JP4581187B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4581187B2 JP4581187B2 JP2000176215A JP2000176215A JP4581187B2 JP 4581187 B2 JP4581187 B2 JP 4581187B2 JP 2000176215 A JP2000176215 A JP 2000176215A JP 2000176215 A JP2000176215 A JP 2000176215A JP 4581187 B2 JP4581187 B2 JP 4581187B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- insulating layer
- display device
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 128
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 8-quinolinol aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007363 ring formation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/122—Ionic conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特には表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を用いてなるアクティブマトリックス型の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイに適する表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を表示素子として用いた表示装置のうち、各画素に有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦＴと記す）を設けてなるアクティブマトリックス型の表示装置は、基板上に設けられたＴＦＴ及び配線を覆う状態で平坦化絶縁膜が設けられ、この平坦化絶縁膜上に有機ＥＬ素子が設けられている。また、有機ＥＬ素子と配線とは、平坦化絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。
【０００４】
平坦化絶縁膜としては、例えば特開平 10-189252に開示されるように、ポリイミドのような樹脂材料をスピンコート法によって塗布したもの、さらには酸化シリコン系材料膜や窒化シリコン系材料膜をＣＶＤ(chemical vapor deposition）法によって成膜し、ポリマーコーティングを行った後、ＲＩＥ（reactive ion etching）によって全面エッチバックしたものが用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような表示装置においては、次のような課題があった。
すなわち、スピンコート法のような塗布によって形成される平坦化絶縁膜は、その大部分が有機材料からなるか、または有機材料を含んでいるため、吸水性が高い。例えば、市販されているコーティング液を用いて塗布形成されたポリイミド膜の吸水率は１％〜３％程度にもなる。ところが、表示素子として用いられる有機ＥＬ素子は、その発光部が有機物からなるものであるため、吸湿によって発光強度が低下したり、駆動電圧が上昇するなどの不具合が発生し易い。このため、上述のような吸湿性の高い材料を平坦化絶縁膜として用いた場合には、この平坦化絶縁膜から徐々に放出される水分が表示素子の表示性能に対して大きな影響を及ぼすことになり、表示装置として十分な長期信頼性を得ることができなかった。また、吸湿による表示素子の劣化は、表示装置の製造工程中にも進行するため、平坦化絶縁膜からの水分放出は、表示装置の歩留まりを低下させる要因にもなっている。
【０００６】
一方、ＣＶＤ法による成膜とＲＩＥによるエッチバックによる平坦化絶縁膜の形成では、その後この平坦化絶縁膜上に形成される有機ＥＬ素子にとって必要十分な平坦性を得ることが難しい。特に、ＲＩＥによる全面エッチバックでは、被エッチング膜の弱い部分が選択的にエッチングされる。このため、配線等の埋め込みによって形成される大きな凹凸は緩和されるが、完全に平坦ではない被エッチング膜の初期表面においては被エッチング膜のグレイン形状を強調するようにエッチングが進み、エッチバックされた膜の平坦性がさらに悪化する。また、大面積の基板を用いた場合、基板の全面において均一な平坦性を得ることはかなり困難である。
【０００７】
そして、このように平坦性が不十分な平坦化絶縁膜上に表示素子を設けた場合、この表示素子を構成する各層の膜厚を均一にすることが困難になるため、均一な表示特性を得ることが難しくなる。特に、表示素子として用いられる有機ＥＬ素子は、その発光部が極薄い有機膜で構成されているため、膜厚のばらつきが表示特性に対して影響を及ぼし易く、例えば駆動時に膜厚の薄い部分に局所的に電解が集中して漏れ電流が発生するなどの不具合が発生し、安定した表示を行うことが困難になる。
【０００８】
そこで本発明は、このような課題を解決し、簡素な工程で、歩留まり及び長期信頼性に優れた、アクティブマトリックス型の表示装置に適する表示装置の製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による表示装置の製造方法は、基板上の配線による凹凸を覆う状態で当該基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられた表示素子とを備えてなる表示装置を製造するものであって、層間絶縁膜を設ける工程は、有機物を含む材料からなる平坦化絶縁層および無機材料からなるコート層を続けて成膜する工程と、平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成する工程と、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成する工程と、接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックする工程とを含むようにしたものである。
【００１０】
このような構成の表示装置では、平坦化絶縁層が、有機物を含む材料で構成されているため、この平坦化絶縁層を平坦性に優れた塗布膜として形成することができる。このため、この平坦化絶縁層を覆うコート層と共に平坦性に優れた層間絶縁膜が構成され、この上部に表示素子を設けることができ、当該表示素子を構成する各層の膜厚が均一化される。しかも、コート層を無機材料で構成したことで、平坦化絶縁層を構成する有機物から放出されるガス成分（例えば水蒸気）に対してこのコート層がバリアとなり、このコート層上に設けられた表示素子側へのガス成分（特に水蒸気）の供給が防止され、表示素子の吸湿による劣化が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置の実施の形態を、図面に基づいて説明する。尚、ここでは、表示素子として有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置に本発明を適用した実施の形態を説明する。
【００１２】
図１に示す表示装置は、例えばガラス材料からなる基板１上に、ボトムゲート型（トップゲート型でも良い）のＴＦＴ２が行列状に設けられており、これらのＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３が形成されている。また、この絶縁膜３上には、ここでの図示を省略した接続孔を介してＴＦＴ２に接続された配線４が設けられており、この配線４が基板１表面における最大の凹凸となっている。
【００１３】
そして、絶縁膜３上には、この配線４を埋め込む状態で層間絶縁膜６が設けられている。この層間絶縁膜６は、配線４を埋め込む状態で絶縁膜３上に形成された平坦化絶縁層６ａと、その上層のコート層６ｂとからなる多層構造に構成されている。ここで、平坦化絶縁層６ａは、ＳＯＧや樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、有機シリカ膜）のような有機物を用いて得られる材料からなり、スピンコート法のような塗布法によって形成された塗布膜であることとする。一方、コート層６ｂは、平坦化絶縁層６ａからのガス放出を抑えることのできるガスバリア性のある絶縁材料を用いて構成されることとし、酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）または酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の無機材料を用いて、単層または多層構造に構成されている。また、このコート層６ｂは、平坦化絶縁層６ａからのガスの放出を十分に抑えることができる膜厚を有している。
【００１４】
このような多層構造に構成された層間絶縁膜６には、配線４に達する接続孔７が設けられている。ただし、接続孔７の側周壁はコート層６ｂで覆われており、平坦化絶縁膜６ａの上面及び接続孔７内に臨む面がコート層６ｂで完全に覆われた状態になっている。このため、図２に示すように、平坦化絶縁層に形成された開口部７ａの底面開口の内側に、コート層の開口部７ｂが設けられていることになる。尚、図２においては、接続孔７の開口形状を円形で示したが、接続孔７の開口形状はこれに限定されることはなく、正方形を含む矩形形状や、多角形でも良い。
【００１５】
そして、この接続孔７を介して、配線４に接続された状態で、層間絶縁膜６上に有機ＥＬ素子１０が設けられている。この有機ＥＬ素子１０は、例えば基板１と反対側から発光光を放出する上面発光型であり、接続孔７を介して配線４に接続された下部電極１１、下部電極１１の周縁を覆う状態で設けられた絶縁層１２、下部電極１１上に設けられた有機層１３、この上部に設けられた上部電極１４及び透明電極１５によって構成されている。尚、この有機ＥＬ素子１０は、基板１側から光を取り出す透過型であっても良い。
【００１６】
次に、図３及び図４の工程断面図を用いてこの表示装置の各構成要素の詳細をその製造工程順に説明する。
【００１７】
