JP5029013B2 - 発光素子材料および発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、蛍光色素や電荷輸送材として有用な発光素子材料およびこれを用いた発光素子に関する。本発明の発光素子は、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能である。

陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機発光体内で再結合する際に発光するという有機薄膜発光素子の研究が、近年活発に行われている。この発光素子は、薄型で、かつ、低駆動電圧下での高輝度発光と、発光材料を選ぶことにより多色発光が可能なことが特徴であり、注目を集めている。

イーストマンコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって有機薄膜発光素子が高輝度に発光することが示されて以来、この技術について、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板上に、正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）、そして陰極としてＭｇ：Ａｇ（合金）を順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電圧で１,０００ｃｄ／ｍ^２の緑色発光が可能であった（非特許文献１参照）。

また、有機薄膜発光素子は、発光層に種々の蛍光材料を用いることにより、多様な発光色を得ることが可能であることから、ディスプレイなどへの実用化研究が盛んである。三原色の発光材料の中では緑色発光材料の研究が最も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料において、特性向上を目指して鋭意研究がなされている。

有機薄膜発光素子における最大の課題の１つは、素子の耐久性を高めることである。特に青色発光素子に関しては、耐久性に優れ、信頼性の高い素子を提供する青色発光材料は少ない。例えば、アリール基で置換されたピレン化合物を用いた青色発光素子が開示されている（特許文献１〜５参照）。また、カルバゾリル基を４つ有するピレン化合物（特許文献６参照）を青色発光素子に用いた例も開示されているが、いずれも耐久性が不十分であった。
特開２０００−２７３０５６号公報（請求項１〜２） 特開２００２−６３９８８号公報（請求項１） 国際公開第２００４／０９６９４５号パンフレット（特許請求の範囲） 特開２００４−７５５６７号公報（請求項１〜４） 特開２００４−１３９９５７号公報（請求項１） 特開２００３−２７２８６４号公報（請求項１） アプライド フィジックス レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）（米国）１９８７年、５１巻、１２号、９１３〜９１５頁

上述のように、従来の有機薄膜発光素子では、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた青色発光素子が提供されていなかった。そこで本発明は、従来技術の問題を解決し、発光効率が高く、かつ耐久性に優れた青色発光素子を可能にする発光素子材料、およびこれを用いた発光素子を提供することを目的とする。

本発明は一般式（１）、（１’）、（１’’）のいずれかで表されるピレン化合物を含有する発光素子材料である。

（一般式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^１８は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。ｎは１〜２の整数であり、一般式（１）で表されるピレン化合物は分子中にジベンゾフラン基またはジベンゾチオフェン基をｎ個有する。Ｘは−Ｏ−および−Ｓ−の中から選ばれた基である。Ｙは単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうちいずれかｎ個およびＲ^１１〜Ｒ^１９のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１）、（Ｂ１）のいずれかを満たす。（Ａ１）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。
一般式（１’）中、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１８ は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。ｎは１であり、一般式（１’）で表されるピレン化合物は分子中にジベンゾフラン基またはジベンゾチオフェン基を１個有する。Ｘは−Ｏ−および−Ｓ−の中から選ばれた基である。Ｙは単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１０ のうちいずれかｎ個およびＲ ^１１ 〜Ｒ ^１９ のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１’）、（Ｂ１’）のいずれかを満たす。（Ａ１’）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１’）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。
一般式（１’’）中、Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１８ は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ ^１１ 〜Ｒ ^１８ は、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。ｎは１であり、一般式（１’’）で表されるピレン化合物は分子中にカルバゾール基を１個有する。Ｘは−ＮＲ ^１９ −である。Ｒ ^１９ は、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ ^１９ は、Ｒ ^１１ またはＲ ^１８ と結合し環を形成してもよい。Ｙは単結合、アリーレン基（ただしフルオレニレン基を含む構造を除く）またはヘテロアリーレン基である。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１０ のうちいずれかｎ個およびＲ ^１１ 〜Ｒ ^１９ のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１’’）、（Ｂ１’’）のいずれかを満たす。（Ａ１’’）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１’’）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。）
また、本発明は、少なくとも陽極、陰極および発光層を有し、該陽極と該陰極の間に該発光層が存在し、該発光層が電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光層が一般式（１）、（１’）、（１’’）のいずれかで表されるピレン化合物を含有する発光素子である。

本発明の発光素子材料は、発光素子等に利用可能で、薄膜安定性に優れた発光素子材料を提供できる。本発明によれば、高い発光効率と優れた耐久性を有する発光素子が得られる。

一般式（１）で表されるピレン化合物について詳細に説明する。

一般式（１）で表されるピレン化合物は、分子中にピレン骨格および電子供与性縮合芳香族であるジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基およびカルバゾール基の中から選ばれる基１〜３個を有し、両者が、連結基Ｙで結合されている。該ピレン化合物は、このような構造を有することにより、高い薄膜安定性と優れた耐熱性を有する。一般式（１）において、ｎが４以上であると、薄膜安定性と耐熱性が低下する。一般式（１）において、ｎは１〜２の範囲が、薄膜安定性と耐熱性がより優れるので好ましい。

連結基Ｙは、単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。連結基Ｙは、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であることが好ましい。ここで、アリーレン基とは、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基から導かれる２価の基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アリーレン基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。アリーレン基は、置換基も含めて炭素数は６〜１２の範囲がより好ましい。

ヘテロアリーレン基とは、ピリジル基、キノリニル基、ピラジニル基、ナフチリジル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する芳香族基から導かれる２価の基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。ヘテロアリーレン基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜３０の範囲であり、置換基も含めて２〜１２の範囲がより好ましい。

一般式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^１８は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、ホスフィンオキサイド基およびシリル基の中から選ばれた基である。また、Ｒ^１〜Ｒ^１８は、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち少なくとも一つはアリール基またはヘテロアリール基であることが好ましい。

Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−および−ＮＲ^１９−の中から選ばれた基である。Ｒ^１９は、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ^１９は、Ｒ^１１またはＲ^１８と結合し環を形成してもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^１０のうちいずれかｎ個およびＲ^１１〜Ｒ^１９のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６およびＲ^８のうち少なくとも一つがＹとの連結に用いられることが好ましい。

これらの置換基のうち、アルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。置換されている場合の追加の置換基には特に制限は無く、例えば、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基等を挙げることができ、この点は、以下の記載にも共通する。また、アルキル基の炭素数は特に限定されないが、入手の容易性やコストの点から、通常１以上２０以下、より好ましくは１以上８以下の範囲である。

シクロアルキル基とは、例えば、シクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。

複素環基とは、例えば、ピラン環、ピペリジン環、環状アミドなどの炭素以外の原子を環内に有する脂肪族環を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。複素環基の炭素数は特に限定されないが、通常、２以上２０以下の範囲である。

アルケニル基とは、例えば、ビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。

シクロアルケニル基とは、例えば、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シクロアルケニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３以上２０以下の範囲である。

アルキニル基とは、例えば、エチニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。アルキニル基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜２０の範囲である。

アルコキシ基とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などのエーテル結合を介して脂肪族炭化水素基が結合した官能基を示し、この脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルコキシ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。

アルキルチオ基とは、アルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アルキルチオ基の炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アルキルチオ基の炭素数は特に限定されないが、通常、１以上２０以下の範囲である。

アリールエーテル基とは、例えば、フェノキシ基など、エーテル結合を介した芳香族炭化水素基が結合した官能基を示し、芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。

アリールチオエーテル基とは、アリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。アリールエーテル基における芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。アリールチオエーテル基の炭素数は特に限定されないが、通常、６以上４０以下の範囲である。

アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示す。アリール基は、置換基を有していても有していなくてもよい。アリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、６〜４０の範囲である。

ヘテロアリール基とは、ピリジル基、キノリニル基、ピラジニル基、ナフチリジル基などの炭素以外の原子を一個または複数個環内に有する６員環芳香族基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ヘテロアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常、２〜３０の範囲である。

ハロゲン原子とは、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を示す。

カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基およびホスフィンオキサイド基は、置換基を有していても有していなくてもよい。置換基としては例えば上記のようなアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などが挙げられる。

シリル基とは、例えば、トリメチルシリル基などのケイ素原子への結合を有する官能基を示し、これは置換基を有していても有していなくてもよい。シリル基の炭素数は特に限定されないが、通常、３〜２０の範囲である。また、ケイ素数は、通常、１〜６である。

