JP5227510B2 - Pyrazine derivatives, and light-emitting elements, display devices, and electronic devices using the pyrazine derivatives - Google Patents

Pyrazine derivatives, and light-emitting elements, display devices, and electronic devices using the pyrazine derivatives Download PDF

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Description

本発明は、ピラジン誘導体に関する。また、当該ピラジン誘導体を含む発光素子に関する。また、当該ピラジン誘導体を含む発光素子を有する表示装置に関する。   The present invention relates to a pyrazine derivative. Further, the present invention relates to a light-emitting element including the pyrazine derivative. Further, the present invention relates to a display device including a light-emitting element including the pyrazine derivative.

近年、発光性化合物を用いた発光素子は、低消費電力、軽量薄型の特徴を有しており、次世代のディスプレイ(表示装置)として有力視されている。また、自発光型であるため、液晶ディスプレイ(LCD)と比較して、視野角等の問題がなく視認性に優れていると言われている。   In recent years, a light-emitting element using a light-emitting compound has features of low power consumption, light weight, and thinness, and is regarded as a promising next-generation display (display device). Further, since it is a self-luminous type, it is said that there is no problem of viewing angle and the like, and it is excellent in visibility as compared with a liquid crystal display (LCD).

発光素子の基本構造は、一対の電極間に発光性化合物を含む発光層を有する構造である。このような発光素子は、電圧を印加することにより、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子が発光層内の発光中心で再結合して分子を励起し、励起した分子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出することによって発光すると言われている。なお、再結合により生成する励起状態には一重項励起状態と三重項励起状態とがある。発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられており、特に一重項励起状態から直接基底状態へ戻る際の発光は蛍光、三重項励起状態から基底状態へ戻る際の発光は燐光と定義されている。   The basic structure of a light-emitting element is a structure having a light-emitting layer containing a light-emitting compound between a pair of electrodes. In such a light-emitting element, when a voltage is applied, holes injected from the anode and electrons injected from the cathode recombine at the emission center in the light-emitting layer to excite the molecules, and the excited molecules become the basis. It is said that light is emitted by releasing energy when returning to the state. Note that excited states generated by recombination include a singlet excited state and a triplet excited state. Emission is considered to be possible in either excited state, especially emission when returning from the singlet excited state directly to the ground state is fluorescence, and emission when returning from the triplet excited state to the ground state is phosphorescence. Is defined.

励起状態である一重項励起状態と三重項励起状態は、統計学的に1:3で発生すると考えられている。従って、三重項励起状態から基底状態へ戻る際の発光である燐光を用いれば、理論的には内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)が75%〜100%の発光素子を得ることができると考えられる。すなわち、燐光を利用できれば、蛍光を利用するのに比べ、格段に発光効率を向上させることができる。   It is thought that the singlet excited state and the triplet excited state, which are excited states, are statistically generated at 1: 3. Therefore, when phosphorescence, which is light emission when returning from the triplet excited state to the ground state, is used, theoretically, a light emitting device having an internal quantum efficiency (ratio of photons generated with respect to injected carriers) of 75% to 100%. It is thought that can be obtained. That is, if phosphorescence can be used, the luminous efficiency can be significantly improved as compared with the case of using fluorescence.

しかしながら、一般的な有機化合物は、常温では燐光を観測することができなかった。これは、通常、有機化合物の基底状態は一重項基底状態であり、三重項励起状態から一重項基底状態への遷移は禁制遷移となるからである。一方、一重項励起状態から一重項基底状態への遷移は許容遷移となるため、蛍光は観測することができる。ところが、近年、特許文献1に示されるように、燐光を放出できる化合物、すなわち三重項励起状態から基底状態へ戻る際の光を発光に変換できる化合物(以下、燐光性化合物と記す)が発見されており、研究も盛んに行われている(例えば、特許文献1参照)。   However, phosphorescence of general organic compounds could not be observed at room temperature. This is because the ground state of an organic compound is usually a singlet ground state, and a transition from a triplet excited state to a singlet ground state is a forbidden transition. On the other hand, since the transition from the singlet excited state to the singlet ground state is an allowable transition, fluorescence can be observed. However, in recent years, as disclosed in Patent Document 1, a compound capable of emitting phosphorescence, that is, a compound capable of converting light upon returning from a triplet excited state to a ground state (hereinafter referred to as a phosphorescent compound) has been discovered. Research is also actively conducted (see, for example, Patent Document 1).

燐光性化合物を用いて発光素子を作製する場合にも、濃度消光による発光効率の低下を防ぐため、燐光性化合物はホスト材料に分散させた状態で用いられる。そのため、燐光性化合物から効率良く発光を得るためには、ホスト材料の選択も重要となってくる。   Even in the case where a light-emitting element is manufactured using a phosphorescent compound, the phosphorescent compound is used in a state of being dispersed in a host material in order to prevent a decrease in light emission efficiency due to concentration quenching. Therefore, in order to efficiently obtain light emission from the phosphorescent compound, it is important to select a host material.

燐光性化合物から効率良く発光を得るためには、バイポーラ性を有するホスト材料が適していることがわかっている。しかしながら、有機化合物の多くは正孔輸送性または電子輸送性に偏ったモノポーラ性の材料である。したがって、正孔輸送性および電子輸送性の両方を有するバイポーラ性の材料の開発が求められている。
特開2005−170851号公報
In order to obtain light emission efficiently from a phosphorescent compound, it has been found that a host material having a bipolar property is suitable. However, most organic compounds are monopolar materials that are biased toward hole transporting or electron transporting. Therefore, development of a bipolar material having both hole transporting properties and electron transporting properties has been demanded.
Japanese Patent Laid-Open No. 2005-170851

そこで、本発明は、バイポーラ性を有する新規材料、当該新規材料を備えた発光素子、ならびに当該発光素子を有する表示装置を提供することを課題とする。   In view of the above, an object of the present invention is to provide a novel material having bipolar properties, a light-emitting element including the novel material, and a display device including the light-emitting element.

さらに、本発明は、発光性化合物を分散させるホスト材料として用いることができるバイポーラ性の新規材料を提供することを課題とする。特に、本発明は、燐光性化合物を分散させるホスト材料として用いることができるバイポーラ性の新規材料を提供することを課題とする。   Another object of the present invention is to provide a novel bipolar material that can be used as a host material in which a light-emitting compound is dispersed. In particular, an object of the present invention is to provide a novel bipolar material that can be used as a host material in which a phosphorescent compound is dispersed.

また、本発明は、発光性化合物として用いることができるバイポーラ性を有する新規材料を提供することを課題とする。   Another object of the present invention is to provide a novel bipolar material that can be used as a light-emitting compound.

本発明は、下記一般式(g−1)で表されるピラジン誘導体である。   The present invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-1).

上記一般式(g−1)において、式中のR、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、式中のAは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。また、アリーレン基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-1), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. A in the formula represents any of the substituents represented by general formula (a-1), general formula (a-2), general formula (a-3), or general formula (a-4). . R 4 in the formula represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 may be the same or different, each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α is 6 or more carbon atoms Represents an arylene group of 25 or less. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. The arylene group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、下記一般式(g−2)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-2).

上記一般式(g−2)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、式中のAは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、式中のAr、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。また、アリーレン基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-2), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. Represents any of aryl groups. A in the formula represents any of the substituents represented by general formula (a-1), general formula (a-2), general formula (a-3), or general formula (a-4). . R 4 in the formula represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. In the formula, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 may be the same or different, each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α is carbon Represents an arylene group of 6 or more and 25 or less. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. The arylene group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−3)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-3).

上記一般式(g−3)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。また、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。 In the general formula (g-3), R 1 , R 2 and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other, and are phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, and 9,9-dimethyl. It represents either a fluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.

また、本発明は下記一般式(g−4)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-4).

上記一般式(g−4)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-4), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−5)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-5).

上記一般式(g−5)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-5), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. Ar 3 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−5)において、式中のArはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであることが好ましい。 In the general formula (g-5), Ar 3 in the formula is phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9- It is preferably either a dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.

また、本発明は下記一般式(g−6)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-6).

上記一般式(g−6)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。Arは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-6), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 6 is a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, or spiro-9,9. Represents one of '-bifluoren-2-yl groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−7)で表されるピラジン誘導体である。   Further, the present invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-7).

上記一般式(g−7)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-7), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−8)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-8).

上記一般式(g−8)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arはアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-8), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 or more carbon atoms. Represents any of 25 or less aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−8)において、式中のArはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであることが好ましい。 In the general formula (g-8), Ar 7 in the formula is phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9- It is preferably either a dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.

また、本発明は下記一般式(g−9)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-9).

上記一般式(g−9)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-9), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. Ar 1 and Ar 2 may be the same or different, and phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluorene- It represents either a 2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−10)で表されるピラジン誘導体である。   Further, the present invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-10).

上記一般式(g−10)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-10), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. Ar 3 , Ar 4 and Ar 5 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−11)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-11).

上記一般式(g−11)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-11), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. Ar 3 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−11)において、式中のArはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであることが好ましい。 In the general formula (g-11), Ar 3 in the formula is a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9- It is preferably either a dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.

また、本発明は下記一般式(g−12)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-12).

上記一般式(g−12)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。Arはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-12), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 6 is a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, or spiro-9,9 ′. -Represents any of bifluoren-2-yl groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−13)で表されるピラジン誘導体である。   Moreover, this invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-13).

上記一般式(g−13)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-13), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は下記一般式(g−14)で表されるピラジン誘導体である。   Further, the present invention is a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-14).

上記一般式(g−14)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-14), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−14)において、式中のArはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであることが好ましい。 In the general formula (g-14), Ar 7 in the formula is phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 2-biphenyl, 3-biphenyl, 4-biphenyl, 9,9- It is preferably either a dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体を含む層を、一対の電極間に有する発光素子である。   The present invention is a light-emitting element having a layer containing a pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14) between a pair of electrodes.

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体と発光性化合物とを含む層を、一対の電極間に有する発光素子である。   The present invention is a light-emitting element having a layer containing the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14) and a light-emitting compound between a pair of electrodes. is there.

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体と燐光性化合物とを含む層を、一対の電極間に有する発光素子である。なお、燐光性化合物とは、燐光を放出できる化合物、すなわち三重項励起状態から基底状態に戻る際に放出される光を発光に変換できる化合物のことを表す。   The present invention is a light-emitting element having a layer containing the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14) and a phosphorescent compound between a pair of electrodes. is there. Note that a phosphorescent compound refers to a compound that can emit phosphorescence, that is, a compound that can convert light emitted when returning from a triplet excited state to a ground state into luminescence.

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体を含む発光素子を有する表示装置である。   In addition, the present invention is a display device including a light-emitting element including the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14).

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体と燐光性化合物とを含む発光素子を有する表示装置である。   Further, the present invention is a display device including a light-emitting element including the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14) and a phosphorescent compound.

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体を含む発光素子を有する電子機器である。   The present invention is an electronic device having a light-emitting element including the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14).

また、本発明は、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれか一に記載のピラジン誘導体と燐光性化合物とを含む発光素子を有する電子機器である。   The present invention is an electronic device having a light-emitting element including the pyrazine derivative according to any one of the general formulas (g-1) to (g-14) and a phosphorescent compound.

本発明のピラジン誘導体は、バイポーラ性を有し、電子輸送性および正孔輸送性の両方に優れているピラジン誘導体である。   The pyrazine derivative of the present invention is a pyrazine derivative having bipolar properties and excellent in both electron transport properties and hole transport properties.

また、本発明のピラジン誘導体は、電気化学的な酸化や還元に対して安定なピラジン誘導体である。   The pyrazine derivative of the present invention is a pyrazine derivative that is stable against electrochemical oxidation and reduction.

さらに、本発明のピラジン誘導体は、バイポーラ性を有し、電子輸送性および正孔輸送性の両方に優れている発光性化合物である。   Furthermore, the pyrazine derivative of the present invention is a light-emitting compound having bipolar properties and excellent in both electron transport properties and hole transport properties.

また、本発明のピラジン誘導体から成る層中に燐光性化合物を分散させることにより、非常に発光効率の高い発光素子を得ることができる。   Further, by dispersing the phosphorescent compound in the layer formed of the pyrazine derivative of the present invention, a light emitting element with extremely high light emission efficiency can be obtained.

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明のピラジン誘導体について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment mode, a pyrazine derivative of the present invention will be described.

本発明のピラジン誘導体は、下記一般式(g−1)で表される。   The pyrazine derivative of the present invention is represented by the following general formula (g-1).

上記一般式(g−1)において、式中のR、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、式中のAは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Ar乃至Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。なお、式中のアリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。同様に、アリーレン基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-1), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. A in the formula represents any of the substituents represented by general formula (a-1), general formula (a-2), general formula (a-3), or general formula (a-4). . R 4 in the formula represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 1 to Ar 7 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms. In addition, the aryl group in a formula may have a substituent and may be unsubstituted. Similarly, the arylene group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−1)において、炭素数1以上4以下のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、i−プロピル基、n−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、i−ブチル基、又はs−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数6以上25以下のアリール基の具体例としては、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、ナフチル基、2−ナフチル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基、2−ビフェニル基、9,9−メチルフルオレン−2−イル基、又はスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基等が挙げられる。さらに、炭素数6以上25以下のアリーレン基の具体例としては、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、1,5−ナフチレン基、1,4−ナフチレン基、9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジイル基、4,4−ビフェニレン基、又はスピロ−9,9’−ビフルオレン−2,7−ジイル基等が挙げられる。   In the general formula (g-1), specific examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include methyl group, ethyl group, i-propyl group, n-propyl group, n-butyl group, t- A butyl group, an i-butyl group, an s-butyl group, or the like can be given. Specific examples of the aryl group having 6 to 25 carbon atoms include phenyl, o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, naphthyl, 2-naphthyl, 4-biphenyl, 3- Biphenyl group, 2-biphenyl group, 9,9-methylfluoren-2-yl group, spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group and the like can be mentioned. Furthermore, specific examples of the arylene group having 6 to 25 carbon atoms include o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, 1,5-naphthylene group, 1,4-naphthylene group, 9,9- Examples thereof include a dimethylfluorene-2,7-diyl group, a 4,4-biphenylene group, and a spiro-9,9′-bifluorene-2,7-diyl group.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−1)で表される置換基であり、ArおよびArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−3)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-1), the present invention is such that A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-1), Ar 1 and Ar 2 are a phenyl group, and a 1-naphthyl group. , 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, or spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group It is preferable that the synthesis is easy. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-3).

なお、上記一般式(g−3)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-3), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−4)で表される置換基であり、αがフェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができるともに、化学的な安定性を得ることができるので好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−4)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   In the general formula (g-1), the present invention provides a larger triplet excitation when A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-4) and α is a phenylene group. It is preferable because energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-4).

なお、上記一般式(g−4)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-4), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−2)で表される置換基であり、ArおよびArがフェニル基で、αが1,4−フェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、さらに合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−5)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-1), A is a substituent represented by the general formula (a-2), Ar 4 and Ar 5 are phenyl groups, and α is 1 A 4-phenylene group is preferred because a larger triplet excitation energy can be obtained, and synthesis is facilitated. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-5).

なお、上記一般式(g−5)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-5), R 1 , R 2 and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. Ar 3 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

さらに、本発明は、上記一般式(g−5)において、式中のArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。 Furthermore, the present invention relates to the above general formula (g-5), wherein Ar 3 is a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, A 9,9-dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group is preferred because it facilitates synthesis.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−3)で表される置換基であり、Arがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−6)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-1), A is a substituent represented by the general formula (a-3), Ar 6 is a phenyl group, a 1-naphthyl group, 2- A naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, a 4-biphenyl group, a 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group The synthesis is easy and preferable. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-6).

なお、上記一般式(g−6)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-6), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−4)で表される置換基であり、αがフェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、化学的な安定性も得ることができるため好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−7)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   In the general formula (g-1), the present invention provides a larger triplet excitation when A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-4) and α is a phenylene group. It is preferable because energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-7).

なお、上記一般式(g−7)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-7), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−1)において、式中のAが一般式(a−4)で表される置換基であり、αが1,4−フェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、化学的な安定性も得ることができるため好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−8)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   In the general formula (g-1), the present invention is such that A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-4), and α is a 1,4-phenylene group. It is preferable because large triplet excitation energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-8).

なお、上記一般式(g−8)において、式中のR、R、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arはアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-8), R 1 , R 2 , and R 3 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a carbon number. It represents any of 6 to 25 aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は上記一般式(g−8)において、式中のArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。 In the general formula (g-8), Ar 7 in the formula is a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9 , 9-dimethylfluoren-2-yl group or spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group is preferable because of easy synthesis.

また、本発明のピラジン誘導体は、下記一般式(g−2)で表される。   Moreover, the pyrazine derivative of the present invention is represented by the following general formula (g-2).

上記一般式(g−2)において、式中のR、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。また、式中のAは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。また、式中のAr乃至Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。なお、アリーレン基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-2), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl having 6 to 25 carbon atoms. Represents any of the groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. A in the formula represents any of the substituents represented by general formula (a-1), general formula (a-2), general formula (a-3), or general formula (a-4). . R 4 in the formula represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Ar 1 to Ar 7 in the formula may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms. The arylene group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、上記一般式(g−2)において、炭素数1以上4以下のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、i−プロピル基、n−プロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、i−ブチル基、又はs−ブチル基等が挙げられる。また、炭素数6以上25以下のアリール基の具体例としては、フェニル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、ナフチル基、2−ナフチル基、4−ビフェニル基、3−ビフェニル基、2−ビフェニル基、9,9−メチルフルオレン−2−イル基、又はスピロ−9,9’−ビフルオレン−2イル基等が挙げられる。さらに、炭素数6以上25以下のアリーレン基の具体例としては、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、1,5−ナフチレン基、1,4−ナフチレン基、9,9−ジメチルフルオレン−2,7−ジイル基、4,4−ビフェニレン基、又はスピロ−9,9’−ビフルオレン−2,7−ジイル基等が挙げられる。   In the general formula (g-2), specific examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include methyl group, ethyl group, i-propyl group, n-propyl group, n-butyl group, t- A butyl group, an i-butyl group, an s-butyl group, or the like can be given. Specific examples of the aryl group having 6 to 25 carbon atoms include phenyl, o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, naphthyl, 2-naphthyl, 4-biphenyl, 3- Biphenyl group, 2-biphenyl group, 9,9-methylfluoren-2-yl group, spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group and the like can be mentioned. Furthermore, specific examples of the arylene group having 6 to 25 carbon atoms include o-phenylene group, m-phenylene group, p-phenylene group, 1,5-naphthylene group, 1,4-naphthylene group, 9,9- Examples thereof include a dimethylfluorene-2,7-diyl group, a 4,4-biphenylene group, and a spiro-9,9′-bifluorene-2,7-diyl group.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−1)で表される置換基であり、ArおよびArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−9)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-2), the present invention is such that A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-1), Ar 1 and Ar 2 are a phenyl group, and a 1-naphthyl group. , 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group When it exists, it becomes easy to synthesize and is preferable. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-9).

なお、上記一般式(g−9)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-9), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different, and each is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−2)で表される置換基であり、αがフェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができるともに、化学的な安定性を得ることができるので好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−10)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   In the general formula (g-2), the present invention provides a larger triplet excitation when A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-2) and α is a phenylene group. It is preferable because energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-10).

なお、上記一般式(g−10)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Ar、Ar、Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-10), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different, and each is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−2)で表される置換基であり、ArおよびArがフェニル基で、αが1,4−フェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、さらに合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−11)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-2), A is a substituent represented by the general formula (a-2), Ar 4 and Ar 5 are phenyl groups, and α is 1 A 4-phenylene group is preferred because a larger triplet excitation energy can be obtained, and synthesis is facilitated. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-11).

なお、上記一般式(g−11)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。また、Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-11), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. Ar 3 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

さらに、本発明は、上記一般式(g−11)において、式中のArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。 Furthermore, the present invention is the above general formula (g-11), wherein Ar 3 in the formula is a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, a 4-biphenyl group, A 9,9-dimethylfluoren-2-yl group or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group is preferred because it facilitates synthesis.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−3)で表される置換基であり、Arがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−12)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。 In the general formula (g-2), A is a substituent represented by the general formula (a-3), Ar 6 is a phenyl group, a 1-naphthyl group, 2- A naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, a 4-biphenyl group, a 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, or a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group The synthesis is easy and preferable. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-12).

なお、上記一般式(g−12)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-12), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−4)で表される置換基であり、αがフェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、化学的な安定性も得ることができるため好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−13)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   In the general formula (g-2), the present invention provides a larger triplet excitation when A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-4) and α is a phenylene group. It is preferable because energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-13).

なお、上記一般式(g−13)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arは炭素数6以上25以下のアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-13), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は、上記一般式(g−2)において、式中のAが一般式(a−4)で表される置換基であり、αが1,4−フェニレン基であると、より大きな三重項励起エネルギーを得ることができ、化学的な安定性も得ることができるため好ましい。すなわち、本発明は、下記一般式(g−14)で表されるピラジン誘導体であることが好ましい。   Further, in the general formula (g-2), the present invention is such that A in the formula is a substituent represented by the general formula (a-4), and α is a 1,4-phenylene group. It is preferable because large triplet excitation energy can be obtained and chemical stability can be obtained. That is, the present invention is preferably a pyrazine derivative represented by the following general formula (g-14).

なお、上記一般式(g−14)において、式中のR、Rは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。Arはアリール基を表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the general formula (g-14), R 1 and R 2 in the formula may be the same or different from each other, and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or 6 to 25 carbon atoms. It represents one of the following aryl groups. R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Ar 7 represents an aryl group. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted.

また、本発明は上記一般式(g−14)において、式中のArがフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、またはスピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかであると、合成が容易となり好ましい。 In the general formula (g-14), Ar 7 represents a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 2-biphenyl group, a 3-biphenyl group, a 4-biphenyl group, 9 , 9-dimethylfluoren-2-yl group or spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group is preferable because of easy synthesis.

また、本発明のピラジン誘導体の具体例として、構造式(s−1)乃至構造式(s−115)で表されるピラジン誘導体が挙げられる。なお、本発明のピラジン誘導体は以下の構造式に限定されるものではなく、以下の構造式で表される構造と異なる構造であってもよい。   Specific examples of the pyrazine derivative of the present invention include pyrazine derivatives represented by structural formulas (s-1) to (s-115). The pyrazine derivative of the present invention is not limited to the following structural formula, and may have a structure different from the structure represented by the following structural formula.

本発明のピラジン誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の合成スキーム(c−1)、合成スキーム(c−2)、合成スキーム(c−3)、合成スキーム(c−4)に示す合成反応を行うことによって製造することができる。   As a synthesis method of the pyrazine derivative of the present invention, various reactions can be applied. For example, it can manufacture by performing the synthetic reaction shown to the following synthetic scheme (c-1), synthetic scheme (c-2), synthetic scheme (c-3), and synthetic scheme (c-4).