先ず、図３（１）に示すように、例えば透明ガラスからなる基板１上にボトムゲート型のＴＦＴ２を形成し、このＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３を形成する。次に、この絶縁膜３にここでは図示を省略した接続孔を形成した後、この接続孔を介してＴＦＴ３に接続される配線４を絶縁膜３上に形成する。この配線４は、ＴＦＴ２間または、後の工程で形成される有機ＥＬ素子とＴＦＴ２とを接続するためのものであり、例えば１．０μｍ程度の高さのアルミニウム配線として形成される。この配線４の形成が、基板１表面における凹凸の最大の要因になる。
【００１８】
次に、図３(２)に示すように、配線４の形成による凹凸を平坦化するために、上部に配線４が形成された絶縁膜３上に、配線４による凹凸を埋め込む状態で平坦化絶縁層６ａを形成する。この平坦化絶縁層６ａは、ポジ型の感光性ポリイミドからなる。また、絶縁膜３上への平坦化絶縁層６ａの形成は、この感光性ポリイミドを回転数３２００ｒｐｍでスピンコート法によって塗布することで行われる。また、塗布後、直ちにホットプレート上にて９０℃，１０分のプリベークを行う。そして、プリベーク後における平坦化絶縁層６ａの塗布膜厚を２．４μｍ程度とし、この平坦化絶縁層６ａによって配線４を埋め込むこととする。
【００１９】
以上の後、露光装置を用いて平坦化絶縁層６ａに対してパターン露光を行い、露光部分を現像液に対して可溶にする。このパターン露光においては、例えば近接（プロキシミティ）露光装置を用い、露光量を５００ｍJとする。
【００２０】
次に、パターン露光後の平坦化絶縁層６ａに対してシャワー回転式現像装置を用いて現像処理を行い、露光部を現像液に溶解させて除去する。この際、現像液として、ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide）２．３８％水溶液（例えば東京応化製ＭＮＤ−３）を用い、現像時間を３分程度にする。
【００２１】
以上の一連のリソグラフィー処理によって、平坦化絶縁層６ａを所定形状にパターニングし、配線４に達する開口部７ａを形成する。
【００２２】
その後、平坦化絶縁層６ａを構成する感光性ポリイミドのイミド化（環化）を進めるための本焼成をクリーンベーク炉にて行う。この際、窒素雰囲気中にて１７０℃で６０分の焼成後、３５０℃で３０分の焼成を行う。尚、本焼成後における平坦化絶縁層６ａの膜厚は２.０μｍ程度となり、この平坦化絶縁層６ａによって配線４が埋め込まれる。この際、平坦化絶縁層６ａ表面の平坦性（凸部と凹部の最大高低差）は約０．３μｍ、吸水率は１．５重量％程度になる。
【００２３】
ここで、平坦化絶縁層６ａは、スピンコート法やその他の塗布法によって形成される塗布膜であれば、上記感光性ポリイミドからなるものに限定されることはなく、感光性を持たない樹脂材料膜や、ＳＯＧ（spin on glass）膜であっても良い。ただし、感光性を持たない材料で平坦化絶縁層６ａを形成する場合には、平坦化絶縁層６ａを形成した後にこの平坦化絶縁層６ａ上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁層６ａをエッチングすることで開口部７ａを形成することとする。
【００２４】
以上のようにして、平坦化絶縁層６ａに開口部７ａを形成した後、図３（３）に示すように、開口部７ａの内壁を含む平坦化絶縁層６ａの露出表面を覆う状態で、コート層６ｂを形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ(chemical vapor deposition）法によって酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなるコート層６ｂを形成する。この際、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）及び亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）を用い、成膜温度を３２０℃、成膜雰囲気内ガス圧力を５０Ｐａに設定した成膜を行う。そして、十分なガスバリア性が得られ、かつ加工が容易に行える範囲の膜厚（ここでは５００ｎｍ）を有する酸化シリコンからなるコート層６ｂを形成する。この、コート層６ｂの成膜方法は、プラズマＣＶＤ法に限定されることはないが、十分なガスバリア性を有する膜が得られる成膜方法を適用することが望ましい。
【００２５】
次に、このコート層６ｂ上に、ここでの図示を省略したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして平坦化絶縁層６ａに形成した開口部７ａの底面のコート層６ｂ部分をエッチング除去し、このコート層６ｂに開口部７ｂを形成する。この際、図２に示したように、平坦化絶縁層６ａに形成された開口部７ａの底面開口よりも内側に、コート層６ｂの開口部７ｂが設けられるようにする。また、酸化シリコンからなるコート層６ｂのエッチングは、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチング、またはフッ素系ガス（例えば四フッ化メタン：ＣＦ4 ）を用いたドライエッチングによって行われる。
【００２６】
以上によって、平坦化絶縁層６ａの露出表面をコート層６ｂで覆った状態を保ちつつ、平坦化絶縁層６ａとこれを覆うコート層６ｂとからなる層間絶縁膜６に、配線４に達する接続孔７を形成する。
【００２７】
尚、平坦化絶縁層６ａとこれを覆うコート層６ｂとからなり、側周壁がコート層６ｂで覆われた接続孔７の層間絶縁膜６の形成方法は、上述した手順に限定されることはなく、次のような手順での形成も可能である。
【００２８】
先ず、平坦化絶縁層とコート層とを続けて成膜した後、レジストパターンをマスクに用いたエッチングによって、この平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成する。次に、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成し、接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックする。これによって、平坦化絶縁層の上部がコート層で覆われ、接続孔の内壁が第２コート層で覆われた平坦化絶縁膜が得られる。このような方法では、接続孔を形成するためのレジストパターンの形成を一回行えばよく、マスク工程を削減できる。また、マスク合わせを行う必要がないため、微細化に適している。
【００２９】
以上のような方法の中から選択された方法によって、配線４に達する接続孔７を設けた層間絶縁膜６を形成した後、次にようにして、この層間絶縁膜６上（すなわちコート層６ｂ上）に有機ＥＬ素子１０を形成する。尚、ここでは、一例として基板１と反対側から発光光を放出する上面発光型の有機ＥＬ素子を形成する場合を説明するが、本発明はこれに限定されることはなく、基板１側から光を取り出す透過型の有機ＥＬ素子を形成しても良い。
【００３０】
先ず、図３（４）に示すように、コート層６ｂ上に、金属（例えばＣｒ）からなる下部電極１１を、接続孔７を介して配線４に接続させる状態で形成する。この下部電極１１は、有機ＥＬ素子の陽極として用いられることとする。
【００３１】
この下部電極７を形成するには、先ず、ＤＣスパッタ法によって、膜厚２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を成膜する。この際、例えば、スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）用い、スパッタ雰囲気内圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに設定して成膜を行う。次に、通常のリソグラフィー技術を用いて形成したレジストパターンをマスクに用いてクロム膜をエッチングし、これによって所定形状にパターニングされたクロムからなる下部電極１１を得る。
【００３２】
クロム膜のエッチングには、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液系のエッチング液、例えばＥＴＣＨ−１〔三洋化成工業（株）製商品名〕を用いたウェットエッチングを行うことで、高精度にかつ再現性良いエッチング加工を行うこととする。ただし、さらに加工精度が要求される場合には、ドライエッチングを行うこととする。クロム膜のドライエッチングを行う場合には、例えばエッチングガスとして塩素(Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いる。この際特に、ＲＩＥ（reactive ion etching）を行うことで、高精度の加工が可能になると共に、エッチング側壁の形状を制御することが可能になる。例えば、所定のエッチング条件でエッチングすることによって、エッチング側壁をテーパ形状にすることができるため、この下部電極１１と以降の工程で形成する上部電極との間のショートを低減できる。
【００３３】
次に、図４(１)に示すように、下部電極１１上に開口部１２ａを有し、かつ下部電極１１の周縁を覆う形状の絶縁層１２を形成する。この絶縁層１２を構成する材料に特に限定はないが、ここでは例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いることとする。
【００３４】
この絶縁層１２を形成するには、先ず、例えばスパッタリングによって膜厚２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、次に通常のリソグラフィー技術を用いてこの酸化シリコン膜上にレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクに用いて酸化シリコン膜をエッチングすることで、下部電極１１上に開口部１２ａを有し、かつその周縁を覆う形状の絶縁層１２を得る。この際のエッチングとしては、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチング、またはドライエッチングを行うことができる。尚、この絶縁層１２は、必要に応じて形成されれば良く、この絶縁層１２を設けることによって、下部電極１１と以降の工程で形成する上部電極との間のショートを防止することが可能になる。また、この絶縁層１２を設けた場合には、絶縁層１２の開口部１２ａが有機ＥＬ素子の発光部分となる。
【００３５】
次に、図４(２)に示すように、必要に応じて絶縁層１２が形成された基板１を真空蒸着装置（図示省略）内に搬入し、マスクＡ上からの真空蒸着によって、各下部電極１１上をそれぞれ独立した状態で覆う形状の有機層１３を形成する。この際、絶縁層１２の縁部分も有機層１３で覆われるようにマスクＡを設計することで、下部電極１１が有機層１３で完全に覆われるようにする。また、この有機層１３は、ここでの図示を省略した有機正孔注入層、有機正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた有機発光層を下層から順に積層してなる。