隣接する置換基同士で環を形成する場合、任意の隣接２置換基（例えば一般式（１）のＲ^１とＲ^２）が互いに結合して、共役または非共役の縮合環を形成できる。縮合環の構成元素としては、炭素以外にも窒素、酸素、硫黄、リンおよびケイ素から選ばれる元素を含んでいてもよい。また、縮合環がさらに別の環と縮合してもよい。

一般式（１）で表されるピレン化合物は、Ｒ^３、Ｒ^６、Ｒ^８の少なくとも１つがＲ^１と異なる基であると、分子の対称性が低下し、良質なアモルファス薄膜を形成できるので好ましい。

一般式（１）で表されるピレン化合物は、Ｒ^１がアリール基またはヘテロアリール基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ^６もしくはＲ^８の位置で連結することにより、ピレン化合物同士の相互作用が抑制され、高い発光効率が可能となるため好ましい。Ｒ^１がアリール基であると、さらに好ましい。また、Ｒ^２がアルキル基もしくはシクロアルキル基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ^６もしくはＲ^８の位置で連結することにより、分子のアモルファス性が向上し、安定な薄膜を形成できるため好ましい。

一般式（１）で表される化合物の中でも、Ｘが−ＮＲ^１９−、すなわち電子供与性縮合芳香族がカルバゾール基、であり、Ｙの少なくとも１つがＲ^６もしくはＲ^８の位置とＲ^１９の位置で連結していることが好ましい。すなわち、一般式（１）で表されるピレン化合物が一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。

Ｒ^２０〜Ｒ^３６は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン、カルボニル基、カルボキシル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、アミノ基、ホスフィンオキサイド基およびシリル基の中から選ばれた基である。Ｒ^２０〜Ｒ^３６は、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。Ａｒは、単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。Ａｒは、アリーレン基またはヘテロアリーレン基であることが好ましい。

各置換基の説明は、上記一般式（１）の説明と同様である。

一般式（２）で表されるピレン化合物は、Ｒ^２２およびＲ^２４の少なくとも１つがアリール基またはヘテロアリール基であることにより、ピレン骨格同士の分子間相互作用が抑制され、高効率発光が可能となると同時に安定な薄膜が形成できるため好ましい。中でも、Ｒ^２４がアリール基またはヘテロアリール基であることにより合成プロセスが容易になり、コストダウンが可能となるため、さらに好ましい。

また、一般式（２）で表されるピレン化合物はＲ^２３がアルキル基またはシクロアルキル基であることが好ましい形態として挙げられる。中でも、Ｒ^２７がアリール基またはヘテロアリール基であることにより分子間相互作用が抑制され、高効率発光が可能となるため、さらに好ましい。

さらに、一般式（１）におけるＲ^１１〜Ｒ^１８の少なくとも１つ、または一般式（２）におけるＲ^２９〜Ｒ^３６の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基の中から選ばれた基であることも好ましい形態として挙げられる。もしくはＲ^１１〜Ｒ^１８のうちの隣接する少なくとも２つ、または、Ｒ^２９〜Ｒ^３６のうちの隣接する少なくとも２つが結合して環を形成することも好ましい形態として挙げられる。このような構造をとることにより、ピレン化合物同士の相互作用が抑制され、高い発光効率が可能となるとともに薄膜安定性も向上するため好ましい。

上記のようなピレン化合物として、特に限定されるものではないが、具体的には以下のような例が挙げられる。

一般式（１）で表されるピレン化合物の合成には、公知の方法を使用することができる。ピレン骨格へ、カルバゾリル基を導入する方法は、例えば、パラジウムやニッケル触媒下でのハロゲン化ピレン誘導体とカルバゾールまたはカルバゾリルアリール金属錯体とのカップリング反応を用いる方法、パラジウムやニッケル触媒下でのピレニル金属錯体とハロゲン化カルバゾール誘導体とのカップリング反応を用いる方法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。ピレン骨格へ、ジベンゾフラニル基またはジベンゾチオフェニル基を導入する方法は、例えば、パラジウムやニッケル触媒下でのハロゲン化ピレン誘導体とジベンゾフラニル金属錯体またはジベンゾチオフェニル金属錯体とのカップリング反応を用いる方法、パラジウムやニッケル触媒下でのピレニル金属錯体とハロゲン化ジベンゾフラン誘導体またはハロゲン化ジベンゾチオフェン誘導体とのカップリング反応を用いる方法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

次に、本発明における発光素子の実施形態について例をあげて詳細に説明する。本発明の発光素子は、陽極、陰極、および該陽極と該陰極の間に存在する有機層を有し、該有機層は少なくとも発光層を含み、該発光層が電気エネルギーにより発光する。

有機層は、発光層のみからなる構成の他に、１）正孔輸送層／発光層／電子輸送層および、２）発光層／電子輸送層、３）正孔輸送層／発光層などの積層構成が挙げられる。また、上記各層は、それぞれ単一層、複数層のいずれでもよい。正孔輸送層および電子輸送層が複数層をからなる場合、電極に接する側の層をそれぞれ正孔注入層および電子注入層と呼ぶことがあるが、以下の説明では正孔注入材料は正孔輸送材料に、電子注入材料は電子輸送材料にそれぞれ含まれる。

本発明の発光素子は、有機層が一般式（１）で表されるピレン化合物を含む本発明の発光素子材料により形成される。発光素子材料とは、自ら発光するもの、およびその発光を助けるもののいずれかに該当し、発光に関与している化合物を指すものであり、具体的には、正孔輸送材料、発光材料および電子輸送材料などが該当する。

本発明の発光素子材料は、正孔輸送材料や電子輸送材料として用いてもよいが、高い発光性能を有することから発光材料として好適に用いられる。また、本発明の発光素子材料は、青色領域に強い発光を示すことから、青色発光材料として好適に用いられるが、緑色〜赤色発光素子や白色発光素子用の材料としても用いることができる。

陽極は、正孔を有機層に効率よく注入できる材料であれば特に限定されないが、比較的仕事関数の大きい材料を用いるのが好ましい。陽極の材料としては、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性ポリマーなどが挙げられる。これらの電極材料は、単独で用いてもよいが、複数の材料を積層または混合して用いてもよい。

陽極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できればよく、発光素子の消費電力の点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、抵抗が３００Ω／□以下であれば電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度のＩＴＯ基板の供給も可能になっていることから、１００Ω／□以下の低抵抗品を使用することが特に望ましい。陽極の厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶことができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。

また、発光素子の機械的強度を保つために、発光素子を基板上に形成することが好ましい。基板は、ソーダガラスや無アルカリガラスなどのガラス基板が好適に用いられる。ガラス基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することもできる。さらに、陽極が安定に機能するのであれば、基板はガラスである必要はなく、例えば、プラスチック基板上に陽極を形成しても良い。陽極の形成方法は、特に制限されず、例えば、電子線ビーム法、スパッタリング法および化学反応法などを用いることができる。

陰極に用いられる材料は、電子を有機層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されないが、白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウムおよびマグネシウムならびにこれらの合金などが挙げられる。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多いため、有機層に微量（真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ以下）のリチウムやマグネシウムをドーピングして安定性の高い電極を得る方法が好ましい例として挙げることができる。また、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能である。さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、シリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などの有機高分子化合物を積層することが、好ましい例として挙げられる。これらの電極の形成方法は、特に制限されず、例えば、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなどを用いることができる。

正孔輸送層は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層または混合する方法、もしくは、正孔輸送材料と高分子結着剤の混合物を用いる方法により形成される。また、正孔輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して正孔輸送層を形成してもよい。正孔輸送材料は、薄膜を形成でき、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されない。例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましい。
発光層は、ホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであってもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料と積層されていても、ホスト材料中に分散されていても、いずれでもよい。ドーパント材料の量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト材料とドーパント材料の合計に対して２０重量％以下で用いることが好ましく、さらに好ましくは１０重量％以下である。ドーピング方法は、ドーパント材料をホスト材料との共蒸着法によって形成してもよいし、ホスト材料とドーパント材料を予め混合してから蒸着しても良い。本発明のピレン化合物はドーパント材料として用いてもよいが、薄膜安定性に優れることから、ホスト材料として好適に用いられる。

本発明のピレン化合物のイオン化ポテンシャルは、特に限定されないが、好ましくは４．６ｅＶ以上６．２ｅＶ以下であり、より好ましくは４．８ｅＶ以上６．０ｅＶ以下である。なお、イオン化ポテンシャルの絶対値は測定方法により異なる場合がある。本発明のイオン化ポテンシャルは、大気雰囲気型紫外線光電子分析装置（ＡＣ−１、理研機器（株）製）を用いて、ＩＴＯガラス基板上に３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに蒸着した薄膜を測定した値である。

