JPH08273831A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JPH08273831A
JPH08273831A JP7079051A JP7905195A JPH08273831A JP H08273831 A JPH08273831 A JP H08273831A JP 7079051 A JP7079051 A JP 7079051A JP 7905195 A JP7905195 A JP 7905195A JP H08273831 A JPH08273831 A JP H08273831A
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JP
Japan
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acid
anode
organic electroluminescent
organic
transport layer
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Application number
JP7079051A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Kanai
浩之 金井
Yoshiharu Sato
佳晴 佐藤
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Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
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Publication date
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Publication of JPH08273831A publication Critical patent/JPH08273831A/en
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes

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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide an organic electroluminescent element which can maintain stable electroluminescent properties for a long duration and of which driving voltage can be lowered by forming an anode on a substrate and then treating the anode with an acid and then with an alkali before organic electroluminescent layer formation. CONSTITUTION: An anode 2 made of an indium and/or tin oxide is formed on a substrate 1. An organic electroluminescent layer 3 and a cathode 4 are layered on the anode to give an organic electroluminescent element. At that time, before the organic electroluminescent layer 3 is formed on the anode 2, the anode 2 is treated with an acid and then with an alkali. As the acid for the acid treatment, an inorganic acid or an organic acid with pH about 5 or lower is used. As the alkali, ammonia or amines or their aq. solutions with pH about 8 or higher are used. With the treatment, impurities in the interfaces can be removed and the resulting element can be driven stably.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光素子に関す
るものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に
電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device, and more particularly, to a thin film type device which emits light by applying an electric field to a light emitting layer made of an organic compound.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−IV族化合物半導体であるZ
nS、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土
類元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたもの
が一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素
子は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、という問題点を有し
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a thin film type electroluminescence (EL) element, Z which is a II-IV group compound semiconductor of an inorganic material has been used.
In general, nS, CaS, SrS, etc. are doped with Mn or a rare earth element (Eu, Ce, Tb, Sm, etc.), which is the emission center, but EL elements made from the above inorganic materials are 1). AC drive is required (50 to 1000 Hz), 2) high drive voltage (up to 200 V), 3) full colorization is difficult (especially blue is a problem), and 4) peripheral drive circuit costs are high. ing.

【0003】近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜
を用いたEL素子の開発が行われるようになった。特
に、発光効率を高めるために電極からのキャリアー注入
の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行い、芳香
族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒドロキシキ
ノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層を設けた
有機電界発光素子の開発(Appl.Phys.Let
t.,51巻,913頁,1987年)により、従来の
アントラセン等の単結晶を用いたEL素子と比較して発
光効率の大幅な改善がなされ、実用特性に近づいてい
る。
In recent years, in order to improve the above problems, EL devices using organic thin films have been developed. In particular, the electrode type was optimized for the purpose of improving the efficiency of carrier injection from the electrode in order to increase the light emission efficiency, and the organic hole transport layer made of an aromatic diamine and the organic light emission made of an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline. Of an organic electroluminescence device having a layer (Appl. Phys. Let
t. , 51, p. 913, 1987), the luminous efficiency has been greatly improved as compared with the conventional EL device using a single crystal such as anthracene, and is close to practical characteristics.

【0004】しかし、これらの素子は、定電流密度での
駆動時に、電圧の上昇が伴うという問題が存在する。そ
のために初期の駆動電圧を下げる必要があり、発光効率
の改善や、電流−電圧特性の改善が試みられている。発
光効率の改善としては、発光層にクマリン540やDC
M1(J.Appl.Phys.65(9)1989p
3610−3616)、ルブレン(特開平4−3350
87号公報)、キナクリドン(特開平3−255190
号公報)等の通称で知られている色素をドープすること
により発光特性を著しく向上させることが試みられてい
る(特開平3−255190号公報)。また、電流−電
圧特性の改善としては、基板の表面を酸で処理すること
により駆動電圧の低電圧化を行う等の方法が試みられて
いる(特開平4−14795号公報)が実用レベルに達
していないのが現状である。
However, these devices have a problem that the voltage rises when they are driven at a constant current density. Therefore, it is necessary to lower the initial drive voltage, and attempts have been made to improve the luminous efficiency and the current-voltage characteristics. As for the improvement of luminous efficiency, coumarin 540 and DC are added to the luminous layer.
M1 (J. Appl. Phys. 65 (9) 1989p.
3610-3616), rubrene (Japanese Patent Laid-Open No. 4-3350).
87), quinacridone (JP-A-3-255190).
Japanese Patent Laid-Open No. 3-255190) has been attempted to significantly improve the light emission characteristics by doping with a dye known under the common name (Japanese Patent Laid-Open Publication No. 3-255190). In order to improve the current-voltage characteristics, a method of lowering the driving voltage by treating the surface of the substrate with an acid has been tried (Japanese Patent Laid-Open No. 14795/1992). The current situation is that it has not reached it.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】これまでに開示されて
いる有機電界発光素子では、駆動電圧が高く、長期間の
安定した駆動特性が得られにくいという課題があった。
The organic electroluminescent elements disclosed so far have a problem that the driving voltage is high and it is difficult to obtain stable driving characteristics for a long period of time.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記実状に
鑑み、長期間に亙り安定な発光特性を維持でき、駆動電
圧の低電圧化を行うことができる有機電界発光素子を提
供することを目的として鋭意検討を重ねた結果、基板上
の電極を酸で処理した後にアルカリで処理することによ
り上記課題が解決できることを見い出し、本発明を完成
するに至った。
In view of the above situation, the present inventors provide an organic electroluminescent device capable of maintaining stable light emitting characteristics for a long period of time and lowering driving voltage. As a result of intensive studies for the purpose, it was found that the above problem can be solved by treating the electrode on the substrate with an acid and then with an alkali, and completed the present invention.