【００３６】
このような構成の有機層１３の一例としては、有機正孔注入層としてＭＴＤＡＴＡ〔4,4',4"-トリス（3-メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕を３０ｎｍの膜厚に形成し、有機正孔輸送層としてα−ＮＰＤ〔ビス（N-ナフチル）-N-フェニルベンジジン〕を２０ｎｍの膜厚に形成し、有機発光層としてＡｌｑ３（８−キノリノールアルミニウム錯体）を５０ｎｍの膜厚に形成して用いる。
【００３７】
また、有機層１３の真空蒸着においては、それぞれの材料０．２ｇを抵抗加熱用の各ボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰囲気内を１．０×１０-4Ｐａにまで減圧した後、各ボートに電圧を印加することで、各ボート内の材料を順次蒸着させる。また、マスクＡには、金属マスクを用いることとする。
【００３８】
次に、図４（３）に示すように、マスクを取り除いた真空蒸着によって、基板１の上方の全面に、有機層１３及び絶縁層１２を覆う上部電極１４を形成する。この上部電極１４は、有機ＥＬ素子の陰極として用いられるもので、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ：Ａｇ）で構成される。この上部電極１４の膜厚は、例えば１０ｎｍであることとする。尚、この上部電極１４の真空蒸着は、有機層１３の真空蒸着を行った真空蒸着装置内にて連続して行われる。
【００３９】
このような上部電極１４の真空蒸着においては、マグネシウム０．１ｇ、銀０．４ｇを各ボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰囲気内を１．０×１０-4Ｐａにまで減圧した後、各ボートに電圧を印加することで、ボート内のマグネシウム及び銀を共蒸着させる。この際、マグネシウムと銀の成膜速度の比が、９：１程度になるようにする。
【００４０】
以上の後、図１に示したように、上部電極１４上に、透明電極膜１５を成膜する。ここでは、この透明電極膜１５として、室温成膜で良好な導電性を示すインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）系の透明導電性材料を用いることとする。このような材料からなる透明電極膜１５の成膜は、例えばＤＣスパッタ法によって行うこととする。この際の成膜条件の一例としては、スパッタガスにアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガス（体積比Ａｒ：Ｏ2＝１０００：５）を用い、スパッタ雰囲気内圧力を０．３Ｐａ、ＤＣ出力を４０Ｗに設定し、膜厚２００ｎｍの透明電極膜１５を成膜する。
【００４１】
以上のようにして、下部電極（陽極）１１、有機層１３、上部電極（陰極）１４及び透明電極膜１５を順次積層してなる複数の有機ＥＬ素子１０を、表示素子として層間絶縁膜６上に形成する。これらの有機ＥＬ素子１０は、層間絶縁膜６に形成された接続孔７及び配線４を介して各ＴＦＴ２に接続されたものとなる。
【００４２】
また、以上のようにして、表示素子として設けられた各有機ＥＬ素子１０にこれを駆動するためのＴＦＴ２を接続してなるアクティブマトリックス型の表示装置が得られる。
【００４３】
以上説明した構成の表示装置では、平坦化絶縁層６ａが、スピンコート法のような塗布法によって形成されたものであるため平坦性に優れ、この平坦化絶縁層６ａを覆うコート層６ｂと共に平坦性に優れた層間絶縁膜６によって配線４が埋め込まれたものとなる。そして、この平坦性に優れた層間絶縁膜６上に有機ＥＬ素子１０を設けることができる。したがって、この有機ＥＬ素子１０は、膜厚均一性に優れた各有機層薄膜を有し、下部電極１１−上部電極１４間のショートが防止されると共に発光面内における発光の均一性が図られ、安定した表示特性を示すものとなる。
【００４４】
しかも、平坦化絶縁層６ａを覆うコート層６ｂを無機材料で構成したことで、塗布膜からなる平坦化絶縁層６ａから放出されるガス成分（例えば水蒸気）に対してこのコート層６ｂがバリアとなり、このコート層６ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子１０側へのガス成分（特に水蒸気）の放出が防止される。また、層間絶縁膜６に設けられたコンタクトホール７の側周壁がコート層６ｂで覆われているため、コンタクトホール７の側周壁から有機ＥＬ素子１０側への水分放出もが防止される。したがって、製造工程中における有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化、及び長期駆動に際しての有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化を防止することができる。以上の結果、アクティブマトリックス型の表示装置における歩留まりの向上と長期信頼性の向上とを図ることが可能になる。
【００４５】
また、層間絶縁膜６に設けられたコンタクトホール７の側周壁をコート層６ｂで覆ったことで、コンタクトホール７の上部に有機ＥＬ素子１０を配置した構成であっても、この有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化を防止することが可能になる。
【００４６】
次に、以上のようにして得られた表示装置の評価結果を示す。ここでは、実施例として、上記実施形態で説明した構成の表示装置における表示素子（有機ＥＬ素子）の駆動電圧、駆動電流、初期駆動時の発光輝度、及び大気中における１００時間駆動後の発光輝度を測定した。また、比較例１として、基板上に直接形成された有機ＥＬ素子に関して上記各値を測定した。さらに従来構造の表示装置に相当する比較例２として、平坦化絶縁層のみからなる層間絶縁膜上に直接形成された有機ＥＬ素子に関して上記各値を測定した。下記表１には、これらの測定結果を示す。尚、比較例１、比較例２における平坦化絶縁層、及び有機ＥＬ素子は、実施例の表示装置における各部材と同様に形成した。
【００４７】
【表１】
【００４８】
この表１に示すように、初期駆動時の輝度（初期の輝度）を比較すると、実施例の有機ＥＬ素子では、層間絶縁膜が設けられていない比較例１の有機ＥＬ素子と同程度にこの値が高く保たれることが分かる。これに対して、平坦化絶縁層上に直接形成された比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例及び比較例１の有機ＥＬ素子と比較して、この値が低いことがわかる。この結果から、実施例の表示装置においては、平坦化絶縁層上にコート層を設けたことで、その製造工程において平坦化絶縁層から有機ＥＬ素子側への水分の放出が抑えられ、吸湿による有機ＥＬ素子の劣化が防止されることが確認できた。したがって、実施例の表示装置は、従来の表示装置と比較して歩留まりの向上が図られていることが確認できた。
【００４９】
また、１００時間駆動後の輝度（１００ｈｒ後の輝度）を比較すると、実施例の有機ＥＬ素子では、層間絶縁膜が設けられていない比較例１の有機ＥＬ素子と同程度にこの値が高く保たれることが分かる。これに対して、平坦化絶縁層上に直接形成された比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例及び比較例１の有機ＥＬ素子と比較して、この値が低いことがわかる。この結果から、実施例の表示装置においては、平坦化絶縁層上にコート層を設けたことで、長期の駆動に際して平坦化絶縁層から有機ＥＬ素子側への水分の放出が抑えられ、吸湿による有機ＥＬ素子の劣化が防止されることが確認できた。したがって、実施例の表示装置は、従来の表示装置と比較して長期信頼性に優れていることが確認できた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の表示装置の製造方法によれば、層間絶縁膜を設ける工程において、有機物を含む材料からなる平坦化絶縁層および無機材料からなるコート層を続けて成膜し、この平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成したのち、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成し、この接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックするようにしたので、接続孔の内壁が第２コート層で覆われた平坦化絶縁膜が得られる。よって、接続孔を形成するためのレジストパターンの形成を一回行えばよく、マスク工程を削減できる。また、マスク合わせを行う必要がないため、微細化に適している。更に、平坦化絶縁層とコート層との多層構造からなる層間絶縁膜上に表示素子を設けることで、例えばアクティブマトリックス型の表示装置のように配線による凹凸を有する基板上であっても、この層間絶縁膜を介して形成された表示素子の表示特性の安定化を図ると共に吸湿による劣化を防止することが可能になる。したがって、簡素な工程で、表示装置における歩留まりの向上及び長期信頼性の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置の一構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の表示装置の一構成例を示す要部平面図である。
【図３】実施形態の表示装置の製造手順を示す断面工程図（その１）である。
【図４】実施形態の表示装置の製造手順を示す断面工程図（その２）である。
【符号の説明】
１…基板、４…配線、６…層間絶縁膜、６ａ…平坦化絶縁層、６ｂ…コート層、７…接続孔、１０…有機ＥＬ素子（表示素子）
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の製造方法に関し、特には表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を用いてなるアクティブマトリックス型の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイに適する表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を表示素子として用いた表示装置のうち、各画素に有機ＥＬ素子を駆動するための薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦＴと記す）を設けてなるアクティブマトリックス型の表示装置は、基板上に設けられたＴＦＴ及び配線を覆う状態で平坦化絶縁膜が設けられ、この平坦化絶縁膜上に有機ＥＬ素子が設けられている。また、有機ＥＬ素子と配線とは、平坦化絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続されている。