本発明で用いられるホスト材料は、一般式（１）で表されるピレン化合物一種のみに限る必要はなく、複数のピレン化合物を混合して用いたり、その他のホスト材料の一種類以上を一般式（１）で表されるピレン化合物と混合して用いてもよい。混合しうるホスト材料としては、発光体であるアントラセンやペリレンなどの縮合環誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどの芳香族アミン誘導体、トリス（８−キノリナート）アルミニウム（III）をはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、インデン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ピロロピロール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体が好適に用いられる。

発光材料に含有されるドーパント材料は、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどのアリール環を有する化合物やその誘導体（例えば２−（ベンゾチアゾール−２−イル）−９，１０−ジフェニルアントラセンや５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセンなど）、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどのヘテロアリール環を有する化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、４，４’−ビス（２−（４−ジフェニルアミノフェニル）エテニル）ビフェニル、４，４’−ビス（Ｎ−（スチルベン−４−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）スチルベンなどのアミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、ピロメテン誘導体、ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−９−（２’−ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１−ｇｈ］クマリンなどのクマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などが挙げられる。中でも、電子受容性置換基を有する縮合芳香環誘導体をドーパントとして用いると、本発明のピレン化合物が有する薄膜安定性の効果がより顕著になるため、好ましい。具体的には、１−（ベンゾオキサゾール−２−イル）−３，８−ビス（４−メチルフェニル）ピレンに代表されるベンゾアゾール基を有するピレン化合物が特に好ましいドーパントとして挙げられる。

電子輸送層は、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送する層である。電子輸送層には、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望まれる。そのため電子輸送層は、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質で構成されることが望ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、電子輸送層が陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たすならば、電子輸送能力がそれ程高くない材料で構成されていても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料で構成されている場合と同等となる。

電子輸送層に用いられる電子輸送材料は、特に限定されないが、ナフタレン、アントラセンなどの縮合アリール環を有する化合物やその誘導体、４，４’−ビス（ジフェニルエテニル）ビフェニルに代表されるスチリル系芳香環誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノンやジフェノキノンなどのキノン誘導体、リンオキサイド誘導体、カルバゾール誘導体およびインドール誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（III）などのキノリノール錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体およびフラボノール金属錯体、ヘテロアリール環を有する化合物などが挙げられる。特に、電子受容性窒素を有するヘテロアリール環を有する化合物が、高い電子輸送能を有するので好ましい。

電子受容性窒素とは、隣接原子との間に多重結合を形成している窒素原子を表す。窒素原子が高い電子陰性度を有することから、該多重結合は電子受容的な性質を有する。それゆえ、電子受容性窒素を含むヘテロアリール環は、高い電子親和性を有する。電子受容性窒素を含むヘテロアリール環としては、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、キノリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、ピリミドピリミジン環、ベンゾキノリン環、フェナントロリン環、イミダゾール環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンズイミダゾール環、フェナンスロイミダゾール環などが挙げられる。

また、電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造を有する化合物は、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素およびリンの中から選ばれる元素で構成されることが好ましい。これらの中から選ばれた元素で構成された電子受容性窒素を含むヘテロアリール環構造を有する化合物は、高い電子輸送能を有し、発光素子の駆動電圧を著しく低減できる。このような化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、ビピリジンやターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、キノキサリン誘導体およびナフチリジン誘導体などが好ましい化合物として挙げられる。中でも、トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンなどのイミダゾール誘導体、１，３−ビス［（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなどのオキサジアゾール誘導体、Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソクプロインや１，３−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン誘導体、２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなどのベンゾキノリン誘導体、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン誘導体、１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−ターピリジニル））ベンゼンなどのターピリジン誘導体、ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなどのナフチリジン誘導体が、電子輸送能の点から好ましく用いられる。さらに、１，３−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼン、２，７−ビス（１，１０−フェナントロリン−９−イル）ナフタレン、１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどのフェナントロリン二量体、および２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロールなどのビピリジン二量体は、一般式（１）で表されるピレン化合物を含む発光層と組み合わせた際の耐久性向上効果が著しく高く、特に好ましい例として挙げられる。

上記電子輸送材料は単独でも用いられるが、上記電子輸送材料の２種以上を混合して用いたり、その他の電子輸送材料の一種以上を上記の電子輸送材料に混合して用いても構わない。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの金属と混合して用いることも可能である。電子輸送層のイオン化ポテンシャルは、特に限定されないが、好ましくは５．８ｅＶ以上８．０ｅＶ以下であり、より好ましくは６．０ｅＶ以上７．５ｅＶ以下である。

発光素子を構成する上記各層の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、レーザー誘起熱転写法など特に限定されないが、通常は、素子特性の点から抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好ましい。

層の厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍの間から選ばれる。発光層、電子輸送層、正孔輸送層の膜厚はそれぞれ、好ましくは１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

本発明の発光素子は、電気エネルギーを光に変換できる機能を有する。ここで電気エネルギーとしては主に直流電流が使用されるが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、できるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるよう選ばれるべきである。

本発明の発光素子は、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式で表示するディスプレイとして好適に用いられる。

マトリクス方式では、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置され、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。カラー表示の場合、がその配列方式は、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法は、線順次駆動およびアクティブマトリクスのどちらでもよい。線順次駆動は、発光素子の構造が簡単であるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリクスの方が優れる場合がある。駆動方法は、用途によって使い分ける。
セグメント方式とは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、このパターンの配置によって決められた領域を発光させる方式である。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などが挙げられる。そして、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。

本発明の発光素子は、各種機器等のバックライトとしても好ましく用いられる。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が検討されているパソコン用途のバックライトに、本発明の発光素子は好ましく用いられる。本発明の発光素子により、従来のものより薄型で軽量なバックライトを提供できる。

以下、実施例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は上の化学式に記載した化合物の番号を指す。また構造分析に関する評価方法を下記に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲは超伝導ＦＴＮＭＲ ＥＸ−２７０（日本電子（株）製）を用い、重クロロホルム溶液にて測定を行った。

ＨＰＬＣ純度は、高速液体クロマトグラフ ＬＣ−１０（（株）島津製作所製）を用い、０．１ｇ／Ｌのクロロホルム溶液にて測定した。カラムの展開溶媒としては、０．１％リン酸水溶液とアセトニトリルの混合溶液を用いた。

実施例１
化合物[３０]の合成
１，６−ジブロモピレン２ｇ、４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸１ｇ、リン酸三カリウム２．４ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．４ｇ、酢酸パラジウム２２ｍｇとジメチルホルムアミド６０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−ブロモ−６−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン０．７ｇを得た。

次に、１−ブロモ−６−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン０．７ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール０．７４ｇ、リン酸三カリウム０．８５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．１３ｇ、酢酸パラジウム８．０ｍｇとジメチルホルムアミド２０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をエタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにジメチルホルムアミドから再結晶し、真空乾燥し、白色結晶０．６９ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[３０]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.47(s, 9H), 7.34(t, 2H), 7.49(t, 2H), 7.61-7.64 (m, 6H), 7.76-7.90 (m, 4H), 8.02-8.35 (m, 10H)
なお、この化合物[３０]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２４０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は、昇華精製前が９９．６％、昇華精製後が９９．７％であった。

実施例２
化合物[６９]の合成
１−ブロモピレン４５．０ｇ、４−メチルフェニルボロン酸２１．７ｇ、リン酸三カリウム３４．０ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１０．３ｇ、酢酸パラジウム０．７１ｇとジメチルホルムアミド１．６Ｌの混合溶液を窒素気流下、１２０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１．６Ｌを注入し、室温で０．５ｈ撹拌した。析出した固体をろ取し、水２００ｍｌで２回洗浄した。得られた固体をジクロロメタン５００ｍｌに溶解し、硫酸マグネシウムで乾燥後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、残さをメタノール２００ｍｌで２回洗浄し、析出した固体をろ取し、真空乾燥して、１−（４−メチルフェニル）ピレン４０．０ｇを得た。

次に、１−（４−メチルフェニル）ピレン４０．０ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド２４．４ｇとジメチルホルムアミド１．４Ｌの混合溶液を窒素気流下、４０℃で７時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却後、水１．０Ｌを注入し、ジクロロメタン５００ｍｌで抽出した。有機層を水２００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、残さを酢酸エチル２００ｍｌで２回洗浄し、析出した固体をろ取し、真空乾燥して、１−ブロモ−６−（４−メチルフェニル）ピレン１１．４ｇを得た。

