 전술한 도금 방법으로 도금하여 도전(導電) 입자의 전도도를 향상시킬 수 있다. 또한, 중공(中空) 도전(導電) 입자에 폴리피롤, 폴리싸이펜, 폴리아닐린 및 이들의 유도체에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개의 전도성 고분자를 전술한 방법으로 코팅하여 도전(導電) 입자의 전도도를 향상시킬 수 있다.
8. A process for producing a conductive particle as described in any one of the above (1) to (5), wherein the hollow conductive conductive particles are coated with a metal selected from the group consisting of copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, , Vanadium, palladium, and bismuth may be plated by the above-described plating method to improve the conductivity of the conductive particles. It is also possible to coat the hollow conductive conductive particles with one or a plurality of conductive polymers selected from polypyrrole, polythiophene, polyaniline and derivatives thereof by the aforementioned method to improve the conductivity of the conductive particles have.

9. 중공(中空) 도전(導電) 입자의 전도성을 향상시키는 다른 방법으로는 분말 입자의 평균 직경이 중공(中空) 도전(導電) 입자의 평균 직경의 5분의 1 내지 10,000분의 1인 유기계 분말(粉末), 무기계 분말, 탄소계 분말, 금속계 분말에서 선택된 어느 한 종류 또는 복수 개의 종류의 분말을 도전 입자의 표면에 전술한 방법으로 피복(被覆)시키는 방법이 있다.
9. Hollow Conductivity Another way of improving the conductivity of the particles is to increase the conductivity of the organic particles in which the average diameter of the powder particles is one fifth to one-tenth of the average diameter of the hollow conductive particles There is a method in which one or more kinds of powders selected from powders, inorganic powders, carbon powders and metal powders are coated on the surface of the conductive particles by the above-mentioned method.

10. 유기계 분체, 무기계 분체, 탄소계 분체, 금속계 분체 등은 각기 다른 물성(비중, 입도, 입자 형태, 전기전도도, 도금 특성 등)을 가지고 있기 때문에 이들을 조합하여 다성분계 복합 분체를 제조하면 비중, 입도, 입자 형태, 전기전도도, 도금 특성 등을 바람직하게 조정할 수 있다. 저비중 분체-고비중 분체, 도금 양호 분체-도금 불량 분체, 섬유형상 분체-구형 분체, 평면형 분체-구형 분체, 큰 입자 분체-작은 입자 분체, 유기계 분체-무기계 분체, 유기계 분체-탄소계 분체, 무기계 분체-탄소계 분체 등의 다양한 조합이 가능하기 때문에 원하는 특성을 갖는 다성분 복합 분체 제조를 할 수 있다.10. Since the organic powder, the inorganic powder, the carbon powder, and the metal powder have different physical properties (specific gravity, particle size, particle shape, electrical conductivity, plating characteristics, etc.) The particle size, the electric conductivity, the plating property, and the like can be suitably adjusted. Fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, fine powder, Inorganic powder-carbon powder, and the like, it is possible to produce a multi-component composite powder having desired properties.

다성분 복합 분체에 대하여 좀 더 구체적으로 설명한다. 중공(中空) 고분자 입자는 비중이 1 이하로 도금을 하면 저비중 도전 입자가 되지만 글래스비드(glass bead), 실리카, 금속 입자 등에 비하여 도금이 잘 되지 않는 결점이 있다. 따라서 이 도전 입자의 전도도는 낮아지고 이를 사용한 전자파 차폐 필름의 성능이 저하된다는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 예를 들면, 3 내지 5μm의 중공(中空) 고분자 입자에 나노사이즈의 실리카 입자로 복합화 처리를 하여 중공(中空) 고분자 입자 표면에 실리카 입자를 단단하게 피복시키면 도금 특성이 양호해지고, 이를 사용한 전자파 차폐 필름의 성능이 향상된다.
The multi-component composite powder will be described in more detail. The hollow polymer particles have a drawback that when coated with a specific gravity of 1 or less, they become low specific gravity conductive particles, but they are not plated more easily than glass beads, silica, and metal particles. Therefore, the conductivity of the conductive particles is lowered and the performance of the electromagnetic wave shielding film using the conductive particles is deteriorated. In order to solve such a problem, for example, if the hollow polymer particles having a size of 3 to 5 탆 are subjected to a composite treatment with nano-sized silica particles to firmly coat the silica particles on the surface of the hollow polymer particles, And the performance of the electromagnetic wave shielding film using the same is improved.

또한 팽창 흑연은 비중이 낮으나 전도도가 불량하다는 단점이 있다. 팽창 흑연의 직경보다 100분의 1 정도의 직경을 갖는 열가소성 고분자 수지 분말과 구리 분말을 사용하여 팽창 흑연의 표면에 피복시킨 다성분계 복합 분체를 제조하면 비중도 낮고 전기전도성도 양호하고 도금도 잘 되는 저비중 중공 도전 입자를 제조할 수 있다. 따라서 이 도전 입자를 사용한 전자파 차폐 필름의 성능이 향상된다.Expansion graphite has a disadvantage of low specific gravity but poor conductivity. It is possible to produce a multicomponent composite powder coated on the surface of expanded graphite by using a thermoplastic polymer resin powder and copper powder having a diameter of about 1/100 of the diameter of expanded graphite and have a low specific gravity and good electrical conductivity and good plating Hollow hollow conductive particles can be produced. Therefore, the performance of the electromagnetic wave shielding film using the conductive particles is improved.

기존의 연구에서는 단일 성분의 분체 입자를 도금한 도전 입자를 사용하여 코팅제를 제조하거나, 구형 도전 입자와 침상(針狀) 도전 입자와 같이 형태가 다른 도전 입자를 혼합 사용하여 코팅제를 제조하고 있다. 이에 비하여 본 발명에서는 다성분계 복합 분체 입자를 제조한 후에 도금하여 저비중 중공 도전 입자를 제조하고, 이를 사용하여 코팅제 및 전자파 차폐 필름을 제조한다.
Conventional studies have produced a coating agent using conductive particles plated with single-component powder particles or mixed conductive particles having different shapes such as spherical conductive particles and acicular conductive particles. On the other hand, in the present invention, the multi-component composite powder particles are prepared and then plated to prepare low specific gravity hollow conductive particles, and a coating agent and an electromagnetic wave shielding film are prepared using the hollow conductive particles.

중공 입자의 표면에 피복시키는 미세한 분말의 직경은 중공 입자 직경의 5분의 1내지 10,000분의 1이 좋다. 이 범위 이하로 작으면 너무 미세하여 작업성이 저하되고 이 범위 이상으로 크면 피복이 용이하지 않게 된다. 피복시키는 미세 분말에는 유기계 분말(粉末), 무기계 분말, 탄소계 분말, 금속계 분말 등이 있다. 전도성이 좋고 비중이 낮은 분말이 바람직한데, 예를 들면 전도성 고분자 분말이 있다. 비중은 높지만 전도성이 양호하다는 측면에서 금속 분말도 유용하다.The diameter of the fine powder coated on the surface of the hollow particles is preferably one fifth to one-tenth of the diameter of the hollow particles. If it is less than this range, it becomes too fine to reduce workability. If it is larger than this range, coating becomes difficult. Examples of the fine powder to be coated include organic powder (powder), inorganic powder, carbon powder, metal powder and the like. A powder having a good conductivity and a low specific gravity is preferable, for example, a conductive polymer powder. Metal powders are also useful because they have high specific gravity but good conductivity.

다성분계 복합 분체를 제조하는 장치로는 리본믹서, V-믹서, 더블콘 믹서, 터블런트 믹서, 헨셀믹서, 분체 복합기 등이 있으며, 이 장치에 미세 분말과 중공 도전 입자를 넣고 혼합, 가열 혼합, 점착성 물질 분무 혼합, 접착성 물질 분무 혼합 등의 방법으로 복합 분체를 제조할 수 있다.Examples of the apparatus for producing a multicomponent composite powder include a ribbon mixer, a V-mixer, a double cone mixer, a terblanc mixer, a Henschel mixer, and a powder composite machine. In this apparatus, fine powder and hollow conductive particles are mixed, The composite powder can be produced by a method such as spraying of a viscous material, mixing of an adhesive material, and the like.

상기의 유기계 분말, 유기계 물질, 유기계 중공 입자, 고분자 수지를 구성하는 물질로 공액구조를 갖는 전기전도성 고분자인 폴리피롤, 폴리싸이펜, 폴리아닐린 및 이들의 유도체에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개를 사용하는 것도 바람직하다.
It is also preferable to use any one or more selected from the above-described organic conductive powder, organic material, organic hollow particle, and electroconductive polymer having conjugated structure as the material constituting the polymer resin, polypyrrole, polythiophene, polyaniline and derivatives thereof Do.

11. 코팅제 조성물은 열경화성 바인더 수지, 용매, 본 발명의 저비중 도전 입자, 경화제, 계면 활성제를 필수 구성 성분으로 하고, 필요하면 선택적으로 산화 방지제를 구성 성분으로 한다.11. The coating composition contains, as an essential component, a thermosetting binder resin, a solvent, a low specific gravity conductive particle of the present invention, a curing agent and a surfactant, and optionally contains an antioxidant as a constituent.