【０００４】
平坦化絶縁膜としては、例えば特開平 10-189252に開示されるように、ポリイミドのような樹脂材料をスピンコート法によって塗布したもの、さらには酸化シリコン系材料膜や窒化シリコン系材料膜をＣＶＤ(chemical vapor deposition）法によって成膜し、ポリマーコーティングを行った後、ＲＩＥ（reactive ion etching）によって全面エッチバックしたものが用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような表示装置においては、次のような課題があった。
すなわち、スピンコート法のような塗布によって形成される平坦化絶縁膜は、その大部分が有機材料からなるか、または有機材料を含んでいるため、吸水性が高い。例えば、市販されているコーティング液を用いて塗布形成されたポリイミド膜の吸水率は１％〜３％程度にもなる。ところが、表示素子として用いられる有機ＥＬ素子は、その発光部が有機物からなるものであるため、吸湿によって発光強度が低下したり、駆動電圧が上昇するなどの不具合が発生し易い。このため、上述のような吸湿性の高い材料を平坦化絶縁膜として用いた場合には、この平坦化絶縁膜から徐々に放出される水分が表示素子の表示性能に対して大きな影響を及ぼすことになり、表示装置として十分な長期信頼性を得ることができなかった。また、吸湿による表示素子の劣化は、表示装置の製造工程中にも進行するため、平坦化絶縁膜からの水分放出は、表示装置の歩留まりを低下させる要因にもなっている。
【０００６】
一方、ＣＶＤ法による成膜とＲＩＥによるエッチバックによる平坦化絶縁膜の形成では、その後この平坦化絶縁膜上に形成される有機ＥＬ素子にとって必要十分な平坦性を得ることが難しい。特に、ＲＩＥによる全面エッチバックでは、被エッチング膜の弱い部分が選択的にエッチングされる。このため、配線等の埋め込みによって形成される大きな凹凸は緩和されるが、完全に平坦ではない被エッチング膜の初期表面においては被エッチング膜のグレイン形状を強調するようにエッチングが進み、エッチバックされた膜の平坦性がさらに悪化する。また、大面積の基板を用いた場合、基板の全面において均一な平坦性を得ることはかなり困難である。
【０００７】
そして、このように平坦性が不十分な平坦化絶縁膜上に表示素子を設けた場合、この表示素子を構成する各層の膜厚を均一にすることが困難になるため、均一な表示特性を得ることが難しくなる。特に、表示素子として用いられる有機ＥＬ素子は、その発光部が極薄い有機膜で構成されているため、膜厚のばらつきが表示特性に対して影響を及ぼし易く、例えば駆動時に膜厚の薄い部分に局所的に電解が集中して漏れ電流が発生するなどの不具合が発生し、安定した表示を行うことが困難になる。
【０００８】
そこで本発明は、このような課題を解決し、簡素な工程で、歩留まり及び長期信頼性に優れた、アクティブマトリックス型の表示装置に適する表示装置の製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による表示装置の製造方法は、基板上の配線による凹凸を覆う状態で当該基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられた表示素子とを備えてなる表示装置を製造するものであって、層間絶縁膜を設ける工程は、有機物を含む材料からなる平坦化絶縁層および無機材料からなるコート層を続けて成膜する工程と、平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成する工程と、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成する工程と、接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックする工程とを含むようにしたものである。
【００１０】
このような構成の表示装置では、平坦化絶縁層が、有機物を含む材料で構成されているため、この平坦化絶縁層を平坦性に優れた塗布膜として形成することができる。このため、この平坦化絶縁層を覆うコート層と共に平坦性に優れた層間絶縁膜が構成され、この上部に表示素子を設けることができ、当該表示素子を構成する各層の膜厚が均一化される。しかも、コート層を無機材料で構成したことで、平坦化絶縁層を構成する有機物から放出されるガス成分（例えば水蒸気）に対してこのコート層がバリアとなり、このコート層上に設けられた表示素子側へのガス成分（特に水蒸気）の供給が防止され、表示素子の吸湿による劣化が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の表示装置の実施の形態を、図面に基づいて説明する。尚、ここでは、表示素子として有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリックス型の表示装置に本発明を適用した実施の形態を説明する。
【００１２】
図１に示す表示装置は、例えばガラス材料からなる基板１上に、ボトムゲート型（トップゲート型でも良い）のＴＦＴ２が行列状に設けられており、これらのＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３が形成されている。また、この絶縁膜３上には、ここでの図示を省略した接続孔を介してＴＦＴ２に接続された配線４が設けられており、この配線４が基板１表面における最大の凹凸となっている。
【００１３】
そして、絶縁膜３上には、この配線４を埋め込む状態で層間絶縁膜６が設けられている。この層間絶縁膜６は、配線４を埋め込む状態で絶縁膜３上に形成された平坦化絶縁層６ａと、その上層のコート層６ｂとからなる多層構造に構成されている。ここで、平坦化絶縁層６ａは、ＳＯＧや樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、有機シリカ膜）のような有機物を用いて得られる材料からなり、スピンコート法のような塗布法によって形成された塗布膜であることとする。一方、コート層６ｂは、平坦化絶縁層６ａからのガス放出を抑えることのできるガスバリア性のある絶縁材料を用いて構成されることとし、酸化シリコン、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）または酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の無機材料を用いて、単層または多層構造に構成されている。また、このコート層６ｂは、平坦化絶縁層６ａからのガスの放出を十分に抑えることができる膜厚を有している。
【００１４】
このような多層構造に構成された層間絶縁膜６には、配線４に達する接続孔７が設けられている。ただし、接続孔７の側周壁はコート層６ｂで覆われており、平坦化絶縁膜６ａの上面及び接続孔７内に臨む面がコート層６ｂで完全に覆われた状態になっている。このため、図２に示すように、平坦化絶縁層に形成された開口部７ａの底面開口の内側に、コート層の開口部７ｂが設けられていることになる。尚、図２においては、接続孔７の開口形状を円形で示したが、接続孔７の開口形状はこれに限定されることはなく、正方形を含む矩形形状や、多角形でも良い。
【００１５】
そして、この接続孔７を介して、配線４に接続された状態で、層間絶縁膜６上に有機ＥＬ素子１０が設けられている。この有機ＥＬ素子１０は、例えば基板１と反対側から発光光を放出する上面発光型であり、接続孔７を介して配線４に接続された下部電極１１、下部電極１１の周縁を覆う状態で設けられた絶縁層１２、下部電極１１上に設けられた有機層１３、この上部に設けられた上部電極１４及び透明電極１５によって構成されている。尚、この有機ＥＬ素子１０は、基板１側から光を取り出す透過型であっても良い。
【００１６】
次に、図３及び図４の工程断面図を用いてこの表示装置の各構成要素の詳細をその製造工程順に説明する。
【００１７】
先ず、図３（１）に示すように、例えば透明ガラスからなる基板１上にボトムゲート型のＴＦＴ２を形成し、このＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３を形成する。次に、この絶縁膜３にここでは図示を省略した接続孔を形成した後、この接続孔を介してＴＦＴ３に接続される配線４を絶縁膜３上に形成する。この配線４は、ＴＦＴ２間または、後の工程で形成される有機ＥＬ素子とＴＦＴ２とを接続するためのものであり、例えば１．０μｍ程度の高さのアルミニウム配線として形成される。この配線４の形成が、基板１表面における凹凸の最大の要因になる。
【００１８】
次に、図３(２)に示すように、配線４の形成による凹凸を平坦化するために、上部に配線４が形成された絶縁膜３上に、配線４による凹凸を埋め込む状態で平坦化絶縁層６ａを形成する。この平坦化絶縁層６ａは、ポジ型の感光性ポリイミドからなる。また、絶縁膜３上への平坦化絶縁層６ａの形成は、この感光性ポリイミドを回転数３２００ｒｐｍでスピンコート法によって塗布することで行われる。また、塗布後、直ちにホットプレート上にて９０℃，１０分のプリベークを行う。そして、プリベーク後における平坦化絶縁層６ａの塗布膜厚を２．４μｍ程度とし、この平坦化絶縁層６ａによって配線４を埋め込むこととする。
【００１９】
以上の後、露光装置を用いて平坦化絶縁層６ａに対してパターン露光を行い、露光部分を現像液に対して可溶にする。このパターン露光においては、例えば近接（プロキシミティ）露光装置を用い、露光量を５００ｍJとする。
【００２０】
次に、パターン露光後の平坦化絶縁層６ａに対してシャワー回転式現像装置を用いて現像処理を行い、露光部を現像液に溶解させて除去する。この際、現像液として、ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide）２．３８％水溶液（例えば東京応化製ＭＮＤ−３）を用い、現像時間を３分程度にする。
【００２１】
以上の一連のリソグラフィー処理によって、平坦化絶縁層６ａを所定形状にパターニングし、配線４に達する開口部７ａを形成する。
【００２２】