上記合成スキーム(c−1)乃至(c−4)において、式中のxはハロゲン原子を表す。さらに、R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。また、R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。さらに、Ar乃至Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。なお、アリーレン基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。 In the synthesis schemes (c-1) to (c-4), x in the formula represents a halogen atom. R 1 , R 2 and R 3 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Ar 1 to Ar 7 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms. The arylene group may have a substituent or may be unsubstituted.

上記合成スキーム(c−1)において、ピラジン誘導体ハロゲン化物に対し、塩基存在下、1等量の2級アミン化合物をパラジウム触媒、或いは一価の銅を用いてカップリング反応を行うことで、本発明のピラジン誘導体を合成することができる。なお、塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基や、金属アルコキシドなどの有機塩基などを用いることができる。また、パラジウム触媒としては酢酸パラジウム、塩化パラジウム(II)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)などを用いることができる。   In the above synthesis scheme (c-1), by subjecting a pyrazine derivative halide to a coupling reaction of 1 equivalent of a secondary amine compound with a palladium catalyst or monovalent copper in the presence of a base, Inventive pyrazine derivatives can be synthesized. In addition, as a base, organic bases, such as inorganic bases, such as potassium carbonate and sodium carbonate, a metal alkoxide, etc. can be used. As the palladium catalyst, palladium acetate, palladium (II) chloride, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), or the like can be used.

また、合成スキーム(c−2)、合成スキーム(c−3)、合成スキーム(c−4)においても、上記で説明した合成スキーム(c−1)と同様にして合成できる。すなわち、合成スキーム(c−2)乃至(c−4)のそれぞれにおいて、ピラジン誘導体ハロゲン化物に対し、塩基存在下、1等量の2級アミン化合物をパラジウム触媒、或いは一価の銅を用いてカップリング反応を行うことで、本発明のピラジン誘導体を合成することができる。なお、塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基や、金属アルコキシドなどの有機塩基などを用いることができる。また、パラジウム触媒としては酢酸パラジウム、塩化パラジウム(II)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)などを用いることができる。   In addition, in the synthesis scheme (c-2), the synthesis scheme (c-3), and the synthesis scheme (c-4), they can be synthesized in the same manner as the synthesis scheme (c-1) described above. That is, in each of the synthesis schemes (c-2) to (c-4), in the presence of a base, 1 equivalent of a secondary amine compound is used with a palladium catalyst or monovalent copper with respect to a pyrazine derivative halide. By performing a coupling reaction, the pyrazine derivative of the present invention can be synthesized. As the base, an inorganic base such as potassium carbonate or sodium carbonate, an organic base such as metal alkoxide, or the like can be used. As the palladium catalyst, palladium acetate, palladium (II) chloride, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), or the like can be used.

また、本発明のピラジン誘導体は、例えば、下記の合成スキーム(d−1)、合成スキーム(d−2)、合成スキーム(d−3)、合成スキーム(d−4)に示す合成反応を行うことによって製造することができる。   In addition, the pyrazine derivative of the present invention performs, for example, the synthetic reaction shown in the following synthetic scheme (d-1), synthetic scheme (d-2), synthetic scheme (d-3), and synthetic scheme (d-4). Can be manufactured.

上記合成スキーム(d−1)乃至(d−4)において、式中のxはハロゲン原子を表す。さらに、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。Rは、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基を表す。また、R、R、Rはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数1以上4以下のアルキル基、または炭素数6以上25以下のアリール基のいずれかを表す。なお、アリール基は置換基を有していてもよいし、無置換であってもよい。さらに、Ar〜Arはそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数6以上25以下のアリール基を表し、αは炭素数6以上25以下のアリーレン基を表す。 In the synthesis schemes (d-1) to (d-4), x in the formula represents a halogen atom. Further, R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. R 4 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. R 5 , R 6 and R 7 may be the same or different and each represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. The aryl group may have a substituent or may be unsubstituted. Ar 1 to Ar 7 may be the same or different and each represents an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, and α represents an arylene group having 6 to 25 carbon atoms.

上記合成スキーム(d−1)において、ピラジン誘導体ハロゲン化物に対し、塩基存在下、2等量の2級アミン化合物をパラジウム触媒、或いは一価の銅を用いてカップリング反応を行うことで、本発明のピラジン誘導体を合成することができる。なお、塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基や、金属アルコキシドなどの有機塩基などを用いることができる。また、パラジウム触媒としては酢酸パラジウム、塩化パラジウム(II)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)などを用いることができる。   In the above synthesis scheme (d-1), by subjecting a pyrazine derivative halide to a coupling reaction using 2 equivalents of a secondary amine compound with a palladium catalyst or monovalent copper in the presence of a base, Inventive pyrazine derivatives can be synthesized. In addition, as a base, organic bases, such as inorganic bases, such as potassium carbonate and sodium carbonate, a metal alkoxide, etc. can be used. As the palladium catalyst, palladium acetate, palladium (II) chloride, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), or the like can be used.

また、合成スキーム(d−2)乃至合成スキーム(d−4)においても、上記で説明した合成スキーム(d−1)と同様にして合成できる。すなわち、合成スキーム(d−2)乃至(d−4)のそれぞれにおいて、ピラジン誘導体ハロゲン化物に対し、塩基存在下、2等量の2級アミン化合物をパラジウム触媒、或いは一価の銅を用いてカップリング反応を行うことで、本発明のピラジン誘導体を合成することができる。なお、塩基としては炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの無機塩基や、金属アルコキシドなどの有機塩基などを用いることができる。また、パラジウム触媒としては酢酸パラジウム、塩化パラジウム(II)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)などを用いることができる。   In addition, in the synthesis scheme (d-2) to the synthesis scheme (d-4), they can be synthesized in the same manner as the synthesis scheme (d-1) described above. That is, in each of the synthesis schemes (d-2) to (d-4), with respect to the pyrazine derivative halide, in the presence of a base, 2 equivalents of a secondary amine compound is used with a palladium catalyst or monovalent copper. By performing a coupling reaction, the pyrazine derivative of the present invention can be synthesized. In addition, as a base, organic bases, such as inorganic bases, such as potassium carbonate and sodium carbonate, a metal alkoxide, etc. can be used. As the palladium catalyst, palladium acetate, palladium (II) chloride, bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), or the like can be used.

なお、本発明のピラジン誘導体の合成方法は、上述した方法に限定されるものではなく、その他の合成方法によって合成されても構わない。   The method for synthesizing the pyrazine derivative of the present invention is not limited to the method described above, and may be synthesized by other synthesis methods.

上記のように合成された本発明のピラジン誘導体は、バイポーラ性を有し、電子輸送性および正孔輸送性の両方に優れているピラジン誘導体である。   The pyrazine derivative of the present invention synthesized as described above is a pyrazine derivative having bipolar properties and excellent in both electron transport properties and hole transport properties.

また、本発明のピラジン誘導体は、電気化学的な酸化や還元に対して安定なピラジン誘導体である。   The pyrazine derivative of the present invention is a pyrazine derivative that is stable against electrochemical oxidation and reduction.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明のピラジン誘導体を用いた発光素子の一態様について、図1を用いて説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, one embodiment of a light-emitting element using the pyrazine derivative of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施の形態における発光素子の構造は、一対の電極(陽極および陰極)間に発光層を有するものとする。また、本発明の発光素子は、各電極と発光層との間に、正孔注入性または電子注入性の高い物質や、正孔輸送性または電子輸送性の高い物質からなる層を設けるものとする。このような構成にすることで、本発明の発光素子は、電極から離れたところで発光領域が形成される。   In the structure of the light-emitting element in this embodiment, a light-emitting layer is provided between a pair of electrodes (anode and cathode). In the light-emitting element of the present invention, a layer made of a substance having a high hole-injecting or electron-injecting property or a substance having a high hole-transporting or electron-transporting property is provided between each electrode and the light-emitting layer. To do. With such a structure, in the light emitting element of the present invention, a light emitting region is formed at a distance from the electrode.

図1に示す発光素子100は、第1の電極101と第2の電極107との間に、発光層104が設けられている。そして、本実施の形態では、発光層104に本発明のピラジン誘導体と燐光性化合物とを含むことを特徴とする。   In the light-emitting element 100 illustrated in FIG. 1, a light-emitting layer 104 is provided between a first electrode 101 and a second electrode 107. In this embodiment mode, the light-emitting layer 104 includes the pyrazine derivative of the present invention and a phosphorescent compound.

また、本発明の発光素子100は、第1の電極101と発光層104との間に、正孔注入層102と正孔輸送層103とが順次積層されて設けられている構造とする。さらに、本発明の発光素子は、発光層104と第2の電極107との間に、電子輸送層105と電子注入層106とが順次積層されて設けられている構造とする。なお、素子構造についてはこれに限らず、目的に応じて周知の構造を適宜選択すればよい。   In addition, the light-emitting element 100 of the present invention has a structure in which the hole injection layer 102 and the hole transport layer 103 are sequentially stacked between the first electrode 101 and the light-emitting layer 104. Furthermore, the light-emitting element of the present invention has a structure in which an electron-transport layer 105 and an electron-injection layer 106 are sequentially stacked between the light-emitting layer 104 and the second electrode 107. Note that the element structure is not limited to this, and a known structure may be appropriately selected according to the purpose.

本発明の発光素子100において、第1の電極101又は第2の電極107のいずれか一方は陽極となり、他方は陰極となる。なお、陽極とは発光層に正孔を注入する電極のことを示し、陰極とは発光層に電子を注入する電極のことを示す。本実施の形態では、第1の電極101を陽極とし、第2の電極107を陰極とする。以下、本発明の発光素子100について、具体的に説明する。   In the light-emitting element 100 of the present invention, either the first electrode 101 or the second electrode 107 serves as an anode, and the other serves as a cathode. The anode refers to an electrode that injects holes into the light emitting layer, and the cathode refers to an electrode that injects electrons into the light emitting layer. In this embodiment mode, the first electrode 101 is an anode and the second electrode 107 is a cathode. Hereinafter, the light emitting device 100 of the present invention will be specifically described.

第1の電極101(陽極)としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いるのが好ましい。具体的には、透光性を有する導電性材料からなる透明導電膜を用いればよい。例えば、インジウム錫酸化物(ITO:Indium Tin Oxide)、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物(ITSO:Indium Silicon Tin Oxide)、インジウム亜鉛酸化物(IZO:Indium Zinc Oxide)などを用いることができる。その他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、亜鉛(Zn)、スズ(Sn)、インジウム(In)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、またはパラジウム(Pd)等の金属材料を用いてもよい。また、金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン(TiN)等)を用いてもよい。なお、第1の電極101は、これらの材料の単層あるいは二層以上積層したものを、スパッタリング法や蒸着法等の方法を用いて形成すればよい。また、第1の電極101は、ゾル−ゲル法などを応用して形成してもよい。   As the first electrode 101 (anode), it is preferable to use a metal, an alloy, a conductive compound, a mixture thereof, or the like having a high work function (specifically, 4.0 eV or more). Specifically, a transparent conductive film formed using a light-transmitting conductive material may be used. For example, indium tin oxide (ITO), indium tin oxide added with silicon oxide (ITSO), indium zinc oxide (IZO), or the like can be used. In addition, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), zinc (Zn), tin (Sn), indium (In), molybdenum (Mo), iron (Fe ), Cobalt (Co), copper (Cu), palladium (Pd), or other metal materials may be used. Further, a nitride of a metal material (eg, titanium nitride (TiN)) may be used. Note that the first electrode 101 may be formed using a single layer or a stack of two or more of these materials by a method such as a sputtering method or an evaporation method. The first electrode 101 may be formed by applying a sol-gel method or the like.

正孔注入層102としては、モリブデン酸化物(MoO)、バナジウム酸化物(VO)、ルテニウム酸化物(RuO)、タングステン酸化物(WO)またはマンガン酸化物(MnO)等を用いることができる。その他、フタロシアニン(HPc)、銅フタロシアニン(CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ(エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等を用いてもよい。 As the hole injection layer 102, molybdenum oxide (MoO x ), vanadium oxide (VO x ), ruthenium oxide (RuO x ), tungsten oxide (WO x ), manganese oxide (MnO x ), or the like is used. be able to. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (H 2 Pc) and copper phthalocyanine (CuPc), or polymers such as poly (ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (PEDOT / PSS) may be used. Good.

また、正孔注入層102として、有機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を用いることもできる。複合材料に含まれる無機化合物としては、有機化合物に対し電子受容性を示す物質であればよく、具体的には、遷移金属の酸化物を用いることが好ましい。例えば、チタン酸化物(TiO)、バナジウム酸化物(VO)、モリブデン酸化物(MoO)、タングステン酸化物(WO)、レニウム酸化物(ReO)、ルテニウム酸化物(RuO)、クロム酸化物(CrO)、ジルコニウム酸化物(ZrO)、ハフニウム酸化物(HfO)、タンタル酸化物(TaO)、銀酸化物(AgO)、またはマンガン酸化物(MnO)等の金属酸化物を用いることができる。また、有機化合物としては、正孔輸送性に優れた材料を用いるのが好ましい。具体的には、芳香族アミン系の有機化合物またはカルバゾール系の有機化合物を用いることができる。また、芳香族炭化水素系の有機化合物を用いてもよい。このように、有機化合物及び当該有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含む複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。また、正孔注入層102として、このような有機化合物及び当該有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含む複合材料を用いることで、第1の電極101と正孔注入層102がオーム性接触することが可能となる。その結果、仕事関数の大小に関わらず、第1の電極101を形成する材料を選ぶことができる。 For the hole-injecting layer 102, a composite material formed by combining an organic compound and an inorganic compound can also be used. The inorganic compound included in the composite material may be any substance that exhibits an electron accepting property with respect to an organic compound, and specifically, an oxide of a transition metal is preferably used. For example, titanium oxide (TiO x ), vanadium oxide (VO x ), molybdenum oxide (MoO x ), tungsten oxide (WO x ), rhenium oxide (ReO x ), ruthenium oxide (RuO x ), Such as chromium oxide (CrO x ), zirconium oxide (ZrO x ), hafnium oxide (HfO x ), tantalum oxide (TaO x ), silver oxide (AgO x ), or manganese oxide (MnO x ) Metal oxides can be used. Further, as the organic compound, it is preferable to use a material excellent in hole transportability. Specifically, an aromatic amine organic compound or a carbazole organic compound can be used. Aromatic hydrocarbon organic compounds may also be used. In this manner, a composite material including an organic compound and an inorganic compound that exhibits an electron accepting property with respect to the organic compound transfers electrons between the organic compound and the inorganic compound, thereby increasing the carrier density. Excellent hole injecting and hole transporting properties. In addition, by using a composite material including such an organic compound and an inorganic compound that exhibits an electron accepting property with respect to the organic compound as the hole injecting layer 102, the first electrode 101 and the hole injecting layer 102 have an ohmic resistance. Sexual contact is possible. As a result, a material for forming the first electrode 101 can be selected regardless of the work function.

本発明のように、正孔注入層102を第1の電極101に接して設けることにより、正孔注入障壁を低減させることができる。その結果、発光素子100の駆動電圧を低減することができる。   By providing the hole injection layer 102 in contact with the first electrode 101 as in the present invention, the hole injection barrier can be reduced. As a result, the driving voltage of the light emitting element 100 can be reduced.

正孔輸送層103としては、正孔輸送性の高い物質を用いることができる。具体的には、芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物を用いることが好ましい。例えば、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル、その誘導体である4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(以下、NPBと記す)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)トリフェニルアミン、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物等を用いることができる。なお、ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、本発明はこの限りではなく、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層103は、これらの物質の単層、混合層、あるいは二層以上積層したものを用いればよい。 As the hole-transport layer 103, a substance having a high hole-transport property can be used. Specifically, it is preferable to use an aromatic amine-based compound (that is, a compound having a benzene ring-nitrogen bond). For example, 4,4′-bis [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl and its derivative 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (Hereinafter referred to as NPB), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenyl-amino) triphenylamine, 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) A starburst aromatic amine compound such as —N-phenylamino] triphenylamine can be used. Note that the substances described here are mainly substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or more. However, the present invention is not limited to this, and other substances may be used as long as they have a property of transporting more holes than electrons. Note that the hole-transporting layer 103 may be a single layer, a mixed layer, or a stack of two or more layers of these substances.

発光層104としては、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれかで表されるような本発明のピラジン誘導体と発光性化合物とを含む層を用いる。具体的には、本発明のピラジン誘導体から成る層中に発光性化合物を分散させた状態とする。つまり、本発明のピラジン誘導体をホスト材料とし、発光性化合物をゲスト材料とする。このような構成とすることで、ゲスト材料である発光性化合物からの発光を得ることができ、発光性化合物に起因した発光色を得ることができる。また、本発明のピラジン誘導体は発光物質としても機能するため、発光性化合物に起因した発光色と、本発明のピラジン誘導体に起因した発光色との混合色の発光色を得ることもできる。   As the light-emitting layer 104, a layer containing the pyrazine derivative of the present invention and a light-emitting compound as represented by any of the above general formulas (g-1) to (g-14) is used. Specifically, a light emitting compound is dispersed in a layer made of the pyrazine derivative of the present invention. That is, the pyrazine derivative of the present invention is used as a host material, and the luminescent compound is used as a guest material. By setting it as such a structure, light emission from the luminescent compound which is a guest material can be obtained, and the luminescent color resulting from a luminescent compound can be obtained. In addition, since the pyrazine derivative of the present invention also functions as a light emitting substance, it is possible to obtain a light emission color that is a mixture of the light emission color caused by the light emitting compound and the light emission color caused by the pyrazine derivative of the present invention.

発光層104に含まれる発光性化合物としては、蛍光性化合物及び燐光性化合物を用いることができる。具体的に蛍光性化合物としては、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(略称:DCM1)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(ジュロリジン−4−イル−ビニル)−4H−ピラン(略称:DCM2)、N,N−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、5,12−ジフェニルテトラセン(略称:DPT)、クマリン6、ペリレン、ルブレン等を用いることができる。   As the light-emitting compound included in the light-emitting layer 104, a fluorescent compound and a phosphorescent compound can be used. Specifically, as the fluorescent compound, 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran (abbreviation: DCM1), 4- (dicyanomethylene) -2-methyl- 6- (julolidin-4-yl-vinyl) -4H-pyran (abbreviation: DCM2), N, N-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPA), 5,12-diphenyl Tetracene (abbreviation: DPT), coumarin 6, perylene, rubrene, or the like can be used.

また、燐光性化合物としては、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt)(acac))、トリス(2−フェニルキノリナト−N,C’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq))、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pq)(acac))、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)(acac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等のイリジウム(Ir)、白金(Pt)などの遷移金属を中心とする金属錯体等を用いることができる。 As the phosphorescent compound, bis (2-phenylbenzothiazolate-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (bt) 2 (acac)), tris (2-phenylquino) Linato-N, C 2 ′) iridium (III) (abbreviation: Ir (pq) 3 ), bis (2-phenylquinolinato-N, C 2 ′) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (pq) 2 (acac)), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinato-N, C 3 ′ ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (btp) 2 (acac) ), Bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (piq) 2 (acac)), (acetylacetonato ) Bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (abbreviation: Ir (Fdpq) 2 (acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl A metal complex centering on a transition metal such as iridium (Ir) such as -21H, 23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP) or platinum (Pt) can be used.

電子輸送層105としては、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体等も用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)等を用いてもよい。なお、ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。但し、本発明はこの限りではなく、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電子輸送層105は、これらの物質の単層、混合層、あるいは二層以上積層したものを用いればよい。 As the electron-transport layer 105, a substance having a high electron-transport property can be used. For example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] -quinolinato) beryllium (abbreviation: A metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as BeBq 2 ) or bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), can be used. In addition, bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ)) Metal complexes having an oxazole-based or thiazole-based ligand such as 2 ) can also be used. In addition to metal complexes, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis [5 -(P-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4-tert-butylphenyl) -4-phenyl-5 (4-Biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl) -1,2 , 4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproin (abbreviation: BCP), and the like may be used. Note that the substances described here are mainly substances having an electron mobility of 10 −6 cm 2 / Vs or more. However, the present invention is not limited to this, and other substances may be used as long as they have a property of transporting more electrons than holes. Note that the electron-transporting layer 105 may be a single layer, a mixed layer, or a stack of two or more layers of these substances.

電子注入層106としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を含有させたものを用いてもよい。例えばAlq中に酸化リチウム(LiO)、酸化マグネシウム(MgO)、マグネシウム(Mg)、やリチウム(Li)を含有させたもの等を用いることができる。本発明のように、電子注入層106を第2の電極107に接して設けることにより、電子注入障壁を低減させることができる。その結果、発光素子100の駆動電圧を低減することができる。 As the electron injection layer 106, a compound of an alkali metal or an alkaline earth metal such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), or calcium fluoride (CaF 2 ) can be used. In addition, a layer made of a substance having an electron transporting property containing an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, or an alkaline earth metal compound may be used. For example, a material in which lithium oxide (LiO x ), magnesium oxide (MgO x ), magnesium (Mg), or lithium (Li) is contained in Alq 3 can be used. By providing the electron injection layer 106 in contact with the second electrode 107 as in the present invention, the electron injection barrier can be reduced. As a result, the driving voltage of the light emitting element 100 can be reduced.

第2の電極107(陰極)としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いればよい。なお、第2の電極107と発光層104との間で、電子注入層106を第2の電極107に接して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ITSO等、様々な導電性材料を第2の電極107として用いることができる。   As the second electrode 107 (cathode), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, a mixture thereof, or the like having a low work function (specifically, 3.8 eV or less) can be used. Specifically, elements belonging to Group 1 or Group 2 of the Periodic Table of Elements, that is, alkali metals such as lithium (Li) and cesium (Cs), magnesium (Mg), calcium (Ca), strontium (Sr), etc. An alkaline earth metal, an alloy containing these (MgAg, AlLi), a rare earth metal such as europium (Eu), ytterbium (Yb), an alloy containing these, or the like may be used. Note that by providing the electron injection layer 106 in contact with the second electrode 107 between the second electrode 107 and the light-emitting layer 104, Al, Ag, ITO, ITSO, or the like regardless of the work function. Various conductive materials can be used for the second electrode 107.

なお、正孔注入層102、正孔輸送層103、発光層104、電子輸送層105、電子注入層106の形成方法は、蒸着法を用いればよい。その他、インクジェット法またはスピンコート法等の方法を用いても構わない。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。   Note that the hole injection layer 102, the hole transport layer 103, the light emitting layer 104, the electron transport layer 105, and the electron injection layer 106 may be formed by vapor deposition. In addition, a method such as an inkjet method or a spin coating method may be used. Moreover, you may form using the different film-forming method for each electrode or each layer.

以上のような構成を有する本発明の発光素子100は、第1の電極101と第2の電極107との間に生じた電位差により電流が流れ、発光層104において正孔と電子とが再結合し、発光する。   In the light-emitting element 100 of the present invention having the above structure, current flows due to a potential difference generated between the first electrode 101 and the second electrode 107, and holes and electrons are recombined in the light-emitting layer 104. And emits light.