次に、１−ブロモ−６−（４−メチルフェニル）ピレン６ｇ、９−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール７．７５ｇ、リン酸三カリウム８．９ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１．４ｇ、酢酸パラジウム９４ｍｇとジメチルホルムアミド２００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をエタノール３０ｍｌで洗浄した後、キシレン１５０ｍｌを加え、１４０℃で溶解させた。１００℃まで冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、シクロペンチルメチルエーテル５０ｍｌを加え１２０℃で加熱撹拌した。溶液を室温まで冷却後、ろ過し、真空乾燥して、黄白色結晶４．４ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[６９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.50(s, 3H), 7.27-8.32(m, 24H)
なお、この化合物[６９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２４０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．４％、昇華精製後が９９．５％であった。

実施例３
化合物[４７]の合成
１−ブロモピレン５９ｇ、ｐ−クロロフェニルボロン酸４０ｇ、リン酸三カリウム１０８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１６．４ｇ、酢酸パラジウム１．１５ｇとジメチルホルムアミド１２５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１０００ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をメタノール２００ｍｌで洗浄した後、ジクロロメタン１０００ｍｌに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥後、セライトを用いてろ過し、エバポレートした。得られた固体をメタノール２００ｍｌで洗浄し、真空乾燥して、１−（４−クロロフェニル）ピレン５８．２ｇを得た。

次に、１−（４−クロロフェニル）ピレン５８．２ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド３６．４ｇとジメチルホルムアミド１９００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、４０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５００ｍｌを注入し、ろ過した。メタノール２００ｍｌで洗浄し、真空乾燥して、１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレンと１−ブロモ−８−（４−クロロフェニル）ピレンの混合物を得た。

次に、１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレンと１−ブロモ−８−（４−クロロフェニル）ピレンの混合物とジクロロメタン５００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流しながら３０分加熱撹拌した。溶液を撹拌しながら室温に冷却した後、さらに３０分撹拌し、沈殿物をろ過した。得られた沈殿物とジクロロメタン３００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、還流しながら１時間加熱撹拌した。溶液を撹拌しながら室温に冷却した後、さらに３０分撹拌し、沈殿物をろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレン１５ｇを得た。

次に、１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレン４．９ｇ、２−ビフェニルボロン酸３．７ｇ、リン酸三カリウム８．０ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１．２ｇ、酢酸パラジウム８４ｍｇとジメチルホルムアミド１２５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をメタノール５０ｍｌで洗浄した後、ジクロロメタン１００ｍｌに溶解させ、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過し、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、１−（ビフェニル−２−イル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン３．６ｇを得た。

次に、１−（ビフェニル−２−イル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン３．６ｇ、カルバゾール１．５４ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８８４ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート２００ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム４４０ｍｇとｍ−キシレン７７ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、酢酸エチル５０ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、白色結晶３．９ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[４７]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：6.95-7.05(m, 3H), 7.05-7.15(m, 2H), 7.30-7.70(m, 10H), 7.83(dd, 4H), 8.00-8.15(m, 5H), 8.17-8.32(m, 5H)
なお、この化合物[４７]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２６０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．８％であった。

実施例４
化合物[２９]の合成
１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレン３．５ｇ、４−メチルフェニルボロン酸１．６ｇ、リン酸三カリウム４．９ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．７５ｇ、酢酸パラジウム５２ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をジクロロメタン１００ｍｌに溶解し、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、得られた固体を酢酸エチル３０ｍｌで洗浄した。真空乾燥して、１−（４−メチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン２．６ｇを得た。

次に、１−（４−メチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン２．６ｇ、カルバゾール１．４ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８２０ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート１４５ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム３２０ｍｇとｍ−キシレン５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過し、エバポレートにより濃縮した。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、白色固体２．３ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色固体が化合物[２９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.42(s, 3H), 7.31-7.43(m, 4H) , 7.47-7.53(m, 2H) , 7.55(d, 2H) , 7.63(d, 2H) , 7.79(d, 2H) , 7.89(d, 2H) , 8.02(d, 1H) , 8.05-8.16(m, 3H) , 8.18-8.29(m, 5H) , 8.34(d, 1H)
なお、この化合物[２９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２５０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．６％、昇華精製後が９９．８％であった。

実施例５
化合物[３３]の合成
２−ビフェニルボロン酸の代わりに３−ｔ−ブチルフェニルボロン酸を用いた以外は実施例４と同様の方法で合成し、黄白色結晶１．２ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[３３]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.41-1.44(m, 9H), 7.30-7.91(m, 14H), 8.03-8.35(m, 10H)
なお、この化合物[３３]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２６０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．８％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例６
化合物[２８]の合成
２−ビフェニルボロン酸の代わりにフェニルボロン酸を用いた以外は実施例４と同様の方法で合成し、白色結晶３２２ｍｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[２８]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：7.26-8.36(m, 25H)
なお、この化合物[２８]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２４０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．６％であった。

実施例７
化合物[３５]の合成
２−ビフェニルボロン酸の代わりに２−ナフタレンボロン酸を用いた以外は実施例４と同様の方法で合成し、黄白色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[３５]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：7.33-8.36(m, 27H)
なお、この化合物[３５]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２８０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．１％、昇華精製後が９９．８％であった。

参考例１
化合物[４５]の合成
２−ビフェニルボロン酸の代わりに１−ベンゾフランボロン酸を用いた以外は実施例４と同様の方法で合成し、白色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[４５]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：7.33-8.41(m, 27H)
なお、この化合物[４５]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３００℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．６％であった。

実施例８
化合物[４９]の合成
２−ビフェニルボロン酸の代わりに２−（４−ビフェニル）フェニルボロン酸を用いた以外は実施例４と同様の方法で合成し、黄白色結晶０．４０ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[４９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：7.15-7.70(m, 19H), 7.83(dd, 4H), 8.00-8.15(m, 5H), 8.17-8.32(m, 5H)
なお、この化合物[４９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２７０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．８％であった。

参考例２
化合物[８１]の合成
１−ブロモ−６−（４−メチルフェニル）ピレン８．０ｇ、３，５−ジクロロフェニルボロン酸４．５ｇ、リン酸三カリウム９．２ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１．４ｇ、酢酸パラジウム９７ｍｇとジメチルホルムアミド２１５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１２０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１．０Ｌを注入し、ジクロロメタン６００ｍｌで抽出した。有機層を水２００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、残さを酢酸エチル２００ｍｌで２回洗浄し、析出した固体をろ取した。析出した固体をジメチルホルムアミド１００ｍｌで再結晶し、真空乾燥して、１−（３，５−ジクロロフェニル）−６−（４−メチルフェニル）ピレン５．５ｇを得た。

１−（３，５−ジクロロフェニル）−６−（４−メチルフェニル）ピレン０．８５ｇ、カルバゾール０．９７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．５６ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩０．１１ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．２２ｇとｍ−キシレン３９ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶０．８７ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[８１]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.51(s, 3H), 7.30-8.50(m, 31H)
なお、この化合物[８１]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２８０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．２％、昇華精製後が９９．３％であった。

実施例９
化合物[９９]の合成
１−ブロモ−６−（４−クロロフェニル）ピレン４．０ｇ、４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸２．０ｇ、リン酸三カリウム４．８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．７２ｇ、酢酸パラジウム５２ｍｇとジメチルホルムアミド１００ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体にキシレン１００ｍｌを加え、１４０℃で溶解させた。溶液を１００℃に冷却後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、得られた固体をメタノール５０ｍｌで洗浄し、真空乾燥して、１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン３．０ｇを得た。

１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン０．８ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール１．０ｇ、炭酸カリウム１．１ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）４７ｍｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩２３ｍｇとジオキサン５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１１０℃で８時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、ろ過し、得られた固体をジオキサン３０ｍｌ、水５０ｍｌ、エタノール５０ｍｌそれぞれで洗浄した。得られた固体をキシレン１００ｍｌから再結晶し、真空乾燥して、黄白色結晶０．１５ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[９９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.47(s, 9H), 7.30-8.31(m, 28H)
ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は９９．１％であった。

実施例１０
化合物[１０４]の合成
１−（３，５−ジクロロフェニル）−６−（４−メチルフェニル）ピレン０．８８ｇ、２−ナフチルボロン酸０．３５ｇ、炭酸セシウム２．９ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩５８ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．１２ｇと１，４−ジオキサン２０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、９０℃で４時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−｛３−クロロ−５−（２−ナフチル）フェニル｝−６−（４−メチルフェニル）ピレン０．４０ｇを得た。