열경화성 바인더 수지는 축중합형(縮重合形)과 첨가중합형으로 나뉘는데 축중합형에는 페놀수지, 요소수지, 멜라민수지 등이 있고, 첨가중합형에는 에폭시수지, 폴리에스터수지 등이 있다. 사용량은 0.3 내지 50중량%가 바람직하다. 사용량이 0.3% 미만인 경우에는 결합력이 미흡하고 50중량%를 초과하면 전도성이 저하된다. The thermosetting binder resin is classified into a condensation polymerization type (condensation polymerization type) and an addition polymerization type. The condensation type includes phenol resin, urea resin, and melamine resin. The addition polymerization type includes epoxy resin and polyester resin. The amount to be used is preferably 0.3 to 50% by weight. When the amount is less than 0.3%, the bonding force is insufficient and when it exceeds 50% by weight, the conductivity is lowered.

용매로는 다양한 유기 용매를 사용할 수 있으나 작업자의 건강과 환경을 고려하면 에탄올이 바람직하다. 사용량은 10 내지 60중량%가 바람직하다. 사용량이 10% 미만인 경우에는 코팅제의 점도가 너무 높아서 작업성이 저하되고 60중량%를 초과하면 전도성, 결합력 등의 물성이 저하된다.
Various organic solvents can be used as the solvent, but ethanol is preferable considering the health and environment of the worker. The amount is preferably 10 to 60% by weight. When the amount is less than 10%, the viscosity of the coating agent is too high and the workability is deteriorated. When the amount is more than 60% by weight, the physical properties such as conductivity and bonding force are lowered.

본 발명의 도전 입자인 비중이 3 이하인 저비중 도전(導電) 입자를 30 내지 70중량%를 사용하는 것이 바람직한데, 함량이 30중량% 미만이면 전도성이 저하되고 70중량%를 초과하면 부착성이 저하된다.It is preferable to use 30 to 70 wt% of low specific gravity conductive particles having a specific gravity of 3 or less as the conductive particles of the present invention. When the content is less than 30 wt%, the conductivity is deteriorated. When the content is more than 70 wt% .

경화제는 헥사메틸렌테트라민, 아민류, 폴리아마이드, 산무수물, 삼플루오르화 붕소 등을 사용할 수 있으며, 사용량은 0.1 내지 7중량%가 바람직하다. 사용량이 0.1% 미만인 경우에는 경화작용이 미흡하고 7중량%를 초과하면 필름의 내굴곡성 등의 물성이 저하된다.As the hardening agent, hexamethylenetetramine, amines, polyamides, acid anhydrides, boron trifluoride and the like can be used, and the amount is preferably 0.1 to 7% by weight. When the amount is less than 0.1%, the curing action is insufficient, and when it exceeds 7% by weight, physical properties such as flex resistance of the film are lowered.

계면 활성제로는 비이온성 계면 활성제를 사용하는 것이 좋으나 음이온 계면활성제, 양이온 계면활성제, 양쪽성 계면활성제 등도 사용할 수 있다. 사용량은 0.1 내지 3중량%가 바람직하다. 사용량이 0.1% 미만인 경우에는 분산작용이 미흡하고 3중량%를 초과해도 더 이상 분산 효과는 증가하지 않는다.
As the surfactant, it is preferable to use a nonionic surfactant, but an anionic surfactant, a cationic surfactant, and an amphoteric surfactant can also be used. The amount to be used is preferably 0.1 to 3% by weight. When the amount is less than 0.1%, the dispersing action is insufficient, and when the amount is more than 3% by weight, the dispersing effect does not increase any more.

산화 방지제로는 1-옥탄티올(1-octanethiol), 부틸화된 하이드록시톨루엔(BHT, Butylated Hydroxy Toluene), 디부틸하이드록시톨루엔(DHT, Dibutyl Hydorxy Toulene), 브릴 히드록시 아리솔(BHA), 벤조트리아졸(Benzo triasol), 토릴트리아졸(toril triasol), 환형 아민류 등을 사용할 수 있다. 사용량은 0.1 내지 3중량%가 바람직하다. 사용량이 0.1% 미만인 경우에는 산화방지 효과가 미미하고 3중량%를 초과해도 더 이상 산화방지 효과는 증가하지 않는다.Examples of the antioxidant include 1-octanethiol, butylated hydroxytoluene (BHT), dibutyl hydroxytoluene (DHT), bridhydroxyarisol (BHA) Benzo triasol, toril triasol, cyclic amines and the like can be used. The amount to be used is preferably 0.1 to 3% by weight. If the amount is less than 0.1%, the antioxidant effect is insignificant. If the amount is more than 3% by weight, the antioxidant effect does not increase any more.

코팅제의 제조 순서는 다음과 같다. 용매에 계면활성제를 혼합하고 도전 입자를 분산시킨 후에 바인더 수지를 넣고 혼합을 한다. 그 다음에 경화제와 필요에 따라 산화방지제를 넣고 혼합한다.
The manufacturing procedure of the coating agent is as follows. After the surfactant is mixed with the solvent and the conductive particles are dispersed, the binder resin is added and mixed. Then, the hardener and, if necessary, the antioxidant are added and mixed.

12. 제 2 절연층 위에 스파터링, 진공증착, 금속용사, 이온플레이팅 등의 방법으로 금속 박막층을 추가로 형성시킬 수 있다. 이와 같은 금속 박막층이 추가로 더 있게 되면 전기전도도가 증가되어 전자파 차폐 성능이 향상된다.
12. A metal thin film layer may be further formed on the second insulating layer by sputtering, vacuum deposition, metal spraying, ion plating, or the like. When such a metal thin film layer is further provided, the electric conductivity is increased to improve the electromagnetic shielding performance.

13. 또한, 전자파 차폐 필름의 금속 박막층에 크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하여 소결시키는 것을 추가로 수행할 수도 있다. 섬광 소결을 시키면 금속 박막층의 표면만 순간적으로 고온으로 되어 소결되고 하부의 절연층 등은 손상되지 않는다. 소결된 금속 박막층은 조직이 치밀해지고 밀도가 높아지기 때문에 전기전도도가 상승하고 그 결과 전자파 차폐 성능이 향상된다.
13. Further, it is also possible to further perform sintering by irradiating a metal thin film layer of the electromagnetic wave shielding film with a white flash (xenon lamp) by a xenon lamp. When the sintering is performed by flash light, only the surface of the metal thin film layer is instantaneously heated to sinter and the underlying insulating layer and the like are not damaged. Since the sintered metal thin film layer becomes dense and has a high density, the electric conductivity increases, and as a result, the electromagnetic shielding performance is improved.

14. 그리고 전자파 차폐 필름의 도전성 열경화 수지층을 상기와 같은 방법으로 소결시키는 것을 추가로 수행할 수도 있다. 섬광 소결을 시키면 도전성 열경화 수지층의 표면만 순간적으로 고온으로 되어 소결된다. 소결된 도전성 열경화 수지층의 조직이 치밀해지고 밀도가 높아지기 때문에 전기전도도가 상승하고 그 결과 전자파 차폐 성능이 향상된다.14. Further, the conductive thermosetting resin layer of the electromagnetic wave shielding film may be further sintered in the same manner as described above. When flash light is sintered, only the surface of the conductive thermosetting resin layer is instantaneously heated to be sintered. The structure of the sintered conductive thermosetting resin layer becomes dense and the density becomes high, so that the electric conductivity increases, and as a result, the electromagnetic shielding performance is improved.

크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하는 장치로는 독일의 Dresden Thin Film Technology사의 Flash Lamp Annealing 장치(모델 FLA-100AS) 등이 있다. 크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하여 소결시키는 방법으로는 고전압 펄스(pulse) 전원장치를 이용하여 마이크로 초 단위 내지 밀리 초 단위의 짧은 순간에 고열을 발생시켜 소결시키는 것이 바람직하다.
A device for irradiating a white flash with a xenon lamp is a flash lamp annealing device (model FLA-100AS) manufactured by Dresden Thin Film Technology, Germany. As a method of sintering by irradiating a white flash with a xenon lamp, high-temperature heat is generated and sintered in a short period of microseconds to milliseconds using a high-voltage pulse power supply .

이하 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만 이것은 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples, but it should not be construed as being limited thereto.

1. 실시예1 <비중공 도전 입자의 제조 1>1. Example 1 < Production of non-pore-forming conductive particles 1 >

고분자 바인더로서 고밀도폴리에틸렌(분자량: 70,000), 도전제로서 기상 성장 탄소섬유(VGCF)와 구리 분말(평균 입도 0.5μm), 가교제로서 큐밀하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide)를 중량비로 45 : 43 : 10 : 2의 비율로 사용하였다. 고밀도폴리에틸렌을 이축 압출기(extruder)에 투입한 후 고분자가 용융되는 온도 범위(120-180°C)인 170°C에서 고분자를 용융시킨 상태에서 기상 성장 탄소섬유(VGCF)를 10등분으로 분할 투입하여 균일하게 혼합하고, 구리 분말을 투입하여 균일하게 혼합하였다. 이후에 가교제를 넣고 혼합시킨 후에 250°C로 가열된 압출기 다이(extruder die)를 통과시켜서 1mm 두께의 시트 형태로 사출하고 냉각시켰다. 용융된 고분자가 압출기 다이(extruder die)를 통과할 때에 열분해되는 큐밀하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide)가 라디칼을 생성하여 용융된 풀리에틸렌 주사슬과 가교반응이 일어나며, 압출기 다이를 나올 때 쯤 되면 모두 가교된 상태가 된다. 냉각된 시트 형태의 사출물을 롤밀로 조분쇄를 한 후에 건식 콜로이드 밀로 미분쇄를 하여 평균 입도 7μm인 비중공 도전 입자를 제조하였다. 제조한 비중공 도전 입자의 밀도는 2.2g/cm3였다.
(Weight average molecular weight: 70,000) as a polymer binder, vapor-grown carbon fiber (VGCF) and copper powder (average particle size: 0.5 m) as a conductive agent, and cumyl hydroperoxide as a crosslinking agent at a weight ratio of 45: 43: 10: 2 ratio. The high density polyethylene is fed into a twin-screw extruder and the vapor-grown carbon fiber (VGCF) is divided into 10 parts in a state where the polymer is melted at a temperature range (120-180 ° C) at which the polymer is melted at 170 ° C Uniformly mixed, and copper powder was added thereto to uniformly mix. Thereafter, the cross-linking agent was added and mixed, and then the mixture was extruded through an extruder die heated at 250 ° C to form a sheet having a thickness of 1 mm and cooled. When the molten polymer passes through an extruder die, cumyl hydroperoxide, which is pyrolyzed, generates radicals, which causes a crosslinking reaction with the melted pulley ethylene main chain. When the extruder die comes out, . The cooled sheet-shaped extrudate was coarsely pulverized by a roll mill and then finely pulverized by a dry colloid mill to prepare non-rigid conductive particles having an average particle size of 7 탆. The density of the specific gravity conductive particles produced was 2.2 g / cm &lt; 3 & gt ;.

2. 실시예2 <비중공 도전 입자의 제조 2>2. Example 2 < Production of non-pore-forming conductive particles 2 >

전도성 고분자인 폴리아닐린을 클로로포름(chloroform)에 용해시켜서 20중량% 용액을 제조하였다. 실시예 1의 도전 입자 400g을 헨셀믹서에 넣고 상기의 폴리아닐린 용액을 분무하면서 혼합하였다. 혼합은 교반날개의 선속도 40m/s 조건에서 폴리아닐린 용액 20g을 분무하면서 1분 혼합과 1분 정지를 10회 반복하여 폴리아닐린을 도전 입자의 표면에 코팅시켰다. 이 때 용매인 클로로포름은 교반날개가 고속으로 회전하면서 발생하는 열에 의하여 증발되었다. 제조한 비중공 도전 입자의 밀도는 2.1g/cm3였다.
Polyaniline, a conductive polymer, was dissolved in chloroform to prepare a 20 wt% solution. 400 g of the conductive particles of Example 1 were placed in a Henschel mixer and the polyaniline solution was mixed while spraying. The mixture was sprayed with 20 g of the polyaniline solution at a linear speed of 40 m / s, and the mixture was stirred for 1 minute and for 1 minute, and 10 times, polyaniline was coated on the surface of the conductive particles. At this time, the solvent chloroform was evaporated by the heat generated by the stirring blades rotating at a high speed. The density of the specific gravity conductive particles produced was 2.1 g / cm &lt; 3 & gt ;.

3. 실시예3 <비중공 도전 입자의 제조 3>3. Example 3 < Production of Non-Heavy Boundary Conductive Particles 3 >

조인엠(주)(한국)의 구리분말(CUSP70, 평균 입도 7.0㎛)을 미분쇄하여 평균 입도가 0.1㎛되게 조정하였다. 실시예 1의 비중공 도전 입자 200g에 상기의 구리 분말 20g과 융점이 105내지115℃이고 평균 입도가 0.5μm인 폴리에틸렌(LDPE) 분말 2g을 넣고 헨셀믹서로 교반날개의 선속도 40m/s 조건에서 2분 혼합과 1분 정지를 5회 반복하여 구리와 폴리에틸렌을 실시예 1의 비중공 도전 입자에 피복시켰다. 이 때 교반날개가 고속으로 회전하면서 발생하는 열에 의하여 폴리에틸렌(LDPE) 분말이 용융되어 구리분말과 함께 입자 표면에 피복되었다. 제조한 비중공 도전 입자의 밀도는 2.8g/cm3였다.
Copper powder (CUSP70, average particle size 7.0 mu m) of Joinm Co., Ltd. (Korea) was finely pulverized to adjust the average particle size to 0.1 mu m. 20 g of the above copper powder and 2 g of polyethylene (LDPE) powder having an average particle size of 0.5 탆 and a melting point of 105 캜 to 115 캜 were placed in 200 g of the non-pore-forming conductive particles of Example 1 at a linear speed of 40 m / s using a Henschel mixer The 2-minute mixing and the 1-minute stop were repeated 5 times to cover the non-bare conductive particles of Example 1 with copper and polyethylene. At this time, the polyethylene (LDPE) powder was melted by the heat generated as the stirring blade rotated at a high speed, and was coated on the particle surface together with the copper powder. The density of the specific gravity conductive particles produced was 2.8 g / cm &lt; 3 & gt ;.

4. 실시예4 <비중공 도전 입자의 제조 4>4. Example 4 < Production of non-pore-forming conductive particles 4 >

질산은을 증류수에 용해시켜 질산은의 농도가 2.0 g/ℓ인 수용액을 제조하였다. 이 수용액에 착화제로 암모니아수와 에틸렌디아민을 각각 120 ㎖/ℓ 와 5.2 g/ℓ 첨가하였다. 차아인산암모늄을 증류수에 용해시켜 농도가 15 g/ℓ인 환원제 수용액을 제조하였다. 이 차아인산암모늄 수용액에 10wt%의 수산화나트륨 수용액을 가하여 pH 10.5로 조절하였다.Silver nitrate was dissolved in distilled water to prepare an aqueous solution having a silver nitrate concentration of 2.0 g / l. Ammonia water and ethylenediamine were added as a complexing agent to the aqueous solution at 120 ml / L and 5.2 g / L, respectively. Ammonium hypophosphite was dissolved in distilled water to prepare a reducing agent aqueous solution having a concentration of 15 g / l. The aqueous ammonium phosphite solution was adjusted to pH 10.5 by adding 10 wt% aqueous solution of sodium hydroxide.

상기 제조된 은염 수용액 및 환원제 수용액을 혼합하여 도금액을 제조하였다. 실시예 3의 비중공 도전 입자를 도금액에 넣고 상온에서 30분간 교반하여 도금하였다. 도금을 한 후에는 여과하고 증류수로 3회 세정한 후에 건조하였다. 제조한 비중공 도전 입자의 밀도는 2.9g/cm3였다.
The prepared silver salt aqueous solution and the reducing agent aqueous solution were mixed to prepare a plating solution. The non-hollow conductive particles of Example 3 were placed in a plating solution and stirred at room temperature for 30 minutes to perform plating. After plating, it was filtered, washed three times with distilled water, and then dried. The density of the specific gravity conductive particles produced was 2.9 g / cm &lt; 3 & gt ;.

5. 실시예5 <중공 도전 입자의 제조 1>5. Example 5 < Production of Hollow Conductive Particles 1 >

(주)동남합성의 HYDRO BG100(에틸렌옥사이드/프로필렌옥사이드 블록 공중합체) 700g과 알파-시클로덱스트린(α-cyclodextrin) 300g을 증류수 4000g에 넣고 실온에서 15시간 동안 교반하여 HYDRO BG100에 알파-시클로덱스트린(α-cyclodextrin)이 끼워져 있는 형태의 미셀을 형성시켰다. 질소 분위기의 900℃ 전기로에서 열분해하여 중공 탄소 입자를 제조하였다. 제조한 중공 도전 입자의 평균입도는 1.7μm이고, 밀도는 0.3g/cm3였다.
700 g of HYDRO BG100 (ethylene oxide / propylene oxide block copolymer) and 300 g of alpha -cyclodextrin were added to 4000 g of distilled water and stirred at room temperature for 15 hours to obtain alpha-cyclodextrin (HYDRO BG100) α-cyclodextrin) was inserted into the microcapsules. The hollow carbon particles were pyrolyzed in an electric furnace at 900 ° C under a nitrogen atmosphere. The average particle size of the hollow conductive particles produced was 1.7 mu m and the density was 0.3 g / cm &lt; 3 & gt ;.