その後、平坦化絶縁層６ａを構成する感光性ポリイミドのイミド化（環化）を進めるための本焼成をクリーンベーク炉にて行う。この際、窒素雰囲気中にて１７０℃で６０分の焼成後、３５０℃で３０分の焼成を行う。尚、本焼成後における平坦化絶縁層６ａの膜厚は２.０μｍ程度となり、この平坦化絶縁層６ａによって配線４が埋め込まれる。この際、平坦化絶縁層６ａ表面の平坦性（凸部と凹部の最大高低差）は約０．３μｍ、吸水率は１．５重量％程度になる。
【００２３】
ここで、平坦化絶縁層６ａは、スピンコート法やその他の塗布法によって形成される塗布膜であれば、上記感光性ポリイミドからなるものに限定されることはなく、感光性を持たない樹脂材料膜や、ＳＯＧ（spin on glass）膜であっても良い。ただし、感光性を持たない材料で平坦化絶縁層６ａを形成する場合には、平坦化絶縁層６ａを形成した後にこの平坦化絶縁層６ａ上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクに用いて平坦化絶縁層６ａをエッチングすることで開口部７ａを形成することとする。
【００２４】
以上のようにして、平坦化絶縁層６ａに開口部７ａを形成した後、図３（３）に示すように、開口部７ａの内壁を含む平坦化絶縁層６ａの露出表面を覆う状態で、コート層６ｂを形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ(chemical vapor deposition）法によって酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなるコート層６ｂを形成する。この際、反応ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）及び亜酸化窒素（Ｎ2 Ｏ）を用い、成膜温度を３２０℃、成膜雰囲気内ガス圧力を５０Ｐａに設定した成膜を行う。そして、十分なガスバリア性が得られ、かつ加工が容易に行える範囲の膜厚（ここでは５００ｎｍ）を有する酸化シリコンからなるコート層６ｂを形成する。この、コート層６ｂの成膜方法は、プラズマＣＶＤ法に限定されることはないが、十分なガスバリア性を有する膜が得られる成膜方法を適用することが望ましい。
【００２５】
次に、このコート層６ｂ上に、ここでの図示を省略したレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして平坦化絶縁層６ａに形成した開口部７ａの底面のコート層６ｂ部分をエッチング除去し、このコート層６ｂに開口部７ｂを形成する。この際、図２に示したように、平坦化絶縁層６ａに形成された開口部７ａの底面開口よりも内側に、コート層６ｂの開口部７ｂが設けられるようにする。また、酸化シリコンからなるコート層６ｂのエッチングは、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチング、またはフッ素系ガス（例えば四フッ化メタン：ＣＦ4 ）を用いたドライエッチングによって行われる。
【００２６】
以上によって、平坦化絶縁層６ａの露出表面をコート層６ｂで覆った状態を保ちつつ、平坦化絶縁層６ａとこれを覆うコート層６ｂとからなる層間絶縁膜６に、配線４に達する接続孔７を形成する。
【００２７】
尚、平坦化絶縁層６ａとこれを覆うコート層６ｂとからなり、側周壁がコート層６ｂで覆われた接続孔７の層間絶縁膜６の形成方法は、上述した手順に限定されることはなく、次のような手順での形成も可能である。
【００２８】
先ず、平坦化絶縁層とコート層とを続けて成膜した後、レジストパターンをマスクに用いたエッチングによって、この平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成する。次に、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成し、接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックする。これによって、平坦化絶縁層の上部がコート層で覆われ、接続孔の内壁が第２コート層で覆われた平坦化絶縁膜が得られる。このような方法では、接続孔を形成するためのレジストパターンの形成を一回行えばよく、マスク工程を削減できる。また、マスク合わせを行う必要がないため、微細化に適している。
【００２９】
以上のような方法の中から選択された方法によって、配線４に達する接続孔７を設けた層間絶縁膜６を形成した後、次にようにして、この層間絶縁膜６上（すなわちコート層６ｂ上）に有機ＥＬ素子１０を形成する。尚、ここでは、一例として基板１と反対側から発光光を放出する上面発光型の有機ＥＬ素子を形成する場合を説明するが、本発明はこれに限定されることはなく、基板１側から光を取り出す透過型の有機ＥＬ素子を形成しても良い。
【００３０】
先ず、図３（４）に示すように、コート層６ｂ上に、金属（例えばＣｒ）からなる下部電極１１を、接続孔７を介して配線４に接続させる状態で形成する。この下部電極１１は、有機ＥＬ素子の陽極として用いられることとする。
【００３１】
この下部電極７を形成するには、先ず、ＤＣスパッタ法によって、膜厚２００ｎｍのクロム（Ｃｒ）膜を成膜する。この際、例えば、スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）用い、スパッタ雰囲気内圧力を０．２Ｐａ、ＤＣ出力を３００Ｗに設定して成膜を行う。次に、通常のリソグラフィー技術を用いて形成したレジストパターンをマスクに用いてクロム膜をエッチングし、これによって所定形状にパターニングされたクロムからなる下部電極１１を得る。
【００３２】
クロム膜のエッチングには、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液系のエッチング液、例えばＥＴＣＨ−１〔三洋化成工業（株）製商品名〕を用いたウェットエッチングを行うことで、高精度にかつ再現性良いエッチング加工を行うこととする。ただし、さらに加工精度が要求される場合には、ドライエッチングを行うこととする。クロム膜のドライエッチングを行う場合には、例えばエッチングガスとして塩素(Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いる。この際特に、ＲＩＥ（reactive ion etching）を行うことで、高精度の加工が可能になると共に、エッチング側壁の形状を制御することが可能になる。例えば、所定のエッチング条件でエッチングすることによって、エッチング側壁をテーパ形状にすることができるため、この下部電極１１と以降の工程で形成する上部電極との間のショートを低減できる。
【００３３】
次に、図４(１)に示すように、下部電極１１上に開口部１２ａを有し、かつ下部電極１１の周縁を覆う形状の絶縁層１２を形成する。この絶縁層１２を構成する材料に特に限定はないが、ここでは例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いることとする。
【００３４】
この絶縁層１２を形成するには、先ず、例えばスパッタリングによって膜厚２００ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、次に通常のリソグラフィー技術を用いてこの酸化シリコン膜上にレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをマスクに用いて酸化シリコン膜をエッチングすることで、下部電極１１上に開口部１２ａを有し、かつその周縁を覆う形状の絶縁層１２を得る。この際のエッチングとしては、例えばフッ酸とフッ化アンモニウムとの混合水溶液を用いたウェットエッチング、またはドライエッチングを行うことができる。尚、この絶縁層１２は、必要に応じて形成されれば良く、この絶縁層１２を設けることによって、下部電極１１と以降の工程で形成する上部電極との間のショートを防止することが可能になる。また、この絶縁層１２を設けた場合には、絶縁層１２の開口部１２ａが有機ＥＬ素子の発光部分となる。
【００３５】
次に、図４(２)に示すように、必要に応じて絶縁層１２が形成された基板１を真空蒸着装置（図示省略）内に搬入し、マスクＡ上からの真空蒸着によって、各下部電極１１上をそれぞれ独立した状態で覆う形状の有機層１３を形成する。この際、絶縁層１２の縁部分も有機層１３で覆われるようにマスクＡを設計することで、下部電極１１が有機層１３で完全に覆われるようにする。また、この有機層１３は、ここでの図示を省略した有機正孔注入層、有機正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた有機発光層を下層から順に積層してなる。
【００３６】
このような構成の有機層１３の一例としては、有機正孔注入層としてＭＴＤＡＴＡ〔4,4',4"-トリス（3-メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン〕を３０ｎｍの膜厚に形成し、有機正孔輸送層としてα−ＮＰＤ〔ビス（N-ナフチル）-N-フェニルベンジジン〕を２０ｎｍの膜厚に形成し、有機発光層としてＡｌｑ３（８−キノリノールアルミニウム錯体）を５０ｎｍの膜厚に形成して用いる。
【００３７】
また、有機層１３の真空蒸着においては、それぞれの材料０．２ｇを抵抗加熱用の各ボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰囲気内を１．０×１０-4Ｐａにまで減圧した後、各ボートに電圧を印加することで、各ボート内の材料を順次蒸着させる。また、マスクＡには、金属マスクを用いることとする。
【００３８】
次に、図４（３）に示すように、マスクを取り除いた真空蒸着によって、基板１の上方の全面に、有機層１３及び絶縁層１２を覆う上部電極１４を形成する。この上部電極１４は、有機ＥＬ素子の陰極として用いられるもので、例えばマグネシウムと銀との合金（Ｍｇ：Ａｇ）で構成される。この上部電極１４の膜厚は、例えば１０ｎｍであることとする。尚、この上部電極１４の真空蒸着は、有機層１３の真空蒸着を行った真空蒸着装置内にて連続して行われる。
【００３９】
このような上部電極１４の真空蒸着においては、マグネシウム０．１ｇ、銀０．４ｇを各ボートに充填して真空蒸着装置の所定の電極に取り付け、蒸着雰囲気内を１．０×１０-4Ｐａにまで減圧した後、各ボートに電圧を印加することで、ボート内のマグネシウム及び銀を共蒸着させる。この際、マグネシウムと銀の成膜速度の比が、９：１程度になるようにする。
【００４０】