次に、１−｛３−クロロ−５−（２−ナフチル）フェニル｝−６−（４−メチルフェニル）ピレン０．３６ｇ、カルバゾール０．１７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム９８ｍｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩２０ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）３９ｍｇとｍ−キシレン７ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水２０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶０．４０ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１０４]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.51(s, 3H), 7.30-8.45(m, 30H)
なお、この化合物[１０４]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２８０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．７％であった。

実施例１１
化合物[１１７]の合成
２−ブロモニトロベンゼン１０ｇ、４−メチルフェニルボロン酸８．２ｇ、リン酸三カリウム２５．４ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド３．９ｇ、酢酸パラジウム２７０ｍｇとジメチルホルムアミド１５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、酢酸エチル１５０ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、真空乾燥して、２−（４−メチルフェニル）ニトロベンゼン８．６ｇを得た。

２−（４−メチルフェニル）ニトロベンゼン３ｇ、亜リン酸トリエチル２０ｍｌを１６０℃で６時間加熱撹拌した。亜リン酸トリエチルを減圧留去後、メタノール１０ｍｌ加え、ろ過した。得られた固体を真空乾燥して、２−メチルカルバゾール１．５ｇを得た。

１−（４−メチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン０．８ｇ、２−メチルカルバゾール０．５８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．２３ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩４５ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）９９ｍｇとｍ−キシレン３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、乳白色結晶０．３６ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた乳白色結晶が化合物[１１７]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.52(s, 3H), 2.57(s, 3H), 7.17(d, 1H), 7.29-7.60(m, 9H), 7.77(d, 2H), 7.89(d, 2H), 8.00-8.37(m, 9H)
なお、この化合物[１１７]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２３０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１２
化合物[１２０]の合成
４−メチルフェニルボロン酸の代わりに４−ビフェニルボロン酸を用いた以外は実施例１１と同様の方法で合成し、乳白色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた乳白色結晶が化合物[１２０]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.52(s, 3H), 7.36-8.37(m, 28H)
なお、この化合物[１２０]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２７０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１３
化合物[１２３]の合成
４−メチルフェニルボロン酸の代わりに１−ナフタレンボロン酸を用いた以外は実施例１１と同様の方法で合成し、乳白色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた乳白色結晶が化合物[１２３]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.51(s, 3H), 7.36-8.31(m, 30H)
なお、この化合物[１２３]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２９０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．６％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１４
化合物[１２７]の合成
４−メチルフェニルボロン酸の代わりに４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸を用いた以外は実施例１１と同様の方法で合成し、白色結晶５６９ｍｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[１２７]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.45(s, 9H), 2.52(s, 3H), 7.26-8.38(m, 26H)
なお、この化合物[１２７]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２６０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．６％であった。

参考例３
化合物[１２８]の合成
４−メチルフェニルボロン酸の代わりに９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾールを用いた以外は実施例１１と同様の方法で合成し、乳白色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた乳白色結晶が化合物[１２８]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.50(s, 3H), 7.27-8.39(m, 31H)
なお、この化合物[１２８]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３００℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．８％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１５
化合物[１２９]の合成
２−ブロモニトロベンゼン１０ｇ、４−クロロフェニルボロン酸８．５ｇ、リン酸三カリウム２５．４ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド３．９ｇ、酢酸パラジウム２７０ｍｇとジメチルホルムアミド１５０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水１００ｍｌを注入し、酢酸エチル１５０ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、真空乾燥して、２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼン８．６ｇを得た。

２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼン２．０ｇ、ジフェニルアミン１．７ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．９９ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩０．１９ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．４３ｇとｍ−キシレン３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、２−（４−ジフェニルアミノフェニル）ニトロベンゼン１．５ｇを得た。

２−（４−ジフェニルアミノフェニル）ニトロベンゼン１．５ｇ、亜リン酸トリエチル２０ｍｌを１６０℃で８時間加熱撹拌した。亜リン酸トリエチルを減圧留去後、メタノール１０ｍｌ加え、ろ過した。得られた固体を真空乾燥して、２−ジフェニルアミノカルバゾール１．２ｇを得た。

１−（４−メチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン０．６ｇ、２−ジフェニルアミノカルバゾール０．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．１７ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩３３ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）７４ｍｇとｍ−キシレン２０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶０．６５ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１２９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.51(s, 3H), 6.99-7.58(m, 19H), 7.67(d, 2H), 7.78(d, 2H), 7.98-8.28(m, 10h)
なお、この化合物[１２９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２８０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１６
化合物[１３１]の合成
フェニルヒドラジン７．４ｇ、テトラロン１０ｇと酢酸２５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で１時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを加え、ろ過した。得られた固体を水／メタノール（１／１）混合溶媒２０ｍｌに分散し、１時間撹拌後、ろ過し、真空乾燥して、１，２−ベンゾ−３，４−ジヒドロカルバゾール５．０ｇを得た。
１，２−ベンゾ−３，４−ジヒドロカルバゾール５．０ｇ、クロラニル５．６ｇとｍ−キシレン１００ｍｌの混合溶媒を１４０℃で１時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、ろ過し、キシレン３０ｍｌで洗浄した。得られた固体をｍ−キシレン１００ｍｌから再結晶し、ろ過後、エタノール２０ｍｌで洗浄し、真空乾燥して、１，２−ベンゾカルバゾール３．５ｇを得た。

１，２−ベンゾ−３，４−ジヒドロカルバゾール５．０ｇ、クロラニル５．６ｇとｍ−キシレン１００ｍｌの混合溶媒を１４０℃で１時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、ろ過し、キシレン３０ｍｌで洗浄した。得られた固体をｍ−キシレン１００ｍｌから再結晶し、ろ過後、エタノール２０ｍｌで洗浄し、真空乾燥して、１，２−ベンゾカルバゾール３．５ｇを得た。

１−（４−メチルフェニル）−６−（４−クロロフェニル）ピレン０．８ｇ、１，２−ベンゾカルバゾール０．４３ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム０．２３ｇ、（トリス−ｔ−ブチルホスフィン）テトラフルオロホウ酸塩４５ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）９９ｍｇとｍ−キシレン３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で１２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、セライトを用いてろ過した。ろ液をエバポレートし、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶０．３０ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１３１]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.53(s, 3H), 7.35-8.39(m, 26H)
なお、この化合物[１３１]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２５０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．８％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１７
化合物[１３５]の合成
２−ブロモニトロベンゼン１．５ｇ、２−（９−フェナンスレン）−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン２．５ｇ、リン酸三カリウム３．４ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド７１６ｍｇ、酢酸パラジウム５０ｍｇとジメチルホルムアミド７０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、トルエン５０ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥した後、９−（２−ニトロフェニル）フェナンスレン２．０ｇを得た。

次に、９−（２−ニトロフェニル）フェナンスレン２．０ｇ、亜リン酸トリエチル４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１５０℃で８時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、トルエン５０ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１３Ｈ−１３−アザインデノ[１，２−ｌ]フェナンスレン８４０ｍｇを得た。

次に、１−（４−クロロフェニル）−６−ｐ−トリルピレン９７５ｍｇ、１３Ｈ−１３−アザインデノ[１，２−ｌ]フェナンスレン８４０ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド３４９ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート６３ｍｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１３９ｍｇとｍ−キシレン２５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１４０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を８０℃に冷却した後、セライトを用いてろ過し、エバポレートした。得られた固体をメタノール５０ｍｌで洗浄した後、ｍ−キシレンから再結晶し、真空乾燥して、緑白色結晶１．０ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた緑白色結晶が化合物[１３５]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.52(s, 3H), 7.39-8.38(m, 24H), 8.70-9.01(m, 4H)
なお、この化合物[１３５]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３１０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１８
化合物[１４１]の合成
１−ブロモ−２−ニトロベンゼン１．０ｇ、３−ビフェニルボロン酸１．２ｇ、リン酸三カリウム２．２ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．３３ｍｇ、酢酸パラジウム４８ｍｇとジメチルホルムアミド５０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で４．５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、酢酸エチル５０ｍＬを加え、室温でしばらく攪拌した後、ろ過し、ろ物を酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した。ろ液に酢酸エチル５０ｍＬを加え、水（１５０ｍＬ、２×５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、１−（３−ビフェニル）−２−ニトロベンゼン１．４ｇ得た。

１−（３−ビフェニル）−２−ニトロベンゼン１．４ｇと亜リン酸トリエチル１０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１６０℃で２０時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、酢酸エチル５０ｍＬを加え、水（３×５０ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、３−フェニルカルバゾール０．３１ｇ得た。