なお、本発明の発光素子100の発光は、第1の電極101および第2の電極107の材料を選択することで、一方向または両方向から取り出すことができる。例えば、第1の電極101を光透過性とし、第2の電極107を遮光性(反射性)とすることで、第1の電極101側から発光を取り出すことができる。或いは、第1の電極101を遮光性(反射性)とし、第2の電極107を光透過性とすることで、第2の電極107側から発光を取り出すことができる。また、第1の電極101及び第2の電極107の両方を光透過性とすることで、両方の電極側から発光を取り出すこともできる。   Note that light emission of the light-emitting element 100 of the present invention can be extracted from one direction or both directions by selecting materials of the first electrode 101 and the second electrode 107. For example, light emission can be extracted from the first electrode 101 side by making the first electrode 101 light-transmitting and the second electrode 107 light-shielding (reflective). Alternatively, light emission can be extracted from the second electrode 107 side by making the first electrode 101 light-shielding (reflective) and the second electrode 107 light-transmissive. Further, by making both the first electrode 101 and the second electrode 107 light-transmitting, light emission can be extracted from both electrode sides.

また、本実施の形態の発光素子は、少なくとも第1の電極101と第2の電極107との間に発光層104が設けられていればよく、上記のものに限定されない。したがって、目的に応じて適宜変更すればよい。   The light-emitting element of this embodiment is not limited to the above as long as the light-emitting layer 104 is provided between at least the first electrode 101 and the second electrode 107. Therefore, it may be changed as appropriate according to the purpose.

また、本実施の形態では第1の電極101を陽極としたが、本発明はこれに限定されず、陰極としてもよい。第1の電極101を陰極とした場合には、陰極に接して電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、そして陽極となる第2の電極107が順次積層された構造とすればよい。また、この場合も、第1の電極101と第2の電極107との間に発光層が設けられた構成以外は、目的に応じて適宜変更可能である。   Although the first electrode 101 is an anode in this embodiment mode, the present invention is not limited to this and may be a cathode. In the case where the first electrode 101 is a cathode, an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, and a second electrode 107 serving as an anode are sequentially stacked in contact with the cathode. The structure may be made. Also in this case, other than the structure in which the light emitting layer is provided between the first electrode 101 and the second electrode 107, it can be changed as appropriate according to the purpose.

本発明の発光素子100は、バイポーラ性を有する本発明のピラジン誘導体をホスト材料として用いる。その結果、ゲスト材料である発光性化合物からの発光を効率良く得ることができる。特に、ゲスト材料として燐光性化合物を用いる場合の発光を効率良く得ることができる。   The light-emitting element 100 of the present invention uses the pyrazine derivative of the present invention having a bipolar property as a host material. As a result, light emission from the light-emitting compound that is the guest material can be efficiently obtained. In particular, light emission can be efficiently obtained when a phosphorescent compound is used as the guest material.

(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態2で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。なお、発光層以外は実施の形態2と同じ構成であるので、説明は省略する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a light-emitting element having a structure different from that described in Embodiment 2 will be described. In addition, since it is the same structure as Embodiment 2 except a light emitting layer, description is abbreviate | omitted.

図2に示す本発明の発光素子200は、実施の形態1で示した発光素子と同様に、第1の電極101と第2の電極107との間に、発光層204が設けられている。なお、素子の構造は図2に示すものに限定されず、少なくとも一対の電極(第1の電極101及び第2の電極107)と、一対の電極間に設けられた発光層を有していればよく、その他の構成は、目的に応じて、周知の構造を適宜選択すればよい。   In the light-emitting element 200 of the present invention illustrated in FIG. 2, the light-emitting layer 204 is provided between the first electrode 101 and the second electrode 107 as in the light-emitting element described in Embodiment Mode 1. Note that the structure of the element is not limited to that illustrated in FIGS. 2A and 2B, and includes at least a pair of electrodes (a first electrode 101 and a second electrode 107) and a light-emitting layer provided between the pair of electrodes. What is necessary is just to select a well-known structure suitably for another structure according to the objective.

本実施の形態の発光素子200は、発光層204として、上記一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれかで表される本発明のピラジン誘導体のみを含む層を用いる。本発明のピラジン誘導体は、青色から緑色発光色を得ることができ、発光性化合物として発光素子に好適に用いることができる。   In the light-emitting element 200 of this embodiment, a layer containing only the pyrazine derivative of the present invention represented by any of the above general formulas (g-1) to (g-14) is used as the light-emitting layer 204. The pyrazine derivative of the present invention can obtain a blue to green emission color and can be suitably used as a light-emitting compound in a light-emitting element.

また、本発明のピラジン誘導体をゲスト材料として、ホスト材料に分散させた構成としてもよい。本発明のピラジン誘導体を分散させるホスト材料としては、本発明のピラジン誘導体よりも大きいエネルギーギャップを有するものを用いればよい。具体的には、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)等を用いることができる。   Further, the pyrazine derivative of the present invention may be dispersed as a guest material in a host material. As a host material for dispersing the pyrazine derivative of the present invention, a host material having a larger energy gap than the pyrazine derivative of the present invention may be used. Specifically, 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), or the like is used. Can do.

以上のように、本発明のピラジン誘導体は、バイポーラ性を有し、また発光性化合物として機能する。したがって、他の発光性化合物を含有することなく、発光層204の材料として用いることができる。   As described above, the pyrazine derivative of the present invention has bipolar properties and functions as a luminescent compound. Therefore, it can be used as a material for the light-emitting layer 204 without containing other light-emitting compounds.

また、本発明のピラジン誘導体は、バイポーラ性を有するため、積層した膜の界面に発光領域が偏りにくい。したがって、エキサイプレックス等の相互作用に起因した発光スペクトルの変化や、発光効率の低下が少ない良好な特性を有する発光素子を得ることができる。   In addition, since the pyrazine derivative of the present invention has bipolar properties, the light emitting region is not easily biased to the interface of the stacked films. Therefore, a light-emitting element having favorable characteristics with little change in emission spectrum caused by interaction such as exciplex and a decrease in emission efficiency can be obtained.

(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の表示装置の一例について、図3、及び図4を用いて作製方法とともに説明する。なお、本実施の形態では、同一基板上に画素部370と駆動回路部380とが形成されたアクティブマトリクス型の表示装置の例について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, an example of a display device of the present invention will be described with a manufacturing method with reference to FIGS. Note that in this embodiment, an example of an active matrix display device in which a pixel portion 370 and a driver circuit portion 380 are formed over the same substrate is described.

まず、基板300上に下地絶縁膜301を形成する。基板300側を表示面として発光を取り出す場合、基板300としては、光透過性を有するガラス基板や石英基板を用いればよい。また、プロセス中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する光透過性のプラスチック基板を用いてもよい。また、基板300側とは逆の面を表示面として発光を取り出す場合、前述の基板の他にシリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。少なくともプロセス中に発生する熱に耐えうる基板を用いれば良く、本実施の形態では基板300としてガラス基板を用いる。なお、ガラス基板の屈折率は1.55前後である。   First, the base insulating film 301 is formed over the substrate 300. In the case where light emission is extracted using the substrate 300 side as a display surface, a light-transmitting glass substrate or quartz substrate may be used as the substrate 300. Alternatively, a light-transmitting plastic substrate having heat resistance that can withstand the processing temperature during the process may be used. In addition, in the case where light emission is extracted using a surface opposite to the substrate 300 side as a display surface, in addition to the above-described substrate, a silicon substrate, a metal substrate, or a stainless substrate on which an insulating film is formed may be used. A substrate that can withstand at least heat generated during the process may be used. In this embodiment, a glass substrate is used as the substrate 300. The refractive index of the glass substrate is around 1.55.

下地絶縁膜301としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を用い、スパッタ法やLPCVD法、プラズマCVD法等の手段により、単層又は2以上の複数層で形成する。また、基板の凹凸や、基板からの不純物拡散が問題にならないのであれば、特に下地絶縁膜を形成しなくてもよい。   As the base insulating film 301, an insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is used, and is formed of a single layer or two or more layers by means of a sputtering method, an LPCVD method, a plasma CVD method, or the like. To do. In addition, if the unevenness of the substrate and the diffusion of impurities from the substrate are not a problem, the base insulating film is not necessarily formed.

次いで、下地絶縁膜301上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質半導体膜をスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等により成膜した後、レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒元素を用いた熱結晶化法等を用いて結晶化し、結晶質半導体膜を得る。なお、ニッケルなどの触媒元素を用いた熱結晶化法を用いる場合には、結晶化後ゲッタリングにより触媒元素を除去することが好ましい。その後、フォトリソグラフィー法により、結晶質半導体膜を所望の形状に形成する。   Next, a semiconductor layer is formed over the base insulating film 301. The semiconductor layer is formed by forming an amorphous semiconductor film by sputtering, LPCVD, plasma CVD, or the like, and then laser crystallization, thermal crystallization, or thermal crystallization using a catalytic element such as nickel. Is crystallized using the above to obtain a crystalline semiconductor film. In the case of using a thermal crystallization method using a catalyst element such as nickel, it is preferable to remove the catalyst element by gettering after crystallization. Thereafter, a crystalline semiconductor film is formed into a desired shape by photolithography.

次いで、半導体層を覆うゲート絶縁膜302を形成する。ゲート絶縁膜302は、プラズマCVD法またはスパッタ法を用いて珪素を含む絶縁膜を形成する。また、珪素を含む絶縁膜の単層または積層構造を形成した後にマイクロ波によるプラズマを用いた表面窒化処理を行って形成しても良い。   Next, a gate insulating film 302 is formed to cover the semiconductor layer. As the gate insulating film 302, an insulating film containing silicon is formed by a plasma CVD method or a sputtering method. Alternatively, a single layer or a stacked structure of an insulating film containing silicon may be formed and then surface nitridation using microwave plasma may be performed.

次いで、ゲート絶縁膜302上にゲート電極を形成する。ゲート電極は、タングステン(W)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、窒化タンタル(TaN)またはモリブデン(Mo)などの高融点金属、又は高融点金属を主成分とする合金もしくは化合物等の導電材料を用いて、スパッタ法、蒸着法などの方法により形成すればよい。また、ゲート電極はこれらの導電材料の単層構造でも良いし、二以上の複数層としてもよい。   Next, a gate electrode is formed over the gate insulating film 302. The gate electrode is a conductive material such as a refractory metal such as tungsten (W), chromium (Cr), tantalum (Ta), tantalum nitride (TaN), or molybdenum (Mo), or an alloy or compound containing a refractory metal as a main component. What is necessary is just to form by methods, such as a sputtering method and a vapor deposition method, using material. Further, the gate electrode may have a single layer structure of these conductive materials, or may have two or more layers.

次いで、画素部370及び駆動回路部380に形成されるそれぞれのトランジスタ310、330、340の半導体層にn型またはp型の導電型を有する不純物領域を形成するため、不純物を添加する。添加する不純物は、それぞれのトランジスタにあわせて、適宜選択すればよい。   Next, an impurity is added in order to form an impurity region having n-type or p-type conductivity in the semiconductor layer of each of the transistors 310, 330, and 340 formed in the pixel portion 370 and the driver circuit portion 380. The impurity to be added may be selected as appropriate in accordance with each transistor.

次いで、第1の層間絶縁膜303a、303b、303cを形成する。第1の層間絶縁膜303a、303b、303cとしては、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの無機絶縁膜、有機樹脂膜、またはシロキサンを含む膜を用いることができ、これら絶縁膜を単層又は2以上の複数層で形成すればよい。なお、シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される材料である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えば炭素数1以上4以下のアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。また、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、無機絶縁膜を形成する場合はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等を用いて、有機樹脂膜やシロキサンを含む膜を形成する場合には塗布法を用いればよい。ここでは第1の層間絶縁膜303a、303b、303cの3層の積層構造としたが、層間絶縁膜は単層でもよいし、複数層としてもよい。   Next, first interlayer insulating films 303a, 303b, and 303c are formed. As the first interlayer insulating films 303a, 303b, and 303c, an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film, an organic resin film, or a film containing siloxane can be used. May be formed of a single layer or two or more layers. Siloxane is a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon) is used. Further, a fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent. Further, when an inorganic insulating film is formed, a sputtering method, an LPCVD method, a plasma CVD method, or the like is used. When an organic resin film or a film containing siloxane is formed, a coating method may be used. Although the three-layer structure of the first interlayer insulating films 303a, 303b, and 303c is used here, the interlayer insulating film may be a single layer or a plurality of layers.

次いで、第1の層間絶縁膜303a、303b、303cを選択的にエッチングして、半導体層に達するコンタクトホールを形成する。そして、コンタクトホールを介して半導体層に達するソース電極及びドレイン電極を形成する。ソース電極及びドレイン電極は、スパッタ法により金属膜を積層した後、フォトリソグラフィー法により、選択的に金属積層膜をエッチングして形成する。   Next, the first interlayer insulating films 303a, 303b, and 303c are selectively etched to form contact holes that reach the semiconductor layers. Then, a source electrode and a drain electrode reaching the semiconductor layer through the contact holes are formed. The source electrode and the drain electrode are formed by laminating a metal film by a sputtering method and then selectively etching the metal laminate film by a photolithography method.

以上のような工程で、発光素子に接続されるトランジスタ310、容量311、駆動回路部に配置されるトランジスタ330及びトランジスタ340が形成される。本実施の形態では、オフ電流低減のために発光素子に接続されるトランジスタ310をマルチゲート構造(直列に接続された2つ以上のチャネル形成領域を含んだ半導体層と、それぞれのチャネル形成領域に電界を印加する2つ以上のゲート電極とを有する構造)としている。なお、本発明はこれに限らず、トランジスタ330、トランジスタ340のようなシングルゲート構造としてもよい。また、駆動回路部に配置されるトランジスタ330、トランジスタ340をシングルゲート構造としたが、本発明はこれに限らず、マルチゲート構造としてもよい。   Through the above steps, the transistor 310 connected to the light-emitting element, the capacitor 311, the transistor 330 and the transistor 340 arranged in the driver circuit portion are formed. In this embodiment, the transistor 310 connected to the light-emitting element for off-state current reduction has a multi-gate structure (a semiconductor layer including two or more channel formation regions connected in series and each channel formation region). And a structure having two or more gate electrodes to which an electric field is applied. Note that the present invention is not limited to this, and a single gate structure such as the transistor 330 or the transistor 340 may be employed. Further, although the transistor 330 and the transistor 340 arranged in the driver circuit portion have a single gate structure, the present invention is not limited to this and may have a multi-gate structure.

また、トランジスタ310、トランジスタ330、及びトランジスタ340は、ゲート絶縁膜302を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域(LDD領域)を有する構造とした。なお、本発明はこれに限らず、LDD領域を有さない構造としてもよい。   The transistor 310, the transistor 330, and the transistor 340 each have a structure having a low concentration impurity region (LDD region) that overlaps with the gate electrode with the gate insulating film 302 interposed therebetween. Note that the present invention is not limited to this, and a structure without an LDD region may be employed.

また、画素部370には、図3(B)に示すような、スイッチング素子として機能するトランジスタ320も設けられる。トランジスタ320は、ゲート絶縁膜302を介してゲート電極と重ならない低濃度不純物領域(LDD領域)を有する構造とした。なお、本発明はこれに限らず、LDD領域を有さない構造としてもよい。   The pixel portion 370 is also provided with a transistor 320 that functions as a switching element as illustrated in FIG. The transistor 320 has a structure having a low-concentration impurity region (LDD region) that does not overlap with the gate electrode with the gate insulating film 302 interposed therebetween. Note that the present invention is not limited to this, and a structure without an LDD region may be employed.

また、駆動回路部380において、トランジスタ330をnチャネル型とし、トランジスタ340をpチャネル型とし、該トランジスタ330及びトランジスタ340を相補的に接続することでCMOS回路を構成することができる。このような構成にすることで、様々な種類の回路を実現することができる。   In the driver circuit portion 380, the transistor 330 can be an n-channel transistor, the transistor 340 can be a p-channel transistor, and the transistor 330 and the transistor 340 can be complementarily connected to form a CMOS circuit. With such a configuration, various types of circuits can be realized.

次いで、第1の層間絶縁膜303a、303b、303c上に、第2の層間絶縁膜304を形成する。第2の層間絶縁膜304としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの無機絶縁膜を用いて形成することができる。また、アクリルやポリイミド等の有機樹脂膜、またはシロキサンを含む膜を用いてもよい。そして、これら絶縁膜を単層又は2以上の複数層で形成すればよい。なお、シロキサンは、シリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成される材料である。置換基として、少なくとも水素を含む有機基(例えば炭素数1以上4以下のアルキル基、芳香族炭化水素)が用いられる。また、置換基としてフルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。無機絶縁膜を形成する場合はスパッタ法、LPCVD法、またはプラズマCVD法等を用いて、有機樹脂膜やシロキサンを含む膜を形成する場合には塗布法を用いればよい。ここでは第2の層間絶縁膜304を単層としたが、複数層としてもよい。なお、第2の層間絶縁膜304として有機樹脂膜やシロキサンを含む膜等を用いる場合には、酸化珪素膜及び窒化珪素膜等の無機絶縁膜との積層構造とするのが好ましい。   Next, a second interlayer insulating film 304 is formed over the first interlayer insulating films 303a, 303b, and 303c. The second interlayer insulating film 304 can be formed using an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film. Alternatively, an organic resin film such as acrylic or polyimide, or a film containing siloxane may be used. These insulating films may be formed as a single layer or two or more layers. Siloxane is a material in which a skeleton structure is formed by a bond of silicon (Si) and oxygen (O). As a substituent, an organic group containing at least hydrogen (for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an aromatic hydrocarbon) is used. Further, a fluoro group may be used as a substituent. Alternatively, an organic group containing at least hydrogen and a fluoro group may be used as a substituent. When an inorganic insulating film is formed, a sputtering method, an LPCVD method, a plasma CVD method, or the like is used. When an organic resin film or a film containing siloxane is formed, a coating method may be used. Although the second interlayer insulating film 304 is a single layer here, it may be a plurality of layers. Note that in the case where an organic resin film, a film containing siloxane, or the like is used as the second interlayer insulating film 304, a stacked structure of an inorganic insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film is preferable.

次いで、発光素子350を形成する。まず、第1の電極351(有機発光素子の陽極、又は陰極)を形成する。第1の電極351は、第2の層間絶縁膜304を介して第1のトランジスタ310と電気的に接続するものとする。なお、第1の電極351は、実施の形態2、及び実施の形態3と同様に形成すればよく、説明は省略する。   Next, the light-emitting element 350 is formed. First, a first electrode 351 (an anode or a cathode of an organic light emitting element) is formed. The first electrode 351 is electrically connected to the first transistor 310 through the second interlayer insulating film 304. Note that the first electrode 351 may be formed in a manner similar to that in Embodiments 2 and 3, and description thereof is omitted.

次いで、第1の電極351の端部を覆う隔壁層305を形成する。隔壁層305は、塗布法によってアクリル、シロキサン、レジスト、酸化珪素、またはポリイミド等の絶縁膜を形成し、得られた絶縁膜をフォトリソグラフィー法により所望の形状に形成すればよい。   Next, a partition layer 305 that covers an end portion of the first electrode 351 is formed. The partition layer 305 may be formed by forming an insulating film such as acrylic, siloxane, resist, silicon oxide, or polyimide by a coating method and forming the obtained insulating film into a desired shape by a photolithography method.

次いで、層352、第2の電極353(発光素子の陰極、又は陽極)を順次形成する。なお、該層352は実施の形態2、又は実施の形態3において説明したような、一般式(g−1)乃至一般式(g−14)のいずれかで表される本発明のピラジン誘導体を含む層が含まれている。また、層352は少なくとも発光層を含み、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が含まれていても構わない。層352、第2の電極353は、実施の形態2、及び実施の形態3と同様に形成すればよく、説明は省略する。   Next, a layer 352 and a second electrode 353 (a cathode or an anode of a light-emitting element) are sequentially formed. Note that the layer 352 is formed using the pyrazine derivative of the present invention represented by any one of the general formula (g-1) to the general formula (g-14) as described in Embodiment 2 or Embodiment 3. Contains layers. The layer 352 includes at least a light-emitting layer, and may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. The layer 352 and the second electrode 353 may be formed in a manner similar to that in Embodiments 2 and 3, and description thereof is omitted.

以上のような工程で、第1の電極351、層352、第2の電極353を含む発光素子350が形成される。なお、発光素子350は、隔壁層305によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されている。   Through the above process, the light-emitting element 350 including the first electrode 351, the layer 352, and the second electrode 353 is formed. Note that the light-emitting element 350 is separated from another light-emitting element provided adjacent thereto by a partition layer 305.

次いで、封止基板360をシール材306で貼り合わせて発光素子350を封止する。即ち、表示装置は、表示領域の外周をシール材306で囲み、一対の基板300、360で封止される。なお、本実施の形態では、シール材306を駆動回路部380に掛かるように設けたが、少なくとも表示領域の外周を囲むように設ければよい。また、シール材306で囲まれた空間307には充填材を充填してもよいし、乾燥した不活性ガスを充填してもよい。 Next, the light-emitting element 350 is sealed by bonding the sealing substrate 360 with the sealant 306. That is, in the display device, the outer periphery of the display region is surrounded by the sealant 306 and sealed with the pair of substrates 300 and 360. Note that in this embodiment mode, the sealant 306 is provided so as to hang over the drive circuit portion 380. However, it may be provided so as to surround at least the outer periphery of the display region. Further, the space 307 surrounded by the sealing material 306 may be filled with a filler or may be filled with a dry inert gas.

最後にFPC393を異方性導電層392により端子電極391と貼りつけ、端子部390を形成する。なお、端子電極391は、トランジスタ310と第1の電極351とを電気的に接続する配線と同じ工程で得られる電極を最上層に用いることが好ましい。   Finally, the FPC 393 is attached to the terminal electrode 391 with the anisotropic conductive layer 392, so that the terminal portion 390 is formed. Note that as the terminal electrode 391, an electrode obtained in the same step as the wiring for electrically connecting the transistor 310 and the first electrode 351 is preferably used for the uppermost layer.

また、図4は、画素部の上面図を示している。図4中の鎖線A−A’で表される部分の断面は、図3における画素部370の断面図に相当する。なお、図4では、発光素子の第1の電極351の端部を覆う隔壁層305、層352、第2の電極353、封止基板360等は図示してないが、実際には設けられている。また、図3、4については本発明の表示装置の一例を示した図であり、レイアウトにより配線等は適宜変更されるものとする。 FIG. 4 shows a top view of the pixel portion. A cross section of a portion represented by a chain line A-A ′ in FIG. 4 corresponds to a cross sectional view of the pixel portion 370 in FIG. 3. Note that in FIG. 4, the partition layer 305, the layer 352, the second electrode 353, the sealing substrate 360, and the like that cover the end portion of the first electrode 351 of the light-emitting element are not illustrated, but are actually provided. Yes. 3 and 4 are diagrams showing an example of the display device of the present invention, and the wiring and the like are appropriately changed depending on the layout.