以上の後、図１に示したように、上部電極１４上に、透明電極膜１５を成膜する。ここでは、この透明電極膜１５として、室温成膜で良好な導電性を示すインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）系の透明導電性材料を用いることとする。このような材料からなる透明電極膜１５の成膜は、例えばＤＣスパッタ法によって行うこととする。この際の成膜条件の一例としては、スパッタガスにアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）との混合ガス（体積比Ａｒ：Ｏ2＝１０００：５）を用い、スパッタ雰囲気内圧力を０．３Ｐａ、ＤＣ出力を４０Ｗに設定し、膜厚２００ｎｍの透明電極膜１５を成膜する。
【００４１】
以上のようにして、下部電極（陽極）１１、有機層１３、上部電極（陰極）１４及び透明電極膜１５を順次積層してなる複数の有機ＥＬ素子１０を、表示素子として層間絶縁膜６上に形成する。これらの有機ＥＬ素子１０は、層間絶縁膜６に形成された接続孔７及び配線４を介して各ＴＦＴ２に接続されたものとなる。
【００４２】
また、以上のようにして、表示素子として設けられた各有機ＥＬ素子１０にこれを駆動するためのＴＦＴ２を接続してなるアクティブマトリックス型の表示装置が得られる。
【００４３】
以上説明した構成の表示装置では、平坦化絶縁層６ａが、スピンコート法のような塗布法によって形成されたものであるため平坦性に優れ、この平坦化絶縁層６ａを覆うコート層６ｂと共に平坦性に優れた層間絶縁膜６によって配線４が埋め込まれたものとなる。そして、この平坦性に優れた層間絶縁膜６上に有機ＥＬ素子１０を設けることができる。したがって、この有機ＥＬ素子１０は、膜厚均一性に優れた各有機層薄膜を有し、下部電極１１−上部電極１４間のショートが防止されると共に発光面内における発光の均一性が図られ、安定した表示特性を示すものとなる。
【００４４】
しかも、平坦化絶縁層６ａを覆うコート層６ｂを無機材料で構成したことで、塗布膜からなる平坦化絶縁層６ａから放出されるガス成分（例えば水蒸気）に対してこのコート層６ｂがバリアとなり、このコート層６ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子１０側へのガス成分（特に水蒸気）の放出が防止される。また、層間絶縁膜６に設けられたコンタクトホール７の側周壁がコート層６ｂで覆われているため、コンタクトホール７の側周壁から有機ＥＬ素子１０側への水分放出もが防止される。したがって、製造工程中における有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化、及び長期駆動に際しての有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化を防止することができる。以上の結果、アクティブマトリックス型の表示装置における歩留まりの向上と長期信頼性の向上とを図ることが可能になる。
【００４５】
また、層間絶縁膜６に設けられたコンタクトホール７の側周壁をコート層６ｂで覆ったことで、コンタクトホール７の上部に有機ＥＬ素子１０を配置した構成であっても、この有機ＥＬ素子１０の吸湿による劣化を防止することが可能になる。
【００４６】
次に、以上のようにして得られた表示装置の評価結果を示す。ここでは、実施例として、上記実施形態で説明した構成の表示装置における表示素子（有機ＥＬ素子）の駆動電圧、駆動電流、初期駆動時の発光輝度、及び大気中における１００時間駆動後の発光輝度を測定した。また、比較例１として、基板上に直接形成された有機ＥＬ素子に関して上記各値を測定した。さらに従来構造の表示装置に相当する比較例２として、平坦化絶縁層のみからなる層間絶縁膜上に直接形成された有機ＥＬ素子に関して上記各値を測定した。下記表１には、これらの測定結果を示す。尚、比較例１、比較例２における平坦化絶縁層、及び有機ＥＬ素子は、実施例の表示装置における各部材と同様に形成した。
【００４７】
【表１】
この表１に示すように、初期駆動時の輝度（初期の輝度）を比較すると、実施例の有機ＥＬ素子では、層間絶縁膜が設けられていない比較例１の有機ＥＬ素子と同程度にこの値が高く保たれることが分かる。これに対して、平坦化絶縁層上に直接形成された比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例及び比較例１の有機ＥＬ素子と比較して、この値が低いことがわかる。この結果から、実施例の表示装置においては、平坦化絶縁層上にコート層を設けたことで、その製造工程において平坦化絶縁層から有機ＥＬ素子側への水分の放出が抑えられ、吸湿による有機ＥＬ素子の劣化が防止されることが確認できた。したがって、実施例の表示装置は、従来の表示装置と比較して歩留まりの向上が図られていることが確認できた。
【００４９】
また、１００時間駆動後の輝度（１００ｈｒ後の輝度）を比較すると、実施例の有機ＥＬ素子では、層間絶縁膜が設けられていない比較例１の有機ＥＬ素子と同程度にこの値が高く保たれることが分かる。これに対して、平坦化絶縁層上に直接形成された比較例２の有機ＥＬ素子は、実施例及び比較例１の有機ＥＬ素子と比較して、この値が低いことがわかる。この結果から、実施例の表示装置においては、平坦化絶縁層上にコート層を設けたことで、長期の駆動に際して平坦化絶縁層から有機ＥＬ素子側への水分の放出が抑えられ、吸湿による有機ＥＬ素子の劣化が防止されることが確認できた。したがって、実施例の表示装置は、従来の表示装置と比較して長期信頼性に優れていることが確認できた。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の表示装置の製造方法によれば、層間絶縁膜を設ける工程において、有機物を含む材料からなる平坦化絶縁層および無機材料からなるコート層を続けて成膜し、この平坦化絶縁層とコート層とに配線に達する接続孔を形成したのち、接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成し、この接続孔の内壁に第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で第２コート層をエッチバックするようにしたので、接続孔の内壁が第２コート層で覆われた平坦化絶縁膜が得られる。よって、接続孔を形成するためのレジストパターンの形成を一回行えばよく、マスク工程を削減できる。また、マスク合わせを行う必要がないため、微細化に適している。更に、平坦化絶縁層とコート層との多層構造からなる層間絶縁膜上に表示素子を設けることで、例えばアクティブマトリックス型の表示装置のように配線による凹凸を有する基板上であっても、この層間絶縁膜を介して形成された表示素子の表示特性の安定化を図ると共に吸湿による劣化を防止することが可能になる。したがって、簡素な工程で、表示装置における歩留まりの向上及び長期信頼性の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置の一構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の表示装置の一構成例を示す要部平面図である。
【図３】実施形態の表示装置の製造手順を示す断面工程図（その１）である。
【図４】実施形態の表示装置の製造手順を示す断面工程図（その２）である。
【符号の説明】
１…基板、４…配線、６…層間絶縁膜、６ａ…平坦化絶縁層、６ｂ…コート層、７…接続孔、１０…有機ＥＬ素子（表示素子）
Claims (4)
- 基板上の配線による凹凸を覆う状態で当該基板上に設けられた層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に設けられた表示素子とを備えてなる表示装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜を設ける工程は、
有機物を含む材料からなる平坦化絶縁層および無機材料からなるコート層を続けて成膜する工程と、
前記平坦化絶縁層と前記コート層とに前記配線に達する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の内壁を覆う状態で第２コート層を形成する工程と、
前記接続孔の内壁に前記第２コート層からなるサイドウォールを残す状態で前記第２コート層をエッチバックする工程と
を含む表示装置の製造方法。 - 前記表示素子はエレクトロルミネッセンス素子である
請求項１記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁層は、塗布膜からなる
請求項１記載の表示装置の製造方法。 - 前記平坦化絶縁層は、スピンオングラスまたは樹脂材料からなる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176215A JP4581187B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 表示装置の製造方法 |
| US09/878,878 US6768259B2 (en) | 2000-06-13 | 2001-06-11 | Display apparatus |
| TW090114155A TW498701B (en) | 2000-06-13 | 2001-06-12 | Display apparatus |
| KR1020010032750A KR100815828B1 (ko) | 2000-06-13 | 2001-06-12 | 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000176215A JP4581187B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001356711A JP2001356711A (ja) | 2001-12-26 |
| JP4581187B2 true JP4581187B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=18677958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000176215A Expired - Fee Related JP4581187B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768259B2 (ja) |
| JP (1) | JP4581187B2 (ja) |
| KR (1) | KR100815828B1 (ja) |