１−（４−クロロフェニル）−６−ｐ−トリルピレン０．４１ｇ、３−フェニルカルバゾール０．３１ｇ、トリｔ−ブチルホスホニウム テトラフルオロボレート３１ｍｇ、ナトリウム ｔ−ブトキシド０．１５ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）５９ｍｇとｍ−キシレン１０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、ジクロロメタン１０ｍＬを加え、室温でしばらく攪拌したのち、ろ過し、ろ物をジクロロメタンで洗浄した。ろ液を集め、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、化合物[１４１]０．５０ｇを白桃色固体として得た。

なお、この化合物[１４１]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２８０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．７％、昇華精製後が９９．９％であった。

実施例１９
化合物[１８３]の合成
１−ブロモピレン７ｇ、トリメチルボロキシン６ｇ、炭酸セシウム１２ｇ、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２２ｇとジメチルホルムアミド８０ｍｌと蒸留水８ｍｌの混合溶液を窒素気流下、８０℃で７時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−メチルピレン４．４ｇを得た。

次に、１−メチルピレン４．４ｇ、ｔ−ブチルクロリド２ｇとジクロロメタン３３ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、塩化アルミニウム２．７ｇを加えた。この混合溶液を室温で３時間撹拌した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン３０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、７−ｔ−ブチル−１−メチルピレン３ｇを得た。

次に、７−ｔ−ブチル−１−メチルピレン３ｇ、ジクロロメタン１３０ｍｌとメタノール４３ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン５ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド４．３ｇを滴下した。この混合溶液を室温で４時間撹拌した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン５０ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−メチルピレン３．４ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−メチルピレン１ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール１．３ｇ、リン酸三カリウム１．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．２２ｇ、酢酸パラジウム１６ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をエタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、白色結晶１．２ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[１８３]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.61(s, 9H), 3.05(s, 3H), 7.23-8.30(m, 19H)
なお、この化合物[１８３]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２３０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．１％、昇華精製後が９９．３％であった。

実施例２０
化合物[１８５]の合成
ピレン４．１ｇ、ｔ−ブチルクロリド２ｇとジクロロメタン３３ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、塩化アルミニウム２．７ｇを加えた。この混合溶液を室温で３時間撹拌した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン３０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、２−ｔ−ブチルピレン３ｇ（含有率６５％）を得た。

次に、２−ｔ−ブチルピレン３ｇ（含有率６５％）、ジクロロメタン５０ｍｌとメタノール１５ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン１０ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド３．３ｇを滴下した。この混合溶液を室温で２時間撹拌した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン５０ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体にメタノール１０ｍｌを加え、１０分撹拌した後、ろ過した。さらにヘキサン３０ｍｌを加え、３０分撹拌した後、ろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチルピレン２．３ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチルピレン２．３ｇ、フェニルボロン酸１．１ｇ、リン酸三カリウム３．８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．５８ｇ、酢酸パラジウム１２ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン５０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、７−ｔ−ブチル−１−フェニルピレン１．５ｇを得た。

次に、７−ｔ−ブチル−１−フェニルピレン１．５ｇ、ジクロロメタン２５ｍｌとメタノール８ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン５ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド１．７ｇを滴下した。この混合溶液を室温で２時間撹拌した後、水２０ｍｌを注入し、ジクロロメタン２０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体にメタノール１０ｍｌを加え、一晩放置した。析出した固体をろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−フェニルピレン１．９ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−フェニルピレン１．９ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール２．２ｇ、リン酸三カリウム２．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．３８ｇ、酢酸パラジウム２７ｍｇとジメチルホルムアミド４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水４０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をメタノール４０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶２．５ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１８５]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.61(s, 9H), 7.30-8.35(m, 24H)
なお、この化合物[１８５]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２５０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．４％、昇華精製後が９９．６％であった。

実施例２１
化合物[１７４]の合成
１−ブロモ−７−ｔ−ブチルピレン２．３ｇ、４−メチルフェニルボロン酸１．２ｇ、リン酸三カリウム３．８ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．５８ｇ、酢酸パラジウム１２ｍｇとジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ジクロロメタン５０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、７−ｔ−ブチル−１−（４−メチルフェニル）ピレン１．５ｇを得た。

次に、７−ｔ−ブチル−１−（４−メチルフェニル）ピレン１．５ｇ、ジクロロメタン２５ｍｌとメタノール８ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン５ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド１．７ｇを滴下した。この混合溶液を室温で２時間撹拌した後、水２０ｍｌを注入し、ジクロロメタン２０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体にメタノール１０ｍｌを加え、一晩放置した。析出した固体をろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−（４−メチルフェニル）ピレン１．９ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−（４−メチルフェニル）ピレン１．９ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール２．２ｇ、リン酸三カリウム２．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．３８ｇ、酢酸パラジウム２７ｍｇとジメチルホルムアミド４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水４０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をメタノール４０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶２．４ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１７４]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.61(s, 9H), 2.51(s, 3H), 7.30-8.34(m, 23H)
なお、この化合物[１７４]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２６０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．４％、昇華精製後が９９．６％であった。

実施例２２
化合物[１９９]の合成
１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−（４−メチルフェニル）ピレン１．９ｇ、９−［３−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール２．２ｇ、リン酸三カリウム２．５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．３８ｇ、酢酸パラジウム２７ｍｇとジメチルホルムアミド４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水４０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をメタノール４０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、黄白色結晶２．３ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた黄白色結晶が化合物[１９９]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.59(s, 9H), 2.49(s, 3H), 7.26-8.31(m, 23H)
なお、この化合物[１９９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２３０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．４％、昇華精製後が９９．６％であった。

実施例２３
化合物[２４５]の合成
１，６−ジブロモピレン４ｇ、４−メチルフェニルボロン酸３．８ｇ、リン酸三カリウム１２ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド２ｇ、酢酸パラジウム３０ｍｇとジメチルホルムアミド６０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水６０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をエタノール６０ｍｌで洗浄した後、トルエンから再結晶し、真空乾燥して、１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン２．６ｇを得た。

次に、１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン２．６ｇとＮ−ブロモスクシンイミド１．２ｇとジメチルホルムアミド６０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６０℃で５時間撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水６０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体をトルエンから再結晶し、真空乾燥して、３−ブロモ−１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン１．４ｇを得た。

次に、３−ブロモ−１，６−ビス（４−メチルフェニル）ピレン１．０ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール１．０４ｇ、リン酸三カリウム１．２ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．１８ｇ、酢酸パラジウム１０ｍｇとジメチルホルムアミド２０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で５時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３０ｍｌを注入し、ろ過した。得られた固体をエタノール３０ｍｌで洗浄した後、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、淡黄色結晶を得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[２４５]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.50(ss, 6H), 7.29-7.49(m, 8H), 7.53-7.63(m, 6H), 7.72-7.90 (m, 4H), 7.99-8.09 (m, 3H), 8.16-8.30 (m, 6H)
なお、この化合物[２４５]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２７０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．６％であった。

参考例４
化合物[２６７]の合成
１−ブロモピレン２．０ｇ、４−ｔ−ブチルフェニルボロン酸１．９ｇ、リン酸三カリウム３．１ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．４６ｇ、酢酸パラジウム７０ｍｇとジメチルホルムアミド７０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で２時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水３５０ｍＬに注入し、析出した固体をろ取した。得られた固体をジクロロメタンに溶解し、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン１．９ｇ得た。

１−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン１．９ｇとシクロヘキサン６０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、８０℃で加熱攪拌して溶解し、ジ−μ−メトキシビス［（η−シクロオクタ−１，５−ジエン）イリジウム（Ｉ）］０．１９ｇを加え、窒素気流下、８０℃で５分間加熱攪拌し、４，４‘−ジｔ−ブチル−２，２’−ビピリジン０．１６ｇを加え、窒素気流下、８０℃で９．５時間加熱攪拌した。溶液を室温に冷却した後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、２−［１−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン−７−イル］−４，４，５，５−テトラメチル１，３，２−ジオキサボロラン０．６１ｇ得た。

２−［１−（４−ｔ−ブチルフェニル）ピレン−７−イル］−４，４，５，５−テトラメチル１，３，２−ジオキサボロラン０．６１ｇ、ブロモベンゼン０．２８ｍＬ、リン酸三カリウム１．２ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．１８ｇ、酢酸パラジウム１４ｍｇとジメチルホルムアミド１５ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で８時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水７５ｍＬに注入し、析出した固体をろ取した。得られた固体をジクロロメタンに溶解し、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−７−フェニルピレン０．４９ｇ得た。

１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−７−フェニルピレン０．４９ｇ、ジクロロメタン１２０ｍｌとメタノール４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン１０ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド０．５２ｇを滴下した。この混合溶液を室温で５時間撹拌した後、ジクロロメタン１００ｍＬを加え、水（２００ｍＬ，２×１００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−３−ブロモ−７−フェニルピレンと位置異性体の混合物０．５２ｇを得た。