また、本発明の表示装置において、表示装置の発光表示面は、一面または両面であってもよい。第1の電極351と第2の電極353とを透明導電膜で形成した場合、発光素子350の光は、基板300及び封止基板360を通過して両側に取り出される。この場合、封止基板360や充填材は透明な材料を用いることが好ましい。   In the display device of the present invention, the light emitting display surface of the display device may be one surface or both surfaces. In the case where the first electrode 351 and the second electrode 353 are formed using a transparent conductive film, light from the light-emitting element 350 passes through the substrate 300 and the sealing substrate 360 and is extracted to both sides. In this case, it is preferable to use a transparent material for the sealing substrate 360 and the filler.

また、第2の電極353を金属膜で形成し、第1の電極351を透明導電膜で形成した場合、発光素子350の光は、基板300のみを通過して一方に取り出される構造となる。つまり、ボトムエミッション型となる。この場合、封止基板360や充填材は透明な材料を用いなくともよい。   In the case where the second electrode 353 is formed using a metal film and the first electrode 351 is formed using a transparent conductive film, light from the light-emitting element 350 passes through only the substrate 300 and is extracted to one side. That is, it becomes a bottom emission type. In this case, the sealing substrate 360 and the filler need not use a transparent material.

また、第1の電極351を金属膜で形成し、第2の電極353を透明導電膜で形成した場合、発光素子350の光は、封止基板360のみを通過して一方に取り出される構造となる。つまり、トップエミッション型となる。この場合、基板300は透明な材料を用いなくともよい。   In the case where the first electrode 351 is formed using a metal film and the second electrode 353 is formed using a transparent conductive film, light from the light-emitting element 350 passes through only the sealing substrate 360 and is extracted to one side. Become. That is, it becomes a top emission type. In this case, the substrate 300 may not use a transparent material.

また、第1の電極351及び第2の電極353は、仕事関数を考慮して材料を選択する必要がある。但し、第1の電極351及び第2の電極353は、画素構成によりいずれも陽極、又は陰極となりうる。トランジスタ310の極性がpチャネル型である場合、第1の電極351を陽極、第2の電極353を陰極とする。また、トランジスタ310の極性がnチャネル型である場合、第1の電極351を陰極、第2の電極353を陽極とする。   In addition, it is necessary to select materials for the first electrode 351 and the second electrode 353 in consideration of a work function. Note that each of the first electrode 351 and the second electrode 353 can be an anode or a cathode depending on the pixel structure. In the case where the polarity of the transistor 310 is a p-channel type, the first electrode 351 is an anode and the second electrode 353 is a cathode. In the case where the polarity of the transistor 310 is an n-channel type, the first electrode 351 is a cathode and the second electrode 353 is an anode.

また、トランジスタ310、320、容量311等の接続関係を、図5の回路図に示す。なお、トランジスタ320のゲート電極はゲート線504に接続され、トランジスタ320のソース領域またはドレイン領域の一方は、ソース線505に接続されている。そして、トランジスタ310のソース領域またはドレイン領域の一方は、電流供給線506に接続されている。   In addition, the connection relationship of the transistors 310 and 320, the capacitor 311 and the like is shown in the circuit diagram of FIG. Note that the gate electrode of the transistor 320 is connected to the gate line 504, and one of the source region and the drain region of the transistor 320 is connected to the source line 505. One of the source region and the drain region of the transistor 310 is connected to the current supply line 506.

発光素子350はダイオード型の素子であり、本実施の形態のように発光素子350と直列に接続したトランジスタ310がpチャネル型トランジスタである場合は発光素子350の第1の電極351は陽極として機能する。これに対して、トランジスタ310がnチャネル型トランジスタである場合は、発光素子350の第1の電極351は陰極として機能する。   The light-emitting element 350 is a diode-type element. When the transistor 310 connected in series with the light-emitting element 350 is a p-channel transistor as in this embodiment, the first electrode 351 of the light-emitting element 350 functions as an anode. To do. On the other hand, when the transistor 310 is an n-channel transistor, the first electrode 351 of the light-emitting element 350 functions as a cathode.

本発明の表示装置の画素部には、図5で表されるような回路によって駆動する複数の発光素子がマトリクス状に配列されている。なお、発光素子を駆動させる為の回路については、図5に示したものには限定されるわけではない。例えば、入力された信号を強制的に消去する為の消去線及び消去動作に用いられる消去用のトランジスタを設けた構成の回路等であってもよい。   In the pixel portion of the display device of the present invention, a plurality of light emitting elements driven by a circuit as shown in FIG. 5 are arranged in a matrix. Note that the circuit for driving the light emitting element is not limited to that shown in FIG. For example, a circuit having a configuration in which an erasing line for forcibly erasing an input signal and an erasing transistor used for an erasing operation may be used.

本実施の形態のように、本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有することにより、効率の良い発光を有する表示装置を得ることができる。   By including the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention as in this embodiment mode, a display device having efficient light emission can be obtained.

(実施の形態5)
本実施の形態では、パッシブ型の表示装置の例について、図6を用いて説明する。図6(A)、(B)は、それぞれ、本発明を適用したパッシブ型の表示装置の斜視図と上面図である。特に、図6(A)は、図6(B)の点線658で囲まれた部分について斜視した図である。図6(A)、(B)のそれぞれにおいて、対応するものは同一の符号を用いて表している。図6(A)において、第1の基板651上には、複数の第1の電極652が並列に設けられている。第1の電極652それぞれの端部は、隔壁層653で覆われている。なお、図6(A)では、第1の基板651上に設けられた第1の電極と隔壁層653とが配置されている様子を分かり易くする為に最も手前に位置している第1の電極652を覆う隔壁層については図示していない。但し、実際には最も手前に位置している第1の電極652においても隔壁層によって端部は覆われている。第1の電極652の上方には複数の第2の電極655が、第1の電極652と交差するように並列に設けられている。第1の電極652と第2の電極655との間には層654が設けられている。なお、層654は、実施の形態2、又は実施の形態3において説明したような本発明のピラジン誘導体を含む層が含まれている。また、層654は少なくとも発光層を含み、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が含まれていてもかまわない。第2の電極655の上には第2の基板659が設けられている。
(Embodiment 5)
In this embodiment, an example of a passive display device is described with reference to FIGS. 6A and 6B are a perspective view and a top view, respectively, of a passive display device to which the present invention is applied. In particular, FIG. 6A is a perspective view of a portion surrounded by a dotted line 658 in FIG. In each of FIGS. 6A and 6B, the corresponding components are denoted by the same reference numerals. In FIG. 6A, a plurality of first electrodes 652 are provided in parallel over the first substrate 651. Each end portion of the first electrode 652 is covered with a partition wall layer 653. Note that in FIG. 6A, the first electrode located on the foremost side is shown for easy understanding of the state where the first electrode provided on the first substrate 651 and the partition wall layer 653 are arranged. A partition layer covering the electrode 652 is not shown. However, in reality, the end portion of the first electrode 652 located closest to the front is also covered with the partition wall layer. A plurality of second electrodes 655 are provided in parallel above the first electrode 652 so as to intersect the first electrode 652. A layer 654 is provided between the first electrode 652 and the second electrode 655. Note that the layer 654 includes a layer containing the pyrazine derivative of the present invention as described in Embodiment Mode 2 or Embodiment Mode 3. In addition, the layer 654 includes at least a light emitting layer, and may include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. A second substrate 659 is provided over the second electrode 655.

図6(B)に表されるように、第1の電極652は第1の駆動回路656に接続し、第2の電極655は第2の駆動回路660に接続している。第1の電極652と第2の電極655とが交差した部分は、電極間に発光層を挟んでなる本発明の発光素子を構成している。そして、第1の駆動回路656および第2の駆動回路660からの信号によって選択された本発明の発光素子が発光する。発光は、第1の電極652、第2の電極655、又は第1の電極652及び第2の電極655を介して外部へ取り出される。そして、複数の発光素子からの発光が組み合わさり映像が映し出される。なお、図6(B)では、第1の電極652及び第2の電極655それぞれの配置を分かり易くする為に隔壁層653及び第2の基板659については図示していないが、図6(A)に表されているように、実際にはこれらも設けられている。   As shown in FIG. 6B, the first electrode 652 is connected to the first driver circuit 656, and the second electrode 655 is connected to the second driver circuit 660. The portion where the first electrode 652 and the second electrode 655 intersect constitutes the light emitting element of the present invention in which the light emitting layer is sandwiched between the electrodes. Then, the light emitting element of the present invention selected by the signals from the first drive circuit 656 and the second drive circuit 660 emits light. Light emission is extracted to the outside through the first electrode 652, the second electrode 655, or the first electrode 652 and the second electrode 655. The light emitted from the plurality of light emitting elements is combined to display an image. Note that in FIG. 6B, the partition layer 653 and the second substrate 659 are not illustrated for easy understanding of the arrangement of the first electrode 652 and the second electrode 655, but FIG. In fact, these are also provided as shown in

第1の電極652、第2の電極655を形成する材料については特に限定はないが、いずれか一方の電極若しくは両方の電極が、可視光を透過できるように透明導電膜を用いていることが好ましい。また、第1の基板651及び第2の基板659の材質についても特に限定はなく、それぞれガラス基板等の他、プラスチック等の樹脂を用いての可撓性を有する材料を用いて形成されていてもよい。隔壁層653についても特に限定はなく、無機絶縁膜、又は有機絶縁膜のいずれかを用いて形成されていてもよい。また、無機絶縁膜と有機絶縁膜の両方を用いて形成されていてもよい。この他、シロキサンを用いて隔壁層653が形成されていてもよい。   There is no particular limitation on the material for forming the first electrode 652 and the second electrode 655, but a transparent conductive film may be used so that one or both of the electrodes can transmit visible light. preferable. There is no particular limitation on the material of the first substrate 651 and the second substrate 659, and each of the first substrate 651 and the second substrate 659 is formed using a flexible material using a resin such as a plastic other than a glass substrate. Also good. There is no particular limitation on the partition layer 653, and the partition layer 653 may be formed using either an inorganic insulating film or an organic insulating film. Moreover, you may form using both an inorganic insulating film and an organic insulating film. In addition, the partition layer 653 may be formed using siloxane.

なお、層654は、異なる色の発光を呈する発光素子ごとに独立して設けられていてもよい。例えば、赤、緑、青のそれぞれを発光する発光素子ごとに別に層654を設けることによって多色表示が可能な表示装置を得ることができる。   Note that the layer 654 may be provided independently for each light-emitting element that emits light of different colors. For example, by providing a separate layer 654 for each light-emitting element that emits red, green, and blue, a display device capable of multicolor display can be obtained.

本実施の形態のように、本発明のピラジン誘導体を含む発光層を有することにより、効率よく発光を有するパッシブ型の表示装置を得ることができる。   As in this embodiment mode, by including the light-emitting layer including the pyrazine derivative of the present invention, a passive display device that emits light efficiently can be obtained.

(実施の形態6)
本実施の形態では、実施の形態4で示したような本発明の表示装置を含むパネルを用いたモジュールについて、図7を用いて説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a module including a panel including the display device of the present invention as described in Embodiment 4 will be described with reference to FIGS.

図7(A)は、情報端末のモジュールを示しており、パネル700には、発光素子が各画素に設けられた画素部701と、前記画素部701が有する画素を選択する第1の走査線駆動回路702a、第2の走査線駆動回路702bと、選択された画素にビデオ信号を供給する信号線駆動回路703とが設けられている。画素部701は、実施の形態4で説明した図3、4における画素部等に該当する。   FIG. 7A illustrates a module of an information terminal. A panel 700 includes a pixel portion 701 in which a light-emitting element is provided for each pixel, and a first scanning line for selecting a pixel included in the pixel portion 701. A driver circuit 702a, a second scan line driver circuit 702b, and a signal line driver circuit 703 that supplies a video signal to a selected pixel are provided. The pixel portion 701 corresponds to the pixel portion or the like in FIGS. 3 and 4 described in Embodiment Mode 4.

パネル700には、FPC(フレキシブルプリントサーキット)704を介してプリント配線基板710が接続されている。プリント配線基板710には、コントローラ711、CPU(中央処理装置)712、メモリ713、電源回路714、音声処理回路715及び送受信回路716や、その他、抵抗、バッファ、容量素子等の素子が実装されている。   A printed wiring board 710 is connected to the panel 700 via an FPC (flexible printed circuit) 704. The printed wiring board 710 is mounted with a controller 711, a CPU (central processing unit) 712, a memory 713, a power supply circuit 714, an audio processing circuit 715, a transmission / reception circuit 716, and other elements such as resistors, buffers, and capacitive elements. Yes.

プリント配線基板710に備えられたインターフェース(I/F)部717を介して、各種制御信号の入出力が行われる。また、アンテナとの間の信号の送受信を行うためのアンテナ用ポート718が、プリント配線基板710に設けられている。   Various control signals are input / output via an interface (I / F) unit 717 provided on the printed wiring board 710. Further, an antenna port 718 for transmitting and receiving signals to and from the antenna is provided on the printed wiring board 710.

なお、本実施の形態ではパネル700にプリント配線基板710がFPC704を介して接続されているが、本発明はこれに限定されない。COG(Chip on Glass)方式を用い、コントローラ711、音声処理回路715、メモリ713、CPU712または電源回路714をパネル700に直接実装させるようにしてもよい。また、プリント配線基板710には、容量素子、バッファ等の各種素子が設けられ、電源電圧や信号にノイズがのったり、信号の立ち上がりが鈍ったりすることを防いでいる。   Note that although the printed wiring board 710 is connected to the panel 700 through the FPC 704 in this embodiment mode, the present invention is not limited to this. The controller 711, the sound processing circuit 715, the memory 713, the CPU 712, or the power supply circuit 714 may be directly mounted on the panel 700 by using a COG (Chip on Glass) method. Further, the printed wiring board 710 is provided with various elements such as a capacitor element and a buffer to prevent noise from being applied to the power supply voltage and the signal and the rise of the signal from being slowed down.

図7(B)は、図7(A)に示すモジュールのブロック図を示す。このモジュールはCPU712として、制御信号生成回路720、デコーダ721、レジスタ722、演算回路723、RAM724、CPU用のインターフェース725などが含まれている。インターフェース725を介してCPU712に入力された各種信号は、一旦レジスタ722に保持された後、演算回路723、デコーダ721などに入力される。演算回路723では、入力された信号に基づき演算を行ない、各種命令を送る場所を指定する。一方デコーダ721に入力された信号はデコードされ、制御信号生成回路720に入力される。制御信号生成回路720は入力された信号に基づき、各種命令を含む信号を生成し、演算回路723において指定された場所、具体的にはメモリ713、送受信回路716、音声処理回路715、コントローラ711などに送る。   FIG. 7B shows a block diagram of the module shown in FIG. This module includes a control signal generation circuit 720, a decoder 721, a register 722, an arithmetic circuit 723, a RAM 724, an interface 725 for the CPU, and the like as the CPU 712. Various signals input to the CPU 712 via the interface 725 are once held in the register 722 and then input to the arithmetic circuit 723, the decoder 721, and the like. The arithmetic circuit 723 performs an operation based on the input signal and designates a place to send various commands. On the other hand, the signal input to the decoder 721 is decoded and input to the control signal generation circuit 720. The control signal generation circuit 720 generates a signal including various instructions based on the input signal, and a location designated in the arithmetic circuit 723, specifically, a memory 713, a transmission / reception circuit 716, an audio processing circuit 715, a controller 711, and the like. Send to.

メモリ713としては、VRAM731、DRAM732、フラッシュメモリ733などが含まれている。VRAM731にはパネル700に表示する画像のデータが、DRAM732には画像データまたは音声データが、フラッシュメモリ733には、各種プログラムが記憶されている。   The memory 713 includes a VRAM 731, a DRAM 732, a flash memory 733, and the like. The VRAM 731 stores image data to be displayed on the panel 700, the DRAM 732 stores image data or audio data, and the flash memory 733 stores various programs.

電源回路714では、パネル700、コントローラ711、CPU712、音声処理回路715、メモリ713、送受信回路716に与える電源電圧が生成される。またパネルの仕様によっては、電源回路714に電流源が備えられている場合もある。   In the power supply circuit 714, a power supply voltage to be supplied to the panel 700, the controller 711, the CPU 712, the sound processing circuit 715, the memory 713, and the transmission / reception circuit 716 is generated. Depending on the specifications of the panel, the power supply circuit 714 may be provided with a current source.

メモリ713、送受信回路716、音声処理回路715、コントローラ711は、それぞれ受けた命令に従って動作する。以下その動作について簡単に説明する。   The memory 713, the transmission / reception circuit 716, the audio processing circuit 715, and the controller 711 operate according to the received commands. The operation will be briefly described below.

入力手段734から入力された信号は、インターフェース(I/F)部717を介してプリント配線基板710に実装されたCPU712に送られる。制御信号生成回路720は、ポインティングデバイスやキーボードなどの入力手段734から送られてきた信号に従い、VRAM731に格納してある画像データを所定のフォーマットに変換し、コントローラ711に送付する。   A signal input from the input unit 734 is sent to the CPU 712 mounted on the printed wiring board 710 via the interface (I / F) unit 717. The control signal generation circuit 720 converts the image data stored in the VRAM 731 into a predetermined format according to a signal sent from the input unit 734 such as a pointing device or a keyboard, and sends the image data to the controller 711.

コントローラ711は、パネルの仕様に合わせてCPU712から送られてきた画像データを含む信号にデータ処理を施し、パネル700に供給する。またコントローラ711は、電源回路714から入力された電源電圧やCPU712から入力された各種信号をもとに、Hsync信号、Vsync信号、クロック信号CLK、交流電圧(AC Cont)、切り替え信号L/Rを生成し、パネル700に供給する。   The controller 711 performs data processing on a signal including image data sent from the CPU 712 in accordance with the panel specifications, and supplies the processed signal to the panel 700. In addition, the controller 711 generates an Hsync signal, a Vsync signal, a clock signal CLK, an AC voltage (AC Cont), and a switching signal L / R based on the power supply voltage input from the power supply circuit 714 and various signals input from the CPU 712. Generated and supplied to the panel 700.

送受信回路716では、アンテナ743において電波として送受信される信号が処理されており、具体的にはアイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filter)、カプラ、バランなどの高周波回路を含んでいる。送受信回路716において送受信される信号のうち音声情報を含む信号が、CPU712からの命令に従って、音声処理回路715に送られる。   In the transmission / reception circuit 716, signals transmitted / received as radio waves in the antenna 743 are processed. Specifically, high-frequency signals such as an isolator, a band pass filter, a VCO (Voltage Controlled Oscillator), an LPF (Low Pass Filter), a coupler, and a balun Includes circuitry. A signal including audio information among signals transmitted and received in the transmission / reception circuit 716 is sent to the audio processing circuit 715 in accordance with a command from the CPU 712.

CPU712の命令に従って送られてきた音声情報を含む信号は、音声処理回路715において音声信号に復調され、スピーカー748に送られる。またマイク747から送られてきた音声信号は、音声処理回路715において変調され、CPU712からの命令に従って、送受信回路716に送られる。   A signal including audio information sent in accordance with a command from the CPU 712 is demodulated into an audio signal by the audio processing circuit 715 and sent to the speaker 748. The audio signal sent from the microphone 747 is modulated by the audio processing circuit 715 and sent to the transmission / reception circuit 716 in accordance with a command from the CPU 712.

コントローラ711、CPU712、電源回路714、音声処理回路715、メモリ713を、プリント配線基板710のパッケージとして実装することができる。本実施の形態は、アイソレータ、バンドパスフィルタ、VCO(Voltage Controlled Oscillator)、LPF(Low Pass Filter)、カプラ、バランなどの高周波回路以外であれば、どのような回路にも応用することができる。   The controller 711, the CPU 712, the power supply circuit 714, the sound processing circuit 715, and the memory 713 can be mounted as a package of the printed wiring board 710. This embodiment can be applied to any circuit other than a high-frequency circuit such as an isolator, a band-pass filter, a VCO (Voltage Controlled Oscillator), an LPF (Low Pass Filter), a coupler, and a balun.

以上のように、パネルを構成する発光素子として本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有するため、効率のよい発光を有するモジュールを得ることができる。   As described above, since the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention is included as a light-emitting element constituting the panel, a module having efficient light emission can be obtained.

(実施の形態7)
本実施の形態では、実施の形態5、6で示したような本発明の表示装置を含むモジュールを、無線を用いた持ち運び可能な小型電話機(携帯電話)に搭載した例について、図7、図8を用いて示す。
(Embodiment 7)
In this embodiment mode, an example in which a module including the display device of the present invention as shown in Embodiment Modes 5 and 6 is mounted on a portable small-sized telephone (mobile phone) using radio is shown in FIGS. 8 is used.

表示パネル800は、ハウジング801に脱着自在に組み込んでプリント配線基板810と容易に固定できるようにしている。ハウジング801は組み入れる電子機器に合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。   The display panel 800 is detachably incorporated in the housing 801 so that the display panel 800 can be easily fixed to the printed wiring board 810. The shape and size of the housing 801 can be changed as appropriate in accordance with an electronic device to be incorporated.

図8において、表示パネル800(図7(A)、(B)におけるパネル700に相当)を固定したハウジング801はプリント配線基板810(図7におけるプリント配線基板610に相当)に嵌着され、モジュールとして組み立てられる。プリント配線基板810には、コントローラ、CPU、メモリ、電源回路、その他、抵抗、バッファ、容量素子等が実装されている。さらに、マイクロフォン804及びスピーカー805を含む音声処理回路、送受信回路などの信号処理回路803が備えられている。表示パネル800は図7(A)、(B)で説明したように、FPCを介してプリント配線基板810に接続される。   In FIG. 8, a housing 801 to which a display panel 800 (corresponding to the panel 700 in FIGS. 7A and 7B) is fixed is fitted to a printed wiring board 810 (corresponding to the printed wiring board 610 in FIG. 7), and the module Assembled as. On the printed wiring board 810, a controller, a CPU, a memory, a power supply circuit, a resistor, a buffer, a capacitor, and the like are mounted. Further, a signal processing circuit 803 such as an audio processing circuit including a microphone 804 and a speaker 805 and a transmission / reception circuit is provided. As described with reference to FIGS. 7A and 7B, the display panel 800 is connected to the printed wiring board 810 through the FPC.

このようなモジュール820、入力手段808、バッテリ807は筐体806に収納される。表示パネル800の画素部は筐体806に形成された開口窓から視認できるように配置されている。   Such a module 820, input means 808, and battery 807 are housed in a housing 806. A pixel portion of the display panel 800 is arranged so as to be visible from an opening window formed in the housing 806.