| TW (1) | TW498701B (ja) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005100992A (ja) * | 2000-10-26 | 2005-04-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US6664732B2 (en) | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP4090743B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2008-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| KR100656490B1 (ko) * | 2001-11-26 | 2006-12-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법 |
| US6815723B2 (en) * | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| US7098069B2 (en) * | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
| JP4074099B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2008-04-09 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 平面表示装置およびその製造方法 |
| JP4010845B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2007-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
| JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| KR100968496B1 (ko) | 2002-04-15 | 2010-07-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP3989763B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
| US7242021B2 (en) | 2002-04-23 | 2007-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display element using semiconductor device |
| US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7148624B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-12-12 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Uniform deposition of organic layer |
| TWI272556B (en) | 2002-05-13 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
| TWI263339B (en) * | 2002-05-15 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7256421B2 (en) | 2002-05-17 | 2007-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device |
| US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| KR100864001B1 (ko) * | 2002-06-14 | 2008-10-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광장치 |
| JP2004103334A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置および電子機器 |
| US8704211B2 (en) * | 2004-06-30 | 2014-04-22 | General Electric Company | High integrity protective coatings |
| JP2004152563A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2004158321A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| KR100544436B1 (ko) * | 2002-11-26 | 2006-01-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| AU2003227505A1 (en) * | 2003-04-15 | 2004-11-04 | Fujitsu Limited | Organic el display |
| JP2005062400A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 平面表示装置およびその製造方法 |
| JP2005063838A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置 |
| KR100552975B1 (ko) * | 2003-11-22 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 능동 매트릭스 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| US7314785B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP4704006B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法、並びに電子機器 |
| JP4188807B2 (ja) * | 2003-11-20 | 2008-12-03 | 三菱電機株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| KR100611147B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| JP4278499B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2009-06-17 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
| KR100741966B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
| KR100611755B1 (ko) * | 2004-06-04 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR100611652B1 (ko) * | 2004-06-28 | 2006-08-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR100606772B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| JP2006236839A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 有機電界発光型表示装置 |
| JP4706401B2 (ja) | 2005-03-23 | 2011-06-22 | 三菱電機株式会社 | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
| KR101152134B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN101322440B (zh) * | 2005-12-05 | 2012-04-18 | 夏普株式会社 | 有机电致发光面板和有机电致发光显示装置 |
| JP5120528B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-01-16 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| JP2008103253A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| EP2003713A3 (en) * | 2007-06-12 | 2011-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus |
| JP2009252539A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌパネルの製造方法及び有機ｅｌパネル並びに電子機器 |
| US8629960B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device substrate, display device substrate manufacturing method, display device, liquid crystal display device, liquid crystal display device manufacturing method and organic electroluminescent display device |
| JP5486920B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-05-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| JP5500978B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-05-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ装置 |
| JPWO2013080261A1 (ja) * | 2011-11-30 | 2015-04-27 | パナソニック株式会社 | 表示パネル及び表示パネルの製造方法 |