１−（４−ｔ−ブチルフェニル）−３−ブロモ−７−フェニルピレンと位置異性体の混合物０．５２ｇ、９−［４−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラン−２−イル）フェニル］カルバゾール０．５９ｇ、リン酸三カリウム０．４５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド７２ｍｇ、酢酸パラジウム１０ｍｇとジメチルホルムアミド２０ｍＬの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で５時間加熱撹拌した。室温に冷却した後、水７５ｍＬに注入し、析出した固体をろ取した。得られた固体をジクロロメタンに溶解し、水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、白色固体０．５４ｇを得た。得られた固体に酢酸エチル２０ｍＬを加え、この懸濁液を加熱攪拌した。室温に冷却した後、ろ過し、真空乾燥した後、白色固体０．２１ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色結晶が化合物[２６７]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：8.34-8.03(m, 9H), 7.62-7.28(m, 19H), 1.47(s, 9H)
ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は９９．８％であった。

実施例２４
化合物[２８３]の合成
１，６−ジブロモピレン２ｇ、４−メチル−１−ナフタレンボロン酸２ｇ、リン酸三カリウム２．９ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．５９ｇ、酢酸パラジウム４０ｍｇとジメチルホルムアミド１００ｍｌとの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で９時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５００ｍｌを注入し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレ−トにより濃縮した。得られた濃縮物をトルエンで再結晶し、７０℃下で真空乾燥して、１，６−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン１．７ｇを乳白色粉末として得た。

上記１．７ｇの１，６−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン、Ｎ−ブロモスクシンイミド０．５４ｇ、ジメチルホルムアミド３０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、６０℃で６時間撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレ−トにより濃縮した。得られた濃縮物をトルエンで再結晶し、７０℃下で真空乾燥して、１−ブロモ−３，８−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン１．５ｇを淡黄色粉末として得た。

上記１ｇの１−ブロモ−３，８−ジ（４−メチルナフタレン−１−イル）ピレン、４−ジベンゾフランボロン酸０．４ｇ、リン酸三カリウム０．６６ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド０．１ｇ、酢酸パラジウム７ｍｇとジメチルホルムアミド１６ｍｌとの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で６時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン７０ｍｌで抽出した。有機層を水２０ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、７０℃下で真空乾燥して、淡黄色結晶０．６１ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた淡黄色結晶が化合物[２８３]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d＝ppm））：2.65（ss，6H）, 7.05-8.15(m, 25H), 8.26(s, 1H)
なお、この化合物[２８３]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２７０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．５％、昇華精製後が９９．８％であった。

参考例５
化合物[３１２]の合成
１−ブロモピレン５ｇ、Ｎ−ブロモスクシンイミド７．９ｇ、ジメチルホルムアミド１４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、８０℃で１０時間撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水４００ｍｌを注入し、析出物をろ過した。ろ別した固体を水５０ｍｌ、メタノール１００ｍｌ、ジクロロメタン２００ｍｌで洗浄した後、７０℃下で真空乾燥し、１，３，６−トリブロモピレン６．１ｇを淡黄土色粉末として得た。

上記４ｇの１，３，６−トリブロモピレン、４−ジベンゾフランボロン酸７．７ｇ、リン酸三カリウム１１．６ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１．８ｇ、酢酸パラジウム０．１２ｇとジメチルホルムアミド２７０ｍｌとの混合溶液を窒素気流下、１３０℃で９時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水８００ｍｌを注入し、ジクロロメタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートにより濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、７０℃下で真空乾燥し、化合物[４８]４ｇを淡黄色粉末として得た。
得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りである。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d＝ppm））：7.28-7.85(m, 15H), 7.92-8.17(m, 10H), 8.28(dd, 2H), 8.37(s, 1H)
なお、この化合物[４９]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約３００℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．３％、昇華精製後が９９．４％であった。

実施例２５
化合物[３３８]の合成
ピレン１００ｇ、ｔ−ブチルクロリド５５．４ｇとジクロロメタン４００ｍｌの混合溶液をアルゴン気流下、０℃に冷却し、塩化アルミニウム７０．４ｇを加えた。この混合溶液を室温で５時間撹拌した後、氷５００ｇへ注入し、室温で３０分間撹拌した。混合溶液を吸引ろ過した後、ろ液をジクロロメタン３００ｍｌで２回抽出した。有機層を水３００ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮残渣にメタノール３００ｍｌを加え、８０℃にて撹拌した後、ろ過した。さらにメタノール３００ｍｌを加え、８０℃にて撹拌した後、ろ過した。真空乾燥して得られた粗生成物１１０．７ｇのうち、５９．１ｇにメタノール１５０ｍｌを加え、８５℃にて１時間撹拌した後、ろ過し、真空乾燥して、２−ｔ−ブチルピレン５０．３ｇ（含有率８３％）を得た。

次に、２−ｔ−ブチルピレン４５．０ｇ（含有率８３％）、ジクロロメタン６６０ｍｌとメタノール２２０ｍｌの混合溶液をアルゴン気流下、０℃に冷却し、ジクロロメタン１００ｍｌに溶解させたベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド５６．４ｇを滴下した。この混合溶液を室温で２．５時間撹拌した後、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド５．６４ｇを追加し、さらに１．５時間撹拌した。この混合溶液に水２５０ｍｌを注入し、有機層を分離後、水層をジクロロメタン２５０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水３００ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体にメタノール３００ｍｌを加え、撹拌した後、ろ過した。得られた固体にヘキサン２００ｍｌを加え、撹拌した後、ろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチルピレン４４．５ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチルピレン１１．０ｇ、４−メチルフェニルボロン酸５．７８ｇ、リン酸三カリウム１８．０５ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド２．７４ｇ、酢酸パラジウム１９１ｍｇとジメチルホルムアミド２２０ｍｌの混合溶液をアルゴン気流下、１３０℃で１４時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水２５０ｍｌを注入し、ジクロロメタン２５０ｍｌで抽出した。有機層を水２５０ｍｌで３回洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、真空乾燥して、７−ｔ−ブチル−１−（４−メチルフェニル）ピレン７．６３ｇを得た。

次に、７−ｔ−ブチル−１−（４−メチルフェニル）ピレン７．６３ｇ、ジクロロメタン１０５ｍｌとメタノール３５ｍｌの混合溶液をアルゴン気流下、０℃に冷却し、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド８．５４ｇを５分間で添加した。この混合溶液を室温で４時間撹拌した後、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロマイド０．８５ｇを追加し、さらに１．５時間撹拌した。反応溶液に水４０ｍｌを注入し、ジクロロメタン８０ｍｌで２回抽出した。有機層を合わせて水５０ｍｌで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、エバポレートした。得られた固体にメタノール２５ｍｌを加え、１時間撹拌してろ過し、真空乾燥して、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−（４−メチルフェニル）ピレン８．９１ｇを得た。

次に、１−ブロモ−７−ｔ−ブチル−３−（４−メチルフェニル）ピレン１．００ｇ、４−ジベンゾフランボロン酸６４５ｍｇ、リン酸三カリウム１．２９ｇ、テトラブチルアンモニウムブロミド１９６ｍｇ、酢酸パラジウム１３．７ｍｇとジメチルホルムアミド２３．５ｍｌの混合溶液をアルゴン気流下、１３０℃で３時間加熱撹拌した。溶液を室温に冷却した後、水６０ｍｌを注入し、１０分間撹拌した。析出した固体をろ過し、水２０ｍｌで３回洗浄、さらにメタノール２０ｍＬで４回洗浄した後、真空乾燥した。得られた粗生成物にヘキサン／ジクロロメタン（３０／１）１５ｍｌを加え、撹拌した後、ろ過し、減圧乾燥した。得られた固体にヘキサン／ジクロロメタン（３０／１）１０ｍｌを加え、３０分間撹拌した後、ろ過し、減圧乾燥して、白色粉末４３５ｍｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであり、上記で得られた白色粉末が化合物[３３８]であることが確認された。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.59(s, 9H), 2.49(s, 3H) , 7.34-7.43(m, 5H) , 7.55(t, 1H) , 7.62(d, 2H) , 7.69(dd, 1H) , 7.93(d, 1H) , 7.97(d, 1H) , 8.04-8.13(m, 4H) , 8.20-8.28(m, 3H)
なお、この化合物[３３８]は、油拡散ポンプを用いて１×１０^−３Ｐａの圧力下、約２５０℃で昇華精製を行ってから発光素子材料として使用した。ＨＰＬＣ純度（測定波長２５４ｎｍにおける面積％）は昇華精製前が９９．３％、昇華精製後が９９．５％であった。

