JPH11269653A - Liquid material vaporization apparatus - Google Patents
Liquid material vaporization apparatusInfo
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- JPH11269653A JPH11269653A JP7925998A JP7925998A JPH11269653A JP H11269653 A JPH11269653 A JP H11269653A JP 7925998 A JP7925998 A JP 7925998A JP 7925998 A JP7925998 A JP 7925998A JP H11269653 A JPH11269653 A JP H11269653A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばMOCVD
(有機金属CVD)法による半導体や超伝導体などの成
膜製造プロセスに用いられる液体材料気化装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to an apparatus for vaporizing a liquid material used in a process for forming a film of a semiconductor or a superconductor by an (organic metal CVD) method.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの成膜製造工程で、膜質
や成膜速度およびステップカバレッジの点で、スパッタ
方式等に比べて優れているとして、近年、MOCVD法
が盛んに利用されるようになった。このCVD用ガス供
給方法には、液体材料を水素等でバブリングする方法や
昇華法などがあるが、制御性、安定性の面ですぐれてい
るとして、液体有機金属(例えば、トリメチルアルミニ
ュウム(CH3 )3 Al等のアルキル基有機金属等)、
または有機金属を溶剤に溶かした材料を、反応層直前で
気化する方法がよく用いられている。2. Description of the Related Art In the process of forming a film of a semiconductor device, the MOCVD method has recently been widely used because it is superior to the sputtering method in terms of film quality, film forming speed and step coverage. Was. As a gas supply method for CVD, there are a method of bubbling a liquid material with hydrogen or the like, a sublimation method, and the like. However, a liquid organic metal (for example, trimethylaluminum (CH 3 ) 3 Al and other alkyl group organometallics),
Alternatively, a method in which a material obtained by dissolving an organic metal in a solvent is vaporized immediately before a reaction layer is often used.
【0003】従来、この液体気化方法において使用され
ている液体材料気化装置31としては、図7に示すよう
な液体材料貯蔵器32に収容された液体材料Aを一定量
づつポンプ34で送り出し、フラッシュ蒸発マトリック
ス構造を有するメッシュ状の加熱体33に染み込ませて
加熱して気化し、しかるのち液体材料気化装置31の導
入口31aから導入したキャリアガスCとともに導出口
31bに接続した半導体製造装置(図示せず)へ供給す
るものが挙げられる。Conventionally, as a liquid material vaporizer 31 used in this liquid vaporization method, a liquid material A stored in a liquid material storage 32 as shown in FIG. A semiconductor manufacturing apparatus connected to an outlet 31b together with a carrier gas C introduced from an inlet 31a of a liquid material vaporizer 31 by heating and vaporizing by infiltrating into a mesh-shaped heating element 33 having an evaporation matrix structure (FIG. (Not shown).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来の液体材料気化装
置は以上のように構成されているが、このような液体気
化装置では、大量の液体材料の気化を行うためポンプか
らの液体材料の送り出し量を増やすと、送り出された液
体材料自身によって加熱体33が冷やされるため熱効率
が低下し、気化量を増加させることができないという問
題があった。そのため、超音波振動霧化を利用した気化
器が提案されているが、この方法では超音波振動板を用
いた霧化チャンバと気化を行うメッシュが必要となり、
構造が複雑になるという問題があった。A conventional liquid material vaporizer is constructed as described above. In such a liquid vaporizer, a liquid material is sent from a pump in order to vaporize a large amount of liquid material. When the amount is increased, the heating element 33 is cooled by the sent liquid material itself, so that there is a problem that thermal efficiency is reduced and the amount of vaporization cannot be increased. Therefore, a vaporizer using ultrasonic vibration atomization has been proposed, but this method requires an atomization chamber using an ultrasonic vibration plate and a mesh for vaporization,
There was a problem that the structure became complicated.