【0007】すなわち、本発明の要旨は、基板上に設け
られた、陽極、陰極、およびこの間に少なくとも有機発
光層を有する有機電界発光素子において、陽極が、イン
ジウムおよび/または錫の酸化物であり、かつ、酸で処
理された後にアルカリで処理されていることを特徴とす
る有機電界発光素子、に存する。以下、本発明の有機電
界発光素子について図面を参照しながら説明する。
That is, the gist of the present invention is to provide an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and at least an organic light emitting layer between them, provided on a substrate, wherein the anode is an oxide of indium and / or tin. And an organic electroluminescent device characterized by being treated with an acid and then with an alkali. Hereinafter, the organic electroluminescent device of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0008】図1は本発明の有機電界発光素子の構造例
を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3
は有機発光層、4は陰極を各々表わす。基板1は本発明
の有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英や
ガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムや
シートなどが用いられる。特に、ガラス板や、ポリエス
テル、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a structural example of the organic electroluminescence device of the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is an anode, and 3 is a substrate.
Represents an organic light emitting layer, and 4 represents a cathode. The substrate 1 serves as a support for the organic electroluminescent element of the present invention, and a plate of quartz or glass, a metal plate or a metal foil, a plastic film or a sheet, etc. is used. In particular, glass plate, polyester, polymethylmethacrylate, polycarbonate,
A transparent synthetic resin plate such as polysulfone is preferred.

【0009】基板1上には陽極2が設けられる。陽極2
は有機発光層3への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極は、インジウム及び/またはスズの酸化物
からなり、陽極2の厚みは、必要とする透明性により異
なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率が
60%以上、好ましくは80%以上となることが望まし
く、この場合の厚みは、通常、5〜1000nm、好ま
しくは10〜500nm程度である。
An anode 2 is provided on the substrate 1. Anode 2
Plays a role of injecting holes into the organic light emitting layer 3. This anode is made of indium and / or tin oxide, and the thickness of the anode 2 depends on the required transparency. When transparency is required, it is desirable that the visible light transmittance be 60% or more, preferably 80% or more. In this case, the thickness is usually 5 to 1000 nm, preferably about 10 to 500 nm. is there.

【0010】これらの陽極は、有機発光層を積層する前
に、通常、何等かの洗浄が行われる。例えば、市販の洗
剤を用いた洗浄につぎ、脱イオン水、イソプロピルアル
コール(以下「IPA」と略す)で超音波洗浄をし、最
後にトルエン蒸気に曝したり(特開平4−233195
号公報)、中性洗剤を使用した洗浄の後にアセトン、I
PA中で超音波洗浄を行い、最後に沸騰したIPA中に
浸し自然乾燥を行う(特開平5−299174号公報)
等の方法が報告されている。この他に、プラズマ処理
(特開平5−135877号公報)、紫外線/オゾン洗
浄(特開平6−88072号公報)、また陽極の表面を
酸で処理をする試み(特開平4−14795号公報)等
も行われており、さまざまな処理が施されている。
These anodes are usually subjected to some cleaning before laminating the organic light emitting layer. For example, after cleaning with a commercially available detergent, ultrasonic cleaning is performed with deionized water and isopropyl alcohol (hereinafter abbreviated as "IPA"), and finally exposed to toluene vapor (Japanese Patent Laid-Open No. 4-233195).
Gazette), after washing with a neutral detergent, acetone, I
Ultrasonic cleaning is performed in PA, and finally it is immersed in boiling IPA for natural drying (Japanese Patent Laid-Open No. 5-299174).
Etc. have been reported. In addition to this, plasma treatment (JP-A-5-135877), ultraviolet / ozone cleaning (JP-A-6-88072), and an attempt to treat the surface of the anode with an acid (JP-A-4-14795) Etc. are also carried out, and various treatments have been applied.

【0011】本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、通
常の洗浄の前に、陽極を酸で処理し、次いでアルカリで
処理することが好適であることを見いだした。本発明に
おける酸処理用の酸としては、pH5以下、好ましくは
pH2以下、特に好ましくはpH1以下の無機酸または
有機酸である。無機酸としては、塩酸、フッ化水素酸、
臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、燐
酸、ホウ酸あるいはこれらの水溶液等が挙げられ、有機
酸としては、酢酸、シュウ酸、安息香酸、ギ酸、クエン
酸、コハク酸等が挙げられる。上記の酸は、液や蒸気の
状態で陽極表面と接触させることで処理を行うことがで
き、スプレーで散布するか、液中に浸漬する等の方法が
好ましい。特に酸の液中に浸漬させて接触処理を行なう
のが好ましい。酸による処理温度は、激しくエッチング
されない温度であればいずれでもよく、通常は0〜60
℃である。酸による処理時間は、通常5秒〜10時間で
あり、好ましくは30秒〜5時間である。さらに好まし
くは、1分〜3時間である。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that it is preferable to treat the anode with an acid and then with an alkali before the usual cleaning. The acid for acid treatment in the present invention is an inorganic acid or an organic acid having a pH of 5 or less, preferably pH 2 or less, and particularly preferably pH 1 or less. As the inorganic acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid,
Examples thereof include hydrobromic acid, hydroiodic acid, sulfuric acid, nitric acid, perchloric acid, phosphoric acid, boric acid, and aqueous solutions thereof. Organic acids include acetic acid, oxalic acid, benzoic acid, formic acid, citric acid, and succinic acid. Acid etc. are mentioned. The above acid can be treated by bringing it into contact with the surface of the anode in a liquid or vapor state, and a method such as spraying or dipping in the liquid is preferable. In particular, it is preferable to carry out the contact treatment by immersing it in an acid solution. The treatment temperature with an acid may be any temperature so long as it is not violently etched, and is usually 0 to 60.
° C. The treatment time with an acid is usually 5 seconds to 10 hours, preferably 30 seconds to 5 hours. More preferably, it is 1 minute to 3 hours.

【0012】酸処理後、水洗し、次いでアルカリで処理
を行なう。使用されるアルカリは、PH8以上のアルカ
リならばどのようなアルカリを用いることも可能であ
り、好ましいアルカリとしては、無機系では、アンモニ
ア;水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウ
ム等のアルカリ金属、アルカリ土類金属の水酸化物;炭
酸カリウムなどのアルカリ金属、アルカリ土類金属の炭
酸塩;炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアル
カリ金属、アルカリ土類金属の炭酸水素塩;アルカリ金
属、アルカリ土類金属の次亜塩素酸塩等の水溶液を挙げ
ることができる。有機系では、エチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、メチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン等の非環状アミン類、ピリジ
ン、ピペリジン等の環状アミン類、水酸化テトラメチル
アンモニウム等の4級アンモニウム塩等を挙げることが
できる。これらのアルカリのうち、アンモニア若しくは
アミン類又はそれらの水溶液が好ましく、特にアンモニ
ア水又は非環状アミン若しくはその水溶液が好ましい。
アルカリ処理は液や蒸気の状態で酸処理された陽極表面
と接触させることで行うことができ、スプレーで散布す
るか、液中に浸漬する等の方法が好ましい。特にアルカ
リ液中に浸漬させて接触処理を行なうのが好ましい。ま
た、アルカリ液に超音波を印加したり、撹拌することも
できる。アルカリによる処理温度は、通常0〜100
℃、好ましくは0〜70℃である。アルカリによる処理
時間は、通常5秒〜10時間であり、好ましくは30秒
〜5時間である。さらに好ましくは、1分〜3時間であ
る。アルカリ処理の後に、上記のような通常行われてい
る洗浄を行う。
After the acid treatment, it is washed with water and then treated with alkali. Any alkali can be used as long as it has a pH of 8 or more. Preferred inorganic alkalis are ammonia; alkali metals such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and barium hydroxide. , Hydroxides of alkaline earth metals; alkali metals such as potassium carbonate; carbonates of alkaline earth metals; alkali metals such as potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate; hydrogen carbonates of alkaline earth metals; alkali metals and alkalis An aqueous solution of an earth metal hypochlorite or the like can be mentioned. In the organic system, acyclic amines such as ethylamine, diethylamine, triethylamine, methylamine, dimethylamine and trimethylamine, cyclic amines such as pyridine and piperidine, and quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide can be mentioned. . Of these alkalis, ammonia or amines or aqueous solutions thereof are preferable, and ammonia water or acyclic amines or aqueous solutions thereof are particularly preferable.
The alkali treatment can be carried out by bringing it into contact with the acid-treated anode surface in a liquid or vapor state, and a method such as spraying or dipping in a liquid is preferable. In particular, it is preferable to carry out the contact treatment by immersing it in an alkaline solution. In addition, ultrasonic waves may be applied to the alkaline liquid or stirring may be performed. The treatment temperature with alkali is usually 0 to 100.
C., preferably 0 to 70.degree. The treatment time with alkali is usually 5 seconds to 10 hours, preferably 30 seconds to 5 hours. More preferably, it is 1 minute to 3 hours. After the alkali treatment, the usual cleaning as described above is performed.

【0013】酸処理により基板の粗度は改善され、より
平滑になるため、素子の短絡する確率が減少し、発光面
の輝度むらもなくなり、より安定した有機電界発光素子
を作製することができる。表−1に酸処理により粗度が
改善された陽極の例を示す。表−1は常法により作製さ
れたインジウム・スズ酸化物(ITO)陽極を温度40
℃、濃度1規定(0.5mol/l)の硫酸水溶液で処
理したときの例である。
The acid treatment improves the roughness of the substrate and makes it smoother, so that the probability of short-circuiting of the device is reduced, the uneven brightness of the light emitting surface is eliminated, and a more stable organic electroluminescent device can be manufactured. . Table 1 shows examples of anodes whose roughness is improved by acid treatment. Table 1 shows an indium tin oxide (ITO) anode manufactured by a conventional method at a temperature of 40.
This is an example when treated with a sulfuric acid aqueous solution having a concentration of 1 N (0.5 mol / l) at 0 ° C.

【0014】[0014]

【表1】 酸処理溶液:濃度1N、温度40℃の硫酸水溶液 Ra:中心線平均粗さ(JIS B0601) Rz:10点平均粗さ(JIS B0601)[Table 1] Acid treatment solution: aqueous sulfuric acid solution having a concentration of 1 N and a temperature of 40 ° C Ra: center line average roughness (JIS B0601) Rz: 10-point average roughness (JIS B0601)

【0015】また、酸処理後にアルカリで処理すること
により、表面に残存する微量の酸成分を中和することに
より、界面の不純物を除去することができ、安定に素子
を駆動できるようになる。
Further, by treating with an alkali after the acid treatment, a trace amount of the acid component remaining on the surface is neutralized, whereby impurities at the interface can be removed, and the element can be stably driven.

【0016】このように処理された陽極2の上には、有
機発光層が積層されるが、電荷の注入、輸送、発光を担
う材料が異なる場合は図2に示すような構成にすること
も可能である。
An organic light emitting layer is laminated on the anode 2 treated in this way, but if the materials responsible for charge injection, transport and light emission are different, the structure shown in FIG. 2 may be used. It is possible.

【0017】以下、図2について説明する。図2中の、
1は基板、2は陽極、3aは正孔注入層、3bは正孔輸
送層、3cは電子輸送層、4は陰極を各々表わす。正孔
注入層3aには、陽極から正孔輸送層への正孔注入を容
易にする機能と同時に、陽極との密着性も求められる。
これらの材料としては、ポルフィリン誘導体(特開昭6
3−295695号公報)やスターバーストアミン(第
54回応用物理学会学術講演会予稿集、29p−AC−
15)などが用いられる。また正孔注入層がなくても十
分な特性が得られる場合は、この層を省略することも可
能である。
Hereinafter, FIG. 2 will be described. In FIG.
Reference numeral 1 is a substrate, 2 is an anode, 3a is a hole injection layer, 3b is a hole transport layer, 3c is an electron transport layer, and 4 is a cathode. The hole injection layer 3a is required to have a function of facilitating the injection of holes from the anode into the hole transport layer and, at the same time, have an adhesiveness with the anode.
Examples of these materials include porphyrin derivatives (Japanese Patent Laid-Open Publication No.
3-295695 gazette) and Starburst amine (Proceedings of the 54th Annual Meeting of the Applied Physics Society of Japan, 29p-AC-
15) and the like are used. If sufficient characteristics can be obtained without the hole injection layer, this layer can be omitted.

【0018】正孔注入層3aまたは陽極2の上には、正
孔輸送層3bが形成される。正孔輸送層としては、正孔
の移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとな
る不純物が製造時や使用時発生しにくいことが要求され
る。このような特性を得るのに好適な正孔輸送層の材料
としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−p−トリル
アミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳香族アミン
ユニットを連結した芳香族ジアミン化合物(特開昭59
−194393号公報)、4,4’−ビス[N−(1−
ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニルで代表さ
れる2個以上の3級アミノ基を含み2個以上の縮合芳香
族環が窒素原子に置換した芳香族アミン(特開平5−2
34681号公報)、トリフェニルベンゼンの誘導体で
スターバースト構造を有する芳香族トリアミン(米国特
許第4,923,774号)、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)ビフェニル−
4,4’−ジアミン等の芳香族ジアミン(米国特許第
4,764,625号)、α,α,α’,α’−テトラ
メチル−α,α’−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフ
ェニル)−p−キシレン(特開平3−269084号公
報)、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルア
ミン誘導体(特開平4−129271号公報)、ピレニ
ル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物(特開
平4−175395号公報)、エチレン基で3級芳香族
アミンユニットを連結した芳香族ジアミン(特開平4−
264189号公報)、スチリル構造を有する芳香族ジ
アミン(特開平4−290851号公報)、チオフェン
基で芳香族3級アミンユニットを連結したもの(特開平
4−304466号公報)、スターバースト型芳香族ト
リアミン(特開平4−308688号公報)、ベンジル
フェニル化合物(特開平4−364153号公報)、フ
ルオレン基で3級アミンを連結したもの(特開平5−2
5473号公報)、トリアミン化合物(特開平5−23
9455号公報)、ビスジピリジルアミノビフェニル
(特開平5−320634号公報)、N,N,N−トリ
フェニルアミン誘導体(特開平6−1972号公報)、
フェノキサジン構造を有する芳香族ジアミン(特願平5
−290728号)、ジアミノフェニルフェナントリジ
ン誘導体(特願平6−45669号)に示される芳香族
アミン系化合物、ヒドラゾン化合物(特開平2−311
591号公報)、シラザン化合物(米国特許第4,95
0,950号公報)、シラナミン誘導体(特開平6−4
9079号公報)、ホスファミン誘導体(特開平6−2
5659号公報)、キナクリドン化合物等が挙げられ
る。これらの化合物は、単独で用いるか、必要に応じ
て、各々、混合して用いてもよい。また、上記の化合物
以外に、正孔輸送層の材料としてポリビニルカルバゾー
ルやポリシラン(Appl.Phys.Lett.,5
9巻,2760頁,1991年)、ポリフォスファゼン
(特開平5−310949号公報)、ポリアミド(特開
平5−310949号公報)、ポリビニルトリフェニル
アミン(特願平5−205377)、トリフェニルアミ
ン骨格を有する高分子(特開平4−133065号公
報)、トリフェニルアミン単位をメチレン基等で連結し
た高分子(Synthetic Metals,55−
57巻,4163頁,1993年)、芳香族アミンを含
有するポリメタクリレート(J.Polym.Sc
i.,Polym.Chem.Ed.,21巻,969
頁,1983年)等の高分子材料が挙げられる。
A hole transport layer 3b is formed on the hole injection layer 3a or the anode 2. The hole-transporting layer is required to have high hole mobility, excellent stability, and resistance to generation of trapping impurities during manufacture or use. As a material of the hole transport layer suitable for obtaining such characteristics, for example, an aromatic compound in which a tertiary aromatic amine unit such as 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane is linked is used. Group diamine compounds (JP-A-59
No. 194393), 4,4′-bis [N- (1-
Aromatic amines containing two or more tertiary amino groups represented by naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl and having two or more fused aromatic rings substituted by nitrogen atoms (Japanese Patent Laid-Open No. 5-211 / 1993).
34681), an aromatic triamine having a starburst structure as a derivative of triphenylbenzene (US Pat. No. 4,923,774), N, N'-diphenyl-
N, N'-bis (3-methylphenyl) biphenyl-
Aromatic diamines such as 4,4′-diamine (US Pat. No. 4,764,625), α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -p-xylene (JP-A-3-269084), a triphenylamine derivative which is sterically asymmetric as a whole molecule (JP-A-4-12971), and a pyrenyl group substituted with a plurality of aromatic diamino groups. Compound (JP-A-4-175395), an aromatic diamine in which a tertiary aromatic amine unit is linked with an ethylene group (JP-A-4-175395).
264189), aromatic diamines having a styryl structure (JP-A-4-290851), those in which aromatic tertiary amine units are linked by a thiophene group (JP-A-4-304466), and starburst type aromatics. Triamine (JP-A-4-308688), benzylphenyl compound (JP-A-4-364153), and tertiary amine linked by a fluorene group (JP-A 5-2).
5473), triamine compounds (JP-A-5-23)
9455), bisdipyridylaminobiphenyl (JP-A-5-320634), N, N, N-triphenylamine derivative (JP-A-6-1972),
Aromatic diamine having phenoxazine structure (Japanese Patent Application No.
-290728) and diaminophenylphenanthridine derivatives (Japanese Patent Application No. 6-45669), hydrazone compounds (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-311).
591), a silazane compound (US Pat. No. 4,955).
No. 0,950), silanamin derivatives (JP-A-6-4).
No. 9079), phosphamine derivatives (JP-A-6-2).
5659), quinacridone compounds and the like. These compounds may be used alone or, if necessary, may be mixed and used. In addition to the above compounds, polyvinyl carbazole and polysilane (Appl. Phys. Lett.
9, vol. 2760, 1991), polyphosphazene (JP-A-5-310949), polyamide (JP-A-5-310949), polyvinyltriphenylamine (Japanese Patent Application No. 5-205377), triphenylamine. A polymer having a skeleton (Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-133065), a polymer in which triphenylamine units are linked by a methylene group or the like (Synthetic Metals, 55-
57, 4163, 1993), polymethacrylates containing aromatic amines (J. Polym. Sc.
i. , Polym. Chem. Ed. , Volume 21, 969
P., 1983) and the like.

【0019】上記の正孔輸送層の材料を塗布法あるいは
真空蒸着法により前記陽極2または正孔注入層3a上に
積層することにより正孔輸送層3bを形成する。塗布の
場合は、正孔輸送層の材料1種または2種以上と、必要
により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や、レ
ベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤とを溶解した
塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽
極2、または正孔注入層3a上に塗布し、乾燥して有機
正孔輸送層3bを形成する。バインダー樹脂としては、
ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が
挙げられる。バインダー樹脂の添加量は、多過ぎると正
孔移動度を低下させるので少ない方が望ましく、通常、
50重量%以下が好ましい。また正孔注入層3aが存在
する場合は使用する溶媒が正孔注入層3aの表面粗度を
低下させないよう溶媒の適切な選択が必要である。
The hole transport layer 3b is formed by laminating the above-mentioned material for the hole transport layer on the anode 2 or the hole injection layer 3a by a coating method or a vacuum deposition method. In the case of coating, a coating solution is prepared by dissolving one or more materials for the hole transport layer and, if necessary, a binder resin that does not become a hole trap, and additives such as a coating improver such as a leveling agent. The organic hole transporting layer 3b is formed by preparing, coating on the anode 2 or the hole injecting layer 3a by a method such as spin coating, and drying. As a binder resin,
Examples thereof include polycarbonate, polyarylate, polyester and the like. The addition amount of the binder resin decreases the hole mobility when it is too large, and therefore it is preferable that the addition amount be small.
It is preferably 50% by weight or less. When the hole injection layer 3a is present, it is necessary to properly select the solvent so that the solvent used does not reduce the surface roughness of the hole injection layer 3a.

【0020】真空蒸着法の場合には、正孔輸送層の材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torr程度(約10-4Pa
程度)にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送
層の材料を蒸発させ、ルツボと向い合って置かれた基板
上に正孔輸送層3bを形成させる。
In the case of the vacuum vapor deposition method, the material of the hole transport layer is put in a crucible installed in a vacuum container, and the inside of the vacuum container is about 10 −6 Torr (about 10 −4 Pa) by an appropriate vacuum pump.
After evacuating to a certain degree), the crucible is heated to evaporate the material of the hole transport layer and form the hole transport layer 3b on the substrate placed facing the crucible.

【0021】上記正孔輸送層3bを形成させる場合、さ
らに、アクセプタとして、芳香族カルボン酸の金属錯体
及び/または金属塩(特開平4−320484号公
報)、ベンゾフェノン誘導体およびチオベンゾフェノン
誘導体(特開平5−295361号公報)、フラーレン
類(特開平5−331458号公報)を10-3〜10重
量%の濃度でドープして、フリーキャリアとしての正孔
を生成させ、低電圧駆動とすることも可能である。
When the hole transport layer 3b is formed, further, as an acceptor, a metal complex and / or a metal salt of an aromatic carboxylic acid (JP-A-4-320484), a benzophenone derivative and a thiobenzophenone derivative (JP-A-4-32048). No. 5-295361) and fullerenes (Japanese Patent Laid-Open No. 5-331458) are doped at a concentration of 10 −3 to 10 wt% to generate holes as free carriers, and low voltage driving is also possible. It is possible.

【0022】正孔輸送層3bの膜厚は、通常、10〜3
00nm、好ましくは30〜100nmである。この様
に薄い膜を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく
用いられる。正孔輸送層3bの材料としては有機化合物
の代わりに無機材料を使用することも可能である。無機
材料に要求される条件は、有機の正孔輸送層の材料と同
じである。正孔輸送層3bに用いられる無機材料として
は、p型水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化
シリコン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるい
は、p型硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。
これらの無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD
法、真空蒸着法、スパッタ法等により形成される。
The thickness of the hole transport layer 3b is usually 10-3.
00 nm, preferably 30 to 100 nm. In order to uniformly form such a thin film, the vacuum evaporation method is often used. As the material of the hole transport layer 3b, it is possible to use an inorganic material instead of the organic compound. The conditions required for the inorganic material are the same as those for the organic hole transport layer. Examples of the inorganic material used for the hole transport layer 3b include p-type hydrogenated amorphous silicon, p-type hydrogenated amorphous silicon carbide, p-type hydrogenated microcrystalline silicon carbide, p-type zinc sulfide, and p-type zinc sulfide. Examples include type zinc selenide.
These inorganic hole transport layers are formed by CVD method, plasma CVD
Method, vacuum deposition method, sputtering method or the like.

【0023】無機正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と
同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30〜1
00nmである。正孔輸送層3bの上には電子輸送層3
cが設けられるが、電子輸送層3cは、電界を与えられ
た電極間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層
3bの方向に輸送することができる化合物により形成さ
れる。
The thickness of the inorganic hole transporting layer is generally 10 to 300 nm, preferably 30 to 1 as in the organic hole transporting layer.
00 nm. The electron transport layer 3 is formed on the hole transport layer 3b.
c is provided, but the electron transport layer 3c is formed of a compound capable of efficiently transporting electrons from the cathode toward the hole transport layer 3b between the electrodes to which an electric field is applied.

【0024】電子輸送層の材料としては、陰極4からの
電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を効率よく
輸送することができる化合物であることが必要である。
そのためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度
が大きく、さらに安定性にすぐれトラップとなる不純物
が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要
求される。
The material for the electron transport layer must be a compound that has a high electron injection efficiency from the cathode 4 and can efficiently transport the injected electrons.
For that purpose, it is required that the compound has a high electron affinity, a high electron mobility, excellent stability, and an impurity that becomes a trap and is less likely to be generated at the time of production or use.

【0025】このような条件を満たす材料としては、テ
トラフェニルブタジエンなどの芳香族化合物(特開昭5
7−51781号公報)、8−ヒドロキシキノリンのア
ルミニウム錯体などの金属錯体(特開昭59−1943
93号公報)、シクロペンタジエン誘導体(特開平2−
289675号公報)、ペリノン誘導体(特開平2−2
89676号公報)、オキサジアゾール誘導体(特開平
2−216791号公報)、ビススチリルベンゼン誘導
体(特開平1−245087号公報等)、ペリレン誘導
体(特開平2−189890号公報等)、クマリン化合
物(特開平2−191694号公報等)、希土類錯体
(特開平1−256584号公報)、ジスチリルピラジ
ン誘導体(特開平2−252793号公報)、p−フェ
ニレン化合物(特開平3−33183号公報)、チアジ
アゾロピリジン誘導体(特開平3−37292号公
報)、ピロロピリジン誘導体(特開平3−37293号
公報)、ナフチリジン誘導体(特開平3−203982
号公報)などが挙げられる。
As materials satisfying such conditions, aromatic compounds such as tetraphenyl butadiene (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 5 (1999) -58138)
7-51781), a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline (JP-A-59-1943).
93), a cyclopentadiene derivative (JP-A-2-
289675), perinone derivatives (JP-A-2-2)
No. 89676), an oxadiazole derivative (JP-A-2-216791), a bisstyrylbenzene derivative (JP-A 1-245087, etc.), a perylene derivative (JP-A-2-189890, etc.), a coumarin compound ( Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 2-191694), rare earth complex (Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-256584), distyrylpyrazine derivative (Japanese Unexamined Patent Publication No. 2-252793), p-phenylene compound (Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-33183), Thiadiazolopyridine derivative (JP-A-3-37292), pyrrolopyridine derivative (JP-A-3-37293), naphthyridine derivative (JP-A-3-203982)
Issue).

【0026】これらの化合物を用いた電子輸送層3c
は、通常、電子を輸送する役割と、正孔と電子の再結合
の際に発光をもたらす役割を同時に果している。有機正
孔輸送層3bが発光機能を有する場合は、電子輸送層3
cは電子を輸送する役割だけを果たす。素子の発光効率
を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、
8−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材
料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープする
こと(J.Appl.Phys.,65巻,3610
頁,1989年)も行われている。本発明においても上
記の電子輸送層の材料をホスト材料として各種の蛍光色
素を10-3〜10モル%ドープすることにより、素子の
発光特性をさらに向上させることができる。電子輸送層
3cの膜厚は、通常、10〜200nm、好ましくは3
0〜100nmである。
Electron transport layer 3c using these compounds
Usually plays a role of transporting electrons and a role of producing light emission upon recombination of holes and electrons. When the organic hole transport layer 3b has a light emitting function, the electron transport layer 3
c plays only the role of transporting electrons. For the purpose of improving the luminous efficiency of the element and changing the color of emitted light, for example,
Doping fluorescent dyes for laser such as coumarin using aluminum complex of 8-hydroxyquinoline as a host material (J. Appl. Phys., Vol. 65, 3610).
P., 1989). Also in the present invention, the emission characteristics of the device can be further improved by using the above-mentioned material for the electron transport layer as a host material and doping various fluorescent dyes at 10 −3 to 10 mol%. The thickness of the electron transport layer 3c is usually 10 to 200 nm, preferably 3
It is 0 to 100 nm.

【0027】電子輸送層3cも正孔輸送層3aと同様の
方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用
いられる。有機電界発光素子の発光効率をさらに向上さ
せる方法として、図3に示すように電子輸送層3cの上
にさらに他の電子輸送層3dを積層することが考えられ
る。この電子輸送層3dに用いられる化合物には、陰極
からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大き
いことが要求される。この様な電子輸送材料としては、
The electron transport layer 3c can also be formed by the same method as the hole transport layer 3a, but a vacuum deposition method is usually used. As a method for further improving the luminous efficiency of the organic electroluminescent device, it is conceivable to stack another electron transport layer 3d on the electron transport layer 3c as shown in FIG. The compound used for the electron transport layer 3d is required to be capable of easily injecting electrons from the cathode and further having an electron transporting ability. As such an electron transport material,

【0028】[0028]

【化1】 Embedded image

【0029】[0029]

【化2】 Embedded image

【0030】などのオキサジアゾール誘導体(App
l.Phys.Lett.,55巻,1489頁,19
89年等)やそれらをポリメチルメタクリレート等の樹
脂に分散した系(Appl.Phys.Lett.,6
1巻,2793頁,1992年)、または、n型水素化
非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛
等が挙げられる。電子輸送層3dの膜厚は、通常、5〜
200nm、好ましくは10〜100nmである。
Oxadiazole derivatives such as (App
l. Phys. Lett. , 55, 1489, 19
1989 etc.) or a system in which they are dispersed in a resin such as polymethylmethacrylate (Appl. Phys. Lett., 6
1 volume, page 2793, 1992), or n-type hydrogenated amorphous silicon carbide, n-type zinc sulfide, n-type zinc selenide, and the like. The thickness of the electron transport layer 3d is usually 5 to
It is 200 nm, preferably 10 to 100 nm.

【0031】また、図4に示すように電子輸送層3dと
陰極4との間にさらに界面層3eを設けることも可能で
ある。界面層の役割としては、有機発光層との親和性が
あると同時に陰極との密着性がよく、かつ、化学的に安
定で、陰極の形成時及び/又は形成後に有機発光層と陰
極とが反応することを抑制する効果を有することが挙げ
られる。また、均一な薄膜形状を与えることも陰極との
密着性の点で重要である。このような役割を果たす材料
として、芳香族アミン化合物(特開平5−048075
号公報)、フェニルカルバゾール骨格を有する化合物
(特願平6−199562号公報)、ポリビニルカルバ
ゾール誘導体(特願平6−200942号公報)等が挙
げられる。
It is also possible to further provide an interface layer 3e between the electron transport layer 3d and the cathode 4 as shown in FIG. The role of the interface layer is that the organic light emitting layer and the cathode have affinity with the organic light emitting layer and at the same time have good adhesion to the cathode, and are chemically stable, and during and / or after formation of the cathode. It has an effect of suppressing the reaction. It is also important to provide a uniform thin film shape from the viewpoint of adhesion with the cathode. As a material that plays such a role, an aromatic amine compound (JP-A-5-048075) is disclosed.
(Japanese Patent Application No. 6-009492), compounds having a phenylcarbazole skeleton (Japanese Patent Application No. 6-199562), polyvinylcarbazole derivatives (Japanese Patent Application No. 6-200942), and the like.

【0032】また電子輸送層3dを設けずに界面層3e
を設けることも可能である。上記に示した界面層3eを
形成する場合、これらの化合物を混合して用いてもよ
い。また界面層の膜の安定性を向上させる目的で他の蛍
光色素、発光材料等を混合してもよい。これらの混合す
る材料としては、例えば、芳香族アミンからなる化合
物、クマリン誘導体等のレーザー用色素、ペリレン、ル
ブレン等の多環芳香族色素、キナクリドン等の有機顔
料、8−ヒドロキシキノリン金属錯体等が挙げられる。
Further, the interface layer 3e is provided without providing the electron transport layer 3d.
It is also possible to provide. When forming the interface layer 3e shown above, these compounds may be mixed and used. Further, other fluorescent dyes, light emitting materials and the like may be mixed for the purpose of improving the stability of the film of the interface layer. Examples of the materials to be mixed include compounds consisting of aromatic amines, laser dyes such as coumarin derivatives, polycyclic aromatic dyes such as perylene and rubrene, organic pigments such as quinacridone, and 8-hydroxyquinoline metal complexes. Can be mentioned.

【0033】有機発光層又は電子輸送層若しくは界面層
の上には、陰極4が設けられる。陰極は、前述の電子輸
送層、界面層への電子の注入が容易であり、安定な膜を
形成することが要求される。このため通常、仕事関数の
低い金属が使用され、通常、仕事関数が4eV以下の金
属が適用される。好ましい金属としては、ベリリウム、
マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マ
ンガン、ガリウム、ストロンチウム、イットリウム、イ
ンジウム、バリウム、ランタン、セリウム、プラセオジ
ム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユーロピウ
ム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホル
ミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテ
チウム、ハフニウム、ラジウム、アクチニウム、トリウ
ム、ウラン等が挙げられ、特に好ましくはマグネシウ
ム、カルシウム、スカンジウム、インジウムが挙げられ
る。しかし低仕事関数の陰極を単独で用いると、酸化さ
れ易く、容易に劣化することから、通常、これらに第二
金属として仕事関数が4eV以上の元素を含ませる。第
二金属としては通常、アルミニウム、バナジウム、クロ
ム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ゲルマニウ
ム、ヒ素、セレン、モリブデン、テクネチウム、ルテニ
ウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、錫、ア
ンチモン、テルル、タンタル、タングステン、レニウ
ム、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、鉛、ビ
スマス、ポロニウム等が挙げられ、好ましくは、アルミ
ニウム、銅、銀、金、錫、鉛、ビスマス、テルル、アン
チモンが挙げられる。またこの陰極の上にさらに金属を
積層し陰極の安定化を計ることも可能である。また界面
層と陰極との好適な組合せとしては、フェニルカルバゾ
ールを含有する界面層と銀、または銀を主体とする陰極
等を挙げることができる(特開平6−199562号公
報、特開平6−220343号公報)。
A cathode 4 is provided on the organic light emitting layer, the electron transport layer or the interface layer. The cathode is required to form a stable film because it is easy to inject electrons into the electron transport layer and the interface layer described above. Therefore, a metal having a low work function is usually used, and a metal having a work function of 4 eV or less is usually applied. Preferred metals include beryllium,
Magnesium, calcium, scandium, titanium, manganese, gallium, strontium, yttrium, indium, barium, lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, promethium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, lutetium, Hafnium, radium, actinium, thorium, uranium and the like can be mentioned, and magnesium, calcium, scandium and indium are particularly preferable. However, if a low work function cathode is used alone, it is easily oxidized and easily deteriorates. Therefore, these elements usually contain an element having a work function of 4 eV or more as the second metal. The second metal is usually aluminum, vanadium, chromium, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, germanium, arsenic, selenium, molybdenum, technetium, ruthenium, rhodium, palladium, silver, cadmium, tin, antimony, tellurium, tantalum. , Tungsten, rhenium, osmium, iridium, platinum, gold, mercury, lead, bismuth, polonium and the like, and preferably aluminum, copper, silver, gold, tin, lead, bismuth, tellurium and antimony. It is also possible to further stack a metal on the cathode to stabilize the cathode. As a preferred combination of the interface layer and the cathode, there can be mentioned an interface layer containing phenylcarbazole and silver, or a cathode mainly composed of silver (JP-A-6-199562, JP-A-6-220343). Issue).

【0034】陰極4の膜厚は通常、陽極2と同様であ
る。但し、陽極2と陰極4の少なくとも一方は透明性の
良いことがEL素子としては必要である。このことか
ら、陽極2と陰極4の一方は、10〜500nmの膜厚
であることが好ましい。また、陰極4の上にさらに基板
1と同様の基板を設けることもできる。
The thickness of the cathode 4 is usually the same as that of the anode 2. However, it is necessary for the EL element that at least one of the anode 2 and the cathode 4 has good transparency. From this, it is preferable that one of the anode 2 and the cathode 4 has a film thickness of 10 to 500 nm. Further, a substrate similar to the substrate 1 can be further provided on the cathode 4.

【0035】[0035]

【実施例】次に、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の
実施例の記載により限定されるものではない。 実施例1 有機電界発光素子を以下の方法で作製した。ガラス基板
上にITO透明導電膜(ジオマテック社製:EB法によ
り作製)を120nm堆積したものを濃度1N(0.5
mol/l)、温度40℃の硫酸溶液に30分間浸漬
し、水洗後、28%アンモニア水で10分間超音波洗浄
を行った。その後脱塩水で水洗し、アセトン、イソプロ
ピルアルコールで10分間超音波洗浄後、乾燥窒素を吹
き付けて乾燥させ、UV/オゾン洗浄を行った後、真空
蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が1×10-6To
rr以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。
EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically by way of examples, but the present invention is not limited by the following description of the examples as long as the gist thereof is not exceeded. Example 1 An organic electroluminescent device was produced by the following method. An ITO transparent conductive film (manufactured by Geomatec Co., Ltd .: manufactured by EB method) having a thickness of 120 nm was deposited on a glass substrate to a concentration of 1 N (0.5).
Mol / l) was immersed in a sulfuric acid solution at a temperature of 40 ° C. for 30 minutes, washed with water, and then ultrasonically washed with 28% ammonia water for 10 minutes. After that, it is washed with demineralized water, ultrasonically washed with acetone and isopropyl alcohol for 10 minutes, and then dried by blowing dry nitrogen, and after UV / ozone cleaning, it is installed in a vacuum deposition apparatus and the vacuum degree in the apparatus is adjusted. Is 1 × 10 -6 To
It was evacuated using an oil diffusion pump until it became rr or less.

【0036】この基板に有機正孔輸送層材料として芳香
族アミン化合物(H1)
An aromatic amine compound (H1) was used as an organic hole transport layer material on this substrate.

【0037】[0037]

【化3】 Embedded image

【0038】をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のるつぼの温度は、180〜230℃の範囲で制御し
た。蒸着時の真空度は1.4×10-6Torrで、蒸着
時間2分30秒で膜厚60nmの有機正孔輸送層3bを
得た。次に、有機電子輸送層3cの材料として、以下の
構造式に示すアルミニウムの8−ヒドロキシキノリン錯
体、Al(C9H6NO)3(E1)、
[0038] was placed in a ceramic crucible and heated by a tantalum wire heater around the crucible for vapor deposition. The temperature of the crucible at this time was controlled in the range of 180 to 230 ° C. The degree of vacuum during vapor deposition was 1.4 × 10 −6 Torr, and the organic hole transport layer 3b having a film thickness of 60 nm was obtained with the vapor deposition time of 2 minutes and 30 seconds. Then, as the material of the organic electron-transporting layer 3c, 8- hydroxyquinoline complex of aluminum shown in the following structural formula, Al (C 9 H 6 NO ) 3 (E1),

【0039】[0039]

【化4】 [Chemical 4]

【0040】を上記有機正孔輸送層3bの上に同様にし
て蒸着を行なった。この時のるつぼの温度は330〜3
80℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は1.8×1
-6Torr、蒸着時間は2分20秒、膜厚は75nm
であった。この層は発光層としての役割を果たす。
The above was vapor-deposited on the organic hole transport layer 3b in the same manner. The temperature of the crucible at this time is 330-3
Control was performed in the range of 80 ° C. Degree of vacuum during vapor deposition is 1.8 × 1
0 -6 Torr, evaporation time 2 minutes 20 seconds, film thickness 75 nm
Met. This layer serves as a light emitting layer.

【0041】最後に陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmとなる
ように蒸着した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真
空度7×10-6Torr、蒸着時間2分で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.2
であった。この様にして作製した有機電界発光素子のI
TO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電極
(陰極)にマイナスの直流電圧を印加して測定した。結
果を表−2に示す。
Finally, an alloy electrode of magnesium and silver was vapor-deposited as a cathode by a binary vapor deposition method so as to have a film thickness of 150 nm. A molybdenum boat was used for vapor deposition, and a glossy film was obtained at a vacuum degree of 7 × 10 −6 Torr and a vapor deposition time of 2 minutes. The atomic ratio of magnesium to silver is 10: 1.2.
Met. I of the organic electroluminescent device produced in this way
It was measured by applying a positive DC voltage to the TO electrode (anode) and a negative DC voltage to the magnesium-silver alloy electrode (cathode). Table 2 shows the results.

【0042】比較例1 硫酸処理及びアンモニア水処理を行わない他は実施例1
と同様にした。結果を表−2に示す。 比較例2 硫酸処理のみ行い、アンモニア水処理を行わない他は実
施例1と同様にした。結果を表−2に示す。
Comparative Example 1 Example 1 except that sulfuric acid treatment and ammonia water treatment were not performed.
Same as. Table 2 shows the results. Comparative Example 2 The procedure of Example 1 was repeated, except that only the sulfuric acid treatment was performed and the ammonia water treatment was not performed. Table 2 shows the results.

【0043】実施例2 アンモニア水の代わりに水酸化ナトリウム水溶液(0.
01N)を用いた他は実施例1と同様にした。結果を表
−2に示す。
Example 2 Aqueous sodium hydroxide solution (0.
01N) was used, and the same as in Example 1. Table 2 shows the results.

【0044】実施例3 硫酸の代わりに濃度1N、温度40℃の塩酸で処理した
以外は、実施例1と同様にした。結果を表−2に示す。 実施例4 アンモニアの代わりにジメチルアミンと水との混合液を
用いた他は実施例3と同様にした。結果を表−2に示
す。
Example 3 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the treatment was carried out with hydrochloric acid having a concentration of 1 N and a temperature of 40 ° C. instead of sulfuric acid. Table 2 shows the results. Example 4 The same as Example 3 except that a mixed solution of dimethylamine and water was used instead of ammonia. Table 2 shows the results.

【0045】[0045]

【表2】 Vth :1cd/m2 を越える電圧 η100:100cd/m2 時の発光効率 V100:100cd/m2 時の電圧[Table 2] Vth: 1cd / m 2 to over voltage η100: 100cd / m 2 o'clock luminous efficiency V100: 100cd / m 2 o'clock voltage

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、陽
極、有機発光層、陰極が基板上に順次設けられ、陽極が
酸化インジウム及び/または酸化錫であり、この陽極が
酸で処理されることにより表面が平滑化され、さらにア
ルカリで処理されることにより、表面に残存する微量の
酸成分が中和されることにより、界面の不純物を除去す
ることができ、酸処理の効果がより大きく現れ、比較的
低い電圧で十分な輝度が得られ、また、長期に亙り、安
定した発光特性を得ることができる。
According to the organic electroluminescent device of the present invention, an anode, an organic light emitting layer, and a cathode are sequentially provided on a substrate, the anode is indium oxide and / or tin oxide, and the anode is treated with an acid. As a result, the surface is smoothed and further treated with alkali to neutralize the trace amount of acid component remaining on the surface, whereby impurities at the interface can be removed, and the effect of acid treatment is further improved. It appears significantly, sufficient brightness can be obtained at a relatively low voltage, and stable light emission characteristics can be obtained for a long period of time.

【0047】従って、本発明のEL素子はフラットパネ
ル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛け
テレビ)の分野や面発光体としての特徴を生かした光源
(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類の
バックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら
れ、その技術的価値は大きいものである。
Therefore, the EL device of the present invention is used in the field of flat panel displays (for example, OA computers and wall-mounted televisions) and light sources (for example, light sources for copiers, liquid crystal displays and instruments) which make the best use of the characteristics as a surface light emitter. It can be applied to backlights, display boards, and marker lights, and its technical value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を示し
た模式断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of an organic electroluminescent device of the present invention.

【図2】本発明の有機電界発光素子の別の構造例を示し
た模式断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another structural example of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図3】本発明の有機電界発光素子の別の構造例を示し
た模式断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another structural example of the organic electroluminescent element of the present invention.

【図4】本発明の有機電界発光素子の別の構造例を示し
た模式断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing another structural example of the organic electroluminescent element of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 有機発光層 3a 正孔注入層 3b 正孔輸送層 3c 電子輸送層 3d 3cとは異なる化合物で構成される有機電子輸送
層 3e 界面層 4 陰極
1 Substrate 2 Anode 3 Organic Light Emitting Layer 3a Hole Injection Layer 3b Hole Transport Layer 3c Electron Transport Layer 3d Organic Electron Transport Layer 3e Composed of a Compound Different from 3c 3e Interface Layer 4 Cathode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に設けられた、陽極、陰極、およ
びこの間に少なくとも有機発光層を有する有機電界発光
素子において、陽極が、インジウムおよび/または錫の
酸化物であり、かつ、酸で処理された後にアルカリで処
理されていることを特徴とする有機電界発光素子。
1. In an organic electroluminescent device having an anode, a cathode, and at least an organic light emitting layer interposed therebetween, which is provided on a substrate, the anode is an oxide of indium and / or tin, and is treated with an acid. An organic electroluminescent device characterized by being treated with an alkali after being treated.
【請求項2】 アルカリがアンモニア若しくはアミン又
はそれらの水溶液である請求項1に記載の有機電界発光
素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the alkali is ammonia or amine or an aqueous solution thereof.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642544B1 (en) * 1996-12-11 2003-11-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Display apparatus using electroluminscence elements and method of manufacturing the same
JP2008124138A (en) * 2006-11-09 2008-05-29 Matsushita Electric Works Ltd Organic electroluminescence element and its fabrication process

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