なお、図8で示す筐体806は、電話機の外観形状を一例として示しており、本発明はこれに限定されず、その機能や用途に応じてさまざまな態様に変容し得る。   Note that the housing 806 illustrated in FIG. 8 illustrates the appearance of a telephone as an example, and the present invention is not limited to this, and can be transformed into various modes depending on functions and uses.

以上のように、表示パネルを構成する発光素子として本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有するため、表示部が効率のよい発光を有する小型電話機(携帯電話機)等のモジュールを得ることができる。   As described above, since the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention is included as a light-emitting element constituting the display panel, a module such as a small phone (mobile phone) having a display portion that emits light efficiently can be obtained.

(実施の形態8)
本実施の形態では、種々の電子機器について説明する。例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などについて説明する。
(Embodiment 8)
In this embodiment, various electronic devices are described. For example, a camera such as a video camera or a digital camera, a goggle type display (head mounted display), a navigation system, a sound reproduction device (car audio, audio component, etc.), a personal computer, a game machine, a portable information terminal (mobile computer, cellular phone) , Portable game machines, electronic books, etc.), image playback device provided with a recording medium (specifically, a device provided with a display capable of playing back a recording medium such as Digital Versatile Disc (DVD) and displaying the image) Etc. will be explained.

図9(A)はデジタルカメラであり、本体1801、表示部1802、撮像部、操作キー1804、シャッター1805等を含む。なお、図9(A)は表示部1802側からの図であり、撮像部は示していない。表示部1802に本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有することにより、良好な表示を行うことができる。   FIG. 9A illustrates a digital camera, which includes a main body 1801, a display portion 1802, an imaging portion, operation keys 1804, a shutter 1805, and the like. Note that FIG. 9A is a view from the display portion 1802 side, and the imaging portion is not shown. When the display portion 1802 includes the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention, favorable display can be performed.

図9(B)はノート型パーソナルコンピュータであり、本体1821、筐体1822、表示部1823、キーボード1824、外部接続ポート1825、ポインティングマウス1826等を含む。表示部1823に本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有することにより、良好な表示を行うことができる。   FIG. 9B illustrates a laptop personal computer, which includes a main body 1821, a housing 1822, a display portion 1823, a keyboard 1824, an external connection port 1825, a pointing mouse 1826, and the like. When the display portion 1823 includes a light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention, favorable display can be performed.

図9(C)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(具体的にはDVD再生装置)であり、本体1841、筐体1842、表示部A1843、表示部B1844、記録媒体(DVD等)読み込み部1845、操作キー1846、スピーカー部1847等を含む。表示部A1843は主として画像情報を表示し、表示部B1844は主として文字情報を表示する。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。表示部A1843、表示部B1844に本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有することにより、良好な表示を行うことができる。   FIG. 9C shows a portable image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which includes a main body 1841, a housing 1842, a display portion A1843, a display portion B1844, a recording medium (DVD or the like). A reading unit 1845, operation keys 1846, a speaker unit 1847, and the like are included. The display portion A1843 mainly displays image information, and the display portion B1844 mainly displays character information. Note that an image reproducing device provided with a recording medium includes a home game machine and the like. When the display portion A1843 and the display portion B1844 each include the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention, favorable display can be performed.

また、図9(D)は表示装置であり、筐体1861、支持台1862、表示部1863、スピーカ1864、ビデオ入力端子1865などを含む。なお、表示装置には、コンピュータ用、テレビ受信用、広告表示用などの全ての情報表示用表示装置が含まれる。表示部1863に本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有することにより、良好な表示を行うことができる。   FIG. 9D illustrates a display device, which includes a housing 1861, a support base 1862, a display portion 1863, a speaker 1864, a video input terminal 1865, and the like. The display device includes all information display devices such as a computer, a television receiver, and an advertisement display. When the display portion 1863 includes the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention, favorable display can be performed.

以上のように、種々の電子機器の表示部等に、本発明のピラジン誘導体を含む発光素子を有するため、良好な表示を得ることができる。   As described above, since the display portion of various electronic devices includes the light-emitting element including the pyrazine derivative of the present invention, favorable display can be obtained.

(合成例1)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−9)で表される化合物、2,3−ビス{4−[N,N−ジ(ビフェニル−4−イル)アミノ]フェニル}ピラジン(以下、BBAPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 1)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-9), 2,3-bis {4- [N, N-di (biphenyl-4-yl) amino] phenyl} pyrazine , BBAPPr) will be described.

[ステップ1:2,3−ビス(4−ブロモフェニル)ピラジン(以下、PPrと記す)の合成方法]
(1)2,3−ビス(4−ブロモフェニル)−5,6−ジヒドロピラジンの合成。
4,4’−ジブロモベンジル10g(27mmol)を300mL三口フラスコに入れ、クロロホルム200mLを加えて溶解した後、エチレンジアミン3.0mL(45mmol)を加え、この混合物を80℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応溶液を水で洗浄し、溶媒を留去して、2,3−ビス(4−ブロモフェニル)−5,6−ジヒドロピラジンの淡黄色固体を10g、収率94%で得た(合成スキーム(e−1))。
[Step 1: Method for synthesizing 2,3-bis (4-bromophenyl) pyrazine (hereinafter referred to as PPr)]
(1) Synthesis of 2,3-bis (4-bromophenyl) -5,6-dihydropyrazine.
After putting 10 g (27 mmol) of 4,4′-dibromobenzyl into a 300 mL three-necked flask and adding 200 mL of chloroform to dissolve, 3.0 mL (45 mmol) of ethylenediamine was added, and this mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 5 hours to react. I let you. After the reaction, the reaction solution was washed with water and the solvent was distilled off to obtain 10 g of a light yellow solid of 2,3-bis (4-bromophenyl) -5,6-dihydropyrazine in a yield of 94%. (Synthesis scheme (e-1)).

(2)PPrの合成。
2,3−ビス(4−ブロモフェニル)−5,6−ジヒドロピラジン10g(27mmol)を500mL三口フラスコに入れ、エタノール100mLを加えて溶解した後、塩化鉄(III)8.8g(54mmol)を加え、この混合物を60℃で30分間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物に水300mLを加え、析出した固体をトルエンに溶解させた。この混合物を飽和食塩水で洗浄した後、溶媒を濃縮して得られた固体をシリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。当該シリカカラムクロマトグラフィーによる精製(以下、カラム精製ともいう)は、まずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=1:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液の溶媒を濃縮して、PPrの橙色固体を6.3g、収率60%で得た(合成スキーム(e−2))。
(2) Synthesis of PPr.
After putting 10 g (27 mmol) of 2,3-bis (4-bromophenyl) -5,6-dihydropyrazine into a 500 mL three-necked flask and adding 100 mL of ethanol to dissolve, 8.8 g (54 mmol) of iron (III) chloride was added. In addition, this mixture was heated and stirred at 60 ° C. for 30 minutes to be reacted. After the reaction, 300 mL of water was added to the reaction mixture, and the precipitated solid was dissolved in toluene. The mixture was washed with saturated brine, and the solid obtained by concentrating the solvent was purified by silica column chromatography. Purification by the silica column chromatography (hereinafter also referred to as column purification) was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 1: 1 as a developing solvent. After column purification, the solvent of the obtained solution was concentrated to obtain 6.3 g of PPr orange solid in a yield of 60% (synthesis scheme (e-2)).

[ステップ2:ジ(ビフェニル−4−イル)アミン(以下、BBAと記す)の合成方法]
(1)4,4’−ジブロモジフェニルアミンの合成。
ジフェニルアミン50g(169mmol)、酢酸エチル1000mLを2000mL三角フラスコへ入れ、N−ブロモコハク酸イミド108g(605mmol)を加えて、この混合物を室温でおよそ12時間程度撹拌し、反応させた。反応後、反応溶液を水で洗浄し、酢酸エチルで水層を抽出して分離させた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過後ろ液を濃縮して得られた固体をヘキサンで洗浄したところ、4,4’−ジブロモジフェニルアミンの白色固体を73g、収率76%で得た(合成スキーム(e−3))。
[Step 2: Synthesis Method of Di (biphenyl-4-yl) amine (hereinafter referred to as BBA)]
(1) Synthesis of 4,4′-dibromodiphenylamine.
50 g (169 mmol) of diphenylamine and 1000 mL of ethyl acetate were put into a 2000 mL Erlenmeyer flask, 108 g (605 mmol) of N-bromosuccinimide was added, and the mixture was stirred at room temperature for about 12 hours to be reacted. After the reaction, the reaction solution was washed with water, the aqueous layer was extracted with ethyl acetate, and the separated organic layer was dried over magnesium sulfate. The filtrate was concentrated and the solid obtained was washed with hexane. , 4′-Dibromodiphenylamine was obtained as a white solid (73 g, yield 76%) (Synthesis scheme (e-3)).

(2)BBAの合成。
4,4’−ジブロモジフェニルアミン30g(92mmol)、フェニルボロン酸25g(204mmol)、酢酸パラジウム0.46g(2.0mmol)、トリス(o−トリル)ホスフィン1.4g(4.5mmol)を500mL三口フラスコへ入れ、当該フラスコ内を窒素置換をした後、エチレングリコールジメチルエーテル300mL、2.0mol/L炭酸カリウム水溶液300mLを加え、この混合物を80℃で5時間撹拌し、反応させた。反応後、析出物をろ過し、ろ物をクロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ、BBAの白色固体を23g、収率78%で得た(合成スキーム(e−4))。
(2) Synthesis of BBA.
500 mL three-neck flask containing 30 g (92 mmol) of 4,4′-dibromodiphenylamine, 25 g (204 mmol) of phenylboronic acid, 0.46 g (2.0 mmol) of palladium acetate, and 1.4 g (4.5 mmol) of tris (o-tolyl) phosphine The flask was purged with nitrogen, and then 300 mL of ethylene glycol dimethyl ether and 300 mL of a 2.0 mol / L potassium carbonate aqueous solution were added, and this mixture was stirred at 80 ° C. for 5 hours to be reacted. After the reaction, the precipitate was filtered and the filtrate was recrystallized from chloroform and hexane to obtain 23 g of BBA white solid in a yield of 78% (Synthesis scheme (e-4)).

[ステップ3:BBAPPrの合成方法]
PPr1.5g(3.9mmol)、BBA2.5g(7.7mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド1.5g(15.4mmol)を200mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン20mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液1.0mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)を加え、この混合物を80℃で3時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製は、まずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルムとヘキサンで再結晶したところ、黄色固体を0.51g、収率15%で得た。
[Step 3: Synthesis method of BBAPPr]
PPr 1.5 g (3.9 mmol), BBA 2.5 g (7.7 mmol) and sodium-tert-butoxide 1.5 g (15.4 mmol) were placed in a 200 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen. 1.0 mL of 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine and 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) were added, and this mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 3 hours to be reacted. It was. After the reaction, the reaction mixture was filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. The column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 9: 1 as a developing solvent. After column purification, the resulting solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 0.51 g of yellow solid with a yield of 15%.

得られた黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして、280℃で12時間行った。先に得られた黄色固体の仕込量を0.51gとしたところ、目的物であるBBAPPrの黄色固体を0.28g、収率54%で得た(合成スキーム(e−5))。   The obtained yellow solid was purified by sublimation by a train sublimation method. The sublimation purification was performed at 280 ° C. for 12 hours under a reduced pressure of 7 Pa, with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid obtained previously was 0.51 g, 0.28 g of the target BBAPPr yellow solid was obtained in a yield of 54% (Synthesis scheme (e-5)).

BBAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl);δ=7.12−7.58(m、44H)、δ=8.54(s、2H)
The analysis results of BBAPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) are shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ); δ = 7.12-7.58 (m, 44H), δ = 8.54 (s, 2H)

また、BBAPPrのH−NMRチャートを図10(A)、(B)に示す。なお、図10(B)は、図10(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 Further, 1 H-NMR charts of BBAPPr are shown in FIGS. Note that FIG. 10B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、BBAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図11に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図11において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。また、図11において、(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルである。また、(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長347nm)である。   Further, FIG. 11 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where BBAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 11, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). In FIG. 11, the spectrum shown in (a) is an absorption spectrum. The spectrum shown in (b) is an emission spectrum (excitation wavelength: 347 nm).

また、サイクリックボルタンメトリ(CV)測定により、BBAPPrの酸化還元反応特性について調べた結果を図12に示す。測定装置は、電気化学アナライザー(ビー・エー・エス(株)製、ALSモデル600A)を用いた。   Moreover, the result of having investigated about the oxidation-reduction reaction characteristic of BBAPPr by the cyclic voltammetry (CV) measurement is shown in FIG. As the measuring apparatus, an electrochemical analyzer (manufactured by BAS Co., Ltd., ALS model 600A) was used.

CV測定に用いた溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド(略称:DMF)を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−n−ブチルアンモニウム(n−BuNClO)を100mmol/Lの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象であるBBAPPrを1mmol/Lの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、PTE白金電極)を、補助電極としては白金電極(ビー・エー・エス(株)製、VC−3用Ptカウンター電極(5cm))を、基準電極としてはAg/Ag電極(ビー・エー・エス(株)製、RE5非水溶媒系参照電極)を、それぞれ用いた。 The solution used for the CV measurement uses dehydrated dimethylformamide (abbreviation: DMF) as a solvent, and has a concentration of 100 mmol / L of tetra-n-butylammonium perchlorate (n-Bu 4 NClO 4 ) as a supporting electrolyte. And BBAPPr to be measured was further dissolved to a concentration of 1 mmol / L. In addition, as a working electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., PTE platinum electrode), and as an auxiliary electrode, a platinum electrode (manufactured by BAS Inc., Pt counter electrode for VC-3 ( 5 cm)), and an Ag / Ag + electrode (manufactured by BAS Co., Ltd., RE5 non-aqueous solvent reference electrode) was used as a reference electrode.

酸化反応特性については、まず基準電極に対する作用電極の電位を0.10Vから1.00Vまで走査した後、続いて1.00Vから0.10Vまで走査することにより測定した。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに設定した。   The oxidation reaction characteristics were measured by first scanning the potential of the working electrode with respect to the reference electrode from 0.10 V to 1.00 V, and then scanning from 1.00 V to 0.10 V. The scan speed for CV measurement was set to 0.1 V / s.

また、還元反応特性については、まず基準電極に対する作用電極の電位を−0.84から−2.70Vまで走査した後、続いて−2.70Vから−0.84Vまで走査することにより測定した。なお、CV測定のスキャン速度は0.1V/sに設定した。   The reduction reaction characteristics were measured by first scanning the potential of the working electrode with respect to the reference electrode from −0.84 to −2.70 V, and then scanning from −2.70 V to −0.84 V. The scan speed for CV measurement was set to 0.1 V / s.

BBAPPrの酸化反応特性について調べたCV曲線を図12(A)に示す。また、還元特性について調べたCV曲線を図12(B)に示す。図12において、横軸は基準電極に対する作用電極の電位を表し、縦軸は作用電極と補助電極との間に流れた電流値を表す。図12に示した通り、BBAPPrは酸化を示すピークおよび還元を示すピークの両方が明確に観測された。すなわち、BBAPPrは正孔も電子も入りやすい物質であることがわかった。このことから、BBAPPrはバイポーラな物質であることがわかった。   FIG. 12A shows a CV curve obtained by examining the oxidation reaction characteristics of BBAPPr. Further, FIG. 12B shows a CV curve examined for reduction characteristics. In FIG. 12, the horizontal axis represents the potential of the working electrode with respect to the reference electrode, and the vertical axis represents the value of current flowing between the working electrode and the auxiliary electrode. As shown in FIG. 12, BBAPPr clearly observed both a peak indicating oxidation and a peak indicating reduction. That is, it was found that BBAPPr is a substance that easily contains holes and electrons. From this, it was found that BBAPPr is a bipolar substance.

(合成例2)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−16)で表される化合物、2,3−ビス{4−[N−(ビフェニル−4−イル)−N−フェニルアミノ]フェニル}ピラジン(以下、BPhAPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 2)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-16), 2,3-bis {4- [N- (biphenyl-4-yl) -N-phenylamino] phenyl} pyrazine ( Hereinafter, a synthesis method of BPhAPPr) will be described.

[ステップ1:4−フェニルジフェニルアミン(以下、BPhAと記す)の合成方法]
4−ブロモビフェニル40g(172mmol)、アニリン19g(206mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.99g(1.7mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド41g(429mmol)を500mL三口フラスコへ入れ、当該フラスコ内を窒素置換をした後、トルエン300mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液5.9g(2.9mmol)を加えて、この混合物を80℃で2時間撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物を水で洗浄した後、トルエンで水層を抽出して分離させた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をシリカカラムクロマトグラフィーにより精製したところ目的物であるBPhAの白色固体を33g、収率80%で得た(合成スキーム(f−1))。カラム精製は、トルエンを展開溶媒として用いて行った。
[Step 1: Synthesis method of 4-phenyldiphenylamine (hereinafter referred to as BPhA)]
4-Bromobiphenyl 40 g (172 mmol), aniline 19 g (206 mmol), bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) 0.99 g (1.7 mmol), sodium-tert-butoxide 41 g (429 mmol) were placed in a 500 mL three-necked flask, After the inside of the flask was purged with nitrogen, 300 mL of toluene and 5.9 g (2.9 mmol) of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine were added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 2 hours to be reacted. . After the reaction, the reaction mixture was washed with water, the aqueous layer was extracted with toluene, and the separated organic layer was dried over magnesium sulfate and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was purified by silica column chromatography to obtain 33 g of a target white solid of BPhA in a yield of 80% (synthesis scheme (f-1)). Column purification was performed using toluene as a developing solvent.

[ステップ2:BPhAPPrの合成方法]
PPr0.74g(1.9mmol)、BPhA0.93g(3.9mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド0.8gを200mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン70mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液1.5mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.2g(0.4mmol)を加え、この混合物を80℃で3時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をジクロロメタンとヘキサンにより再結晶したところ、黄色固体を1.0g、収率70%で得た。
[Step 2: Method for synthesizing BPhAPPr]
PPr 0.74 g (1.9 mmol), BPhA 0.93 g (3.9 mmol), and sodium-tert-butoxide 0.8 g were placed in a 200 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen, followed by toluene 70 mL, tri-tert-butyl. 1.5 mL of a 10 wt% hexane solution of phosphine and 0.2 g (0.4 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) were added, and this mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 3 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was recrystallized from dichloromethane and hexane to obtain 1.0 g of yellow solid with a yield of 70%.

得られた黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして、300℃で12時間行った。先に得られた黄色固体の仕込量を1.0gとしたところ、目的物であるBPhAPPrの黄色固体を0.90g、収率90%で得た(合成スキーム(f−2))。   The obtained yellow solid was purified by sublimation by a train sublimation method. The sublimation purification was carried out at 300 ° C. for 12 hours under a reduced pressure of 7 Pa with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid obtained previously was 1.0 g, 0.90 g of a target yellow solid of BPhAPPr was obtained in a yield of 90% (synthesis scheme (f-2)).

BPhAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl);δ=7.06−7.44(m、28H)、δ=7.49(d、J=9.0、4H)、δ=7.56(d、J=7.2、4H)、δ=8.52(s、2H)
The analysis results of BPhAPPr by proton nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR) are shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ); δ = 7.06-7.44 (m, 28H), δ = 7.49 (d, J = 9.0, 4H), δ = 7.56 (d , J = 7.2, 4H), δ = 8.52 (s, 2H)

また、BPhAPPrのH−NMRチャートを図13(A)、(B)に示す。なお、図13(B)は、図13(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR charts of BPhAPPr are shown in FIGS. Note that FIG. 13B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、BPhAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図14に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図14において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図14(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図14(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長352nm)である。   Further, FIG. 14 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where BPhAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 14, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 14A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 14B is an emission spectrum (excitation wavelength 352 nm).

また、BPhAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図15に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図15において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図15(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図15(b)に示すスペクトルは、発光スペクトル(励起波長336nm)である。   Further, FIG. 15 shows an absorption spectrum and an emission spectrum of BPhAPPr in a single film state. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 15, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 15A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 15B is an emission spectrum (excitation wavelength 336 nm).

(合成例3)
本発明のピラジン誘導体の一例として構造式(s−13)で表される化合物、2,3−ビス[4−(N、N−ジフェニルアミノ)フェニル]ピラジン(以下、DPhAPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 3)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a method for synthesizing a compound represented by the structural formula (s-13), 2,3-bis [4- (N, N-diphenylamino) phenyl] pyrazine (hereinafter referred to as DPhAPPr) Will be described.

[ステップ1:DPhAPPrの合成方法]
PPr3.0g(7.7mmol)、ジフェニルアミン((株)東京化成工業製)(以下、DPhAと記す)2.6g(15.4mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド3.0g(30.8mmol)を200mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン40mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.3mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.3g(0.6mmol)を加え、この混合物を80℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製は、まずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルムとヘキサンで再結晶をしたところ、黄色固体を3.5g、収率80%で得た。
[Step 1: Synthesis method of DPhAPPr]
200 mL of PPr 3.0 g (7.7 mmol), diphenylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) (hereinafter referred to as DPhA) 2.6 g (15.4 mmol), sodium-tert-butoxide 3.0 g (30.8 mmol) After putting into a three-necked flask and replacing the inside of the flask with nitrogen, 40 mL of toluene, 0.3 mL of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine, 0.3 g (0.6 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) The mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 5 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. The column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 9: 1 as a developing solvent. After column purification, the resulting solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 3.5 g of yellow solid with a yield of 80%.

得られた黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして、240℃で12時間行った。黄色固体の仕込量を3.5gとしたところ、目的物であるDPhAPPrの黄色固体を3.0g、収率86%で得た(合成スキーム(h−1))。   The obtained yellow solid was purified by sublimation by a train sublimation method. The sublimation purification was performed at 240 ° C. for 12 hours under a reduced pressure of 7 Pa with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid charged was 3.5 g, 3.0 g of the target DPhAPPr yellow solid was obtained in a yield of 86% (synthesis scheme (h-1)).

DPhAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl);δ=6.98−7.14(m、16H)、δ=7.23−7.30(m、8H)、δ=7.37(d、J=9.0、4H)、δ=8.50(s、2H)
Analysis results of DPhAPPr by proton nuclear magnetic resonance ( 1 H-NMR) are shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ); δ = 6.98-7.14 (m, 16H), δ = 7.23-7.30 (m, 8H), δ = 7.37 (d, J = 9.0, 4H), δ = 8.50 (s, 2H)

また、DPhAPPrのH−NMRを図16(A)、(B)に示す。なお、図16(B)は、図16(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR of DPhAPPr is shown in FIGS. Note that FIG. 16B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、DPhAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図17に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図17において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図17(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図17(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長364nm)である。   Further, FIG. 17 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where DPhAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 17, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 17A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 17B is an emission spectrum (excitation wavelength 364 nm).

また、DPhAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図18に示す。図18において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図18(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図18(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長368nm)である。   Further, FIG. 18 shows an absorption spectrum and an emission spectrum of DPhAPPr in a single film state. In FIG. 18, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 18A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 18B is an emission spectrum (excitation wavelength: 368 nm).