| KR101962944B1 (ko) | 2012-09-14 | 2019-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP5708602B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2015-04-30 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ素子、それを用いた有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
| KR102596337B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2023-10-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| JP2018021993A (ja) * | 2016-08-02 | 2018-02-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体基板及びそれを用いた表示装置 |
| JP6926169B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2021-08-25 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP6603826B1 (ja) | 2018-03-28 | 2019-11-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468318A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| JPH04163528A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH09223804A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-08-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH10189252A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機アクティブｅｌ発光装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1039334A (ja) * | 1996-07-24 | 1998-02-13 | Toshiba Corp | アレイ基板および液晶表示装置 |
| TW523627B (en) * | 1998-07-14 | 2003-03-11 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
| US6518594B1 (en) * | 1998-11-16 | 2003-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor devices |
| TW527735B (en) * | 1999-06-04 | 2003-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Electro-optical device |
-
2000
- 2000-06-13 JP JP2000176215A patent/JP4581187B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-11 US US09/878,878 patent/US6768259B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-12 KR KR1020010032750A patent/KR100815828B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-12 TW TW090114155A patent/TW498701B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0468318A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-04 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
| JPH04163528A (ja) * | 1990-10-29 | 1992-06-09 | Sharp Corp | アクティブマトリクス表示装置 |
| JPH09223804A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-08-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH10189252A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機アクティブｅｌ発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6768259B2 (en) | 2004-07-27 |
| US20020036462A1 (en) | 2002-03-28 |
| TW498701B (en) | 2002-08-11 |
| JP2001356711A (ja) | 2001-12-26 |
| KR20010112623A (ko) | 2001-12-20 |
| KR100815828B1 (ko) | 2008-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4581187B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| TW200421926A (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US7777406B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| JP4145857B2 (ja) | アクティブマトリックス有機電界発光表示装置及びその製造方法 | |
| US20110248297A1 (en) | Light-emitting apparatus and production method thereof | |
| US8294362B2 (en) | Image display device, image display system, and methods for fabricating the same | |
| TW200423805A (en) | A pixel having an organic emitting diode and method of fabricating the pixel | |
| WO2021213510A1 (zh) | 显示面板、显示装置以及显示面板的制造方法 | |
| JP2002352963A (ja) | 表示装置 | |
| JP2004252406A (ja) | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法 | |
| WO2019205264A1 (zh) | Oled器件及其制造方法、oled显示器 | |
| JP2001160486A (ja) | 有機ｅｌディスプレイの製造方法及び有機ｅｌディスプレイ | |
| WO2013113232A1 (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| JPWO2019186805A1 (ja) | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 | |
| KR101236427B1 (ko) | 박막 트랜지스터용 게이트 절연막의 제조방법 및 이를이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| JP4453385B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP2003017272A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| TW201314989A (zh) | 有機發光裝置和其製造方法 | |
| JP4188807B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP4222880B2 (ja) | 有機電界発光表示装置およびその製造方法 | |
| KR100571006B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| US20070194677A1 (en) | Structure and method for improving contact resistance in an organic light emitting diode integrated with a color filter | |
| JP2006032156A (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP4603780B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP2001056650A (ja) | 表示装置の製造方法及び表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061120 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091021 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091026 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091104 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100329 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100816 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |