JP4453385B2 - Manufacturing method of display device - Google Patents

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Description

本発明は、基板に平坦化絶縁膜を介して複数の第１電極，電極間絶縁膜，発光層を含む有機層および第２電極が順に形成された表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a display device in which a plurality of first electrodes, an interelectrode insulating film, an organic layer including a light emitting layer, and a second electrode are sequentially formed on a substrate via a planarizing insulating film.

有機発光素子を用いた表示装置は、基板に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）および平坦化絶縁膜を介して、複数の第１電極，電極間絶縁膜，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層された構成を有している。このような表示装置の製造方法としては、従来より、平坦化絶縁膜または電極間絶縁膜のいずれか一方を感光性樹脂により構成し、製造工程の簡素化を図ったものが知られている。例えば、特許文献１では、電極間絶縁膜をポリベンゾオキサゾールにより構成し、特許文献２では、平坦化絶縁膜にポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールを用いている。
特開２００２−１１６７１５号公報 特開２００１−１６０４８６号公報 In a display device using an organic light emitting element, an organic layer including a plurality of first electrodes, an interelectrode insulating film, a light emitting layer and a second layer are provided on a substrate via a TFT (Thin Film Transistor) and a planarizing insulating film. It has a configuration in which electrodes are sequentially stacked. As a method for manufacturing such a display device, conventionally, one of either a planarization insulating film or an interelectrode insulating film is made of a photosensitive resin to simplify the manufacturing process. For example, in Patent Document 1, the interelectrode insulating film is made of polybenzoxazole, and in Patent Document 2, polyimide or polybenzoxazole is used for the planarizing insulating film.
JP 2002-116715 A JP 2001-160486 A

しかしながら、従来のように平坦化絶縁膜または電極間絶縁膜のいずれか一方を感光性樹脂により構成し、他方を酸化シリコンなどの他の材料により構成すると製造コストが高くなってしまうという問題があった。   However, if one of the planarization insulating film and the interelectrode insulating film is made of a photosensitive resin and the other is made of another material such as silicon oxide as in the prior art, there is a problem that the manufacturing cost increases. It was.

また、平坦化絶縁膜および電極間絶縁膜の両方を感光性樹脂により構成した場合には、上記の特許文献１および２に述べられていない技術的問題が生じる可能性がある。例えば、電極間絶縁膜を焼成する工程において、先に形成された平坦化絶縁膜からの脱ガスが発生し、第１電極または電極間絶縁膜の表面が荒れて平滑性が低下してしまうおそれがある。第１電極の表面の荒れは、有機発光素子の歩留り低下、寿命劣化または輝度劣化など、信頼性に大きな影響を及ぼす。   Further, when both the planarization insulating film and the interelectrode insulating film are made of a photosensitive resin, there is a possibility that a technical problem that is not described in Patent Documents 1 and 2 described above may occur. For example, in the step of firing the interelectrode insulating film, degassing from the previously formed planarization insulating film may occur, and the surface of the first electrode or the interelectrode insulating film may be roughened and the smoothness may be reduced. There is. The roughness of the surface of the first electrode has a great influence on reliability, such as a decrease in the yield of the organic light-emitting element, a deterioration in life, or a deterioration in luminance.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、電極間絶縁膜を焼成する工程において平坦化絶縁膜からの脱ガスの発生を抑制することができ、低コストで信頼性の高い表示装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to suppress outgassing from the planarization insulating film in the step of firing the interelectrode insulating film, and to reduce the cost and reliability. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high display device.

本発明による表示装置の製造方法は、基板にポリベンゾオキサゾールよりなる平坦化絶縁膜を形成して３００℃以上４００℃以下の温度で焼成する工程と、平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極を形成する工程と、複数の第１電極の間の領域にポリベンゾオキサゾールよりなる電極間絶縁膜を形成して２８０℃以上３８０℃以下の温度で焼成する工程と、複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、発光層を含む有機層の上に、第２電極を形成する工程とを含み、平坦化絶縁膜を焼成する温度を電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くするものである。 The method for manufacturing a display device according to the present invention includes a step of forming a planarization insulating film made of polybenzoxazole on a substrate and baking at a temperature of 300 ° C. to 400 ° C. , and a plurality of first on the planarization insulating film. A step of forming an electrode, a step of forming an interelectrode insulating film made of polybenzoxazole in a region between the plurality of first electrodes, and baking at a temperature of 280 ° C. or higher and 380 ° C. or lower ; A step of forming an organic layer including a light emitting layer, and a step of forming a second electrode on the organic layer including the light emitting layer. The temperature is higher than the firing temperature.

本発明による表示装置の製造方法では、基板にポリベンゾオキサゾールよりなる平坦化絶縁膜が形成され、３００℃以上４００℃以下の温度で焼成されたのち、この平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極が形成される。続いて、複数の第１電極の間の領域にポリベンゾオキサゾールよりなる電極間絶縁膜が形成され、２８０℃以上３８０℃以下の温度で焼成される。そののち、複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層が形成され、発光層を含む有機層の上に、第２電極が形成される。平坦化絶縁膜が焼成される温度は、電極間絶縁膜が焼成される温度よりも高くされる。 In the method for manufacturing a display device according to the present invention, a planarization insulating film made of polybenzoxazole is formed on a substrate , fired at a temperature of 300 ° C. or more and 400 ° C. or less, and then a plurality of second insulating films are formed on the planarization insulation film. One electrode is formed. Subsequently, an interelectrode insulating film made of polybenzoxazole is formed in a region between the plurality of first electrodes, and is fired at a temperature of 280 ° C. or higher and 380 ° C. or lower . After that, an organic layer including a light emitting layer is formed on the plurality of first electrodes, and a second electrode is formed on the organic layer including the light emitting layer. The temperature at which the planarization insulating film is baked is higher than the temperature at which the interelectrode insulating film is baked.

本発明の表示装置の製造方法によれば、ポリベンゾオキサゾールよりなる平坦化絶縁膜の焼成温度を３００℃以上４００℃以下、ポリベンゾオキサゾールよりなる電極間絶縁膜の焼成温度を２８０℃以上３８０℃以下とすると共に、平坦化絶縁膜を焼成する温度を、電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くするようにしたので、電極間絶縁膜を焼成する工程において平坦化絶縁膜から脱ガスが発生するのを抑制することができる。よって、第１電極の表面の荒れを防止して平滑性を高め、有機発光素子の歩留り、寿命などの信頼性を向上させることができる。また、電極間絶縁膜の表面の荒れを防止して平滑性を高め、第１電極と第２電極との短絡を防ぐことができる。更に、エッチング工程を省略して平坦化絶縁膜および電極間絶縁膜の両方の製造コストを抑えることができ、低コストで信頼性の高い表示装置を実現することができる。
According to the method for manufacturing a display device of the present invention, the baking temperature of the planarization insulating film made of polybenzoxazole is 300 ° C. or more and 400 ° C. or less, and the baking temperature of the interelectrode insulating film made of polybenzoxazole is 280 ° C. or more and 380 ° C. Since the temperature for firing the planarization insulating film is set higher than the temperature for firing the interelectrode insulating film, degassing occurs from the planarization insulating film in the process of firing the interelectrode insulating film. Can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the surface of the first electrode from being rough and improve the smoothness, and to improve the reliability of the organic light emitting device, such as yield and lifetime. In addition, the surface of the interelectrode insulating film can be prevented from being roughened to improve smoothness, and a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented. Furthermore, the manufacturing process of both the planarization insulating film and the interelectrode insulating film can be suppressed by omitting the etching process, and a low-cost and highly reliable display device can be realized.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施の形態に係る製造方法により製造される表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル１０と封止パネル２０とが対向配置され、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わせられている。駆動パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる駆動用基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化絶縁膜１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。   FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a display device manufactured by a manufacturing method according to an embodiment of the present invention. This display device is used as an ultra-thin organic light-emitting display. The driving panel 10 and the sealing panel 20 are arranged to face each other, and the entire surface is bonded by an adhesive layer 30 made of a thermosetting resin. The driving panel 10 generates green light and an organic light emitting element 10R that generates red light via a TFT 12 and a planarization insulating film 13 on a driving substrate 11 made of an insulating material such as glass. The organic light emitting element 10G that generates blue light and the organic light emitting element 10B that generates blue light are sequentially provided in a matrix as a whole.

ＴＦＴ１２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応する能動素子であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはアクティブマトリクス方式により駆動されるようになっている。ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass ）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えば厚みが１．０μｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。   The TFT 12 is an active element corresponding to each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B, and the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are driven by an active matrix method. The gate electrode (not shown) of the TFT 12 is connected to a scanning circuit (not shown), and the source and drain (both not shown) are made of an interlayer insulating film 12A made of, for example, silicon oxide or PSG (Phospho-Silicate Glass). Is connected to the wiring 12B. The wiring 12B is connected to the source and drain of the TFT 12 through a connection hole (not shown) provided in the interlayer insulating film 12A and used as a signal line. The wiring 12B has a thickness of about 1.0 μm, for example, and is made of aluminum (Al) or an aluminum (Al) -copper (Cu) alloy. The configuration of the TFT 12 is not particularly limited, and may be, for example, a bottom gate type or a top gate type.

平坦化絶縁膜１３は、ＴＦＴ１２が形成された駆動用基板１１の表面を平坦化し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するための下地層である。平坦化絶縁膜１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化絶縁膜１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化絶縁膜１３は、ポリイミド，ポリベンゾオキサゾール，アクリルまたはノボラック等の感光性樹脂により構成されている。平坦化絶縁膜１３は、後述するように、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高い温度で焼成されたものである。   The planarization insulating film 13 is a base layer for planarizing the surface of the driving substrate 11 on which the TFTs 12 are formed, so that the thickness of each layer of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B is uniform. The planarization insulating film 13 is provided with a connection hole 13A that connects the first electrode 14 of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B and the wiring 12B. The planarization insulating film 13 is preferably made of a material with good pattern accuracy because a fine connection hole 13A is formed. The planarization insulating film 13 is made of a photosensitive resin such as polyimide, polybenzoxazole, acrylic, or novolac. As will be described later, the planarization insulating film 13 is fired at a temperature higher than the temperature at which the interelectrode insulating film 15 is fired.

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、駆動用基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化絶縁膜１３を介して、陽極としての第１電極１４、電極間絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。第２電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１８が形成されている。   The organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B include, for example, a first electrode 14 as an anode, an interelectrode insulating film 15, and a light emitting layer through the TFT 12 and the planarizing insulating film 13 from the driving substrate 11 side. The layer 16 and the second electrode 17 as a cathode are laminated in this order. A protective film 18 is formed on the second electrode 17 as necessary.

第１電極１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１４を構成する材料としては、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ）あるいはタングステン（Ｗ）などの金属元素の単体または合金が挙げられ、第１電極１４の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とされることが好ましい。第１電極１４は単層構造でもよいし複数の層の積層構造でもよい。第１電極１４を積層構造とする場合、例えば、駆動用基板１１の側から、厚みが２０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）よりなる密着層１４Ａ、厚みが１００ｎｍの銀（Ａｇ）よりなる反射層１４Ｂおよび厚みが１０ｎｍのＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃがこの順に積層された構成を有するものが好ましい。   The first electrode 14 also functions as a reflective layer, and it is desirable to increase the luminous efficiency to have as high a reflectance as possible. For example, the material constituting the first electrode 14 may be a simple substance or an alloy of a metal element such as platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), chromium (Cr) or tungsten (W). The thickness of the one electrode 14 in the stacking direction (hereinafter simply referred to as thickness) is preferably 100 nm or more and 300 nm or less. The first electrode 14 may have a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers. When the first electrode 14 has a laminated structure, for example, from the drive substrate 11 side, an adhesion layer 14A made of ITO (Indium Tin Oxide) having a thickness of 20 nm, and silver (Ag) having a thickness of 100 nm. The reflective layer 14B and the barrier layer 14C made of ITO having a thickness of 10 nm are preferably laminated in this order.

電極間絶縁膜１５は、第１電極１４と第２電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。電極間絶縁膜１５は、例えば、厚みが６００ｎｍ程度であり、ポリイミド，ポリベンゾオキサゾール，アクリルあるいはノボラック等の感光性樹脂により構成され、発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられている。   The interelectrode insulating film 15 is for ensuring the insulation between the first electrode 14 and the second electrode 17 and for accurately setting the shape of the light emitting region in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B to a desired shape. is there. The interelectrode insulating film 15 has a thickness of, for example, about 600 nm, is made of a photosensitive resin such as polyimide, polybenzoxazole, acrylic, or novolac, and has an opening 15A corresponding to the light emitting region.

電極間絶縁膜１５および平坦化絶縁膜１３の構成材料は、同一でもよく異なっていてもよい。例えば、平坦化絶縁膜１３をポリイミドにより構成した場合、電極間絶縁膜１５も同様にポリイミドにより構成することも可能であるし、電極間絶縁膜１５は異なる材料、例えばポリベンゾオキサゾールにより構成するようにしてもよい。また、例えば、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成した場合、電極間絶縁膜１５も同様にポリベンゾオキサゾールにより構成してもよいし、電極間絶縁膜１５は異なる材料、例えばポリイミドにより構成するようにしてもよい。   The constituent materials of the interelectrode insulating film 15 and the planarizing insulating film 13 may be the same or different. For example, when the planarization insulating film 13 is made of polyimide, the interelectrode insulating film 15 can be made of polyimide as well, and the interelectrode insulating film 15 is made of a different material such as polybenzoxazole. It may be. For example, when the planarization insulating film 13 is made of polybenzoxazole, the interelectrode insulating film 15 may be made of polybenzoxazole as well, or the interelectrode insulating film 15 is made of a different material, for example, polyimide. You may make it do.

有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに構成が異なっている。図２は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃが第１電極１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。発光層１６Ｂは電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１６Ｃは、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。   The organic layer 16 has a different configuration for each of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. FIG. 2 is an enlarged view of the configuration of the organic layer 16 in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The organic layer 16 of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B has a structure in which a hole transport layer 16A, a light emitting layer 16B, and an electron transport layer 16C are stacked in this order from the first electrode 14 side. The hole transport layer 16A is for increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layer 16B. The light emitting layer 16B generates light by recombination of electrons and holes by applying an electric field. The electron transport layer 16C is for increasing the efficiency of electron injection into the light emitting layer 16B.

有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが５５ｎｍ程度であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、２，５−ビス−［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン−１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが５０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）により構成されている。 The hole transport layer 16A of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of about 55 nm and is made of bis [(N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine (α-NPD). The light emitting layer 16B of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of about 30 nm, and 2,5-bis- [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenylamino]] styrylbenzene-1,4. -Consists of dicarbonitrile (BSB). The electron transport layer 16C of the organic light emitting element 10R has, for example, a thickness of about 50 nm and is made of an 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ).

有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが２５ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、４，４´−ビス（２，２´−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが１５ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole transport layer 16A of the organic light emitting device 10B has, for example, a thickness of about 25 nm and is made of α-NPD. The light emitting layer 16B of the organic light emitting element 10B has a thickness of about 30 nm, for example, and is composed of 4,4′-bis (2,2′-diphenylbinine) biphenyl (DPVBi). The electron transport layer 16C of the organic light emitting element 10B has, for example, a thickness of about 15 nm and is made of Alq 3 .

有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａは、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１６Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１６Ｃは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ3 により構成されている。 The hole transport layer 16A of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of about 40 nm and is configured by α-NPD. The light emitting layer 16B of the organic light emitting element 10G has a thickness of about 30 nm, for example, and is composed of Alq 3 mixed with 1% by volume of coumarin 6 (C6; Coumarin 6). The electron transport layer 16C of the organic light emitting element 10G has, for example, a thickness of about 30 nm and is made of Alq 3 .

図１および図２に示した第２電極１７は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。合金材料としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が好ましい。   The second electrode 17 shown in FIGS. 1 and 2 has a thickness of about 10 nm, for example, and is a metal such as silver (Ag), aluminum (Al), magnesium (Mg), calcium (Ca), sodium (Na), etc. Or it is comprised with the alloy. As the alloy material, for example, an alloy of magnesium (Mg) and silver (MgAg alloy) is preferable.

図１に示した保護膜１８は、例えば、厚みが５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2 ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。 The protective film 18 shown in FIG. 1 is, for example, a passivation film made of a transparent dielectric having a thickness of 500 nm to 10,000 nm. The protective film 18 is made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (SiN), or the like.

図１に示した封止パネル２０は、駆動パネル１０の第２電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。   The sealing panel 20 shown in FIG. 1 is located on the second electrode 17 side of the drive panel 10 and has a sealing substrate 21 that seals the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B together with the adhesive layer 30. is doing. The sealing substrate 21 is made of a material such as glass that is transparent to the light generated in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B. The sealing substrate 21 is provided with, for example, a color filter 22 to extract light generated in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B and to reflect the light in the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B and the wiring therebetween. It absorbs extraneous light and improves contrast.

カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、駆動パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。   The color filter 22 may be provided on either side of the sealing substrate 21, but is preferably provided on the drive panel 10 side. This is because the color filter 22 is not exposed on the surface and can be protected by the adhesive layer 30. The color filter 22 includes a red filter 22R, a green filter 22G, and a blue filter 22B, and is sequentially arranged corresponding to the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B.

赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。   Each of the red filter 22R, the green filter 22G, and the blue filter 22B is formed, for example, in a rectangular shape without a gap. Each of the red filter 22R, the green filter 22G, and the blue filter 22B is composed of a resin mixed with a pigment, and by selecting the pigment, the light transmittance in a target red, green, or blue wavelength region is high. The light transmittance in other wavelength ranges is adjusted to be low.

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。   This display device can be manufactured, for example, as follows.

図３ないし図７はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図３（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる駆動用基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。   3 to 7 show the manufacturing method of this display device in the order of steps. First, as shown in FIG. 3A, the TFT 12, the interlayer insulating film 12A, and the wiring 12B are formed on the driving substrate 11 made of the above-described material.

次に、図３（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面に、例えばスピンコート法により、例えば感光性ポリイミドよりなる平坦化絶縁膜１３を塗布形成し、直ちにホットプレート上で例えば１２０℃、４分間、プリベークを行う。プリベークを行ったのち、図示しない露光装置により平坦化絶縁膜１３を露光し、続いて図示しないスプレー現像装置により現像処理を行い、平坦化絶縁膜１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。このとき、現像液としては、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド）の２．３８％水溶液を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 3B, a planarization insulating film 13 made of, for example, photosensitive polyimide is applied and formed on the entire surface of the driving substrate 11 by, for example, spin coating, and immediately on the hot plate, for example, Pre-bake at 120 ° C. for 4 minutes. After pre-baking, the planarization insulating film 13 is exposed by an exposure device (not shown), and subsequently developed by a spray development device (not shown) to pattern the planarization insulation film 13 into a predetermined shape and form the connection hole 13A. Form. At this time, as the developer, for example, a 2.38% aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) can be used.

続いて、同じく図３（Ｂ）に示したように、平坦化絶縁膜１３を構成する感光性ポリイミドを環化するため、クリーンベーク炉で窒素雰囲気中で焼成する。このとき、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度は、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くする。これにより、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制し、第１電極１４または電極間絶縁膜１５の表面の荒れを防いで、素子特性および信頼性を高めることができる。   Subsequently, similarly as shown in FIG. 3B, in order to cyclize the photosensitive polyimide constituting the planarization insulating film 13, it is baked in a nitrogen atmosphere in a clean baking furnace. At this time, the temperature for firing the planarization insulating film 13 is set higher than the temperature for firing the interelectrode insulating film 15. This suppresses generation of degassing from the planarization insulating film 13 in the step of firing the interelectrode insulating film 15, prevents the surface of the first electrode 14 or the interelectrode insulating film 15 from being roughened, and improves the device characteristics and Reliability can be increased.

なお、焼成温度は、使用する感光性樹脂の種類に応じて適切な温度範囲内の温度に設定すべきことは言うまでもない。例えば、ポリイミドの場合には、例えば２００℃以上４００℃以下とすることが望ましい。４００℃よりも高い温度では分解しはじめてしまい、２００℃よりも低いと環化が十分に進行しなくなってしまうからである。ポリベンゾオキサゾールの場合には、例えば２８０℃以上４００℃以下とすることが望ましい。また、上記温度範囲内の温度で焼成する前に、必要に応じて、上記温度範囲よりも低い温度で、予備的な焼成を行うようにしてもよい。   Needless to say, the firing temperature should be set to a temperature within an appropriate temperature range depending on the type of photosensitive resin used. For example, in the case of polyimide, for example, it is desirable that the temperature be 200 ° C. or higher and 400 ° C. or lower. This is because decomposition begins at temperatures higher than 400 ° C., and cyclization does not proceed sufficiently at temperatures lower than 200 ° C. In the case of polybenzoxazole, for example, it is desirable that the temperature be 280 ° C. or higher and 400 ° C. or lower. In addition, before firing at a temperature within the above temperature range, preliminary firing may be performed at a temperature lower than the above temperature range, if necessary.

具体的には、例えば、上述したように平坦化絶縁膜１３をポリイミドにより構成し、電極間絶縁膜１５をポリベンゾオキサゾールにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２８０℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３２０℃で４５分間焼成する。   Specifically, for example, when the planarization insulating film 13 is made of polyimide and the interelectrode insulating film 15 is made of polybenzoxazole as described above, the temperature at which the planarization insulating film 13 is baked is, for example, 300. It is preferable that the temperature for baking the interelectrode insulating film 15 is, for example, 280 ° C. or higher and 380 ° C. or lower. For example, the planarization insulating film 13 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 350 ° C. for 45 minutes, and the interelectrode insulating film 15 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 320 ° C. for 45 minutes. To do.

また、平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５をともにポリイミドにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば２２０℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２００℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２８０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２５０℃で４５分間焼成する。   In the case where both the planarization insulating film 13 and the interelectrode insulating film 15 are made of polyimide, the temperature at which the planarization insulating film 13 is baked is, for example, 220 ° C. or more and 400 ° C. or less, and the interelectrode insulating film 15 is baked. The temperature is preferably 200 ° C. or higher and 380 ° C. or lower, for example. For example, the planarization insulating film 13 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 280 ° C. for 45 minutes, and the interelectrode insulating film 15 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 250 ° C. for 45 minutes. To do.

更に、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成し、電極間絶縁膜１５をポリイミドにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２００℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち２５０℃で４５分間焼成する。   Further, when the planarizing insulating film 13 is made of polybenzoxazole and the interelectrode insulating film 15 is made of polyimide, the temperature at which the planarizing insulating film 13 is baked is, for example, 300 ° C. or more and 400 ° C. or less. The temperature at which the insulating film 15 is baked is preferably 200 ° C. or higher and 380 ° C. or lower, for example. For example, the planarization insulating film 13 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 350 ° C. for 45 minutes, and the interelectrode insulating film 15 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 250 ° C. for 45 minutes. To do.

平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５をいずれもポリベンゾオキサゾールにより構成する場合には、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を例えば３００℃以上４００℃以下とし、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を例えば２８０℃以上３８０℃以下とすることが好ましい。例えば、平坦化絶縁膜１３を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３５０℃で４５分間焼成し、電極間絶縁膜１５を１５０℃で３０分間予備的に焼成したのち３２０℃で４５分間焼成する。   When both the planarization insulating film 13 and the interelectrode insulating film 15 are made of polybenzoxazole, the temperature at which the planarization insulating film 13 is baked is set to, for example, 300 ° C. or more and 400 ° C. or less, and the interelectrode insulating film 15 is baked. It is preferable that the temperature to perform is 280 degreeC or more and 380 degrees C or less, for example. For example, the planarization insulating film 13 is preliminarily baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 350 ° C. for 45 minutes, and the interelectrode insulating film 15 is baked at 150 ° C. for 30 minutes and then baked at 320 ° C. for 45 minutes. To do.

続いて、図４（Ａ）に示したように、平坦化絶縁膜１３の上に、例えばスパッタ法により、例えば上述した厚みおよび材料よりなる第１電極１４を形成したのち、例えばリソグラフィー技術およびエッチングにより、第１電極１４を所定の形状にパターニングする。これにより、平坦化絶縁膜１３の上に、複数の第１電極１４が形成される。   Subsequently, as shown in FIG. 4A, the first electrode 14 made of, for example, the above-described thickness and material is formed on the planarization insulating film 13 by, eg, sputtering, and then, for example, lithography technology and etching are performed. Thus, the first electrode 14 is patterned into a predetermined shape. Thereby, a plurality of first electrodes 14 are formed on the planarization insulating film 13.

そののち、図４（Ｂ）に示したように、複数の第１電極１４の間の領域に、平坦化絶縁膜１３と同様にして、例えば感光性ポリイミドよりなる電極間絶縁膜１５を形成し、焼成する。電極間絶縁膜１５を焼成する温度は、上述したように、平坦化絶縁膜１３を焼成した温度よりも低くする。これにより、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生することが抑制され、第１電極１４または電極間絶縁膜１５の表面の荒れが防止され、素子特性および信頼性が向上する   After that, as shown in FIG. 4B, an interelectrode insulating film 15 made of, for example, photosensitive polyimide is formed in a region between the plurality of first electrodes 14 in the same manner as the planarizing insulating film 13. , Fire. As described above, the temperature for firing the interelectrode insulating film 15 is set lower than the temperature for firing the planarizing insulating film 13. This suppresses the occurrence of degassing from the planarization insulating film 13 in the step of firing the interelectrode insulating film 15, and prevents the surface of the first electrode 14 or the interelectrode insulating film 15 from being roughened. Increased reliability

続いて、図５（Ａ）に示したように、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａ，有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂおよび有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１６を形成する。そののち、同じく図５（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂを順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１６を形成する。続いて、同じく図５（Ａ）に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した厚みおよび材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１６を形成する。   Subsequently, as shown in FIG. 5A, the hole transport layer 16A of the organic light emitting device 10R, the light emitting layer 16B of the organic light emitting device 10R, and the organic light emitting device made of the above-described thickness and material, for example, by vacuum deposition. The 10R electron transport layer 16C is sequentially formed to form the organic layer 16 of the organic light emitting element 10R. Thereafter, as shown in FIG. 5A, the hole transport layer 16A and the light emitting layer 16B of the organic light emitting element 10G made of the above-described thickness and material are formed in the same manner as the organic layer 16 of the organic light emitting element 10R. The films are sequentially formed to form the organic layer 16 of the organic light emitting element 10G. Subsequently, similarly as shown in FIG. 5A, in the same manner as the organic layer 16 of the organic light emitting device 10R, the hole transport layer 16A, the light emitting layer 16B, and the organic light emitting device 10B made of the above-described thickness and material are used. The electron transport layer 16C is sequentially formed to form the organic layer 16 of the organic light emitting device 10B.

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６を形成したのち、図５（Ｂ）に示したように、駆動用基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる第２電極１７を形成する。以上により、図１および図２に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。   After forming the organic layer 16 of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B, as shown in FIG. 5B, the second layer made of the above-described thickness and material is formed over the entire surface of the driving substrate 11 by, for example, vapor deposition. The electrode 17 is formed. Thus, the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B shown in FIGS. 1 and 2 are formed.

次に、図６に示したように、第２電極１７の上に、上述した厚みおよび材料よりなる保護膜１８を形成する。これにより、図１に示した駆動パネル１０が形成される。   Next, as shown in FIG. 6, the protective film 18 made of the above-described thickness and material is formed on the second electrode 17. Thereby, the drive panel 10 shown in FIG. 1 is formed.

また、図７（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図７（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。   Further, as shown in FIG. 7A, for example, the material of the red filter 22R is applied on the sealing substrate 21 made of the above-described material by spin coating, and patterned and baked by a photolithography technique. Thus, the red filter 22R is formed. Subsequently, as shown in FIG. 7B, a blue filter 22B and a green filter 22G are sequentially formed in the same manner as the red filter 22R. Thereby, the sealing panel 20 is formed.

封止パネル２０および駆動パネル１０を形成したのち、駆動用基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、例えばスリットノズル型ディスペンサを用いて、またはロールコート法あるいはスクリーン印刷法により、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。続いて、図１に示したように、駆動パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止パネル２０のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、駆動パネル１０と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と駆動パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、図１および図２に示した表示装置が完成する。   After the sealing panel 20 and the driving panel 10 are formed, the side of the driving substrate 11 on which the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are formed, for example, using a slit nozzle type dispenser, or by a roll coating method or a screen printing method. Then, an adhesive layer 30 made of a thermosetting resin is applied and formed. Subsequently, as shown in FIG. 1, the drive panel 10 and the sealing panel 20 are bonded together via the adhesive layer 30. In that case, it is preferable to arrange | position the surface of the sealing panel 20 in which the color filter 22 was formed facing the drive panel 10. FIG. Further, it is preferable that air bubbles and the like are not mixed into the adhesive layer 30. After that, after the relative positions of the color filter 22 of the sealing panel 20 and the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B of the driving panel 10 are aligned, heat treatment is performed at a predetermined temperature for a predetermined time, and the thermosetting of the adhesive layer 30 is performed. The resin is cured. Thus, the display device shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

この表示装置では、例えば、第１電極１４と第２電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第２電極１７および封止パネル２０を透過して取り出される。ここでは、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにしたので、第１電極１４および電極間絶縁膜１５の表面の荒れが防止され、平滑性が高くなっている。よって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの寿命などの特性が向上すると共に第１電極１４と第２電極１７との短絡が防止される。   In this display device, for example, when a predetermined voltage is applied between the first electrode 14 and the second electrode 17, a current is injected into the light emitting layer 16B of the organic layer 16 to recombine holes and electrons. By doing so, light emission occurs mainly at the interface of the light emitting layer 16B on the hole transport layer 16A side. This light is extracted through the second electrode 17 and the sealing panel 20. Here, since the temperature at which the planarization insulating film 13 is baked is set higher than the temperature at which the interelectrode insulating film 15 is baked, surface roughness of the first electrode 14 and the interelectrode insulating film 15 is prevented, Smoothness is high. Therefore, characteristics such as the lifetime of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B are improved, and a short circuit between the first electrode 14 and the second electrode 17 is prevented.

このように本実施の形態では、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにしたので、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制することができる。よって、第１電極１４の表面の荒れを防止して平滑性を高め、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの歩留り、寿命などの信頼性を向上させることができる。また、電極間絶縁膜１５の表面の荒れを防止して平滑性を高め、第１電極１４と第２電極１７との短絡を防ぐことができる。更に、エッチング工程を省略して平坦化絶縁膜１３および電極間絶縁膜１５の両方の製造コストを抑えることができ、低コストで信頼性の高い表示装置を実現することができる。   As described above, in this embodiment, since the temperature for firing the planarization insulating film 13 is set higher than the temperature for firing the interelectrode insulating film 15, the planarization is performed in the step of firing the interelectrode insulating film 15. Generation of degassing from the insulating film 13 can be suppressed. Therefore, it is possible to prevent the surface of the first electrode 14 from being rough and improve the smoothness, and to improve the reliability of the organic light emitting devices 10R, 10G, and 10B, such as the yield and lifetime. Further, the surface of the interelectrode insulating film 15 can be prevented from being roughened to improve smoothness, and a short circuit between the first electrode 14 and the second electrode 17 can be prevented. Furthermore, the manufacturing process of both the planarization insulating film 13 and the interelectrode insulating film 15 can be suppressed by omitting the etching process, and a low-cost and highly reliable display device can be realized.

更に、本発明の具体的な実施例について説明する。   Furthermore, specific examples of the present invention will be described.

（実施例）
上記実施の形態の図３および図４に示した工程により、駆動用基板１１上に、平坦化絶縁膜１３，第１電極１４および電極間絶縁膜１５を作製した。その際、平坦化絶縁膜１３をポリベンゾオキサゾールにより構成し、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を３５０℃とし、電極間絶縁膜１５をポリベンゾオキサゾールにより構成し、電極間絶縁膜１５を焼成する温度を３２０℃とした。得られた電極間絶縁膜１５の表面を光学顕微鏡で観察した。その結果を図８に示す。 (Example)
The planarization insulating film 13, the first electrode 14, and the inter-electrode insulating film 15 were formed on the driving substrate 11 by the steps shown in FIGS. At that time, the planarization insulating film 13 is composed of polybenzoxazole, the firing temperature of the planarization insulating film 13 is 350 ° C., the interelectrode insulating film 15 is composed of polybenzoxazole, and the interelectrode insulating film 15 is fired. The temperature to perform was 320 degreeC. The surface of the obtained interelectrode insulating film 15 was observed with an optical microscope. The result is shown in FIG.

本実施例に対する比較例として、平坦化絶縁膜を焼成する温度と電極間絶縁膜を焼成する温度とを、両方とも３５０℃と同じ温度にしたことを除き、本実施例と同様にして平坦化絶縁膜，第１電極および電極間絶縁膜を作製した。得られた電極間絶縁膜の表面を光学顕微鏡で観察した。その結果を図９に示す。   As a comparative example to this example, the planarization insulating film and the interelectrode insulating film firing temperature were both flattened in the same manner as in this example, except that both were set to the same temperature as 350 ° C. An insulating film, a first electrode, and an interelectrode insulating film were produced. The surface of the obtained interelectrode insulating film was observed with an optical microscope. The result is shown in FIG.

図８および図９から分かるように、本実施例では、平滑性の良好な電極間絶縁膜１５が得られたのに対して、比較例では電極間絶縁膜の表面に多数の微細な孔あるいは汚れのようなものが見られた。すなわち、平坦化絶縁膜１３を焼成する温度を、電極間絶縁膜１５を焼成する温度よりも高くするようにすれば、電極間絶縁膜１５を焼成する工程において平坦化絶縁膜１３から脱ガスが発生するのを抑制することができ、電極間絶縁膜１５の平滑性を高めることができることが分かった。   As can be seen from FIGS. 8 and 9, in the present example, an interelectrode insulating film 15 with good smoothness was obtained, whereas in the comparative example, a large number of fine holes or holes were formed on the surface of the interelectrode insulating film. Something like dirt was seen. That is, if the temperature at which the planarization insulating film 13 is baked is higher than the temperature at which the interelectrode insulating film 15 is baked, degassing is performed from the planarization insulating film 13 in the step of firing the interelectrode insulating film 15. It was found that the generation can be suppressed and the smoothness of the interelectrode insulating film 15 can be improved.

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および上記実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および上記実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。   The present invention has been described with reference to the embodiments and examples. However, the present invention is not limited to the above embodiments and examples, and various modifications can be made. For example, the material and thickness of each layer described in the above embodiment modes and the above examples, or the film formation method and film formation conditions are not limited, and other materials and thicknesses may be used. It is good also as a method and film-forming conditions.

更にまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、保護膜１８などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。   Furthermore, in the above-described embodiment, the configuration of the organic light emitting elements 10R, 10G, and 10B has been specifically described. However, it is not necessary to provide all the layers such as the protective film 18, and other layers are further provided. You may have.

加えてまた、上記実施の形態では、本発明を有機発光素子を備えた表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、絶縁膜を２層以上備えた他の表示装置にも適用可能である。   In addition, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to a display device including an organic light emitting element has been described. However, the present invention can also be applied to other display devices including two or more insulating films. It is.

本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the display apparatus which concerns on one embodiment of this invention. 図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。It is sectional drawing which expands and represents the structure of the organic light emitting element shown in FIG. 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a method of manufacturing the display device illustrated in FIG. 1 in order of steps. 図３に続く工程を表す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 3. 図４に続く工程を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 4. 図５に続く工程を表す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 5. 図６に続く工程を表す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process following FIG. 6. 本発明の実施例に係る電極間絶縁膜の表面を表す光学顕微鏡写真である。It is an optical microscope photograph showing the surface of the insulating film between electrodes which concerns on the Example of this invention. 比較例に係る電極間絶縁膜の表面を表す光学顕微鏡写真である。It is an optical microscope photograph showing the surface of the insulating film between electrodes which concerns on a comparative example.

符号の説明Explanation of symbols

１０…駆動パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１２…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ…配線、１３…平坦化絶縁膜、１３Ａ…接続孔、１４…第１電極（陽極）、１５…電極間絶縁膜、１５Ａ…開口部、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１６Ｃ…電子輸送層、１７…第２電極（陰極）、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、３０…接着層










DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Drive panel, 10R, 10G, 10B ... Organic light emitting element, 11 ... Driving substrate, 12 ... TFT, 12A ... Interlayer insulation film, 12B ... Wiring, 13 ... Planarization insulation film, 13A ... Connection hole, 14th 1 electrode (anode), 15 ... interelectrode insulating film, 15A ... opening, 16 ... organic layer, 16A ... hole transport layer, 16B ... light emitting layer, 16C ... electron transport layer, 17 ... second electrode (cathode), 20 ... sealing panel, 21 ... sealing substrate, 22 ... color filter, 22R ... red filter, 22G ... green filter, 22B ... blue filter, 30 ... adhesive layer










Claims (2)

基板にポリベンゾオキサゾールよりなる平坦化絶縁膜を形成して３００℃以上４００℃以下の温度で焼成する工程と、
前記平坦化絶縁膜の上に複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極の間の領域にポリベンゾオキサゾールよりなる電極間絶縁膜を形成して２８０℃以上３８０℃以下の温度で焼成する工程と、
前記複数の第１電極の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記発光層を含む有機層の上に、第２電極を形成する工程と
を含み、前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を前記電極間絶縁膜を焼成する温度よりも高くする
表示装置の製造方法。 Forming a planarization insulating film made of polybenzoxazole on a substrate and baking at a temperature of 300 ° C. to 400 ° C .;
Forming a plurality of first electrodes on the planarization insulating film;
Forming an interelectrode insulating film made of polybenzoxazole in a region between the plurality of first electrodes and firing at a temperature of 280 ° C. or higher and 380 ° C. or lower;
Forming an organic layer including a light emitting layer on the plurality of first electrodes;
Forming a second electrode on the organic layer including the light emitting layer, and firing the planarization insulating film at a temperature higher than the firing temperature of the interelectrode insulating film. . 前記平坦化絶縁膜を焼成する温度を３５０℃とし、前記電極間絶縁膜を焼成する温度を３２０℃とする
請求項１記載の表示装置の製造方法。 Wherein the 350 ° C. temperature of firing the planarization insulating film, method of manufacturing a display device according to claim 1 wherein 320 ° C. The firing temperature of the insulating film.
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