(合成例4)
本発明のピラジン誘導体の一例として構造式(s−53)で表される化合物、2,3−ビス{4−[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]フェニル}ピラジン(以下、DPAPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 4)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-53), 2,3-bis {4- [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] phenyl} pyrazine , DPAPPr) will be described.

[ステップ1:N,N,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(以下、DPAと記す)の合成方法]
(1)4−ブロモトリフェニルアミンの合成。
1000mLエーレンマイヤーフラスコに、トリフェニルアミン25g(100mmol)、N−ブロモスクシンイミド18g(100mmol)、酢酸エチル400mLを入れ、空気中室温でおよそ12時間程度撹拌し、反応させた。反応終了後、反応溶液を飽和炭酸ナトリウム水溶液で2回洗浄後、有機層と水層を分離した。水層を酢酸エチルで2回抽出した後、抽出液及び有機層をあわせて飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体を酢酸エチルとヘキサンにより再結晶したところ、4−ブロモトリフェニルアミンの白色粉末状固体を22g、収率66%で得た(合成スキーム(i−1))。
[Step 1: Method for synthesizing N, N, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (hereinafter referred to as DPA)]
(1) Synthesis of 4-bromotriphenylamine.
A 1000 mL Erlenmeyer flask was charged with 25 g (100 mmol) of triphenylamine, 18 g (100 mmol) of N-bromosuccinimide, and 400 mL of ethyl acetate, and stirred for about 12 hours at room temperature in air for reaction. After completion of the reaction, the reaction solution was washed twice with a saturated aqueous sodium carbonate solution, and then the organic layer and the aqueous layer were separated. The aqueous layer was extracted twice with ethyl acetate, and then the extract and the organic layer were combined, washed with saturated brine, dried over magnesium sulfate, and filtered. The filtrate was concentrated, and the obtained solid was recrystallized with ethyl acetate and hexane to obtain 22 g of 4-bromotriphenylamine as a white powdery solid in a yield of 66% (Synthesis scheme (i-1)). ).

(2)DPAの合成。
4−ブロモトリフェニルアミン0.56g(6mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.35g(0.6mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド0.58g(6mmol)を100mL三口フラスコへ入れ、トルエン5mLを加え、フラスコ内を窒素置換した後、アニリン0.56g(6mmol)、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.37mL(1.8mmol)を加え、この混合物を80℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物に飽和食塩水を加えて反応を終了させ、酢酸エチル約100mLで水層を抽出して有機層を分離させた。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をシリカカラムクロマトグラフィーにて精製を行ったところ目的物であるDPAの淡黄色粉末状固体を0.24g、収率42%で得た(合成スキーム(i−2))。カラム精製は、酢酸エチル:ヘキサン=1:20の混合溶媒を展開溶媒として用いた。
(2) Synthesis of DPA.
4-bromotriphenylamine 0.56 g (6 mmol), bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) 0.35 g (0.6 mmol), sodium-tert-butoxide 0.58 g (6 mmol) was placed in a 100 mL three-necked flask, After adding 5 mL of toluene and purging the inside of the flask with nitrogen, 0.56 g (6 mmol) of aniline and 0.37 mL (1.8 mmol) of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine were added. The mixture was heated and stirred for a time to react. After the reaction, saturated brine was added to the reaction mixture to terminate the reaction, and the aqueous layer was extracted with about 100 mL of ethyl acetate to separate the organic layer. The organic layer was dried over magnesium sulfate and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was purified by silica column chromatography to obtain 0.24 g of a light yellow powdery solid of DPA, which was the target product, in a yield of 42% (synthesis scheme (i -2)). For column purification, a mixed solvent of ethyl acetate: hexane = 1: 20 was used as a developing solvent.

[ステップ2:DPAPPrの合成方法]
PPr0.52g(1.3mmol)、DPA0.90g(2.7mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド0.8g(8.3mmol)を100mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン15mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.1mLを加え、再びフラスコ内を窒素置換した。さらに、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)を加え、この混合物を120℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をセライトを通してろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製はまずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルムとヘキサンで再結晶を行ったところ、目的物であるDPAPPrの黄色固体を0.27g、収率80%で得た(合成スキーム(i−3))。
[Step 2: Synthesis method of DPAPPr]
PPr 0.52 g (1.3 mmol), DPA 0.90 g (2.7 mmol), sodium tert-butoxide 0.8 g (8.3 mmol) were placed in a 100 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen, and then 15 mL of toluene, 0.1 mL of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine was added, and the inside of the flask was again purged with nitrogen. Further, 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added, and this mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 5 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was filtered through celite. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. Column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 9: 1 as a developing solvent. After column purification, the obtained solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 0.27 g of a target yellow solid of DPAPPr in a yield of 80% (Synthesis scheme (i-3)).

DPAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl);δ=6.99−7.26(m、42H)、δ=7.37(d、J=8.4、4H)、δ=8.49(s、2H)
The analysis results of DPAPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) are shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ); δ = 6.9-9.26 (m, 42H), δ = 7.37 (d, J = 8.4, 4H), δ = 8.49 (s 2H)

また、DPAPPrのH−NMRチャートを図19(A)、(B)に示す。なお、図19(B)は、図19(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR charts of DPAPPr are shown in FIGS. Note that FIG. 19B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、DPAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図20に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図20において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図20(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図20(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長358nm)である。   Further, FIG. 20 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where DPAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 20, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum illustrated in FIG. 20A is an absorption spectrum, and the spectrum illustrated in FIG. 20B is an emission spectrum (excitation wavelength: 358 nm).

(合成例5)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−77)で表される化合物、2,3−ビス{4−[N−フェニル−N−(9−フェニルカルバゾ−ル−3−イル)アミノ]フェニル}ピラジン(以下、PCAPPrとする)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 5)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-77), 2,3-bis {4- [N-phenyl-N- (9-phenylcarbazol-3-yl)] A synthesis method of amino] phenyl} pyrazine (hereinafter referred to as PCAPPr) will be described.

[ステップ1:N−フェニル−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミン(以下、PCAと記す)の合成方法]
(1)3−ブロモ−9−フェニルカルバゾールの合成。
N−フェニルカルバゾール24.3g(100mmol)を氷酢酸600mLに溶かし、N−ブロモコハク酸イミド17.8g(100mmol)をゆっくり加え、室温でおよそ12時間程度撹拌した。この氷酢酸溶液を氷水1000mLに撹拌しながら滴下した。滴下後、析出した白色固体を水で3回洗浄した。この固体をジエチルエーテル150mLに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗浄した後、水層と有機層を分離した。この有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、ろ液を濃縮して得られた固体にメタノール約50mLを加え、超音波を照射して均一に溶解させた。この溶液を静置することで白色固体を析出させた。これをろ過し、ろ物を乾燥させることで、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾールの白色固体を28.4g、収率88%で得た(合成スキーム(j−1))。
[Step 1: Method for synthesizing N-phenyl- (9-phenylcarbazol-3-yl) amine (hereinafter referred to as PCA)]
(1) Synthesis of 3-bromo-9-phenylcarbazole.
N-phenylcarbazole (24.3 g, 100 mmol) was dissolved in glacial acetic acid (600 mL), N-bromosuccinimide (17.8 g, 100 mmol) was slowly added, and the mixture was stirred at room temperature for about 12 hours. This glacial acetic acid solution was added dropwise to 1000 mL of ice water with stirring. After the dropwise addition, the precipitated white solid was washed with water three times. This solid was dissolved in 150 mL of diethyl ether and washed with a saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and water, and then the aqueous layer and the organic layer were separated. This organic layer was dried over magnesium sulfate, filtered, and about 50 mL of methanol was added to the solid obtained by concentrating the filtrate, and the mixture was uniformly dissolved by irradiation with ultrasonic waves. This solution was allowed to stand to precipitate a white solid. This was filtered and the residue was dried to obtain 28.4 g of white solid of 3-bromo-9-phenylcarbazole in a yield of 88% (Synthesis scheme (j-1)).

(2)PCAの合成。
窒素下で、3−ブロモ−9−フェニルカルバゾール19g(60mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)(略称:Pd(dba))340mg(0.6mmol)、1,1−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(略称:DPPF)1.6g(3.0mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド(略称:t−BuONa)13g(180mmol)の混合物に、脱水キシレン110mL、アニリン7.0g(75mmol)を加えた。これを窒素雰囲気下にて90℃、7.5時間加熱撹拌した。反応終了後、この懸濁液に50℃に温めたトルエンを約500mL加え、これをフロリジール、アルミナ、セライトを通してろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をヘキサン及び酢酸エチルを加えて超音波を照射した。得られた懸濁液をろ過し、このろ物を乾燥し、PCAの淡黄色固体15g、収率75%で得た(合成スキーム(j−2))。
(2) Synthesis of PCA.
Under nitrogen, 19 g (60 mmol) of 3-bromo-9-phenylcarbazole, 340 mg (0.6 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) (abbreviation: Pd (dba) 2 ), 1,1-bis (diphenyl) Phosphino) ferrocene (abbreviation: DPPF) 1.6 g (3.0 mmol) and sodium-tert-butoxide (abbreviation: t-BuONa) 13 g (180 mmol) were mixed with dehydrated xylene 110 mL and aniline 7.0 g (75 mmol). added. This was heated and stirred at 90 ° C. for 7.5 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, about 500 mL of toluene warmed to 50 ° C. was added to this suspension, and this was filtered through Florisil, alumina, and celite. The solid obtained by concentrating the filtrate was added with hexane and ethyl acetate and irradiated with ultrasonic waves. The obtained suspension was filtered, and the residue was dried to obtain 15 g of a light yellow solid of PCA in a yield of 75% (Synthesis scheme (j-2)).

[ステップ2:PCAPPrの合成方法]
PPr1.0g(2.6mmol)、PCA1.9g(10.4mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド1.0g(10.3mmol)を100mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン15mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.3mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)を加え、この混合物を80℃で4時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をフロリジール、セライト、アルミナを通してろ過し、ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製はまずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルムとヘキサンで再結晶を行ったところ、黄色固体を1.3g、収率57%で得た。
[Step 2: Method of synthesizing PCAPPr]
PPr 1.0 g (2.6 mmol), PCA 1.9 g (10.4 mmol) and sodium-tert-butoxide 1.0 g (10.3 mmol) were placed in a 100 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen, then 15 mL of toluene, 0.3 mL of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine and 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) were added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 4 hours to be reacted. It was. After the reaction, the reaction mixture was filtered through Florisil, Celite, and alumina, and the filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and then filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. Column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 9: 1 as a developing solvent. After column purification, the resulting solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 1.3 g of yellow solid with a yield of 57%.

得られた黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして330℃で12時間行った。先に得られた黄色固体の仕込量を1.2gとしたところ、目的物であるPCAPPrの黄色固体を0.32g、収率26%で得た(合成スキーム(j−3))。   The obtained yellow solid was purified by sublimation by a train sublimation method. The sublimation purification was performed at 330 ° C. for 12 hours under a reduced pressure of 7 Pa with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid obtained previously was 1.2 g, 0.32 g of a target yellow solid of PCAPPr was obtained in a yield of 26% (Synthesis scheme (j-3)).

PCAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(CDCl、300MHz):δ=6.97−7.67(m、40H)、δ=7.93−7.97(m、2H)、δ=8.48(s、2H)
The analysis results of PCAPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) are shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (CDCl 3 , 300 MHz): δ = 6.97-7.67 (m, 40H), δ = 7.93-7.97 (m, 2H), δ = 8.48 (s, 2H )

また、PCAPPrのH−NMRチャートを図21(A)、(B)に示す。なお、図21(B)は、図21(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 A 1 H-NMR chart of PCAPPr is shown in FIGS. Note that FIG. 21B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、PCAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図22に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図22において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図22(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図22(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長367nm)である。   Further, FIG. 22 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where PCAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 22, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 22A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 22B is an emission spectrum (excitation wavelength: 367 nm).

また、PCAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図23に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図23において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。また、図23(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図23(b)に示すスペクトルは、発光スペクトル(励起波長376nm)である。   Further, FIG. 23 shows an absorption spectrum and an emission spectrum of PCAPPr in a single film state. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 23, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). Moreover, the spectrum shown to Fig.23 (a) is an absorption spectrum, and the spectrum shown to FIG.23 (b) is an emission spectrum (excitation wavelength 376nm).

(合成例6)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−103)で表される化合物、2,3−ビス(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)ピラジン(以下、YGAPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 6)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-103), 2,3-bis (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino, } A method for synthesizing phenyl) pyrazine (hereinafter referred to as YGAPPr) will be described.

[ステップ1:4−(カルバゾール−9−イル)ジフェニルアミン(以下、YGAと記す)の合成方法]
(1)9−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの合成。
p−ジブロモベンゼン56g(240mmol)、カルバゾール31g(180mmol)、よう化銅4.6g(24mmol)、炭酸カリウム66g(480mmol)、18−クラウン−6−エーテル2.1g(8mmol)を300mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、N,N’−ジメチルプロピレンウレア8mLを加え、この混合物を180℃で6時間撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物を室温まで冷ましてから、吸引ろ過により沈殿物を除去した。ろ液を希塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた油状物質をシリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製は、ヘキサン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いた。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルム、ヘキサンにより再結晶したところ、9−(4−ブロモフェニル)カルバゾールの淡褐色固体を21g、収率35%で得た(合成スキーム(k−1))。
[Step 1: Method for synthesizing 4- (carbazol-9-yl) diphenylamine (hereinafter referred to as YGA)]
(1) Synthesis of 9- (4-bromophenyl) carbazole.
p-Dibromobenzene 56 g (240 mmol), carbazole 31 g (180 mmol), copper iodide 4.6 g (24 mmol), potassium carbonate 66 g (480 mmol), 18-crown-6-ether 2.1 g (8 mmol) in a 300 mL three-necked flask. The flask was purged with nitrogen, 8 mL of N, N′-dimethylpropyleneurea was added, and the mixture was stirred at 180 ° C. for 6 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was cooled to room temperature, and then the precipitate was removed by suction filtration. The filtrate was washed with diluted hydrochloric acid, saturated aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine in that order, dried over magnesium sulfate, and filtered. The oily substance obtained by concentrating the filtrate was purified by silica column chromatography. For column purification, a mixed solvent of hexane: ethyl acetate = 9: 1 was used as a developing solvent. After column purification, the obtained solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 21 g of a light brown solid of 9- (4-bromophenyl) carbazole in a yield of 35% (Synthesis scheme (k-1)). .

(2)YGAの合成。
9−(4−ブロモフェニル)カルバゾール5.4g(17mmol)、アニリン1.8mL(20mmol)、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド3.9g(40mmol)を200mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.1mL、トルエン50mLを加えて、この混合物を80℃で6時間撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物を、フロリジール、セライト、アルミナを通してろ過した。ろ液を水、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した後、自然ろ過した。ろ液を濃縮し得られた油状物質をシリカカラムクロマトグラフィーにより精製したところ、YGAの白色固体を4.1g、収率73%で得た(合成スキーム(k−2))。カラム精製は、ヘキサン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いた。
(2) Synthesis of YGA.
5.4 g (17 mmol) of 9- (4-bromophenyl) carbazole, 1.8 mL (20 mmol) of aniline, 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0), sodium-tert-butoxide 9 g (40 mmol) was placed in a 200 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen. Then, 0.1 mL of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine and 50 mL of toluene were added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 6 hours. And reacted. After the reaction, the reaction mixture was filtered through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water and saturated brine, dried over magnesium sulfate, and then naturally filtered. The oily substance obtained by concentrating the filtrate was purified by silica column chromatography to obtain 4.1 g of YGA white solid in a yield of 73% (synthesis scheme (k-2)). For column purification, a mixed solvent of hexane: ethyl acetate = 9: 1 was used as a developing solvent.

[ステップ2:YGAPPrの合成方法]
PPr2.0g(5.1mmol)、YGA3.5g(10.5mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド1.9g(20.1mmol)を100mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン30mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.2mLを加え、再びフラスコ内を窒素置換した。さらにビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.2g(0.4mmol)を加え、この混合物を120℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物をセライトを通してろ過し、ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥後、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーにより精製した。カラム精製はまずトルエンを展開溶媒として用い、次いでトルエン:酢酸エチル=9:1の混合溶媒を展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液をクロロホルムとヘキサンで再結晶をしたところ、黄色固体を4.1g、収率89%で得た。
[Step 2: YGAPPr synthesis method]
PPr 2.0 g (5.1 mmol), YGA 3.5 g (10.5 mmol), sodium-tert-butoxide 1.9 g (20.1 mmol) were placed in a 100 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen, and then toluene 30 mL, 0.2 mL of a 10 wt% hexane solution of tri-tert-butylphosphine was added, and the inside of the flask was again purged with nitrogen. Further, 0.2 g (0.4 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added, and this mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 5 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was filtered through celite, the filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and then filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. Column purification was performed by first using toluene as a developing solvent and then using a mixed solvent of toluene: ethyl acetate = 9: 1 as a developing solvent. After column purification, the obtained solution was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 4.1 g of yellow solid with a yield of 89%.

得られた黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして320℃で12時間行った。先に得られた黄色固体の仕込量を3.4gとしたところ、目的物であるYGAPPrの黄色固体を0.65g、収率19%で得た(合成スキーム(k−3))。   The obtained yellow solid was purified by sublimation by a train sublimation method. The sublimation purification was performed at 320 ° C. for 12 hours under a reduced pressure of 7 Pa with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid obtained previously was 3.4 g, 0.65 g of the target YGAPPr yellow solid was obtained in a yield of 19% (synthesis scheme (k-3)).

YGAPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてテトラメチルシラン(略称:TMS)を用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl):δ=7.11(d、J=12.0、4H)、δ=7.16−7.44(m、26H)、δ=7.48(d、J=8.4、4H)、δ=8.13(d、J=7.8、4H)、δ=8.55(s、2H)
The analysis result of YGAPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) is shown below. Note that tetramethylsilane (abbreviation: TMS) was used as a reference substance.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 7.11 (d, J = 12.0, 4H), δ = 7.16-7.44 (m, 26H), δ = 7.48 (d , J = 8.4, 4H), δ = 8.13 (d, J = 7.8, 4H), δ = 8.55 (s, 2H)

また、YGAPPrのH−NMRチャートを図24(A)、(B)に示す。なお、図24(B)は、図24(A)のチャートの6.5ppm乃至9.0ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR charts of YGAPPr are shown in FIGS. Note that FIG. 24B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 9.0 ppm in the chart of FIG.

また、YGAPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図25に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図25において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図25(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図25(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長355nm)である。   Further, FIG. 25 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where YGAPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 25, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 25A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 25B is an emission spectrum (excitation wavelength 355 nm).

また、YGAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図26に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図26において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図26(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図26(b)に示すスペクトルは、単膜状態における発光スペクトル(励起波長375nm)である。   In addition, FIG. 26 shows an absorption spectrum and an emission spectrum of YGAPPr in a single film state. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 26, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 26A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 26B is an emission spectrum (excitation wavelength 375 nm) in a single film state.

本実施例7では、実施例3の合成例3にて合成した本発明のピラジン誘導体の一例であるDPhAPPr(構造式(s−13))を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いた発光素子の例を、具体的に例示する。素子構造を図27に示す。   In Example 7, DPhAPPr (structural formula (s-13)), which is an example of the pyrazine derivative of the present invention synthesized in Synthesis Example 3 of Example 3, was used as a host material for the light-emitting layer, and a phosphorescent compound was used as a guest. An example of a light emitting element used as a material will be specifically exemplified. The element structure is shown in FIG.

まず、110nmの膜厚で珪素を含有したインジウム錫酸化物(ITSO)が成膜されたガラス基板7000を用意した。ITSOの周辺は絶縁膜で覆った。このとき、2mm角の大きさでITSO表面が露出するように絶縁膜を形成した。なお、ITSOは発光素子の陽極として機能する第1の電極7001である。第1の電極7001が形成された基板7000上に発光素子を形成するための前処理として、多孔質樹脂のブラシを用いて第1の電極7001が形成された基板7000表面を洗浄し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。   First, a glass substrate 7000 on which indium tin oxide containing silicon (ITSO) with a thickness of 110 nm was formed was prepared. The periphery of ITSO was covered with an insulating film. At this time, an insulating film was formed so as to expose the ITSO surface with a size of 2 mm square. Note that ITSO is a first electrode 7001 functioning as an anode of the light-emitting element. As a pretreatment for forming a light-emitting element over the substrate 7000 on which the first electrode 7001 is formed, the surface of the substrate 7000 on which the first electrode 7001 is formed is cleaned using a porous resin brush, and the temperature is 200 ° C. Then, UV ozone treatment was performed for 370 seconds.

次に、第1の電極7001が形成された面が下方となるように、基板7000を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。   Next, the substrate 7000 was fixed to a holder provided in the vacuum evaporation apparatus so that the surface on which the first electrode 7001 was formed faced down.

次に、真空蒸着装置内を10−4Paに減圧した。そして、第1の電極7001上に、下記構造式(s−116)で表されるNPBと酸化モリブデン(VI)との比率を、質量比でNPB:酸化モリブデン(VI)=4:1となるように共蒸着し、正孔注入層7002を形成した。膜厚は50nmとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。 Next, the inside of the vacuum evaporation apparatus was decompressed to 10 −4 Pa. Then, the ratio of NPB and molybdenum oxide (VI) represented by the following structural formula (s-116) on the first electrode 7001 is NPB: molybdenum oxide (VI) = 4: 1 in terms of mass ratio. Thus, a hole injection layer 7002 was formed by co-evaporation. The film thickness was 50 nm. Note that co-evaporation is an evaporation method in which a plurality of different substances are simultaneously evaporated from different evaporation sources.

次に、正孔注入層7002上にNPBを10nm蒸着し、正孔輸送層7003を形成した。さらに、正孔輸送層7003上に、本発明のピラジン誘導体であるDPhAPPr(構造式(s−13))と、下記構造式(s−117)で表される燐光性化合物(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(以下、Ir(Fdpq)(acac)と記す)との比率を、質量比でDPhAPPr:Ir(Fdpq)(acac)=1:0.05となるように共蒸着し、発光層7004を形成した。膜厚は30nmとした。これによって、Ir(Fdpq)(acac)は、本発明のピラジン誘導体であるDPhAPPr(構造式(s−13))から成る層中に分散した状態となる。 Next, NPB was deposited to a thickness of 10 nm on the hole injection layer 7002 to form a hole transport layer 7003. Further, over the hole-transport layer 7003, DPhAPPr (structural formula (s-13)) which is a pyrazine derivative of the present invention and a phosphorescent compound (acetylacetonato) bis represented by the following structural formula (s-117) The ratio of [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (hereinafter referred to as Ir (Fdpq) 2 (acac)) in terms of mass ratio is DPhAPPr: Ir (Fdpq) 2 (acac) = 1: 0.05 was co-evaporated to form a light emitting layer 7004. The film thickness was 30 nm. Accordingly, Ir (Fdpq) 2 (acac) is dispersed in a layer made of DPhAPPr (structural formula (s-13)) which is a pyrazine derivative of the present invention.