6. 실시예6 <중공 도전 입자의 제조 2>6. Example 6 < Production of Hollow Conductive Particles 2 >

1800ml의 증류수에 현탁안정제로 폴리디알릴 디메틸 암모니움 클로라이드(polydiallylammonium chloride) 60ml와 젤라틴 3g을 완전히 녹인 다음 교반기, 냉각기, 질소공급선, 온도제어기가 연결되어 있는 3리터 용량의 5구 반응기에 넣고 질소를 1 시간 이상 흘려서 용존 산소를 제거하였다. 디비닐벤젠과 스틸렌을 각각 5중량%의 수산화나트륨 용액과 물로 3회 반복 세척하여 중합억지제를 제거하였다. 세척한 디비닐벤젠 15ml와 스틸렌 185ml을 삼각플라스크에 넣고 개시제로 AIBN(Azobisisobutyronitrile) 1.2g을 넣고 녹인 후에 이 단량체 혼합물에 조인엠(주)(한국)의 구리분말(CUSP70, 평균 입도 7.0㎛)을 미분쇄하여 평균 입도가 0.1㎛되게 조정한 것 100g을 넣고 혼합하였다.60 ml of polydiallylammonium chloride and 3 g of gelatin were completely dissolved in 1800 ml of distilled water as a suspension stabilizer and then placed in a 3 liter capacity five-necked reactor equipped with a stirrer, a condenser, a nitrogen supply line and a temperature controller. Dissolved oxygen was removed for more than 1 hour. Divinylbenzene and styrene were washed three times with 5 wt% sodium hydroxide solution and water, respectively, to remove the polymerization inhibitor. 15 ml of the washed divinylbenzene and 185 ml of styrene were placed in an Erlenmeyer flask, 1.2 g of AIBN (Azobisisobutyronitrile) was added as an initiator, and the mixture was dissolved. To this monomer mixture, copper powder (CUSP70, average particle size 7.0 탆) Finely pulverized, and adjusted to have an average particle size of 0.1 탆, were put and mixed.

이 혼합물을 5구 반응기에 넣고 40℃에서 30분 동안 현탁시킨 다음에 분당 1℃씩 상승시켜서 80℃까지 상승시켰다. 80℃에서 24시간 동안 반응시킨 후 합성된 구형 고분자를 여과 및 세척을 하고 100℃의 진공오븐에서 24시간 동안 건조하여 고분자 중공 입자를 제조하였다. 여기에 가교제로서 큐밀하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide) 2g을 넣고 균일하게 혼합하여 입자 표면에 도포시킨 후에 분당 5℃씩 상승시켜서 200℃까지 상승시켜서 입자 표면을 가교시켰다. 제조한 중공 도전 입자의 평균입도 8.2㎛이고, 밀도는 2.6g/cm3였다.
The mixture was placed in a five-necked reactor, suspended at 40 DEG C for 30 minutes, then elevated by 1 DEG C / minute and raised to 80 DEG C. [ After reacting at 80 ° C for 24 hours, the synthesized spherical polymer was filtered and washed and dried in a vacuum oven at 100 ° C for 24 hours to prepare polymer hollow particles. 2 g of cumyl hydroperoxide as a cross-linking agent was added and uniformly mixed to coat the surface of the particles. The particles were then raised at a rate of 5 ° C / minute, and the temperature was raised to 200 ° C to crosslink the particle surfaces. The average particle size of the produced hollow conductive particles was 8.2 탆, and the density was 2.6 g / cm 3 .

7. 실시예 7 <중공 도전 입자의 제조 3>7. Example 7 < Production of Hollow Conductive Particles 3 >

실시예 6의 중공 도전 입자를 실시예 4와 같은 방법으로 은 도금을 하였다. 제조한 중공 도전 입자의 밀도는 2.8g/cm3였다.
The hollow conductive particles of Example 6 were subjected to silver plating in the same manner as in Example 4. The density of the produced hollow conductive particles was 2.8 g / cm &lt; 3 & gt ;.

8. 실시예 8 <중공 도전 입자의 제조 4>8. Example 8 < Production of Hollow Conductive Particles 4 >

팽창 흑연은 내부에 빈 공간이 있는 탄소계 중공 입자 중의 하나이다. (주)삼정씨엔지의 팽창 흑연(EP-100, 밀도 0.3g/cm3, 평균 입도 100μm)를 콜로이드 밀로 미분쇄하여 평균 입도 4μm가 되게 조정하였다. 조인엠(주)의 구리분말(CUSP70, 평균 입도 7.0㎛)을 미분쇄하여 평균 입도가 0.1㎛되게 조정하였다. 상기의 팽창 흑연 250g에 상기의 구리 분말 50g과 전도성 고분자인 폴리아닐린 분말(평균 입도 : 0.5μm) 10g을 넣고 헨셀믹서로 교반날개의 선속도 40m/s 조건에서 2분 혼합과 1분 정지를 5회 반복하여 구리와 폴리아닐린을 중공 팽창 흑연 입자에 피복시켰다. 제조한 중공 도전 입자의 밀도는 1.7g/cm3였다.
Expanded graphite is one of the carbon-based hollow particles with voids inside. Expansion graphite (EP-100, density 0.3 g / cm 3 , average particle size 100 μm) of Samjung Co., Ltd. was milled with a colloid mill to adjust the average particle size to 4 μm. Copper powder (CUSP70, average particle size 7.0 mu m) of Join M. Co. was finely pulverized to adjust the average particle size to 0.1 mu m. 50 g of the above copper powder and 10 g of polyaniline powder (average particle size: 0.5 m) as a conductive polymer were added to 250 g of the expanded graphite and mixed for 2 minutes at a linear speed of 40 m / s and 5 minutes for 1 minute with a Henschel mixer Copper and polyaniline were repeatedly coated on hollow expanded graphite particles. The density of the produced hollow conductive particles was 1.7 g / cm &lt; 3 & gt ;.

9. 실시예 9 <중공 도전 입자의 제조 5>9. Example 9 < Production of Hollow Conductive Particles 5 >

세키스이화성품공업(주)(일본)의 단중공 미립자(평균 입도 4.2μm, 고분자 수지 중공 입자, 밀도 0.5g/cm3) 300g에 듀폰사의 나노 실리카(HS-40) 50g과 가교제로 큐밀하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide) 3g을 넣고 헨셀믹서로 교반날개의 선속도 40m/s 조건에서 1분 혼합과 1분 정지를 5회 반복하여 나노 실리카를 고분자 수지 단중공 입자에 피복시켰다. 그리고 200℃에서 10분간 가교시켰다.50 g of nanosilica (HS-40) manufactured by DuPont was added to 300 g of single hollow microparticles (average particle size of 4.2 m, polymeric resin hollow particles, density 0.5 g / cm 3 ) of Sekisui Chemical Co., 3 g of cumyl hydroperoxide was added and mixed with the Henschel mixer at a linear velocity of 40 m / s for 1 minute and 1 minute for 5 times to coat the nanoparticles with the polymeric resin short hollow particles. And crosslinked at 200 DEG C for 10 minutes.

촉매화 처리 수용액을 염화팔라듐(PdCl2) 농도 1.6 g/ℓ, 염화주석(SnCl2) 농도 25 g/ℓ, 염산(HCl) 농도 150 ㎖/ℓ로 제조하였다. 상기의 제조된 미세 분말이 표면에 피복된 중공 입자를 촉매화 처리 수용액에 넣고 40℃에서 10분 동안 교반하였다. 여과를 한 후에 증류수로 2회 세정하였다. 그리고 증류수 750 ㎖에 황산(H2SO4) 150 ㎖을 희석한 활성화 처리 수용액에 넣고 실온에서 5분 동안 교반하여 활성화하였다.The catalyzed aqueous solution was prepared with palladium chloride (PdCl 2 ) concentration of 1.6 g / l, tin chloride (SnCl 2 ) concentration of 25 g / l, and hydrochloric acid (HCl) concentration of 150 ml / l. The hollow particles coated with the fine powder prepared above were placed in an aqueous catalytic treatment solution and stirred at 40 ° C for 10 minutes. After filtration, it was washed twice with distilled water. To 750 ml of distilled water, 150 ml of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) was added to the diluted aqueous solution for activation treatment, and the mixture was stirred at room temperature for 5 minutes for activation.

도금액을 황산구리 5수화물 농도 10g/ℓ, 37% 포름알데히드 농도 2㎖/ℓ, 에틸렌디아민테트라아세트산 농도 30g/ℓ, 2,2′-디피리딜 농도 30mg/ℓ, 폴리에틸렌글리콜(평균분자량 600) 농도 20㎖/ℓ로 제조하고 수산화나트륨으로 pH를 12로 조정하였다. 상기의 제조된 중공 입자를 도금액에 넣고 50℃에서 10분간 교반하여 도금하였다. 구리 도금을 한 후에는 여과하고 증류수로 2회 세정한 후에 실시예 4과 같은 방법으로 은 도금을 하였다. 제조한 중공 도전 입자의 밀도는 1.0g/cm3였다.
The plating solution was adjusted to a concentration of 10 g / l of copper sulfate pentahydrate, a concentration of 37% formaldehyde, a concentration of ethylenediamine tetraacetic acid of 30 g / l, a concentration of 2,2'-dipyridyl of 30 mg / l and a concentration of polyethylene glycol 20 ml / l and the pH was adjusted to 12 with sodium hydroxide. The prepared hollow particles were placed in a plating solution and stirred at 50 캜 for 10 minutes for plating. After copper plating, the resultant was filtered, washed twice with distilled water, and silver-plated by the same method as in Example 4. The density of the hollow conductive particles produced was 1.0 g / cm 3 .

10. 실시예 10 <중공 도전 입자의 제조 6>10. Example 10 < Production of Hollow Conductive Particles 6 >

(주)서경CMT의 중공 유리(iM30K, 밀도 0.6g/cm3, 평균 입도 16μm)를 분리 분급하여 평균 입도 7μm가 되게 조정하였다. 이 중공 유리 400g에 듀폰사의 나노 실리카(HS-40) 30g과 전도성 고분자인 폴리피롤 분말 20g을 넣고 헨셀믹서로 교반날개의 선속도 40m/s 조건에서 2분 혼합과 1분 정지를 5회 반복하여 나노 실리카 및 폴리피롤을 중공 유리 입자에 피복시켰다. 그 후에 실시예 4와 같은 방법으로 은 도금을 실시하였다. 제조한 중공 도전 입자의 밀도는 1.4g/cm3였다.
(IM30K, density 0.6 g / cm 3 , average particle size 16 μm) of Seokyung CMT was separated and classified to have an average particle size of 7 μm. 30 g of DuPont nano silica (HS-40) and 20 g of polypyrrole powder as a conductive polymer were charged in a Henschel mixer. The mixture was stirred for 2 minutes at a linear speed of 40 m / s with a Henschel mixer for 5 minutes, Silica and polypyrrole were coated onto the hollow glass particles. Thereafter, silver plating was performed in the same manner as in Example 4. The density of the hollow conductive particles produced was 1.4 g / cm &lt; 3 & gt ;.

11. 실시예 11 내지 20 <코팅제 조성물의 제조 1 내지 10>11. Examples 11 to 20 < Preparation of coating composition 1 to 10 >

용매에 계면활성제를 혼합한 후에 중공 도전 입자를 넣고 분산시켰다. 바인더 수지를 4등분하여 4회에 나누어서 넣고 각각 1시간 교반하여 혼합하였다. 그리고 경화제를 넣고 1시간 교반하여 코팅제 조성물을 제조하였다. 그 구성 성분의 중량%를 표 3에 나타내었다.After the surfactant was mixed in the solvent, the hollow conductive particles were added and dispersed. The binder resin was divided into four equal portions, and the resulting mixture was divided into four portions, which were then mixed for one hour with stirring. Then, a curing agent was added and stirred for 1 hour to prepare a coating composition. The weight percentages of the constituents are shown in Table 3.

바인더수지는 에폭시수지를, 용매는 에탄올을, 경화제는 무수프탈산을, 계면활성제는 (주)동남합성 제품을 사용하였다.The binder resin used was epoxy resin, the solvent used ethanol, the hardening agent used phthalic anhydride, and the surfactant used was Southeast Named Synthetic Products.

코팅제 조성물의 성분 함량Component Content of Coating Composition 실시예Example 도전입자
(중량%)
Conductive particle
(weight%)
바인더수지
(중량%)
Binder resin
(weight%)
용매
(중량%)
menstruum
(weight%)
경화제
(중량%)
Hardener
(weight%)
계면활성제
(중량%)
Surfactants
(weight%)
실시예11Example 11 50(실시예1)50 (Example 1) 1010 38.838.8 0.70.7 0.5(M-OP1019)0.5 (M-OP1019) 실시예12Example 12 30(실시예2)30 (Example 2) 99 58.358.3 1.21.2 1.5(DQ-590ET)1.5 (DQ-590ET) 실시예13Example 13 65(실시예3)65 (Example 3) 33 29.529.5 0.50.5 2.0(EU-DO113)2.0 (EU-DO113) 실시예14Example 14 68(실시예4)68 (Example 4) 44 25.525.5 0.30.3 2.2(E-7)2.2 (E-7) 실시예15Example 15 31(실시예5)31 (Example 5) 4848 11.411.4 6.86.8 2.8(M-OP1019)2.8 (M-OP1019) 실시예16Example 16 60(실시예6)60 (Example 6) 77 3232 0.80.8 0.2(M-OP1019)0.2 (M-OP1019) 실시예17Example 17 63(실시예7)63 (Example 7) 1.51.5 33.733.7 0.10.1 1.7(M-OP1019)1.7 (M-OP1019) 실시예18Example 18 41(실시예8)41 (Example 8) 2020 34.234.2 2.52.5 2.3(M-OP1019)2.3 (M-OP1019) 실시예19Example 19 35(실시예9)35 (Example 9) 3030 30.330.3 3.23.2 1.5(M-OP1019)1.5 (M-OP1019) 실시예20Example 20 38(실시예10)38 (Example 10) 4040 15.915.9 4.54.5 1.6(M-OP1019)1.6 (M-OP1019)

12. 실시예 21 내지 30 <전자파 차폐 필름의 제조 1 내지 10>12. Examples 21 to 30 < Preparation of electromagnetic wave shielding film 1 to 10 >

12-1. 절연층 코팅액 1 및 절연층 코팅액 2의 제조12-1. Preparation of insulating layer coating solution 1 and insulating layer coating solution 2

(주)동남합성의 비이온계면활성제(M-OP1019) 1.5중량%를 에탄올 55중량%에 혼합한 후에 폴리에스터 42중량%를 2등분하여 넣고 각각 1시간 교반하여 혼합하였다. 그리고 무수프탈산 1.5중량%를 넣고 1시간 교반하여 절연층 코팅액 1을 제조하였다.1.5% by weight of a non-ionic surfactant (M-OP1019) manufactured by Southeast Asia Co., Ltd. was mixed in 55% by weight of ethanol, and then 42% by weight of polyester was divided into two portions. 1.5% by weight of phthalic anhydride was added and stirred for 1 hour to prepare an insulating layer coating solution 1.

실시예 11의 코팅제 조성물 제조에서 도전 입자 50중량% 대신에 카본블랙 50중량%를 사용한 것과 에폭시 수지 10중량% 대신에 폴리에스터 10중량%를 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 절연층 코팅액 2를 제조하였다.Except that 50 wt% of carbon black was used instead of 50 wt% of conductive particles in the preparation of the coating composition of Example 11 and 10 wt% of polyester was used in place of 10 wt% of epoxy resin, the insulating layer coating solution 2 was used .

12-2. 전자파 차폐 필름의 제조 1 내지 1012-2. Preparation of electromagnetic wave shielding film 1 to 10

두께가 50μm인 폴리에스터(PET)필름을 전사필름(transfer film)으로 사용하여 그 위에 상기의 제조된 절연층 코팅액 1을 6μm 두께로 코팅을 하여 제 1 절연층을 형성시키고 절연층 코팅액 2를 8μm 두께로 코팅하여 제 2 절연층을 형성시켰다.A polyester (PET) film having a thickness of 50 탆 was used as a transfer film, and the above-prepared insulating layer coating solution 1 was coated thereon to a thickness of 6 탆 to form a first insulating layer, and an insulating layer coating solution 2 To form a second insulating layer.

그 위에 구리를 스파터링하여 100 nm 두께의 구리 박막을 형성시켰다. 그리고 380 nm 내지 950 nm의 파장 범위의 백색광을 방출하는 크세논 램프에서 3 mm 떨어진 거리에 구리 박막이 위치하게 하고 2 J cm-2의 조사 에너지로, 3 millisecond 동안 섬광 조사를 하고 10 millisecond 후에 다시 섬광 조사를 3회 반복하여 구리 박막층을 섬광 소결하였다.And copper was sputtered thereon to form a copper thin film having a thickness of 100 nm. Then, the copper thin film was placed at a distance of 3 mm from the xenon lamp emitting white light in the wavelength range of 380 nm to 950 nm, and was irradiated with a light energy of 2 J cm -2 for 3 milliseconds, and again after 10 milliseconds The irradiation was repeated three times to flash-sinter the copper thin-film layer.

그 다음에 실시예 11의 코팅액 조성물을 16μm 두께로 코팅하여 도전성 열경화 수지층을 형성시켰다. 또한 상기의 섬광 소결의 방법과 동일하게 도전성 열경화 수지층을 섬광 소결하였다.Then, the coating liquid composition of Example 11 was coated to a thickness of 16 탆 to form a conductive thermosetting resin layer. The conductive thermosetting resin layer was subjected to flash light sintering in the same manner as in the above-mentioned flash light sintering method.

그 다음에 두께가 50μm인 실리콘 이형필름을 보호필름으로 부착시켜서 전자파 차폐 필름 1을 제조하였다. 구리 박막층의 유무, 크세논 램프에 의한 섬광 소결의 실시 여부 등를 달리하면서 전자파 차폐 필름 2 내지 10을 제조하였고, 그 제조 조건을 표 4에 나타내었다.Then, a silicon release film having a thickness of 50 탆 was adhered with a protective film to prepare an electromagnetic wave shielding film 1. The presence or absence of a copper thin film layer, whether or not a flash light sintering by a xenon lamp was carried out, and the like, and the production conditions thereof are shown in Table 4.

실시예Example 구리박막층Copper thin film layer 구리박막층의 섬광 소결Sintering of copper thin film layer 도전성 열경화 수지층The conductive thermosetting resin layer 도전성 열경화 수지층의 섬광 소결Flash light sintering of conductive thermosetting resin layer 실시예21Example 21 실시예11의 코팅제 조성물The coating composition of Example 11 실시예22Example 22 ×× 실시예12의 코팅제 조성물The coating composition of Example 12 ×× 실시예23Example 23 실시예13의 코팅제 조성물The coating composition of Example 13 ×× 실시예24Example 24 ×× ×× 실시예14의 코팅제 조성물The coating composition of Example 14 ×× 실시예25Example 25 실시예15의 코팅제 조성물The coating composition of Example 15 실시예26Example 26 ×× ×× 실시예16의 코팅제 조성물The coating composition of Example 16 실시예27Example 27 ×× 실시예17의 코팅제 조성물The coating composition of Example 17 실시예28Example 28 ×× 실시예18의 코팅제 조성물The coating composition of Example 18 ×× 실시예29Example 29 실시예19의 코팅제 조성물The coating composition of Example 19 ×× 실시예30Example 30 ×× 실시예20의 코팅제 조성물The coating composition of Example 20

[비교예 1] <중공 도전 입자의 제조>[Comparative Example 1] < Production of hollow conductive particles >

세키스이화성품공업(주)(일본)의 단중공 입자(평균 입도 4.2μm, 고분자 수지 중공 입자, 밀도 0.5g/cm3)를 실시예 4과 동일한 방법으로 은 도금을 실시하였다. 제조한 도전 입자의 밀도는 0.8g/cm3였다.
(Average particle size of 4.2 mu m, polymeric resin hollow particles, density of 0.5 g / cm &lt; 3 &gt;) of Sekisui Chemical Co., Ltd. (Japan) were silver-plated in the same manner as in Example 4. [ The density of the produced conductive particles was 0.8 g / cm 3 .

[비교예 2] <비중공 도전 입자의 제조>[Comparative Example 2] < Production of non-hollow-core conductive particles >

고분자 바인더로서 고밀도폴리에틸렌(분자량: 70,000), 도전제로서 기상 성장 탄소섬유(VGCF)와 구리 분말(평균 입도 3μm), 가교제로서 큐밀하이드로퍼옥사이드(cumyl hydroperoxide)를 중량비로 45 : 43 : 10 : 2의 비율로 사용하는 대신에 고밀도폴리에틸렌(분자량: 70,000), 기상 성장 탄소섬유(VGCF)와 구리 분말(평균 입도 3μm)을 중량비로 38 : 38 : 24의 비율로 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 비중공 도전 입자를 제조하였다. 이 비중공 도전 입자는 가교제를 사용하지 않았기 때문에 가교되지 않았으며, 평균 입도가 6.8μm이고 밀도는 3.3g/cm3였다.
(VGCF) and copper powder (average particle size of 3 占 퐉) as a conductive agent and cumyl hydroperoxide as a crosslinking agent in a weight ratio of 45: 43: 10: 2 (molecular weight: 70,000) as a polymer binder, Was the same as that in Example 1 except that high molecular weight polyethylene (molecular weight: 70,000), vapor grown carbon fiber (VGCF) and copper powder (average particle size: 3 μm) were used at a weight ratio of 38: 38: Non-conductive particles were prepared. The non-pore-forming conductive particles were not crosslinked because no crosslinking agent was used, and had an average particle size of 6.8 mu m and a density of 3.3 g / cm &lt; 3 & gt ;.

[비교예 3] <도전 입자를 사용한 코팅제 조성물의 제조>[Comparative Example 3] < Production of coating composition using conductive particles >

실시예 1의 도전 입자 대신에 비교예 1의 도전 입자를 사용한 것을 제외하고는 실시예 11과 동일한 방법으로 코팅제 조성물을 제조하였다.
A coating composition was prepared in the same manner as in Example 11, except that the conductive particles of Comparative Example 1 were used in place of the conductive particles of Example 1.

[비교예 4] <도전 입자를 사용한 코팅제 조성물의 제조>[Comparative Example 4] < Production of coating composition using conductive particles >

실시예 3의 도전 입자 대신에 비교예 2의 도전 입자를 사용한 것을 제외하고는 실시예 13과 동일한 방법으로 코팅제 조성물을 제조하였다.
A coating composition was prepared in the same manner as in Example 13, except that the conductive particles of Comparative Example 2 were used in place of the conductive particles of Example 3.

[비교예 5] <전자파 차폐 필름의 제조>[Comparative Example 5] < Production of electromagnetic wave shielding film >

실시예 14의 코팅제 조성물 대신에 비교예 3의 코팅제 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 24와 동일한 방법으로 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
An electromagnetic wave shielding film was prepared in the same manner as in Example 24 except that the coating composition of Comparative Example 3 was used in place of the coating composition of Example 14.

[비교예 6] <전자파 차폐 필름의 제조>[Comparative Example 6] < Production of electromagnetic wave shielding film >

실시예 14의 코팅제 조성물 대신에 비교예 4의 코팅제 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 24와 동일한 방법으로 전자파 차폐 필름을 제조하였다.
An electromagnetic wave shielding film was prepared in the same manner as in Example 24 except that the coating composition of Comparative Example 4 was used in place of the coating composition of Example 14.

[실시예 1 내지 30와 비교예 1 내지 6의 성능 평가][Performance evaluation of Examples 1 to 30 and Comparative Examples 1 to 6]

실시예와 비교예의 성능을 평가하여 표 5 내지 8에 나타내었다. 표 5에서 보는 바와 같이 실시예 1 내지 10 및 비교예 1의 도전 입자는 비중이 3 이하로 저비중임에 비하여 비교예 2의 비중공 도전 입자의 비중은 3.3으로 비중이 3 이상으로 높았다.
The performances of Examples and Comparative Examples were evaluated and shown in Tables 5 to 8. As shown in Table 5, the conductive particles of Examples 1 to 10 and Comparative Example 1 had a specific gravity of 3 or less and a low specific gravity. The specific gravity of the non-conductive conductive particles of Comparative Example 2 was 3.3 and the specific gravity was 3 or more.

도전 입자의 밀도Density of conductive particles 실시예Example 도전 입자의 밀도Density of conductive particles 실시예Example 도전 입자의 밀도Density of conductive particles 실시예Example 도전 입자의 밀도Density of conductive particles 실시예 1Example 1 2.2g/cm3 2.2g / cm 3 실시예 5Example 5 0.3g/cm3 0.3g / cm 3 실시예 9Example 9 1.0g/cm3 1.0g / cm 3 실시예 2Example 2 2.1g/cm3 2.1g / cm 3 실시예 6Example 6 2.6g/cm3 2.6g / cm 3 실시예 10Example 10 1.4g/cm3 1.4g / cm 3 실시예 3Example 3 2.8g/cm3 2.8g / cm 3 실시예 7Example 7 2.8g/cm3 2.8g / cm 3 비교예 1Comparative Example 1 0.8g/cm3 0.8g / cm 3 실시예 4Example 4 2.9g/cm3 2.9 g / cm &lt; 3 &gt; 실시예 8Example 8 1.7g/cm3 1.7g / cm 3 비교예 2Comparative Example 2 3.3g/cm3 3.3g / cm 3

실시예 11 내지 20의 코팅제 조성물과 비교예 3 내지 4의 코팅제 조성물을 300㎖의 비이커 담아서 30일 동안 실온에서 보관한 후에 도전 입자의 침전 유무를 조사하였다. 표 6에서 보는 바와 같이 3 이하의 저비중 도전 입자를 사용한 실시예 11 내지 20 및 비교예 3의 코팅제 조성물은 침전이 없었으나, 3 이상의 고비중 비중공 도전 입자를 사용한 비교예 4의 코팅제 조성물은 침전이 발생하였다.
The coating compositions of Examples 11 to 20 and the coating compositions of Comparative Examples 3 to 4 were placed in a 300 ml beaker and stored at room temperature for 30 days. As shown in Table 6, the coating compositions of Examples 11 to 20 and Comparative Example 3 using low specific gravity conductive particles of 3 or less did not precipitate, but the coating composition of Comparative Example 4 using 3 or more high specific gravity hollow conductive particles Precipitation occurred.

30일 경과 후 코팅제 조성물에서 도전 입자의 침전 유무After 30 days, the presence or absence of deposition of conductive particles in the coating composition 실시예Example 도전 입자의 침전Precipitation of conductive particles 실시예Example 도전 입자의 침전Precipitation of conductive particles 실시예Example 도전 입자의 침전Precipitation of conductive particles 실시예 11Example 11 없음none 실시예 15Example 15 없음none 실시예 19Example 19 없음none 실시예 12Example 12 없음none 실시예 16Example 16 없음none 실시예 20Example 20 없음none 실시예 13Example 13 없음none 실시예 17Example 17 없음none 비교예 3Comparative Example 3 없음none 실시예 14Example 14 없음none 실시예 18Example 18 없음none 비교예 4Comparative Example 4 있음has exist

측정 주파수범위는 30MHz 내지 1Ghz, 측정 방법은 수직, 수평 방향(안테나 쿠폰 사용), 측정 거리는 3M(전자기파 완전차폐 챔버 내부)로 하여 전자파 차폐율을 측정하였다. 실시예 21 내지 30의 전자파 차폐 필름과 비교예 5 내지 6의 전자파 차폐 필름의 전자파 차폐 성능을 평가하여 표 7에 나타내었다. 실시예 21 내지 30의 전자파 차폐 성능은 모두 55dB 이상으로 우수하였으나 비교예 5 내지 6의 전자파 차폐 성능은 모두 50dB 이하로 성능이 떨어졌다.
The electromagnetic wave shielding rate was measured with a measurement frequency range of 30 MHz to 1 GHz, a measurement method of vertical, a horizontal direction (using an antenna coupon), and a measurement distance of 3 M (inside the electromagnetic wave completely shielded chamber). The electromagnetic wave shielding properties of the electromagnetic wave shielding films of Examples 21 to 30 and the electromagnetic wave shielding films of Comparative Examples 5 to 6 were evaluated and shown in Table 7. The electromagnetic wave shielding performance of each of Examples 21 to 30 was superior to all of the electromagnetic wave shielding properties of 55 dB or more, but the electromagnetic wave shielding performance of Comparative Examples 5 to 6 was less than 50 dB.