実施例２６
化合物[２９]を用いた発光素子を次のように作製した。ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断した。ＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターン加工して、発光部分および電極引き出し部分を作製した。得られた基板をアセトン、“セミコクリン（登録商標）５６”（フルウチ化学（株）製）で１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、基板をイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから、熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。素子を作製する直前にこの基板を１時間ＵＶ−オゾン処理し、さらに真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。

前記基板のＩＴＯ膜上に、抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニンを１０ｎｍ、正孔輸送材料として、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを５０ｎｍ蒸着した。次に、発光材料として、ホスト材料として、化合物[２９]を、またドーパント材料として下記式に示すＤ−１を、ドープ濃度が２％になるように３５ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、下記式に示すＥ−１を２０ｎｍの厚さに積層した。以上のように形成した有機層上に、フッ化リチウムを０．５ｎｍの厚さに蒸着した後、アルミニウムを１０００ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニターの表示値である。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率４．８ｍ／Ｗの高効率青色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は７０００時間であった。

実施例２７〜９９、比較例１〜１３、参考例６〜１６
ホスト材料として表１〜３に記載した材料を用いた以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。各実施例、比較例および参考例の結果は表１〜３に示した。

なお表３のＨ−１〜Ｈ−６は下記式で表される化合物である。

実施例１００〜１１０
ドーパント材料として表４に記載した材料をドープ濃度が２％となるように用いた以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表４に示した。

なお、表４のＤ−２〜Ｄ−１０は下記式で表される化合物である。

実施例１１１〜１１７
電子輸送材料として表５に記載した材料を用いた以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。各実施例の結果は表５に示した。

なお、表５のＥ−２〜Ｅ−８は下記式で表される化合物である。

実施例１１８
ドーパント材料として下記式に示すＤ−１１をドープ濃度が２％となるように用いた以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率５．２ｌｍ／Ｗの高効率緑色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は４０００時間であった。

実施例１１９
ドーパント材料として下記式に示すＤ−１２をドープ濃度が５％となるように用いた以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率５．８ｌｍ／Ｗの高効率黄色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は１００００時間であった。

実施例１２０
発光材料として、ホスト材料として化合物[２９]を、ドーパント材料としてＤ−１２をドープ濃度が５％になるように５ｎｍの厚さに蒸着したのち、さらに発光材料として、ホスト材料として化合物[２９]を、ドーパント材料としてＤ−１をドープ濃度が２％になるように３０ｎｍの厚さに積層した以外は、実施例２６と同様にして発光素子を作製した。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動したところ、発光効率６．５ｌｍ／Ｗの高効率白色発光が得られた。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２の直流で連続駆動したところ、輝度半減時間は１００００時間であった。

実施例１２１
ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断した。ＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によって３００μｍピッチ（残り幅２７０μｍ）×３２本のストライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストライプの長辺方向片側は、外部との電気的接続を容易にするために、１．２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μｍ）まで広げてある。得られた基板をアセトン、“セミコクリン（登録商標）５６”（フルウチ化学（株）製）で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いて、基板をイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから、熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、さらに真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。

前記基板のＩＴＯ膜上に、抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルを１５０ｎｍ蒸着した。次に、ホスト材料として化合物[２９]を、またドーパント材料としてＤ−１をドープ濃度が２％になるように３５ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として、Ｅ−１を２０ｎｍの厚さに積層した。ここで言う膜厚は、水晶発振式膜厚モニターの表示値である。次に、厚さ５０μｍのコバール板にウエットエッチングによって１６本の２５０μｍ開口部（残り幅５０μｍ、３００μｍピッチに相当）を設けたマスクを、真空中でＩＴＯストライプに直交するように配置し、マスクとＩＴＯ基板が密着するように、基板の裏面から磁石をあてて固定した。そして有機層にリチウムを０．５ｎｍドーピングした後、アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して３２×１６ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。

本発明の発光素子材料は、発光素子等に利用可能で、薄膜安定性に優れた発光素子材料を提供できる。本発明によれば、高い発光効率と優れた耐久性を有する発光素子が得られる。本発明の発光素子は、表示素子、フラットパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、看板、電子写真機および光信号発生器などの分野に利用可能である。

Claims (9)

1. 一般式（１）で表されるピレン化合物を含有する発光素子材料。
   

   

   （Ｒ^１〜Ｒ^１８は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。ｎは１〜２の整数であり、一般式（１）で表されるピレン化合物は分子中にジベンゾフラン基またはジベンゾチオフェン基をｎ個有する。Ｘは−Ｏ−および−Ｓ−の中から選ばれた基である。Ｙは単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうちいずれかｎ個およびＲ^１１〜Ｒ^１９のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１）、（Ｂ１）のいずれかを満たす。（Ａ１）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、Ｙの少なくとも１つがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。）
2. 一般式（１’）で表されるピレン化合物を含有する発光素子材料。
   

   

   （Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１８ は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。ｎは１であり、一般式（１’）で表されるピレン化合物は分子中にジベンゾフラン基またはジベンゾチオフェン基を１個有する。Ｘは−Ｏ−および−Ｓ−の中から選ばれた基である。Ｙは単結合、アリーレン基またはヘテロアリーレン基である。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１０ のうちいずれかｎ個およびＲ ^１１ 〜Ｒ ^１９ のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１’）、（Ｂ１’）のいずれかを満たす。（Ａ１’）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１’）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。）
3. 一般式（１’’）で表されるピレン化合物を含有する発光素子材料。
   

   

   （Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１８ は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ ^１１ 〜Ｒ ^１８ は、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。ｎは１であり、一般式（１’’）で表されるピレン化合物は分子中にカルバゾール基を１個有する。Ｘは−ＮＲ ^１９ −である。Ｒ ^１９ は、水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ ^１９ は、Ｒ ^１１ またはＲ ^１８ と結合し環を形成してもよい。Ｙは単結合、アリーレン基（ただしフルオレニレン基を含む構造を除く）またはヘテロアリーレン基である。Ｒ ^１ 〜Ｒ ^１０ のうちいずれかｎ個およびＲ ^１１ 〜Ｒ ^１９ のうちいずれか１つは、Ｙとの連結に用いられる。また、以下の（Ａ１’’）、（Ｂ１’’）のいずれかを満たす。（Ａ１’’）Ｒ ^１ がアリール基またはヘテロアリール基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。（Ｂ１’’）Ｒ ^２ がアルキル基またはシクロアルキル基であり、ＹがＲ ^６ もしくはＲ ^８ の位置で連結する。）
4. 一般式（１）、（１’）、（１’’）におけるＲ^１１〜Ｒ^１８の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基の中から選ばれた基であるか、もしくはＲ^１１〜Ｒ^１８のうちの隣接する少なくとも２つが結合して環を形成している請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子材料。
5. ピレン化合物が、一般式（２）で表される化合物である請求項３記載の発光素子材料。
   

   

   （Ｒ^２０〜Ｒ^３６は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基およびアミノ基の中から選ばれた基である。Ｒ ^２９ 〜Ｒ^３６は、隣接する置換基同士で環を形成してもよい。Ａｒは、単結合、アリーレン基（ただしフルオレニレン基を含む構造を除く）またはヘテロアリーレン基である。また、以下の（Ａ２）、（Ｂ２）のいずれかを満たす。（Ａ２）Ｒ ^２２ およびＲ ^２４ の少なくとも１つがアリール基またはヘテロアリール基である。（Ｂ２）Ｒ ^２３ がアルキル基またはシクロアルキル基である。）
6. 一般式（２）におけるＲ^２９〜Ｒ^３６の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基およびヘテロアリール基の中から選ばれた基であるか、もしくはＲ^２９〜Ｒ^３６のうちの隣接する少なくとも２つが結合して環を形成している請求項５に記載の発光素子材料。
7. 陽極、陰極および該陽極と該陰極の間に存在する有機層を有し、該有機層は少なくとも発光層を含み、該発光層が電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該有機層が請求項１〜６のいずれかに記載の発光素子材料を含有する発光素子。
8. 発光層がホスト材料とドーパント材料を含み、かつ、ホスト材料が請求項１〜６のいずれかに記載の発光素子材料である請求項７に記載の発光素子。
9. 発光層と陰極の間にさらに電子輸送層が存在し、該電子輸送層が、電子受容性窒素を含み、さらに炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素およびリンの中から選ばれる元素で構成されるヘテロアリール環構造を有する化合物を含有する請求項７または８に記載の発光素子。