次に、発光層7004上に、下記構造式(s−118)で表されるBAlqを10nm蒸着し、電子輸送層7005を形成した。さらに、電子輸送層7005上に、下記構造式(s−119)で表されるAlqとリチウム(Li)との比率を、質量比でAlq:Li=1:0.01となるように共蒸着し、電子注入層7006を形成した。膜厚は50nmとした。 Next, 10 nm of BAlq represented by the following structural formula (s-118) was deposited on the light-emitting layer 7004 to form an electron-transport layer 7005. Further, the ratio of Alq 3 and lithium (Li) represented by the following structural formula (s-119) is set to Alq 3 : Li = 1: 0.01 by mass ratio on the electron transport layer 7005. Co-evaporation was performed to form an electron injection layer 7006. The film thickness was 50 nm.

最後に、電子注入層7006上に、第2の電極7007としてアルミニウムを200nm成膜し、本実施例7の発光素子7010を得た。なお、第2の電極7007は陰極として機能した。また、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。   Finally, 200 nm of aluminum was deposited as the second electrode 7007 over the electron injection layer 7006, whereby the light-emitting element 7010 of Example 7 was obtained. Note that the second electrode 7007 functioned as a cathode. Further, in the above-described vapor deposition process, the vapor deposition was all performed by a resistance heating method.

本実施例7の発光素子7010を、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子7010が大気に曝されないように封止する作業を行った。そして、本実施例7の発光素子7010の動作特性について測定した。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。   The light emitting element 7010 of Example 7 was sealed in a nitrogen atmosphere glove box so that the light emitting element 7010 was not exposed to the atmosphere. Then, the operating characteristics of the light-emitting element 7010 of Example 7 were measured. The measurement was performed at room temperature (atmosphere kept at 25 ° C.).

本実施例7の発光素子7010の電流密度−輝度特性を図28に、電圧−輝度特性を図29に示す。本実施例7の発光素子7010は、7.2Vの電圧を印加することにより、23.4mA/cmの電流密度で電流が流れ、843cd/mの輝度で発光した。また、この時のCIE色度座標は(x=0.70、y=0.29)であり、深赤色発光を示した。なお、発光スペクトルのピーク波長は640nmであり、ゲスト材料であるIr(Fdpq)(acac)からの発光が得られていた。 28 shows current density-luminance characteristics and FIG. 29 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element 7010 of Example 7. In FIG. In the light-emitting element 7010 of Example 7, when a voltage of 7.2 V was applied, a current flowed at a current density of 23.4 mA / cm 2 , and light was emitted with a luminance of 843 cd / m 2 . Further, the CIE chromaticity coordinates at this time were (x = 0.70, y = 0.29), and showed deep red light emission. Note that the peak wavelength of the emission spectrum was 640 nm, and light emission from Ir (Fdpq) 2 (acac), which is a guest material, was obtained.

また、この発光素子7010の輝度−電流効率特性を図30に示す。図31は、図30の縦軸を外部量子効率に換算したものである。図30、図31からわかる通り、電流効率は最大で8.63cd/A、この時の外部量子効率は17.0%であり、非常に高い発光効率を示した。   In addition, FIG. 30 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element 7010. FIG. 31 is obtained by converting the vertical axis of FIG. 30 into external quantum efficiency. As can be seen from FIGS. 30 and 31, the current efficiency was 8.63 cd / A at the maximum, and the external quantum efficiency at this time was 17.0%, indicating a very high luminous efficiency.

以上のことから、本発明のピラジン誘導体を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いて発光素子を作製することにより、非常に発光効率の高い発光素子が得られることがわかった。   From the above, it can be seen that a light-emitting element with extremely high light emission efficiency can be obtained by using the pyrazine derivative of the present invention as a host material of a light-emitting layer and using a phosphorescent compound as a guest material. It was.

本実施例8では、実施例7で示した構成と異なる構成の発光素子について説明する。なお、電子輸送層8005以外は実施例7と同じ構成であるので、説明は省略する。素子構造は図32に示す。   In Example 8, a light-emitting element having a different structure from that shown in Example 7 will be described. In addition, since it is the same structure as Example 7 except the electron carrying layer 8005, description is abbreviate | omitted. The element structure is shown in FIG.

本実施例では電子輸送層8005について、実施例7で用いたBAlqに換えてAlqを用いた。その他の構成は、実施例7と同様とする。 In this example, Alq 3 was used for the electron transport layer 8005 in place of BAlq used in Example 7. Other configurations are the same as those in the seventh embodiment.

本実施例8の発光素子8010の電流密度−輝度特性を図33に、電圧−輝度特性を図34に示す。本実施例8の発光素子8010は、6.4Vの電圧を印加することにより、25.5mA/cmの電流密度で電流が流れ、927cd/mの輝度で発光した。また、この時のCIE色度座標は(x=0.68、y=0.31)であり、深赤色発光を示した。なお、発光スペクトルのピーク波長は640nmであり、ゲスト材料であるIr(Fdpq)(acac)からの発光が得られていた。 FIG. 33 shows the current density-luminance characteristics and FIG. 34 shows the voltage-luminance characteristics of the light-emitting element 8010 of Example 8. In the light-emitting element 8010 of Example 8, when a voltage of 6.4 V was applied, a current flowed at a current density of 25.5 mA / cm 2 , and light was emitted with a luminance of 927 cd / m 2 . In addition, the CIE chromaticity coordinates at this time are (x = 0.68, y = 0.31), indicating deep red light emission. Note that the peak wavelength of the emission spectrum was 640 nm, and light emission from Ir (Fdpq) 2 (acac), which is a guest material, was obtained.

また、本実施例8の発光素子8010の輝度−電流効率特性を図35に示す。図36は、図35の縦軸を外部量子効率に換算したものである。図35、図36からわかる通り、電流効率は最大で6.16cd/A、この時の外部量子効率は11.7%であり、高い発光効率を示した。   In addition, FIG. 35 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element 8010 of the eighth embodiment. FIG. 36 is obtained by converting the vertical axis of FIG. 35 into external quantum efficiency. As can be seen from FIGS. 35 and 36, the maximum current efficiency was 6.16 cd / A, and the external quantum efficiency at this time was 11.7%, indicating a high luminous efficiency.

以上のことから、本発明のピラジン誘導体を発光層7004のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いて発光素子を作製することにより、非常に発光効率の高い発光素子が得られることがわかった。また本実施例では、発光層7004に接して設けられている電子輸送層8005としてAlqを用いているが、Alqは通常、燐光性化合物の発光を消光するクエンチャとして知られている。しかしながら本実施例では、Alqからなる電子輸送層8005が発光層7004に接しているにもかかわらず発光効率の高い発光素子が達成できている。これは、本発明のピラジン誘導体が正孔(ホール)だけでなく電子も運ぶバイポーラ性の性質を有しているためと考えられる。 From the above, a light-emitting element with extremely high emission efficiency can be obtained by using the pyrazine derivative of the present invention as a host material for the light-emitting layer 7004 and using a phosphorescent compound as a guest material to produce a light-emitting element. all right. In this embodiment, Alq 3 is used as the electron transport layer 8005 provided in contact with the light emitting layer 7004. Alq 3 is generally known as a quencher that quenches the light emission of the phosphorescent compound. However, in this example, a light emitting element with high light emission efficiency can be achieved even though the electron transport layer 8005 made of Alq 3 is in contact with the light emitting layer 7004. This is considered because the pyrazine derivative of the present invention has a bipolar property of carrying not only holes but also electrons.

(合成例7)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−14)で表される化合物、2,3−ビス[4−(N、N−ジフェニルアミノ)フェニル]5,6−ジフェニルピラジン(以下、DPhAPPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 7)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-14), 2,3-bis [4- (N, N-diphenylamino) phenyl] 5,6-diphenylpyrazine (hereinafter referred to as DPhAPPPr) Will be described.

[ステップ1:2,3−ビス(4−ブロモフェニル)−5,6−ジフェニルピラジン(以下、PPPrと記す)の合成方法]
4,4’−ジブロモベンジル3.0g(8.1mmol)、meso−ジフェニルエチレンジアミン1.8g(8.1mmol)を300mL三口フラスコに入れ、エタノール100mLを加え、この混合物を80℃で5時間加熱撹拌して反応させた。反応後、反応溶液を濃縮し、二酸化マンガン2.3gとクロロホルム100mLを加えてさらに80℃1時間加熱撹拌して反応させた。反応後、反応溶液を水で洗浄した後、水層と有機層を分離し、有機層をセライトを通して、吸引ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で洗浄し、PPPrの粉末状白色固体を1.6g、収率37%で得た(合成スキーム(l−1))。
[Step 1: Method for synthesizing 2,3-bis (4-bromophenyl) -5,6-diphenylpyrazine (hereinafter referred to as PPPr)]
4,4′-Dibromobenzyl (3.0 g, 8.1 mmol) and meso-diphenylethylenediamine (1.8 g, 8.1 mmol) were placed in a 300 mL three-necked flask, ethanol (100 mL) was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 5 hours. And reacted. After the reaction, the reaction solution was concentrated, 2.3 g of manganese dioxide and 100 mL of chloroform were added, and the mixture was further reacted by heating and stirring at 80 ° C. for 1 hour. After the reaction, the reaction solution was washed with water, the aqueous layer and the organic layer were separated, and the organic layer was suction filtered through celite. The filtrate was concentrated, and the resulting solid was washed with a mixed solvent of chloroform and hexane to obtain 1.6 g of a powdery white solid of PPPr in a yield of 37% (Synthesis scheme (l-1)).

[ステップ2:DPhAPPPrの合成方法]
PPPr3.2g(5.9mmol)、DPhA2.0g(12mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド1.5g(16mmol)を200mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン30mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.1mL、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)を加え、この混合物を120℃で8時間加熱攪拌し、反応させた。反応後、反応混合物にクロロホルムを加えて析出物を溶解し、フロリジール、セライト、アルミナを通して吸引ろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥し、吸引ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体をトルエンとメタノールの混合溶媒で洗浄した後、クロロホルムとメタノールで再結晶をしたところ、黄色の粉末状固体を1.8g、収率42%で得た。
[Step 2: Method for synthesizing DPhAPPPr]
PPPr 3.2 g (5.9 mmol), DPhA 2.0 g (12 mmol), sodium-tert-butoxide 1.5 g (16 mmol) were placed in a 200 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen, followed by toluene 30 mL, tri-tert- 0.1 mL of a 10 wt% hexane solution of butylphosphine and 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) were added, and this mixture was heated and stirred at 120 ° C. for 8 hours to be reacted. After the reaction, chloroform was added to the reaction mixture to dissolve the precipitate, and suction filtration was performed through Florisil, Celite, and alumina. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and suction filtered. The filtrate was concentrated, and the obtained solid was washed with a mixed solvent of toluene and methanol and then recrystallized with chloroform and methanol to obtain 1.8 g of a yellow powdery solid in a yield of 42%.

得られた黄色固体をトレインサブリメーション法によりの昇華精製した。昇華精製は7Paの減圧下、アルゴンの流量を3mL/minとして294℃で15時間行った。先に得られた黄色固体の仕込量を1.8gとしたところ、目的物であるDPhAPPPrの黄色固体を1.3g、収率72%で得た(合成スキーム(l−2))。   The resulting yellow solid was purified by sublimation by the train sublimation method. The sublimation purification was performed at 294 ° C. for 15 hours under a reduced pressure of 7 Pa with an argon flow rate of 3 mL / min. When the amount of the yellow solid obtained previously was 1.8 g, 1.3 g of a target DPhAPPPr yellow solid was obtained in a yield of 72% (Synthesis scheme (1-2)).

得られたDPhAPPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてTMSを用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl);δ=6.95−7.18(m、16H)、δ=7.22−7.40(m、14H)、δ=7.57(d、J=8.3,4H)、δ=7.60−7.68(m、4H)
The analysis result of the obtained DPhAPPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) is shown below. TMS was used as a reference material.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ); δ = 6.95-7.18 (m, 16H), δ = 7.22-7.40 (m, 14H), δ = 7.57 (d, J = 8.3, 4H), δ = 7.60-7.68 (m, 4H)

また、DPhAPPPrのH−NMRチャートを図37(A)、(B)に示す。なお、図37(B)は、図37(A)のチャートの6.5ppm乃至8.0ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, FIGS. 37A and 37B show 1 H-NMR charts of DPhAPPPr. Note that FIG. 37B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 8.0 ppm in the chart of FIG.

また、DPhAPPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図38に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図38において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図38(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図38(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長371nm)である。   Further, FIG. 38 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where DPhAPPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 38, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 38A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 38B is an emission spectrum (excitation wavelength 371 nm).

(合成例8)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−52)で表される化合物、2,3−ビス(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−5,6−ジフェニルピラジン(以下、YGAPPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 8)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-52), 2,3-bis (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino, } Phenyl) -5,6-diphenylpyrazine (hereinafter referred to as YGAPPPPr) will be described.

PPPr1.6g(3.0mmol)、YGA2.0g(6.0mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド1.1g(11mmol)を100mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン30mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.1mLを加え、再びフラスコ内を窒素置換した。さらに、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.1g(0.2mmol)を加え、この混合物を80℃で5時間加熱攪拌し、反応させた。反応後、反応混合物にトルエンを加えて析出物を溶解させ、セライト、フロリジール、アルミナを通して吸引ろ過した。ろ液を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムにより乾燥し、吸引ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をトルエンに溶解させ、シリカカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。カラム精製はまずトルエン:ヘキサン=1:1の混合溶媒を展開溶媒として用い、次いでトルエンを展開溶媒として用いることにより行った。カラム精製後、得られた溶液を濃縮して析出した固体をクロロホルムとヘキサンで再結晶を行ったところ、粉末状黄色固体を1.0g、収率16%で得た(合成スキーム(m−1))。   1.6 g (3.0 mmol) of PPPr, 2.0 g (6.0 mmol) of YGA, and 1.1 g (11 mmol) of sodium-tert-butoxide were placed in a 100 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen. 0.1 mL of a 10 wt% hexane solution of tert-butylphosphine was added, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen again. Further, 0.1 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added, and this mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 5 hours to be reacted. After the reaction, toluene was added to the reaction mixture to dissolve the precipitate, and suction filtration was performed through Celite, Florisil, and alumina. The filtrate was washed with water, dried over magnesium sulfate, and suction filtered. The solid obtained by concentrating the filtrate was dissolved in toluene and purified by silica column chromatography. Column purification was performed by first using a mixed solvent of toluene: hexane = 1: 1 as a developing solvent, and then using toluene as a developing solvent. After column purification, the obtained solution was concentrated and the precipitated solid was recrystallized with chloroform and hexane to obtain 1.0 g of a powdery yellow solid in a yield of 16% (synthesis scheme (m-1 )).

得られたYGAPPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてTMSを用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl):δ=7.00−7.10(m、2H)、δ=7.16(d、J=8.8、4H)、δ=7.21−7.47(m、34H)、δ=7.62−7.77(m、8H)、δ=8.13(d、J=7.3、4H)
The analysis result of the obtained YGAPPPPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) is shown below. TMS was used as a reference material.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 7.00-7.10 (m, 2H), δ = 7.16 (d, J = 8.8, 4H), δ = 7.21-7 .47 (m, 34H), δ = 7.62-7.77 (m, 8H), δ = 8.13 (d, J = 7.3, 4H)

また、YGAPPPrのH−NMRチャートを図39(A)、(B)に示す。なお、図39(B)は、図39(A)のチャートの6.5ppm乃至8.5ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR charts of YGAPPPPr are shown in FIGS. Note that FIG. 39B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 8.5 ppm in the chart of FIG.

また、YGAPPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図40に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図40において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。図40(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルであり、図40(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長371nm)である。   In addition, FIG. 40 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where YGAPPPPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 40, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). The spectrum shown in FIG. 40A is an absorption spectrum, and the spectrum shown in FIG. 40B is an emission spectrum (excitation wavelength 371 nm).

本実施例では、実施例9の合成例7にて合成した本発明のピラジン誘導体の一例であるDPhAPPPr(構造式(s−14))を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いた発光素子の例を、具体的に例示する。素子構造を図49に示す。なお、発光層9004以外は実施例7と同じ構成であるので、説明は省略する。   In this example, DPhAPPPr (structural formula (s-14)), which is an example of the pyrazine derivative of the present invention synthesized in Synthesis Example 7 of Example 9, was used as the host material of the light-emitting layer, and a phosphorescent compound was used as the guest material. The example of the light emitting element used as is specifically illustrated. The element structure is shown in FIG. In addition, since it is the same structure as Example 7 except the light emitting layer 9004, description is abbreviate | omitted.

本実施例では、発光層9004を、ピラジン誘導体であるDPhAPPPr(構造式(s−14))と、上記構造式(s−117)で表される燐光性化合物(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(以下、Ir(Fdpq)(acac)と記す)との比率を、質量比でDPhAPPPr:Ir(Fdpq)(acac)=1:0.07となるように共蒸着して形成した。膜厚は30nmとした。これによって、Ir(Fdpq)(acac)は、本発明のピラジン誘導体であるDPhAPPPr(構造式(s−14))から成る層中に分散した状態となっている。その他の構成は、実施例7と同様とする。 In this example, the light-emitting layer 9004 is formed using DPhAPPPr (structural formula (s-14)) which is a pyrazine derivative and the phosphorescent compound (acetylacetonato) bis [2, represented by the structural formula (s-117). The ratio of 3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (hereinafter referred to as Ir (Fdpq) 2 (acac)) in terms of mass ratio is DPhAPPPr: Ir (Fdpq) 2 (acac) = 1: It was formed by co-evaporation to be 0.07. The film thickness was 30 nm. Accordingly, Ir (Fdpq) 2 (acac) is in a state of being dispersed in a layer made of DPhAPPPr (structural formula (s-14)) which is a pyrazine derivative of the present invention. Other configurations are the same as those in the seventh embodiment.

本実施例の発光素子9010の電流密度−輝度特性を図41に、電圧−輝度特性を図42に、輝度−電流効率特性を図43に、発光スペクトルを図44に示す。本実施例の発光素子9010は、8.2Vの電圧を印加することにより、34.1mA/cmの電流密度で電流が流れ、1100cd/mの輝度で発光した。このときの電流効率は3.1cd/Aであった。また、発光スペクトルは647nmにピークを有しており、ゲスト材料であるIr(Fdpq)(acac)に由来する赤色発光が得られた。なお、1100cd/m時におけるCIE色度座標は、(x,y)=(0.71,0.29)であり、非常に色純度の高い赤色発光であった。 FIG. 41 shows the current density-luminance characteristics of the light emitting element 9010 of this example, FIG. 42 shows the voltage-luminance characteristics, FIG. 43 shows the luminance-current efficiency characteristics, and FIG. 44 shows the emission spectrum. In the light-emitting element 9010 of this example, when a voltage of 8.2 V was applied, current flowed at a current density of 34.1 mA / cm 2 , and light was emitted with a luminance of 1100 cd / m 2 . The current efficiency at this time was 3.1 cd / A. Further, the emission spectrum had a peak at 647 nm, and red light emission derived from Ir (Fdpq) 2 (acac) which was a guest material was obtained. The CIE chromaticity coordinates at 1100 cd / m 2 were (x, y) = (0.71, 0.29), and red light emission with very high color purity was obtained.

以上のことから、本発明のピラジン誘導体を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いて発光素子を作製することにより、非常に発光効率の高い発光素子が得られることがわかった。   From the above, it can be seen that a light-emitting element with extremely high light emission efficiency can be obtained by using the pyrazine derivative of the present invention as a host material of a light-emitting layer and using a phosphorescent compound as a guest material. It was.

本実施例では、実施例10の合成例8にて合成した本発明のピラジン誘導体の一例であるYGAPPPr(構造式(s−52))を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いた発光素子の例を、具体的に例示する。素子構造を図50に示す。なお、発光層5004以外は実施例7と同じ構成であるので、説明は省略する。   In this example, YGAPPPPr (structural formula (s-52)) which is an example of the pyrazine derivative of the present invention synthesized in Synthesis Example 8 of Example 10 was used as the host material of the light-emitting layer, and the phosphorescent compound was used as the guest material. The example of the light emitting element used as is specifically illustrated. The element structure is shown in FIG. In addition, since it is the same structure as Example 7 except the light emitting layer 5004, description is abbreviate | omitted.

本実施例では、発光層5004を、ピラジン誘導体であるYGAPPPr(構造式(s−52))と、上記構造式(s−117)で表される燐光性化合物(アセチルアセトナト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(以下、Ir(Fdpq)(acac)と記す)との比率を、質量比でYGAPPPr:Ir(Fdpq)(acac)=1:0.07となるように共蒸着して形成した。膜厚は30nmとした。これによって、Ir(Fdpq)(acac)は、本発明のピラジン誘導体であるYGAPPPr(構造式(s−52))から成る層中に分散した状態となっている。その他の構成は、実施例7と同様とする。 In this example, the light-emitting layer 5004 includes a pyrazine derivative YGAPPPPr (structural formula (s-52)) and a phosphorescent compound (acetylacetonato) bis [2, represented by the structural formula (s-117). 3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (hereinafter referred to as Ir (Fdpq) 2 (acac)), the mass ratio of YGAPPPPr: Ir (Fdpq) 2 (acac) = 1: It was formed by co-evaporation to be 0.07. The film thickness was 30 nm. Accordingly, Ir (Fdpq) 2 (acac) is in a state of being dispersed in a layer made of YGAPPPPr (structural formula (s-52)) which is a pyrazine derivative of the present invention. Other configurations are the same as those in the seventh embodiment.

本実施例の発光素子5010の電流密度−輝度特性を図45に、電圧−輝度特性を図46に、輝度−電流効率特性を図47に、発光スペクトルを図48に示す。本実施例の発光素子5010は、8.0Vの電圧を印加することで、36.4mA/cm2の電流密度で電流が流れ、1100cd/m2の輝度で発光した。このときの電流効率は3.1cd/Aであった。また、発光スペクトルは650nmにピークを有しており、ゲスト材料であるIr(Fdpq)2(acac)に由来する赤色発光が得られた。なお、1100cd/m時におけるCIE色度座標は、(x、y)=(0.71,0.29)であり、非常に色純度の高い赤色発光であった。 FIG. 45 shows the current density-luminance characteristics of the light-emitting element 5010 of this example, FIG. 46 shows the voltage-luminance characteristics, FIG. 47 shows the luminance-current efficiency characteristics, and FIG. 48 shows the emission spectrum. In the light-emitting element 5010 of this example, when a voltage of 8.0 V was applied, a current flowed at a current density of 36.4 mA / cm2, and light was emitted with a luminance of 1100 cd / m2. The current efficiency at this time was 3.1 cd / A. Further, the emission spectrum had a peak at 650 nm, and red emission derived from Ir (Fdpq) 2 (acac) which is a guest material was obtained. The CIE chromaticity coordinates at 1100 cd / m 2 were (x, y) = (0.71, 0.29), and red light emission with very high color purity was obtained.