비교예 5는 고분자 수지 중공 입자를 사용한 것인데, 다성분 복합 분체로 제조하지 않고 즉, 도금이 양호해지는 표면 개질을 하지 않은 상태에서 은 도금을 한 것으로 도금이 불량하여 전자파 차폐 성능이 떨어졌다.
In Comparative Example 5, hollow particles of polymer resin were used. However, since silver was plated without preparing the multi-component composite powder, that is, in the state where the surface was not reformed to improve the plating, the plating was poor and the electromagnetic wave shielding performance deteriorated.

비교예 6에서 사용된 도전 입자는 고밀도폴리에틸렌에 도전제로 기상 성장 탄소 섬유와 구리 분말을 혼합하여 제조한 비중공 도전 입자인데, 비중이 3.3이었다. 비중이 높아서 이를 포함하는 코팅제 조성물을 코팅하여 도전성 열경화 수지층을 형성시킬 때 도전 입자의 침전이 발생하여 도전 입자가 불균일하게 코팅되었기 때문에 전자파 차폐 성능이 떨어졌다.
The conductive particles used in Comparative Example 6 were non-bumpy conductive particles prepared by mixing vapor-grown carbon fibers and copper powder as a conductive agent in high-density polyethylene, and had a specific gravity of 3.3. The specific gravity is so high that when the conductive thermosetting resin layer is formed by coating a coating composition containing the conductive polymer particles, the electroconductive particles are not uniformly coated due to the precipitation of the conductive particles.

전자파 차폐 필름의 전자파 차폐 성능Electromagnetic wave shielding performance of electromagnetic wave shielding film 실시예Example 전자파 차폐율Electromagnetic wave shielding rate 실시예Example 전자파 차폐율Electromagnetic wave shielding rate 실시예Example 전자파 차폐율Electromagnetic wave shielding rate 실시예 21Example 21 60dB60dB 실시예 25Example 25 56dB56dB 실시예 29Example 29 61dB61dB 실시예 22Example 22 63dB63dB 실시예 26Example 26 59dB59dB 실시예 30Example 30 58dB58dB 실시예 23Example 23 61dB61dB 실시예 27Example 27 60dB60dB 비교예 5Comparative Example 5 39dB39dB 실시예 24Example 24 62dB62dB 실시예 28Example 28 57dB57dB 비교예 6Comparative Example 6 48dB48dB

Solder Dip/Float 테스트는 전자파 차폐 필름이 고온의 납땜(Soldering) 공정을 견딜 수 있는지 여부의 내열성을 평가하는 것으로, 전자파 차폐 필름 시편을 135±5℃의 건조기에서 1시간 동안 베이킹(Baking)한 후에 288±5℃의 Solder Pot에 10초간 침지(Dipping)하기를 3회 반복한다. 또한 260±5℃의 Solder Pot에 10초간 띄우기(Floating)를 3회 반복한다. 그 실험 결과를 표 8에 나타내었다. 표 8에서 보는 바와 같이 실시예 21 내지 30은 합격하였으나, 비교예 5 및 비교예 6는 불합격하였다.
The solder dip / float test evaluates the heat resistance of whether the electromagnetic wave shielding film can withstand a high temperature soldering process. After the electromagnetic wave shielding film sample is baked in a drier at 135 ± 5 ° C. for 1 hour Repeat the dipping for 10 seconds in the solder pot at 288 ± 5 ℃ three times. Repeat 3 times for 10 seconds on the solder pot of 260 ± 5 ℃. The experimental results are shown in Table 8. As shown in Table 8, Examples 21 to 30 were acceptable, but Comparative Example 5 and Comparative Example 6 were rejected.

전자파 차폐 필름의 Solder Dip/Float Test 결과Solder Dip / Float Test Result of Electromagnetic Wave Shielding Film 실시예Example Solder Dip/Float TestSolder Dip / Float Test 실시예Example Solder Dip/Float TestSolder Dip / Float Test 실시예Example Solder Dip/Float TestSolder Dip / Float Test 실시예 21Example 21 합격pass 실시예 25Example 25 합격pass 실시예 29Example 29 합격pass 실시예 22Example 22 합격pass 실시예 26Example 26 합격pass 실시예 30Example 30 합격pass 실시예 23Example 23 합격pass 실시예 27Example 27 합격pass 비교예 5Comparative Example 5 불합격fail 실시예 24Example 24 합격pass 실시예 28Example 28 합격pass 비교예 6Comparative Example 6 불합격fail

비교예 5는 고분자 중공 미립자를 가교시키지 않고 도전 입자로 사용한 경우로 내열성이 불량하여 불합격되었다. 비교예 6도 구성 성분이 고분자인 비중공 도전 입자인데도 가교시키지 않고 도전 입자로 사용한 경우로 내열성이 불량하여 불합격되었다. 이에 비하여 실시예 21 내지 30의 경우는 고분자 수지가 도전 입자의 구성 성분인 경우 모두 가교시켜서 내열성이 양호해졌기 때문에 모두 합격하였다.
In Comparative Example 5, when the polymer hollow fine particles were used as the conductive particles without being crosslinked, the heat resistance was poor and failed. In Comparative Example 6, even when the constituent component was a polymer, non-rigid conductive particles were used as the conductive particles without being crosslinked, and the heat resistance was poor and failed. On the other hand, in the case of Examples 21 to 30, since the polymer resin was a constituent component of the conductive particles, all of them were crosslinked and the heat resistance was improved.

10 : 전사필름
20 : 제 1 절연층
30 : 제 2 절연층
40 : 도전성 열경화 수지층
50 : 보호필름
10: Transfer film
20: first insulating layer
30: second insulating layer
40: conductive thermosetting resin layer
50: Protective film

Claims (15)

전자파 차폐 필름에 있어서,
전사필름과;
상기 전사필름과 인접하여 형성되어 있는 제1절연층과;
상기 제1절연층과 인접하여 형성되어 있는 제2절연층과;
상기 제2절연층과 인접하여 형성되어 있으며, 비중이 3 이하인 도전(導電) 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 코팅하여 형성시킨 도전성 열경화 수지층과;
상기 도전성 열경화 수지층과 인접하여 형성되어 있는 보호필름;을 포함하여 구성되어 있으며,
상기 도전입자는 고분자 수지, 전도성 물질 및 가교제를 혼합하고 가교시킨 비중공 도전 입자이거나, 중공(中空) 도전 입자 중 선택된 어느 하나로 이루어져 있고,
상기 비중공 도전 입자는,
(a) 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐크로라이드(polyvinyl chloride), 폴리메칠메타아크릴레이트(poly methyl meta acrylate), 폴리부타디엔(polybutadiene) 및 이들의 공중합체에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 고분자 수지에;
(b) 기상 성장 카본 파이버(VGCF, Vapor Grown Carbon Fiber), 전도성 카본블랙, 케첸블랙(ketjen black), 아세틸렌블랙(acetylene black), 퍼니스 블랙(furnace black), 서멀블랙(thermal black), 채널 블랙(channel black), 탄소섬유, 탄소나노튜브, 흑연, 그래핀(graphene), 전도성 고분자, 금속분말에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 전도성 물질과;
(c) 디큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide), 라우릴 퍼옥사이드(lauryl peroxide), t-부틸 큐밀 퍼옥사이드(tert-butyl cumyl peroxide), 디(t-부틸 퍼옥시 아이소프로필)벤젠(di(tert-butyl peroxy isopropyl) benzene), 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시)헥산(2,5-dimethyl-2,5-di(tert-butyl peroxy)hexane) 및 디-t-부틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide)에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 가교제를 혼합하고 가교시켜서 제조한 것으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
In the electromagnetic wave shielding film,
A transfer film;
A first insulating layer formed adjacent to the transfer film;
A second insulation layer formed adjacent to the first insulation layer;
A conductive thermosetting resin layer formed adjacent to the second insulating layer and formed by coating a coating composition comprising conductive particles having a specific gravity of 3 or less;
And a protective film formed adjacent to the conductive thermosetting resin layer,
Wherein the conductive particles are composed of any one selected from non-rigid conductive particles obtained by mixing and crosslinking a polymer resin, a conductive material and a crosslinking agent, or hollow conductive particles,
Wherein the non-
(a) a polymer selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, poly methyl meta acrylate, polybutadiene and copolymers thereof To one or more polymer resins selected from the group consisting of:
(b) Vapor grown carbon fiber (VGCF), conductive carbon black, ketjen black, acetylene black , furnace black, thermal black, channel black, a channel black, a carbon fiber, a carbon nanotube, a graphite, a graphene, a conductive polymer, and a metal powder;
(c) dicumyl peroxide, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di (t-butylperoxy) 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy isopropyl) benzene, 2,5-dimethyl- butyl peroxy) hexane, and di-tert-butyl peroxide, and crosslinking the mixture.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 비중공 도전 입자에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스, 전도성 고분자에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개가 코팅된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the non-conductive particle is at least one of copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, titanium, molybdenum, antimony, tantalum, vanadium, And a polymer is coated with one or a plurality of selected ones.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1항에 있어서,
분말 입자의 평균 직경이 상기 비중공 도전 입자의 평균 직경의 5분의 1 내지 10,000분의 1인 유기계 분말(粉末), 무기계 분말, 탄소계 분말, 금속계 분말에서 선택된 어느 한 종류 또는 복수 개의 종류의 분말이 상기 비중공 도전 입자의 표면에 피복(被覆)된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
One or more kinds selected from organic-based powder (powder), inorganic-based powder, carbon-based powder, and metal-based powder whose average diameter of the powder particles is 1/5 to 1 / 10,000 of the average diameter of the non- Characterized in that a powder is coated on the surface of the non-perforated conductive particle.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 4항에 있어서,
상기 비중공 도전 입자에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스, 전도성 고분자에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개가 코팅된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
5. The method of claim 4,
Wherein the non-conductive particle is at least one of copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, titanium, molybdenum, antimony, tantalum, vanadium, And a polymer is coated with one or a plurality of selected ones.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1 항에 있어서,
상기 중공(中空) 도전 입자는,
(a) 유기계 물질, 무기계 물질, 탄소계 물질, 금속계 물질에서 선택된 복수 개의 혼합 물질로 이루어진 혼합물 중공(中空) 입자;
(b) 고분자 수지계를 제외한 유기계 중공 입자;
(c) 무기계 중공 입자;
(d) 탄소계 중공 입자;
(e) 금속계 중공 입자;
에서 선택된 어느 한 종류 또는 복수 개의 종류로 이루어지며;
단중공 입자 내지 다중공 입자인 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
The hollow (conductive)
(a) a mixture of hollow particles composed of a plurality of mixed materials selected from organic materials, inorganic materials, carbon-based materials, and metal-based materials;
(b) organic hollow particles excluding the polymer resin system;
(c) inorganic hollow particles;
(d) carbon-based hollow particles;
(e) metal-based hollow particles;
And one or more types selected from the group consisting of:
Wherein the particles are hollow particles or multipole particles.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1 항에 있어서,
상기 중공(中空) 도전 입자는,
(a) 고분자 수지계 중공(中空) 도전 입자 또는,
(b) 고분자 수지에 유기계 물질, 무기계 물질, 탄소계 물질, 금속계 물질에서 선택된 어느 하나 또는 복수개의 물질이 혼합된 중공(中空) 도전 입자에;
(c) 디큐밀 퍼옥사이드(dicumyl peroxide), 벤조일 퍼옥사이드(benzoyl peroxide), 라우릴 퍼옥사이드(lauryl peroxide), t-부틸 큐밀 퍼옥사이드(tert-butyl cumyl peroxide), 디(t-부틸 퍼옥시 아이소프로필)벤젠(di(tert-butyl peroxy isopropyl) benzene), 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸 퍼옥시)헥산(2,5-dimethyl-2,5-di(tert-butyl peroxy)hexane) 및 디-t-부틸 퍼옥사이드(di-tert-butyl peroxide)에서 선택된 어느 하나 또는 둘 이상의 가교제를 도포하거나 입자 구성 물질과 혼합하고 가교시켜서 제조한 중공 도전 입자이며;
단중공 입자 내지 다중공 입자인 것을 특징으로 하는
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
The hollow (conductive)
(a) polymeric resin hollow conductive particles or
(b) a hollow conductive particle in which one or a plurality of materials selected from an organic material, an inorganic material, a carbonaceous material, and a metallic material is mixed with the polymer resin;
(c) dicumyl peroxide, benzoyl peroxide, lauryl peroxide, tert-butyl cumyl peroxide, di (t-butylperoxy) 2,5-dimethyl-2,5-di (tert-butylperoxy isopropyl) benzene, 2,5-dimethyl- butyl peroxy hexane and di-tert-butyl peroxide, or mixing and crosslinking the particles with a particulate constituent;
Wherein the particles are hollow particles or multipole particles.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 6항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 중공(中空) 도전(導電) 입자에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스, 전도성 고분자에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개가 코팅된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
8. The method according to any one of claims 6 to 7,
Wherein the hollow conductive particles are coated with a metal selected from the group consisting of copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, titanium, molybdenum, antimony, tantalum, vanadium, Palladium, bismuth, and a conductive polymer.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 6항에 있어서,
분말 입자의 평균 직경이 상기 중공(中空) 입자의 평균 직경의 5분의 1 내지 10,000분의 1인 유기계 분말(粉末), 무기계 분말, 탄소계 분말, 금속계 분말에서 선택된 어느 한 종류 또는 복수 개의 종류의 분말이 상기 중공 입자의 표면에 피복된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 6,
One or more kinds selected from organic-based powder (powder), inorganic-based powder, carbon-based powder and metal-based powder whose average diameter of the powder particles is one fifth to one-tenth of the average diameter of the hollow Is coated on the surface of the hollow particles,
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 9항에 있어서,
상기 중공(中空) 도전 입자는 중공 입자의 표면에 구리, 은, 금, 백금, 철, 알루미늄, 니켈, 망간, 아연, 주석, 마그네슘, 지르코늄, 텡스텐, 코발트, 티타늄, 몰리브덴, 안티몬, 탄탈, 바나듐, 팔라듐, 비스무스, 전도성 고분자에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개가 코팅된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
10. The method of claim 9,
The hollow conductive particles may be coated on the surface of the hollow particles with a binder such as copper, silver, gold, platinum, iron, aluminum, nickel, manganese, zinc, tin, magnesium, zirconium, tungsten, cobalt, titanium, molybdenum, Vanadium, palladium, bismuth, and a conductive polymer.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 4항, 제 6항, 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유기계 분말, 유기계 물질, 유기계 중공 입자, 고분자 수지를 구성하는 물질은 공액구조를 갖는 전기전도성 고분자인 폴리피롤, 폴리싸이펜, 폴리아닐린 및 이들의 유도체에서 선택된 어느 하나 또는 복수 개로 구성된 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to any one of claims 4, 6, and 7,
Wherein the material constituting the organic powder, the organic material, the organic hollow particles, and the polymer resin is composed of one or more selected from the group consisting of polypyrrole, polythiophene, polyaniline, and derivatives thereof, which is an electroconductive polymer having a conjugated structure.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1 항에 있어서,
상기 코팅제 조성물은,
(1) 비중이 3 이하인 도전(導電) 입자 30 내지 70중량%;
(2) 열경화성 바인더 수지 0.3 내지 50중량%;
(3) 용매 10 내지 60중량%;
(4) 경화제 0.1 내지 7중량%;
(5) 계면활성제 0.1 내지 3중량%로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
The coating composition may comprise,
(1) 30 to 70% by weight of conductive particles having a specific gravity of 3 or less;
(2) 0.3 to 50% by weight of a thermosetting binder resin;
(3) 10 to 60% by weight of a solvent;
(4) 0.1 to 7% by weight of a curing agent;
(5) 0.1 to 3% by weight of a surfactant.
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1항에 있어서,
스파터링, 진공증착, 금속용사, 이온플레이팅에서 선택된 어느 한 방법 또는 복수 개의 방법으로 형성된 한 개 또는 복수 개의 금속 박막층이 제 2 절연층과 도전성 열경화 수지층 사이에 추가되어 있는 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to claim 1,
Characterized in that one or more metal thin film layers formed by any one or a plurality of methods selected from sputtering, vacuum deposition, metal spraying and ion plating are added between the second insulating layer and the conductive thermosetting resin layer ,
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 13항에 있어서,
상기 금속 박막층에 크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하되, 고전압 펄스(pulse) 전원장치를 이용하여 마이크로 초 단위 내지 밀리 초 단위의 짧은 순간에 고열을 발생시켜 소결시키는 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
14. The method of claim 13,
The metal thin film layer is irradiated with a white flash using a xenon lamp, and a high voltage is generated and sintered in a short period of microseconds to milliseconds using a high voltage pulse power supply &Lt; / RTI &gt;
An electromagnetic wave shielding film using a coating composition comprising low specific gravity conductive particles.
제 1 항, 제 13 항 및 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
도전성 열경화 수지층에 크세논 램프(xenon lamp)로 백색 섬광(閃光) 조사(照射)를 하되, 고전압 펄스(pulse) 전원장치를 이용하여 마이크로 초 단위 내지 밀리 초 단위의 짧은 순간에 고열을 발생시켜 소결시키는 것을 특징으로 하는,
저비중 도전 입자를 포함하는 코팅제 조성물을 이용한 전자파 차폐 필름.
The method according to any one of claims 1, 13 and 14,
The conductive thermosetting resin layer is irradiated with a white flash with a xenon lamp, and a high voltage is generated in a short period of microseconds to milliseconds using a high voltage pulse power supply Sintered.
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