【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、気化効率、再現性および安定性にすぐ
れた低コストでシンプルな構造の液体材料気化装置を提
供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a low-cost, simple structure liquid material vaporizing apparatus having excellent vaporization efficiency, reproducibility, and stability. I do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の液体材料気化装置は、液体材料を気化する
液体材料気化装置において、液体材料を導入し気化する
ための細管と該細管を貫通して固着し、これを加熱する
ための金属ブロックと、該金属ブロックの軸方向の区間
毎に温度勾配を設けるための加熱手段を備えたサーモス
プレーにより、液体材料を気化させることを特徴とす
る。In order to achieve the above object, a liquid material vaporizer according to the present invention is a liquid material vaporizer for vaporizing a liquid material, which comprises: a thin tube for introducing and vaporizing the liquid material; The liquid material is vaporized by a thermospray provided with a metal block for heating the metal block, and a heating means for providing a temperature gradient for each axial section of the metal block. And
【0007】本発明の液体材料気化装置は、上記のよう
に構成されており、気化効率、再現性および安定性に優
れた低コストでシンプルな構造の液体気化装置を得るこ
とができる。The liquid material vaporizer of the present invention is configured as described above, and can provide a low-cost, simple structure liquid vaporizer having excellent vaporization efficiency, reproducibility and stability.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】以下実施例により、本発明を詳細
に説明する。図1は、本発明による液体材料気化装置の
概略構成図である。図1に示すごとく、本液体材料気化
装置は筒状の内側ヒータブロック1にコイル状にヒータ
3を巻き付け、その外側に同じく筒状の外側ヒータブロ
ック2を被せ、前記内側ヒータブロック1に液体材料を
流すためのキャピラリーチューブ4を貫通し固着させて
構成されている。前記内側ヒータブロック1とキャピラ
リーチューブ4とは、熱伝導をよくするため熱伝導性固
着物質やロー付け等の方法を用いて密着させている。
(以後この構造のものをサーモスプレーと記す) 上記構成において、マスフローコントローラMFC、ま
たはポンプ(図示しない)を用いて一定量の単一または
混合された液体材料を矢印A方向からキャピラリーチュ
ーブ4内に導入し、このキャピラリーチューブ4内で液
体材料を熱処理することにより気体化し、矢印Bから取
り出しMOCVD装置(図示しない)に送るものであ
る。図2にキャピラリーチューブ4内での温度分布の状
態を示す。図で示されるように、キャピラリーチューブ
4の入り口から一定の区間徐々に加熱され、液体材料の
噴霧化が始まる。次の区間で温度が徐々に下げられ、液
中バブルが発生すると同時に噴霧中に液滴が存在する。
この液滴は先に進むにつれ微小化する。さらに次の区間
で温度を急激に上昇させて液体材料は完全に気体状に霧
化される。この場合加熱温度が低いと充分な気化が行え
ず、霧のまま下流の真空雰囲気に出てしまい、出口付近
に残留物が発生する可能性がある。また、高すぎると気
化が過度に進み熱に弱い材料が加熱された壁面に衝突し
てキャピラリーチューブ内で分解する。また有機金属を
有機溶剤に溶かした溶液を材料に用いる場合には、キャ
ピラリーチューブ4内で分解により不揮発性の金属がキ
ャピラリーチューブ4内に残留し、詰まりが起きる可能
性が想定されるが、キャピラリーチューブ4の壁面での
突沸現象と、液体の加熱膨張により超音速ジェット流と
なって噴出するため、固体結晶の生成と生長が起こりに
くい条件となるので、この可能性は実際上は回避され
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to embodiments. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a liquid material vaporizer according to the present invention. As shown in FIG. 1, the present liquid material vaporizer winds a heater 3 in a coil shape around a cylindrical inner heater block 1, covers the outer heater block 2 with a tubular outer heater block 2, and covers the inner heater block 1 with a liquid material. Through a capillary tube 4 through which the water flows. The inner heater block 1 and the capillary tube 4 are brought into close contact with each other by using a heat conductive fixing substance or a method such as brazing to improve heat conduction.
(Hereinafter, this structure is referred to as a thermospray.) In the above configuration, a certain amount of a single or mixed liquid material is introduced into the capillary tube 4 from the direction of arrow A using a mass flow controller MFC or a pump (not shown). The liquid material is introduced, heat-treated in the capillary tube 4 to be gasified by heat treatment, taken out from the arrow B, and sent to a MOCVD apparatus (not shown). FIG. 2 shows a state of the temperature distribution in the capillary tube 4. As shown in the figure, the capillary tube 4 is gradually heated from the entrance for a predetermined section to start atomization of the liquid material. In the next section, the temperature is gradually lowered, and bubbles are generated in the liquid, and at the same time, droplets are present during spraying.
These droplets are miniaturized as they proceed. Further, in the next section, the temperature is rapidly increased, and the liquid material is completely atomized into a gaseous state. In this case, if the heating temperature is low, sufficient vaporization cannot be performed, and the mist is discharged into a downstream vacuum atmosphere as fog, and a residue may be generated near the outlet. On the other hand, if the temperature is too high, vaporization proceeds excessively, and a material weak to heat collides with the heated wall surface and is decomposed in the capillary tube. In addition, when a solution in which an organic metal is dissolved in an organic solvent is used as a material, it is assumed that the nonvolatile metal may remain in the capillary tube 4 due to decomposition in the capillary tube 4 and clogging may occur. The bumping phenomenon on the wall surface of the tube 4 and the supersonic jet flow due to the thermal expansion of the liquid eject the liquid, which makes it difficult to generate and grow a solid crystal. Therefore, this possibility is practically avoided. .
【0009】このようなサーモスプレー21を用いた液
体材料気化装置では、使用する液体材料に応じた加熱温
度を各区間に応じて最適化することにより、サーモスプ
レー21から出てくるガス粒子径を1μm以下にするこ
とができる。In such a liquid material vaporizer using the thermospray 21, the heating temperature according to the liquid material to be used is optimized according to each section, so that the diameter of the gas particles coming out of the thermospray 21 can be reduced. It can be 1 μm or less.
【0010】図2に示す温度条件は前記ヒータ3を各区
間毎にリード線を介して引き出し、それぞれに流す電流
を制御することにより正確に設定するができる。なお、
ヒータ3には棒状のものを使い、外側ヒータブロック2
の軸方向に設けた複数の貫通孔に挿入して加熱すること
もできる。The temperature condition shown in FIG. 2 can be accurately set by drawing out the heater 3 through the lead wire for each section and controlling the current flowing through each heater. In addition,
The heater 3 has a rod shape, and the outer heater block 2
Can be inserted into a plurality of through holes provided in the axial direction and heated.
【0011】図3は本発明の液体材料気化装置として用
いられるサーモスプレーの変形例の概略構成図である。
図3に示すように、区間毎に内側ヒータブロック1およ
び外側ヒータブロック2の厚みを変えている。それによ
って各区間での熱容量が変わることを利用して、温度分
布を変えることができる。FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a modification of the thermospray used as the liquid material vaporizer of the present invention.
As shown in FIG. 3, the thickness of the inner heater block 1 and the outer heater block 2 is changed for each section. The temperature distribution can be changed by utilizing the change in the heat capacity in each section.
【0012】図4は、本発明の液体材料気化装置の他の
変形例を示したものである。この液体材料気化装置は、
図1または図3に示したようなサーモスプレー21を継
手22に固着し、該継手22と配管25の周端部をパッ
キン24にあて袋ナット23で接続して構成される。矢
印Aから導入された液体材料はキャピラリーチューブ内
で気化され配管25の矢印Aから取り出される。前記配
管25はCVDに接続されるもので、その間の配管25
は外部より保温するための加熱手段が必要となり、これ
に保温ヒータ26が用いられる。また、配管22の途中
にバルブ(図示しない)を設け、CVDと別にドレン側
にも切り替えられるようにすることで、成膜前の予備気
化(VENT)と成膜(RUN)に使い分けることがで
きる。FIG. 4 shows another modification of the liquid material vaporizer of the present invention. This liquid material vaporizer
The thermospray 21 as shown in FIG. 1 or FIG. 3 is fixed to the joint 22, and the joint 22 and the peripheral end of the pipe 25 are connected to the packing 24 by the cap nut 23. The liquid material introduced from the arrow A is vaporized in the capillary tube and taken out from the arrow A of the pipe 25. The pipe 25 is connected to the CVD, and the pipe 25
Requires a heating means for keeping the temperature from the outside, and the heater 26 is used for this. Further, a valve (not shown) is provided in the middle of the pipe 22 so that it can be switched to the drain side separately from the CVD, so that it can be selectively used for preliminary vaporization (VENT) before film formation and film formation (RUN). .
【0013】図5は本発明の液体材料気化装置の他の変
形例を示したものである。サーモスプレー21の外側ヒ
ータブロック21aにキャリアガス導入用の貫通孔を設
けたものである。矢印Aから導入された液体材料はキャ
ピラリーチューブ21b内で気化され、矢印Bから導入
されたキャリアガスと混合され配管25から取り出され
る。キャリアーガスは常温で来るため、サーモスプレー
21のヒータを利用して加熱を行った上で導入し、気化
された材料と混合される。ヒータを共用するため構造も
シンプルで、低コストの液体材料気化装置を得ることが
できる。FIG. 5 shows another modification of the liquid material vaporizer of the present invention. The outer spray block 21a of the thermospray 21 is provided with a through hole for introducing a carrier gas. The liquid material introduced from the arrow A is vaporized in the capillary tube 21b, mixed with the carrier gas introduced from the arrow B, and taken out from the pipe 25. Since the carrier gas comes at room temperature, it is heated and introduced using the heater of the thermospray 21 and is introduced and mixed with the vaporized material. Since the heater is shared, the structure is simple, and a low-cost liquid material vaporizer can be obtained.
【0014】図6は図5に示した本発明の液体材料気化
装置の変形例を示したものである。図5と同符号の構成
要素は同じ機能を持つものである。キャピラリーチュー
ブ21b内での生成物の発生がヒータ温度の最適化でも
避けきれないような材料の場合について、下流に外部よ
り加熱されたフィルタを設置することで、キャピラリー
チューブ21b内で気化しきれなかった霧中の液滴を、
真空雰囲気で加熱させることで気化させるとともに、生
成物をもMOCVD側に流さないという効果がある。こ
のフィルタの詰まり具合は、継手間に配設された圧力計
28によってモニタできる。これによりサーモスプレー
21内の温度の最適化範囲が広がり、また、使用できる
液体材料の範囲も広がる。FIG. 6 shows a modification of the liquid material vaporizer of the present invention shown in FIG. Components having the same reference numerals as those in FIG. 5 have the same functions. In the case of a material in which the generation of products in the capillary tube 21b is unavoidable even by optimizing the heater temperature, by installing a filter heated from the outside downstream, the material cannot be completely vaporized in the capillary tube 21b. Droplets in the fog
Heating in a vacuum atmosphere has the effect of vaporizing and also preventing the product from flowing to the MOCVD side. The degree of clogging of the filter can be monitored by a pressure gauge 28 disposed between the joints. Thereby, the range of optimizing the temperature in the thermospray 21 is widened, and the range of liquid materials that can be used is widened.
【0015】なお、上記実施例における液体材料気化装
置は、サーモスプレー先端での液垂れが発生しないよう
に、液体材料が上から下に流れる方向に設置されること
が望ましい。The liquid material vaporizer in the above embodiment is desirably installed in a direction in which the liquid material flows from the top to the bottom so as to prevent dripping at the tip of the thermospray.
【0016】[0016]
【発明の効果】本発明の液体材料気化装置は上記のよう
に構成されており、ヒータによって加熱された金属ブロ
ックに挿入されたキャピラリーチューブ内に液体材料を
通過させ、液体材料をキャピラリーチューブ先端付近で
気化させるサモースプレーなる気化器の構造とすること
で、気化の効率および安定性、再現性に優れた効果を出
すとともに、気化器の構造をシンプルにすることが可能
となり、低コストでメンテナンス性に優れた液体材料気
化装置が得られる。The liquid material vaporizer according to the present invention is configured as described above, and allows the liquid material to pass through the capillary tube inserted into the metal block heated by the heater, and causes the liquid material to flow near the tip of the capillary tube. By using a vaporizer structure that is a thermospray that is vaporized by the vaporizer, it has excellent effects of vaporization efficiency, stability, and reproducibility, and it is possible to simplify the vaporizer structure and maintain it at low cost. A liquid material vaporizer having excellent properties can be obtained.
【図1】本発明の液体材料気化装置のサーモスプレーの
実施例の構造図である。FIG. 1 is a structural view of an embodiment of a thermospray of a liquid material vaporizer according to the present invention.
【図2】本発明の液体材料気化装置のキャピラリーチュ
ーブ内での液体変化の状態図である。FIG. 2 is a state diagram of a liquid change in a capillary tube of the liquid material vaporizer of the present invention.
【図3】本発明の液体材料気化装置のサーモスプレーの
変形例の構造図である。FIG. 3 is a structural view of a modified example of the thermospray of the liquid material vaporizer of the present invention.
【図4】本発明の液体材料気化装置の変形例の構成図で
ある。FIG. 4 is a configuration diagram of a modified example of the liquid material vaporizer of the present invention.
【図5】本発明の液体材料気化装置の変形例の構成図で
ある。FIG. 5 is a configuration diagram of a modification of the liquid material vaporizer of the present invention.
【図6】本発明の液体材料気化装置の変形例の構成図で
ある。FIG. 6 is a configuration diagram of a modified example of the liquid material vaporizer of the present invention.
【図7】従来の液体材料気化装置の概略構成図である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a conventional liquid material vaporizer.
1…内側ヒータブロック 2、21a…外側ヒータブロック 3…ヒータ 4、21b…キャピラリーチューブ 21…サーモスプレー 22…継手 23…袋ナット 24…パッキン 25…配管 26…保温ヒータ 27…フィルタ 28…圧力計 31…液体材料気化装置 31a…導入口 31b…導出口 32…液体材料貯蔵器 33…加熱体 34…ポンプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Inner heater block 2, 21a ... Outer heater block 3 ... Heater 4, 21b ... Capillary tube 21 ... Thermospray 22 ... Joint 23 ... Cap nut 24 ... Packing 25 ... Piping 26 ... Warming heater 27 ... Filter 28 ... Pressure gauge 31 ... Liquid material vaporizer 31a ... Inlet 31b ... Outlet 32 ... Liquid material storage 33 ... Heating body 34 ... Pump
Claims (4)
いて、液体材料を導入し気化するための細管と、該細管
を貫通して固着し、加熱するための金属ブロックと、該
金属ブロックの軸方向の区間毎に温度勾配を設けるため
の加熱手段を備え、液体材料を気化させることを特徴と
する液体材料気化装置。1. A liquid material vaporizer for vaporizing a liquid material, a thin tube for introducing and vaporizing the liquid material, a metal block penetrating through the thin tube, and heating the metal block, and a shaft of the metal block. A liquid material vaporizer, comprising a heating means for providing a temperature gradient for each section in a direction, and vaporizing a liquid material.
た継手とMOCVDに液体材料気化物質を供給するため
の配管を袋ナットで結合したことを特徴とする液体材料
気化装置。2. A liquid material vaporizer, wherein a joint to which the liquid material vaporizer according to claim 1 is fixed and a pipe for supplying the liquid material vaporizer to MOCVD are connected with a cap nut.
て、金属ブロック内にキャリアガス導入孔を設けたこと
を特徴とする液体材料気化装置。3. The liquid material vaporizer according to claim 2, wherein a carrier gas introduction hole is provided in the metal block.
て、液体材料を導入し気化するための細管の下流に、外
部加熱エネルギーにより加熱されるフィルタを配設した
未気化液体材料加熱手段と、前記継手部分にフィルタの
詰まりを検出する圧力計を備えたことを特徴とする液体
材料気化装置。4. The non-vaporized liquid material heating means according to claim 3, wherein a filter heated by external heating energy is provided downstream of the thin tube for introducing and vaporizing the liquid material; A liquid material vaporizer comprising a pressure gauge for detecting clogging of a filter at the joint portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7925998A JPH11269653A (en) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Liquid material vaporization apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7925998A JPH11269653A (en) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Liquid material vaporization apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11269653A true JPH11269653A (en) | 1999-10-05 |
Family
ID=13684869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7925998A Pending JPH11269653A (en) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Liquid material vaporization apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11269653A (en) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100443290B1 (en) * | 2002-05-02 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Vaporizer for liquid source |
WO2005042800A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Organic metal chemical vapor deposition apparatus |
JP2006083441A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Tokyo Electron Ltd | Pressure measuring method and maintenance method for gaseous starting material feed system, pressure measuring method and maintenance method for film deposition system, vaporizer and film deposition system |
KR100756627B1 (en) * | 2000-11-08 | 2007-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Vaporizer |
JP2008255423A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment apparatus |
JP2008263244A (en) * | 2003-05-12 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | Raw material vaporizer, and reaction processing apparatus |
JP2009147356A (en) * | 2009-02-02 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | Vaporizer, and film forming device |
JP4904433B1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-03-28 | タイムオートマシン株式会社 | Surface modification processing equipment |
JP2012205969A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Chino Corp | Evaporator |
JP2013542591A (en) * | 2010-09-08 | 2013-11-21 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Steam supply system for imprint lithography |
EP3409812A1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-05 | Meyer Burger (Germany) AG | Gas supply system and gas supply method |
CN113443669A (en) * | 2021-06-28 | 2021-09-28 | 济南大学 | Passive multi-stage distillation treatment equipment and method for high-concentration brine |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP7925998A patent/JPH11269653A/en active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100756627B1 (en) * | 2000-11-08 | 2007-09-07 | 주성엔지니어링(주) | Vaporizer |
KR100443290B1 (en) * | 2002-05-02 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Vaporizer for liquid source |
JP2008263244A (en) * | 2003-05-12 | 2008-10-30 | Tokyo Electron Ltd | Raw material vaporizer, and reaction processing apparatus |
WO2005042800A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko | Organic metal chemical vapor deposition apparatus |
JP2005133157A (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Watanabe Shoko:Kk | Organometal chemical vapor deposition apparatus |
JP2006083441A (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Tokyo Electron Ltd | Pressure measuring method and maintenance method for gaseous starting material feed system, pressure measuring method and maintenance method for film deposition system, vaporizer and film deposition system |
JP2008255423A (en) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment apparatus |
JP2009147356A (en) * | 2009-02-02 | 2009-07-02 | Tokyo Electron Ltd | Vaporizer, and film forming device |
JP2013542591A (en) * | 2010-09-08 | 2013-11-21 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Steam supply system for imprint lithography |
JP4904433B1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-03-28 | タイムオートマシン株式会社 | Surface modification processing equipment |
JP2012205969A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Chino Corp | Evaporator |
EP3409812A1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-05 | Meyer Burger (Germany) AG | Gas supply system and gas supply method |
WO2018219580A1 (en) * | 2017-05-31 | 2018-12-06 | Meyer Burger (Germany) Ag | Gas supply system and gas supply method |
CN113443669A (en) * | 2021-06-28 | 2021-09-28 | 济南大学 | Passive multi-stage distillation treatment equipment and method for high-concentration brine |
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