以上のことから、本発明のピラジン誘導体を発光層のホスト材料として用い、燐光性化合物をゲスト材料として用いて発光素子を作製することにより、非常に発光効率の高い発光素子が得られることがわかった。   From the above, it can be seen that a light-emitting element with extremely high light emission efficiency can be obtained by using the pyrazine derivative of the present invention as a host material of a light-emitting layer and using a phosphorescent compound as a guest material. It was.

(合成例10)
本発明のピラジン誘導体の一例として、構造式(s−88)で表される化合物、2−(4−{N−[4−(カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアミノ}フェニル)−3,5,6−トリフェニルピラジン(以下、YGA1PPPrと記す)の合成方法について説明する。
(Synthesis Example 10)
As an example of the pyrazine derivative of the present invention, a compound represented by the structural formula (s-88), 2- (4- {N- [4- (carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylamino} phenyl) A method for synthesizing -3,5,6-triphenylpyrazine (hereinafter referred to as YGA1PPr) will be described.

[ステップ1:2−(4−ブロモフェニル)−3,5,6−トリフェニルピラジン(以下、1PPPrと記す)の合成方法]
(1)1−(4−ブロモフェニル)−2−フェニルアセチレンの合成。
p−ブロモヨードベンゼン28.3g(0.10mol)、フェニルアセチレン10.2g (0.10mol)、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(II)ジクロリド0.70g(1.0mmol)、ヨウ化銅(I)0.19g(1.0mmol)を1000mL三口フラスコへ入れ、当該フラスコ内を窒素置換をした後、テトラヒドロフラン350mL、トリエチルアミン18mLを加えて、この混合物を室温で20時間攪拌し、反応させた。反応後、反応溶液を3wt%塩酸水溶液で洗浄した後、有機層と水層を分離した。水層を酢酸エチルで抽出した後、抽出液と有機層を合わせて炭酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥した。有機層と硫酸マグネシウムの混合物をセライト、フロリジール、アルミナを通してろ過し、ろ液を濃縮して得られた固体をヘキサンで洗浄たところ、目的物である1−(4−ブロモフェニル)−2−フェニルアセチレンの固体を19g、収率74%で得た(合成スキーム(n−1))。
[Step 1: Method for synthesizing 2- (4-bromophenyl) -3,5,6-triphenylpyrazine (hereinafter referred to as 1 PPPr)]
(1) Synthesis of 1- (4-bromophenyl) -2-phenylacetylene.
28.3 g (0.10 mol) of p-bromoiodobenzene, 10.2 g (0.10 mol) of phenylacetylene, 0.70 g (1.0 mmol) of bis (triphenylphosphine) palladium (II) dichloride, copper iodide (I ) 0.19 g (1.0 mmol) was placed in a 1000 mL three-necked flask, and the atmosphere in the flask was replaced with nitrogen. Then, 350 mL of tetrahydrofuran and 18 mL of triethylamine were added, and the mixture was stirred at room temperature for 20 hours to be reacted. After the reaction, the reaction solution was washed with a 3 wt% hydrochloric acid aqueous solution, and then the organic layer and the aqueous layer were separated. After the aqueous layer was extracted with ethyl acetate, the extract and the organic layer were combined and washed with an aqueous sodium carbonate solution and saturated brine in that order, and the organic layer was dried over magnesium sulfate. The mixture of the organic layer and magnesium sulfate was filtered through Celite, Florisil, and alumina, and the filtrate was concentrated. The solid obtained was washed with hexane, and the target product 1- (4-bromophenyl) -2-phenyl was obtained. 19 g of acetylene solid was obtained in a yield of 74% (Synthesis scheme (n-1)).

(2)4−ブロモベンジルの合成。
1−(4−ブロモフェニル)−2−フェニルアセチレン19g(74mmol)、ヨウ素9.4g(37mmol)、ジメチルスルホキシド200mLを500mL三口フラスコへ入れ、155℃で4時間撹拌し、反応させた。反応後、反応混合物を冷ましてから、3wt%チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、この混合物を1時間室温で撹拌した。この混合物に酢酸エチルを加え、さらにこの混合物を1N希塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した後、有機層と水層を分離した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、有機層と硫酸マグネシウムの混合物をろ過した。ろ液を濃縮し、得られた固体を氷浴したヘキサンにより洗浄したところ、目的物である4−ブロモベンジルの固体を収量15g、収率58%で得た(合成スキーム(n−2))。
(2) Synthesis of 4-bromobenzyl.
19 g (74 mmol) of 1- (4-bromophenyl) -2-phenylacetylene, 9.4 g (37 mmol) of iodine, and 200 mL of dimethyl sulfoxide were put into a 500 mL three-necked flask and stirred at 155 ° C. for 4 hours to be reacted. After the reaction, the reaction mixture was cooled, 3 wt% aqueous sodium thiosulfate was added, and the mixture was stirred for 1 hour at room temperature. Ethyl acetate was added to the mixture, and the mixture was further washed with 1N dilute hydrochloric acid, aqueous sodium hydrogen carbonate solution and saturated brine, and then the organic layer and the aqueous layer were separated. The organic layer was dried with magnesium sulfate, and the mixture of the organic layer and magnesium sulfate was filtered. The filtrate was concentrated, and the obtained solid was washed with hexane in an ice bath to obtain 15 g of a target 4-bromobenzyl solid in 58% yield (Synthesis scheme (n-2)). .

(3)1PPPrの合成。
4−ブロモベンジル3.0g(1.0mmol)、meso−ジフェニルエチレンジアミン2.2g(1.0mmol)を500mL三口フラスコに入れ、エタノール100mLを加え、この混合物を80℃で5時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応溶液を濃縮し、二酸化マンガン1.1gとクロロホルム100mLを加えてさらに80℃1時間加熱撹拌し、反応させた。反応後、反応溶液に水を加えて洗浄した後、有機層と水層を分離した。有機層をセライトを通してろ過した後、ろ液を濃縮し、得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物である1PPPrの粉末状淡褐色固体を2.1g、収率45%で得た(合成スキーム(n−3))。
(3) Synthesis of 1 PPPr.
4-Bromobenzyl (3.0 g, 1.0 mmol) and meso-diphenylethylenediamine (2.2 g, 1.0 mmol) were placed in a 500 mL three-necked flask, 100 mL of ethanol was added, and the mixture was heated and stirred at 80 ° C. for 5 hours. I let you. After the reaction, the reaction solution was concentrated, 1.1 g of manganese dioxide and 100 mL of chloroform were added, and the mixture was further heated and stirred at 80 ° C. for 1 hour to be reacted. After the reaction, the reaction solution was washed with water, and then the organic layer and the aqueous layer were separated. The organic layer was filtered through celite, the filtrate was concentrated, and the obtained solid was recrystallized with a mixed solvent of chloroform and hexane. Obtained at 45% (synthesis scheme (n-3)).

[ステップ2:YGA1PPPrの合成方法]
1PPPr(2.2mmol)、YGA0.72g(2.2mmol)、ナトリウム−tert−ブトキシド0.3g(3.1mmol)を100mL三口フラスコに入れ、当該フラスコ内を窒素置換した後、トルエン20mL、トリ−tert−ブチルホスフィンの10wt%ヘキサン溶液0.10mLを加え、フラスコ内を再び窒素置換し、ビス(ジベンジリデンアセトン)パラジウム(0)0.10g(0.2mmol)を加え、この混合物を80℃で5時間加熱攪拌し、反応させた。反応後、反応混合物にトルエンを加え、セライト、フロリジール、アルミナを通してろ過した。ろ液を水で洗浄した後、有機層と水層を分離し、有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、ろ過した。ろ液を濃縮して得られた固体をクロロホルムとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物であるYGA1PPPrの粉末状淡黄色固体を0.90g、収率58%で得た(合成スキーム(n−4))。
[Step 2: Method for synthesizing YGA1PPr]
1 PPPr (2.2 mmol), YGA 0.72 g (2.2 mmol) and sodium-tert-butoxide 0.3 g (3.1 mmol) were placed in a 100 mL three-necked flask, and the inside of the flask was purged with nitrogen. 0.10 mL of a 10 wt% hexane solution of tert-butylphosphine was added, the inside of the flask was again purged with nitrogen, 0.10 g (0.2 mmol) of bis (dibenzylideneacetone) palladium (0) was added, and the mixture was heated at 80 ° C. The mixture was heated and stirred for 5 hours to react. After the reaction, toluene was added to the reaction mixture, followed by filtration through celite, florisil, and alumina. After washing the filtrate with water, the organic layer and the aqueous layer were separated, and the organic layer was dried over magnesium sulfate and filtered. When the solid obtained by concentrating the filtrate was recrystallized with a mixed solvent of chloroform and hexane, 0.90 g of a powdery pale yellow solid of YGA1PPPr as a target substance was obtained in a yield of 58% (synthesis scheme ( n-4)).

YGA1PPPrのプロトン核磁気共鳴法(H−NMR)による分析結果を以下に示す。なお、基準物質としてTMSを用いた。
H−NMR(300MHz、CDCl):δ=7.07−7.17(m、3H)、δ=7.19−7.51(m、23H)、δ=7.53−7.82(m、8H)、δ=8.14(d、J=7.3、2H)
The analysis result of YGA1PPr by the proton nuclear magnetic resonance method ( 1 H-NMR) is shown below. TMS was used as a reference material.
1 H-NMR (300 MHz, CDCl 3 ): δ = 7.07-7.17 (m, 3H), δ = 7.19-7.51 (m, 23H), δ = 7.53-7.82. (M, 8H), δ = 8.14 (d, J = 7.3, 2H)

また、YGA1PPPrのH−NMRチャートを図51(A)、(B)に示す。なお、図51(B)は、図51(A)のチャートの6.5ppm乃至8.5ppmの範囲を拡大したものである。 In addition, 1 H-NMR charts of YGA1PPr are shown in FIGS. Note that FIG. 51B is an enlarged view of the range of 6.5 ppm to 8.5 ppm in the chart of FIG.

また、YGA1PPPrをトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトルを図52に示す。測定には、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V550型)を用いた。図52において、横軸は波長(nm)、縦軸は強度(任意単位)を表す。また、図52において、(a)に示すスペクトルは吸収スペクトルである。また、(b)に示すスペクトルは発光スペクトル(励起波長376nm)である。   In addition, FIG. 52 shows an absorption spectrum and an emission spectrum in a state where YGA1PPr is dissolved in a toluene solution. For the measurement, an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used. In FIG. 52, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents intensity (arbitrary unit). In FIG. 52, the spectrum shown in (a) is an absorption spectrum. The spectrum shown in (b) is an emission spectrum (excitation wavelength: 376 nm).

本発明の発光素子の例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting element of the present invention. 本発明の発光素子の例を示す図。FIG. 6 illustrates an example of a light-emitting element of the present invention. 本発明の表示装置の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の画素部の例を示す上面図。FIG. 6 is a top view illustrating an example of a pixel portion of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の画素部の例を示す回路図。FIG. 6 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel portion of a display device of the present invention. 本発明の表示装置の例を示す図。FIG. 11 illustrates an example of a display device of the present invention. 本発明の表示装置を具備するパネルの例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of a panel including a display device of the present invention. 本発明の電子機器の例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device of the invention. 本発明の電子機器の例を示す図。FIG. 14 illustrates an example of an electronic device of the invention. BBAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of BBAPPr. BBAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of BBAPPr. BBAPPrのサイクリックボルタンメトリ(CV)による測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result by cyclic voltammetry (CV) of BBAPPr. BPhAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of BPhAPPr. BPhAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of BPhAPPr. BPhAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the single film state of BPhAPPr. DPhAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of DPhAPPr. DPhAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of DPhAPPr. DPhAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in a single film state of DPhAPPr. DPAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of DPAPPr. DPAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of DPAPPr. PCAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of PCAPPr. PCAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of PCAPPr. PCAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the single film state of PCAPPr. YGAPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of YGAPPr. YGAPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of YGAPPr. YGAPPrの単膜状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in a single film state of YGAPPr. 実施例7の発光素子の例を示す図。FIG. 10 shows an example of a light-emitting element of Example 7. 実施例7の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。FIG. 10 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 7. 実施例7の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。FIG. 13 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 7. 実施例7の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。FIG. 10 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element of Example 7. 実施例7の発光素子の輝度−外部量子効率特性を示す図。FIG. 10 shows luminance vs. external quantum efficiency characteristics of the light-emitting element of Example 7. 実施例8の発光素子の例を示す図。FIG. 10 shows an example of a light-emitting element of Example 8. 実施例8の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。FIG. 10 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 8. 実施例8の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。FIG. 10 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 8. 実施例8の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。FIG. 10 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element of Example 8. 実施例8の発光素子の輝度−外部量子効率特性を示す図。FIG. 11 shows luminance vs. external quantum efficiency characteristics of the light-emitting element of Example 8. DPhAPPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of DPhAPPPr. DPhAPPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of DPhAPPPr. YGAPPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of YGAPPPPr. YGAPPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of YGAPPPPr. 実施例11の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。FIG. 14 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 11. 実施例11の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。FIG. 16 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 11. 実施例11の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。FIG. 25 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting elements of Example 11. 実施例11の発光素子の発光スペクトル。10 shows an emission spectrum of the light-emitting element of Example 11. 実施例12の発光素子の電流密度−輝度特性を示す図。FIG. 14 shows current density-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 12. 実施例12の発光素子の電圧−輝度特性を示す図。FIG. 14 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting element of Example 12. 実施例12の発光素子の輝度−電流効率特性を示す図。FIG. 16 shows luminance-current efficiency characteristics of the light-emitting element of Example 12; 実施例12の発光素子の発光スペクトル。10 shows an emission spectrum of the light-emitting element of Example 12. 実施例11の発光素子の例を示す図。FIG. 16 shows an example of a light-emitting element of Example 11. 実施例12の発光素子の例を示す図。FIG. 16 shows an example of a light-emitting element of Example 12. YGA1PPPrのH−NMRチャート。 1 H-NMR chart of YGA1PPr. YGA1PPPrのトルエン溶液に溶解させた状態における吸収スペクトル及び発光スペクトル。The absorption spectrum and emission spectrum in the state dissolved in the toluene solution of YGA1PPr.

符号の説明Explanation of symbols

100 発光素子
101 第1の電極
102 正孔注入層
103 正孔輸送層
104 発光層
105 電子輸送層
106 電子注入層
107 第2の電極
200 発光素子
204 発光層
300 基板
301 下地絶縁膜
302 ゲート絶縁膜
304 層間絶縁膜
305 隔壁層
306 シール材
307 空間
310 トランジスタ
311 容量
320 トランジスタ
330 トランジスタ
340 トランジスタ
350 発光素子
351 第1の電極
352 層
353 第2の電極
360 封止基板
370 画素部
380 駆動回路部
390 端子部
391 端子電極
392 異方性導電層
393 FPC
504 ゲート線
505 ソース線
506 電流供給線
610 プリント配線基板
651 基板
652 第1の電極
653 隔壁層
654 層
655 第2の電極
656 駆動回路
658 点線
659 基板
700 パネル
701 画素部
703 信号線駆動回路
704 FPC
710 プリント配線基板
711 コントローラ
712 CPU
713 メモリ
714 電源回路
715 音声処理回路
716 送受信回路
717 インターフェース(I/F)部
718 アンテナ用ポート
720 制御信号生成回路
721 デコーダ
722 レジスタ
723 演算回路
724 RAM
725 インターフェース
731 VRAM
732 DRAM
733 フラッシュメモリ
734 入力手段
743 アンテナ
747 マイク
748 スピーカー
800 表示パネル
801 ハウジング
803 信号処理回路
804 マイクロフォン
805 スピーカー
806 筐体
807 バッテリ
808 入力手段
810 プリント配線基板
820 モジュール
1801 本体
1802 表示部
1804 操作キー
1805 シャッター
1821 本体
1822 筐体
1823 表示部
1824 キーボード
1825 外部接続ポート
1826 ポインティングマウス
1841 本体
1842 筐体
1843 表示部A
1844 表示部B
1845 記録媒体(DVD等)読み込み部
1846 操作キー
1847 スピーカー部
1861 筐体
1862 支持台
1863 表示部
1864 スピーカ
1865 ビデオ入力端子
303a 層間絶縁膜
5004 発光層
5010 発光素子
7000 基板
7001 第1の電極
7002 正孔注入層
7003 正孔輸送層
7004 発光層
7005 電子輸送層
7006 電子注入層
7007 第2の電極
7010 発光素子
702a 走査線駆動回路
702b 走査線駆動回路
8005 電子輸送層
8010 発光素子
9004 発光層
9010 発光素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Light emitting element 101 1st electrode 102 Hole injection layer 103 Hole transport layer 104 Light emitting layer 105 Electron transport layer 106 Electron injection layer 107 Second electrode 200 Light emitting element 204 Light emitting layer 300 Substrate 301 Base insulating film 302 Gate insulating film 304 Interlayer insulating film 305 Partition layer 306 Sealing material 307 Space 310 Transistor 311 Capacitor 320 Transistor 330 Transistor 340 Transistor 350 Light emitting element 351 First electrode 352 Layer 353 Second electrode 360 Sealing substrate 370 Pixel unit 380 Driver circuit unit 390 Terminal Part 391 terminal electrode 392 anisotropic conductive layer 393 FPC
504 Gate line 505 Source line 506 Current supply line 610 Printed wiring board 651 Substrate 652 First electrode 653 Partition layer 654 Layer 655 Second electrode 656 Driver circuit 658 Dotted line 659 Substrate 700 Panel 701 Pixel portion 703 Signal line driver circuit 704 FPC
710 Printed circuit board 711 Controller 712 CPU
713 Memory 714 Power supply circuit 715 Audio processing circuit 716 Transmission / reception circuit 717 Interface (I / F) unit 718 Antenna port 720 Control signal generation circuit 721 Decoder 722 Register 723 Operation circuit 724 RAM
725 interface 731 VRAM
732 DRAM
733 Flash memory 734 Input unit 743 Antenna 747 Microphone 748 Speaker 800 Display panel 801 Housing 803 Signal processing circuit 804 Microphone 805 Speaker 806 Case 807 Battery 808 Input unit 810 Printed circuit board 820 Module 1801 Main body 1802 Display unit 1804 Operation key 1805 Shutter 1821 Main body 1822 Housing 1823 Display unit 1824 Keyboard 1825 External connection port 1826 Pointing mouse 1841 Main body 1842 Housing 1843 Display unit A
1844 Display B
1845 Recording medium (DVD or the like) reading portion 1846 Operation key 1847 Speaker portion 1861 Housing 1862 Support base 1863 Display portion 1864 Speaker 1865 Video input terminal 303a Interlayer insulating film 5004 Light emitting layer 5010 Light emitting element 7000 Substrate 7001 First electrode 7002 Hole Injection layer 7003 Hole transport layer 7004 Light emitting layer 7005 Electron transport layer 7006 Electron injection layer 7007 Second electrode 7010 Light emitting element 702a Scan line driver circuit 702b Scan line driver circuit 8005 Electron transport layer 8010 Light emitting element 9004 Light emitting layer 9010 Light emitting element

Claims (13)

一般式(g−1)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、R、Rは、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Aは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、アルキル基、またはアリール基を表す。R、R、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Arは、アリール基を表す。αはアリーレン基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-1).

(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. A represents a general formula (a-1), a general formula (a-2), a general formula ( a-3) or a substituent represented by the general formula (a-4), wherein R 4 represents an alkyl group or an aryl group, and R 5 , R 6 , and R 7 represent It represents any of a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 each represents an aryl group, and α represents an arylene group.
一般式(g−2)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Aは一般式(a−1)、一般式(a−2)、一般式(a−3)、または一般式(a−4)で表される置換基のいずれかを表す。式中のRは、アルキル基、またはアリール基を表す。R、R、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Ar、Arは、アリール基を表す。αはアリーレン基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-2).

(In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. A represents a general formula (a-1), a general formula (a-2), or a general formula (a-3). Or R 4 represents an alkyl group or an aryl group, and R 5 , R 6 , and R 7 represent a hydrogen atom or an alkyl group. A group or an aryl group, Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 each represents an aryl group, and α represents an arylene group.)
一般式(g−3)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、R、Rは、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Arはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-3).

(In the formula, R 1 , R 2 and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Ar 1 and Ar 2 are a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, 2- It represents any of a biphenyl group, a 3-biphenyl group, a 4-biphenyl group, a 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, and a spiro-9,9′-bifluoren-2-yl group.)
一般式(g−4)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、R、Rは、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Ar、Arは、アリール基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-4).

(In the formula, R 1 , R 2 and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group. Ar 3 , Ar 4 and Ar 5 represent an aryl group.)
一般式(g−6)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、R、Rは、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。 は、アルキル基、またはアリール基を表す。Arは、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-6).

(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 4 represents an alkyl group or an aryl group. Ar 6 represents a phenyl group, 1 -Naphthyl group, 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, spiro-9,9'-bifluoren-2-yl group Represents either one.)
一般式(g−7)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、R、Rは、水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。R、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Arはアリール基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-7).

(In the formula, R 1 , R 2 , and R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 6 and R 7 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Ar 7 represents an aryl group.)
一般式(g−9)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Arはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-9).

(In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Ar 1 and Ar 2 represent a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 2-biphenyl group, 3 -Represents any one of -biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, and spiro-9,9'-bifluoren-2-yl group.)
一般式(g−10)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Ar、Ar、Arはアリール基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-10).

(In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Ar 3 , Ar 4 , and Ar 5 each represent an aryl group.)
一般式(g−12)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Rは、アルキル基、またはアリール基を表す。Arはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、2−ビフェニル基、3−ビフェニル基、4−ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン−2−イル基、スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル基のいずれかを表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-12).

(In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 4 represents an alkyl group or an aryl group. Ar 6 represents a phenyl group, a 1-naphthyl group, 2 -It represents any of a naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group, 4-biphenyl group, 9,9-dimethylfluoren-2-yl group, and spiro-9,9'-bifluoren-2-yl group. )
一般式(g−13)で表されるピラジン誘導体。

(式中のR、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。R、Rは水素原子、アルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。Arはアリール基を表す。)
A pyrazine derivative represented by the general formula (g-13).

(In the formula, R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. R 6 and R 7 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Ar 7 represents an aryl group. Represents a group.)
請求項1乃至請求項10のいずれか一に記載の前記ピラジン誘導体を、一対の電極間に有する発光素子。   A light-emitting element having the pyrazine derivative according to any one of claims 1 to 10 between a pair of electrodes. 請求項11に記載の前記発光素子を有する表示装置。   The display apparatus which has the said light emitting element of Claim 11. 請求項11に記載の前記発光素子を有する電子機器。   The electronic device which has the said light emitting element of Claim 11.
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