JP2013222599A - Organic el display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、有機EL表示装置に関する。 The present invention relates to an organic EL display device.
有機EL表示装置は、陽極と陰極と、陰極と陽極との間に配置されている有機化合物層と、からなる有機EL素子を複数有する表示装置である。ここで有機EL素子は、陰極と陽極との間に電流を印加することによって、両電極間にある有機化合物層が発光する電子素子である。ここで有機EL表示装置が有する有機EL素子は、自発光性であるため、視認性が高く、また液晶表示装置に比べて薄型軽量化が可能であるという特長を有する。このため、有機EL表示装置は、特に、モバイル用途での応用展開が進められており、携帯電話等の表示装置として実用化されている。 The organic EL display device is a display device having a plurality of organic EL elements each composed of an anode, a cathode, and an organic compound layer disposed between the cathode and the anode. Here, the organic EL element is an electronic element in which an organic compound layer located between both electrodes emits light when a current is applied between the cathode and the anode. Here, since the organic EL element included in the organic EL display device is self-luminous, the organic EL element has a feature that it is highly visible and can be made thinner and lighter than a liquid crystal display device. For this reason, organic EL display devices are being developed for mobile applications, and have been put into practical use as display devices for mobile phones and the like.
しかし有機EL表示装置は、ごく微量の水分や酸素等により、構成材料の一つである有機発光材料が変質したり、発光層と電極との間で剥離等が生じたりする。これにより、発光効率の低下、非発光領域(ダークスポット)の増大等の表示性能の劣化を招くという問題がある。 However, in an organic EL display device, an organic light-emitting material that is one of constituent materials is deteriorated due to a very small amount of moisture, oxygen, or the like, or peeling or the like occurs between the light-emitting layer and the electrode. As a result, there is a problem in that the display performance deteriorates such as a decrease in light emission efficiency and an increase in a non-light emitting region (dark spot).
このような問題に対する具体的な対策の一つとして、特許文献1に開示されるポリシラザン膜を用いた封止方法がある。この方法によれば、外部からの水分の浸入をポリシラザン膜が極力抑制するため、より防湿性を高めることが可能である。 As a specific countermeasure against such a problem, there is a sealing method using a polysilazane film disclosed in Patent Document 1. According to this method, since the polysilazane film suppresses the intrusion of moisture from the outside as much as possible, it is possible to further improve moisture resistance.
ところでポリシラザンは、下記一般式(A)で示される繰り返し構造単位を有している。 Polysilazane has a repeating structural unit represented by the following general formula (A).
(式(A)において、R1乃至R3は、それぞれ水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基又は金属原子を表す。ただし、R1乃至R3のうち少なくとも1つは水素原子である。) (In the formula (A), R 1 to R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylsilyl group, an alkylamino group, an alkoxy group, or a metal atom, provided that R 1 to R At least one of 3 is a hydrogen atom.)
式(A)において、例えば、R1乃至R3がいずれも水素原子であるポリシラザンは、大気中の水分を吸収して下記反応式で示されるように防湿性に優れたシリカ(SiO2)に転化する。 In the formula (A), for example, polysilazane in which R 1 to R 3 are all hydrogen atoms absorbs moisture in the atmosphere and becomes silica (SiO 2 ) having excellent moisture resistance as shown in the following reaction formula. Convert.
このためポリシラザンは、大気中の水分を吸収する吸湿材としての機能を有すると共に、大気中の水分を吸収したときには防湿材としての機能をも併せ持っている。従って、ポリシラザンは、ごく微量の水分や酸素等により、発光効率の低下やダークスポットの増大等の表示性能の劣化を招く有機EL表示装置においては、有用な材料であるといえる。 For this reason, polysilazane has a function as a hygroscopic material that absorbs moisture in the atmosphere, and also has a function as a moisture-proof material when it absorbs moisture in the atmosphere. Therefore, it can be said that polysilazane is a useful material in an organic EL display device that causes deterioration in display performance such as a decrease in luminous efficiency and an increase in dark spots due to a very small amount of moisture, oxygen, and the like.
しかし、上記反応式に示されるように、ポリシラザンは水と反応することでガス(アンモニアガス、水素ガス)を放出する。ここで、特許文献1のようにポリシラザン膜を保護膜と保護膜との間に設けた場合では、ピンホール欠陥近傍において保護膜の内側で気泡が発生・成長し、発光時の外観を損ねるという問題が生じていた。 However, as shown in the above reaction formula, polysilazane reacts with water to release gas (ammonia gas, hydrogen gas). Here, when the polysilazane film is provided between the protective film and the protective film as in Patent Document 1, bubbles are generated and grow inside the protective film in the vicinity of the pinhole defect, which impairs the appearance during light emission. There was a problem.
また、ポリシラザンからなる膜は、水と反応することで緻密なシリカ系無機膜に構造が変化するため、この膜の構造の変化により体積収縮が生じている。例えば、低温でシリカに転化することが可能なアミン系触媒が添加されたポリシラザンを用いる場合、塗布成膜し100℃で焼成することで得られる薄膜については、水と反応することで密度が1.3g/cm3から1.6g/cm3へ上昇する。これによりおよそ10%ほど薄膜の体積が収縮することが分かっている。その結果、特許文献1のように吸湿層の両面を保護層にて挟み込む構成では、ポリシラザンと防湿膜との界面において膜剥がれが発生したり、防湿部材である保護膜の膜欠陥が発生したりする問題が生じる。 In addition, since the structure of a polysilazane film changes into a dense silica-based inorganic film by reacting with water, volume shrinkage occurs due to the change in the structure of the film. For example, in the case of using polysilazane to which an amine-based catalyst that can be converted to silica at a low temperature is used, a thin film obtained by coating and baking at 100 ° C. has a density of 1 by reacting with water. Increase from 3 g / cm 3 to 1.6 g / cm 3 . This has been found to reduce the volume of the thin film by approximately 10%. As a result, in the configuration in which both surfaces of the moisture absorption layer are sandwiched between the protective layers as in Patent Document 1, film peeling occurs at the interface between the polysilazane and the moisture proof film, or film defects of the protective film that is the moisture proof member occur. Problems arise.
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ポリシラザン等の吸水性を有するケイ素含有ポリマーが有する吸湿能力を生かしつつ表示性能の信頼性が高い有機EL表示装置を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic EL display device having high display performance reliability while taking advantage of the moisture absorption capability of a water-containing silicon-containing polymer such as polysilazane. Is to provide.
本発明の有機EL表示装置は、基板と、
前記基板上に設けられる有機EL素子と、
前記有機EL素子上に設けられる封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に設けられる吸湿層と、
前記基板と前記封止基板との間に設けられ、前記基板と前記封止基板とを接合する接着層と、を備える有機EL表示装置において、
前記吸湿層が、吸水性を有するケイ素含有ポリマーからなる層であり、
前記吸湿層の端部が外気に露出しており、
前記基板と前記封止基板との間に設けられ、少なくとも吸湿層と接するように応力緩和部材が設けられることを特徴とする。
The organic EL display device of the present invention includes a substrate,
An organic EL element provided on the substrate;
A sealing substrate provided on the organic EL element;
A moisture absorption layer provided between the substrate and the sealing substrate;
In an organic EL display device comprising: an adhesive layer provided between the substrate and the sealing substrate and joining the substrate and the sealing substrate;
The moisture absorption layer is a layer made of a silicon-containing polymer having water absorption,
The end of the moisture absorbing layer is exposed to the outside air,
A stress relaxation member is provided between the substrate and the sealing substrate, and at least in contact with the moisture absorption layer.
本発明によれば、ポリシラザン等の吸水性を有するケイ素含有ポリマーが有する吸湿能力を生かしつつ表示性能の信頼性が高い有機EL表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the organic EL display apparatus with high reliability of display performance can be provided, making use of the moisture absorption capability which the silicon-containing polymer which has water absorption, such as a polysilazane, has.
即ち、本発明の有機EL表示装置は、吸湿層の端部が外気に露出しているため、吸湿層から発生したガス(アウトガス)が当該端部から放出され、吸湿層から生じ得る気泡の発生・成長を抑制することができる。また、吸湿層に水が取り込まれることでシリカ系防湿膜が形成される際に、吸湿層と接するように応力緩和部材が設けられることによって体積収縮による接着層の剥がれが抑制されるため、より信頼性の高い有機EL表示装置が提供される。 That is, in the organic EL display device of the present invention, since the end of the hygroscopic layer is exposed to the outside air, the gas generated from the hygroscopic layer (outgas) is released from the end and generation of bubbles that can be generated from the hygroscopic layer is generated.・ Suppress growth. In addition, when a silica moisture-proof film is formed by incorporating water into the moisture-absorbing layer, the stress relaxation member is provided so as to be in contact with the moisture-absorbing layer, thereby preventing peeling of the adhesive layer due to volume shrinkage. An organic EL display device with high reliability is provided.
本発明の有機EL表示装置は、基板と、有機EL素子と、封止基板と、吸湿層と、接着層と、を備えている。本発明において、有機EL素子は基板上に設けられる電子素子である。本発明において、封止基板は、有機EL素子上に設けられる基板である。また封止基板は、基板と対向し有機EL素子を挟むように配置されている。本発明において、吸湿層は、基板と封止基板との間に設けられる部材である。尚、吸湿層の設置態様については、後述する。本発明において、接着層は、基板と封止基板との間に設けられる部材であって、基板と封止基板とを接合するための部材である。 The organic EL display device of the present invention includes a substrate, an organic EL element, a sealing substrate, a hygroscopic layer, and an adhesive layer. In the present invention, the organic EL element is an electronic element provided on a substrate. In the present invention, the sealing substrate is a substrate provided on the organic EL element. The sealing substrate is arranged so as to face the substrate and sandwich the organic EL element. In the present invention, the hygroscopic layer is a member provided between the substrate and the sealing substrate. In addition, the installation aspect of a moisture absorption layer is mentioned later. In the present invention, the adhesive layer is a member provided between the substrate and the sealing substrate, and is a member for joining the substrate and the sealing substrate.
本発明の有機EL表示装置において、吸湿層は、吸水性を有するケイ素含有ポリマーからなる層である。本発明の有機EL表示装置において、吸湿層の端部は、外気に露出している。即ち、吸湿層の端部は、有機EL表示装置を構成する他の部材に被覆されていない。本発明の有機EL表示装置において、基板と封止基板との間には、少なくとも吸湿層と接するように応力緩和部材が設けられている。 In the organic EL display device of the present invention, the moisture absorption layer is a layer made of a silicon-containing polymer having water absorption. In the organic EL display device of the present invention, the end of the moisture absorption layer is exposed to the outside air. That is, the end of the moisture absorption layer is not covered with other members constituting the organic EL display device. In the organic EL display device of the present invention, a stress relaxation member is provided between the substrate and the sealing substrate so as to be in contact with at least the moisture absorption layer.
以下、図面を参照しながら本発明について説明する。尚、以下の説明において特に図示又は記載されていない部分に関しては、当該技術分野における周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明される事項は、あくまでも本発明の実施形態の一つであり、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, a well-known technique or a well-known technique in the technical field can be applied to a part that is not particularly illustrated or described. The items described below are only one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to these embodiments.
[第一の実施形態]
図1は、本発明の有機EL表示装置における第一の実施形態を示す断面模式図である。
[First embodiment]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of the organic EL display device of the present invention.
図1の有機EL表示装置1は、基板10上の所定の領域に、第一電極21と、有機化合物層22と、第二電極23と、がこの順に積層してなる有機EL素子20が設けられている。尚、ここでいう所定の領域は、表示領域と呼ばれる領域であり、この表示領域から外れた基板10上の領域(例えば、表示領域の外周に相当する領域)は、非表示領域と呼ばれる領域である。ところで、図1の有機EL表示装置1には、表示領域内に有機発光素子20が1基設けられているが、本発明においては、図1の態様に限定されず、表示領域内に有機発光素子20が複数基設けられていてもよい。図1の有機EL表示装置1において、有機EL素子20は、吸湿層30に被覆されている。また図1の有機EL表示装置1において、吸湿層30は、基板10の全面、即ち、有機EL素子20が設けされている表示領域及び非表示領域を被覆するように設けられている。図1の有機EL表示装置1において、非表示領域に設けられている吸湿層30上には、応力緩和部材41と、接着層42と、がこの順に設けられている。図1の有機EL表示装置1において、接着層42上には、封止基板50が設けられている。
The organic EL display device 1 of FIG. 1 includes an
次に、図1の有機EL表示装置1の構成部材について説明する。 Next, components of the organic EL display device 1 shown in FIG. 1 will be described.
有機EL表示装置1の構成部材である基板10は、例えば、ガラス基板、合成樹脂等からなる絶縁性基板、表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層が形成した導電性基板、半導体基板等が挙げられる。また基板10自体は、透明であっても不透明であってもよい。
The
第一電極21は、基板10上に設けられる電極であって、下部電極とも呼ばれる導電性薄膜である。第一電極21は、透明電極であってもよいし反射電極であってもよい。第一電極21が透明電極である場合、その構成材料としては、ITO、In2O3等の透明導電性材料が挙げられる。一方、第一電極21が反射電極である場合、その構成材料としては、Au、Ag、Al、Pt、Cr、Pd、Se、Ir等の金属単体、これら金属単体を複数組み合わせた合金、ヨウ化銅等の金属化合物等が挙げられる。第一電極21の膜厚は、好ましくは、0.1μm〜1μmである。
The
第一電極21上に設けられる有機化合物層22は、少なくとも発光層を有する一層又は複数の層で構成される積層体である。有機化合物層22が複数の層で構成される場合、有機化合物層22を構成する層としては、有機EL素子の発光機能を考慮して適宜選択することができる。有機化合物層22を構成する層のうち発光層以外の層として、具体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また有機化合物層22の構成材料としては、公知の化合物を使用することができる。さらに、有機化合物層22は、真空蒸着法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法により形成することができる。
The
有機化合物層22上に形成される第二電極23は、上部電極とも呼ばれる導電性薄膜である。第二電極23は、透明電極であってもよいし反射電極であってもよく、第一電極21の性質に応じて適宜選択する。また第二電極23の構成材料は、上述した第一電極21と同様の材料を使用することができる。
The
有機EL素子20上及び非表示領域にある基板10上に設けられる吸湿層30は、吸水性を有するケイ素含有ポリマーである。特に、下記式(A)に示されるポリシラザンが好ましい。
The
(式(A)において、R1乃至R3は、それぞれ水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アルコキシ基又は金属原子を表す。ただし、R1乃至R3のうち少なくとも1つは水素原子である。) (In the formula (A), R 1 to R 3 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylsilyl group, an alkylamino group, an alkoxy group, or a metal atom, provided that R 1 to R At least one of 3 is a hydrogen atom.)
吸湿層30を形成する方法として、例えば、吸水性を有するケイ素含有ポリマーと有機溶媒とを混合して得られた塗布液を用いて、スピンコート等の塗布方法を利用して、薄膜を形成する方法が挙げられる。吸湿層30の膜厚は、好ましくは、100nm〜2000nmである。
As a method of forming the
尚、吸湿層30を設ける際に使用される塗布液によって有機EL素子20が損傷する可能性がある場合は、これを防ぐことを目的として保護層(不図示)を設けてもよい。保護層の構成材料として、好ましくは、SiN、SiON、SiO2等の無機絶縁材料である。
In addition, when there is a possibility that the
図1の有機EL表示装置1において、吸湿層30上に設けられる応力緩和部材41は、吸湿層30が大気中の水分を吸収して吸湿層30の体積変化が生じたときに、吸湿層30から接着層42が剥離するのを防ぐ部材である。つまり、応力緩和部材41は、吸湿層30の体積変化よって吸湿層30と接着層42との間に生じる応力を緩和し、基板10と、封止基板50と、基板10と封止基板50とを接合する接着層42と、によってもたらされる封止状態を維持するために設けられる。応力緩和部材41の構成材料として、好ましくは、樹脂材料であり、より好ましくは、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂である。応力緩和部材41は、ディスペンス法等により形成される。また応力緩和部材41は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂からなる樹脂シートを適宜加工して吸湿層30上に載置することで形成してもよい。尚、応力緩和部材41を封止部材の一つとして用いる場合、応力緩和部材41は、表示領域の外周を取り囲むように設けるのが好ましい。
In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the
図1の有機EL表示装置1では、基板10と封止基板50とを接着するために、応力緩和部材41と封止基板50との間に接着層42が形成される。接着層42の構成材料としては、接着性を有する部材であれば特に限定されるものではない。例えば、樹脂材料からなる応力緩和部材41を損傷させない程度の低い温度で接着できる低融点金属を使用することも可能であるが、樹脂材料が好ましい。接着層42の構成材料が樹脂材料である場合、具体的には、応力緩和部材41と同様に紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。接着層42は、ディスペンス法等により形成される。また接着層42は、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂又は熱可塑性樹脂からなる樹脂シートを適宜加工して応力緩和部材41上に載置してもよい。
In the organic EL display device 1 of FIG. 1, an
図1の有機EL表示装置1において、封止基板50としては、ガラス基板、合成樹脂等からなる絶縁性基板、表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板等が挙げられる。また封止基板50は、透明であっても不透明であってもよい。ただし、基板10が不透明な基板である場合は、封止基板50として透明な基板を用いる。
In the organic EL display device 1 of FIG. 1, examples of the sealing
図1の有機EL表示装置1において、吸湿層30の端部は、吸湿層30上に設けられている応力緩和部材41にて被覆されていないため、吸湿層30から発生したガスを吸湿層30の端部から放出させることができる。
In the organic EL display device 1 of FIG. 1, the end of the
[第二の実施形態]
図2は、本発明の有機EL表示装置における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the organic EL display device of the present invention. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the first embodiment.
図2の有機EL表示装置2は、吸湿層30と封止基板50との間に設けられ、かつ有機EL表示装置2を封止するための部材を、接着層の機能(吸湿層30等と接着する機能)を有する応力緩和部材43のみとした。これを除いては、第一の実施形態と同じ構成である。尚、図2中の応力緩和部材43は、図1中の応力緩和部材41と接着層42とを組み合わせた部材であって、この組み合わせた部材を同じ材料で形成することにより得られる部材である。
The organic EL display device 2 of FIG. 2 is provided between the
本実施形態のように、吸湿層30と封止基板50との間に設けられる部材を応力緩和部材43のみとすることにより、第一の実施形態と比較して作製工程を簡略化させることができる。
By using only the
尚、本実施形態で使用される応力緩和部材43は、第一の実施形態と同様に樹脂材料で形成することができるが、樹脂材料の中でも吸湿層30及び封止基板50に対して接着力を有する材料を用いるのが好ましい。
The
[第三の実施形態]
図3は、本発明の有機EL表示装置における第三の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
[Third embodiment]
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the organic EL display device of the present invention. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the first embodiment.
図3の有機EL表示装置3は、図2の有機EL表示装置2と同様に、吸湿層30と封止基板50との間に設けられ、かつ有機EL表示装置3を封止するための部材を、接着層の機能を有する応力緩和部材43のみとしている。また図3の有機EL表示装置3は、吸湿層30を、封止基板50の有機EL素子20側表面の全面にわたって設けられている。これらを除いては、第一の実施形態と同じ構成である。
Similar to the organic EL display device 2 of FIG. 2, the organic EL display device 3 of FIG. 3 is provided between the
本実施形態のように、吸湿層30と封止基板50との間に設けられる部材を応力緩和部材43のみとすることにより、第一の実施形態と比較して作製工程を簡略化させることができる。
By using only the
また図3の有機EL表示装置3において、応力緩和部材43は、吸湿層30と接するように設けられており、かつ吸湿層30の端部を被覆していない。このため、第一の実施形態と同様に、吸湿層30から発生したガスを吸湿層30の端部から放出させることができると共に、吸湿による吸湿層30の体積変化よって吸湿層30と応力緩和部材43との間に生じる応力を緩和する効果を奏する。
In the organic EL display device 3 of FIG. 3, the
[第四の実施形態]
図4は、本発明の有機EL表示装置における第四の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
[Fourth embodiment]
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a fourth embodiment of the organic EL display device of the present invention. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the first embodiment.
図4の有機EL表示装置4は、図1の有機EL表示装置1において、吸湿層30を有機EL素子20上に設ける(吸湿層30a)だけではなく、封止基板50の有機EL素子20側表面の全面にわたって吸湿層30(30b)を設けている。図4の有機EL表示装置4に示されるように吸湿層を設ける場所・領域を増やすことにより、より防湿性が高い有機EL表示装置を得ることができる。
The organic EL display device 4 in FIG. 4 is not only provided with the
また図4の有機EL表示装置4は、吸湿層30aと吸湿層30bとの間に設けられ、かつ有機EL表示装置4を封止するための部材を、接着層の機能を有する応力緩和部材43のみとしている。尚、第一の実施形態のように、吸湿層30aと吸湿層30bとの間に設けられる部材を、図1中の応力緩和部材41と接着層42とからなる複合部材とすることは可能である。ただし、本実施形態のように、吸湿層30aと吸湿層30bとの間に設けられる部材を応力緩和部材43のみとすることにより、作製工程を簡略化させることができる。
The organic EL display device 4 of FIG. 4 is provided between the
また図4の有機EL表示装置4において、応力緩和部材43は、二つの吸湿層(30a、30b)と接するように設けられており、かつ二つの吸湿層(30a、30b)の端部をいずれも被覆していない。このため、第一の実施形態と同様に、吸湿層30から発生したガスを吸湿層30の端部から放出させることができると共に、吸湿による吸湿層30の体積変化よって吸湿層(30a、30b)と応力緩和部材43との間に生じる応力を緩和する効果を奏する。
Further, in the organic EL display device 4 of FIG. 4, the
[第五の実施形態]
図5は、本発明の有機EL表示装置における第五の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
[Fifth embodiment]
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a fifth embodiment of the organic EL display device of the present invention. Hereinafter, a description will be given focusing on differences from the first embodiment.
図5の有機EL表示装置5は、有機EL素子20が設けられている表示領域と、この表示領域の外周の領域と、を合わせた領域において、吸湿層30と封止基板50とで挟まれた空間を充填するように、接着層の機能を有する応力緩和部材43が設けられている。つまり、吸湿層30及び封止基板50と接するように応力緩和部材43が設けられている。
The organic EL display device 5 of FIG. 5 is sandwiched between the
図5の有機EL表示装置5は、有機EL素子20が、吸湿層30及び応力緩和部材43にて被覆されるため他の実施形態と比べて防湿性は向上する。また他の実施形態と比較して吸湿層30と応力緩和部材43との接触面積が大きいので、吸湿層30の体積変化に対して応力緩和部材43が吸湿層30からより剥がれにくい構成となっている。
In the organic EL display device 5 of FIG. 5, the
一方、本実施形態においても応力緩和部材43は、吸湿層30の端部を被覆していない。このため、第一の実施形態と同様に、吸湿層30から発生したガスを吸湿層30の端部から放出させることができるので、アウトガスによる気泡の発生及びこの気泡の発生に伴う表示性能の不良が抑制される。
On the other hand, also in the present embodiment, the
[実施例1]
図1の有機EL表示装置1を、以下に説明する方法により作製した。
[Example 1]
The organic EL display device 1 of FIG. 1 was produced by the method described below.
(1)電極付基板の作製工程
ガラス基板上に、低温ポリシリコンTFTを含む画素回路を形成した。次に、形成した画素回路上に、SiNと、ポリイミド樹脂と、を順次成膜することにより基板10を作製した。尚、SiNからなる膜は半導体保護層として機能し、ポリイミド樹脂からなる膜は平坦化膜として機能する。
(1) Manufacturing process of substrate with electrode A pixel circuit including a low-temperature polysilicon TFT was formed on a glass substrate. Next, the
次に、スパッタリング法により、基板10上に、AlNdと、ITOと、をこの順に成膜してAlNd膜とITO膜とからなる積層電極膜を形成した。尚、AlNd膜の膜厚を100nmとし、ITO膜の膜厚を38nmとした。次に、フォトリソプロセスを利用して、形成した積層電極膜を画素毎にパターニングして第一電極21を形成した。
Next, AlNd and ITO were formed in this order on the
次に、第一電極21上及び基板10上に、ポリイミド樹脂をスピンコートし、フォトリソプロセスを利用して第一電極21が形成された部分に開口(この開口部が画素に相当)が形成されるようにパターニングして画素分離層(不図示)を形成した。このとき、各画素のピッチ(開口ピッチ)は30μmであり、開口(第一電極21の露出部)の大きさは10μmであった。次に、画素分離膜まで形成した基板をイソプロピルアルコール(IPA)で超音波洗浄し、次いで、煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄することにより、表示領域に第一電極21を備える電極付基板を得た。
Next, a polyimide resin is spin-coated on the
(2)有機化合物層の形成工程
次に、真空蒸着法により、第一電極21上に有機化合物層22を形成した。以下に、その具体的方法を説明する。
(2) Formation Step of Organic Compound Layer Next, the
まず、下記式に示されるHT−1(FL03)を成膜して正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を87nmとした。 First, HT-1 (FL03) represented by the following formula was formed to form a hole transport layer. At this time, the thickness of the hole transport layer was set to 87 nm.
次に、赤色画素に相当する領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、CBP(ホスト、カルバゾール化合物)とIr(piq)3(ゲスト、ホストに対して9重量%添加)とを共蒸着して赤色発光層を形成した。このとき赤色発光層の膜厚を30nmとした。 Next, CBP (host, carbazole compound) and Ir (piq) 3 (added 9% by weight to the guest and host) are co-evaporated using a shadow mask having an opening in the region corresponding to the red pixel. A red light emitting layer was formed. At this time, the thickness of the red light emitting layer was set to 30 nm.
次に、緑色画素に相当する領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、Alq3(ホスト、アルミキレート錯体)とクマリン6(ゲスト、ホストに対して1重量%添加)とを共蒸着して緑色発光層を形成した。このとき緑色発光層の膜厚を40nmとした。 Next, using a shadow mask having an opening in the area corresponding to the green pixel, Alq 3 (host, aluminum chelate complex) and coumarin 6 (added 1% by weight to the guest, host) are co-evaporated and green. A light emitting layer was formed. At this time, the thickness of the green light emitting layer was 40 nm.
次に、青色画素に相当する領域に開口を有するシャドーマスクを用いて、BAlq(ホスト、アルミキレート錯体)とペリレン(ゲスト、ホストに対して3重量%添加)とを共蒸着して青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を25nmとした。 Next, using a shadow mask having an opening in a region corresponding to a blue pixel, BAlq (host, aluminum chelate complex) and perylene (added 3% by weight to the guest, host) are co-evaporated to form a blue light emitting layer. Formed. At this time, the thickness of the blue light emitting layer was set to 25 nm.
次に、発光層上に、Bphen(フェナントロリン化合物)を成膜して電子輸送層を形成した。このとき電子輸送層の膜厚を10nmとした。 Next, Bphen (phenanthroline compound) was formed on the light emitting layer to form an electron transport layer. At this time, the thickness of the electron transport layer was 10 nm.
次に、電子輸送層上に、Bphen(ホスト)と炭酸セシウム(Cs2CO3、ゲスト)とを共蒸着(重量比は、ホスト:ゲスト=90:10)して電子注入層を形成した。このとき電子注入層の膜厚を40nmとした。以上のようにして、有機化合物層22を形成した。
Next, Bphen (host) and cesium carbonate (Cs 2 CO 3 , guest) were co-deposited on the electron transport layer (weight ratio: host: guest = 90: 10) to form an electron injection layer. At this time, the thickness of the electron injection layer was 40 nm. The
(3)第二電極の形成工程
次に、有機化合物層22まで形成した基板10を、真空を破ることなくスパッタ装置に移動させた。次に、スパッタ法により、Agと、インジウム亜鉛酸化物と、をこの順に成膜して、第二電極23を、Ag膜と透明導電性電極膜とからなる積層電極として形成した。このときAg膜の膜厚を10nmとし、透明導電性電極膜の膜厚を50nmとした。
(3) Second Electrode Formation Step Next, the
以上の工程により、基板10上の表示領域に有機EL素子20を作製した。
The
(4)保護層の形成工程
次に、有機EL素子20まで形成されている基板10を、真空を破ることなくCVD装置へ搬送した。次に、SiH4ガス、N2ガス及びH2ガスを用いたプラズマCVD法により、有機EL素子20上及び有機EL素子20の外周に相当する領域にSiNを成膜して保護層(不図示)を形成した。このとき保護層の膜厚は0.2μmであった。
(4) Formation process of a protective layer Next, the board |
(5)吸湿層の形成工程
次に、保護層まで形成された基板10を搬送して、窒素雰囲気下のグローブボックスに移動させた。次に、ポリシラザン(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製、アクアミカNAX120−20)とジブチルエーテルとを混合して調製したジブチルエーテル溶液を、保護層(不図示)上に滴下した後、スピンコートした。これにより基板10の全面にわたって塗布膜を形成した。次に、真空乾燥炉に基板10を搬送した後、真空乾燥炉内を60℃に保持してジブチルエーテルを完全に蒸発させることで基板10の全面に吸湿層30を形成した。このとき、吸湿層30の膜厚は500nmであった。
(5) Formation process of moisture absorption layer Next, the board |
(6)応力緩和部材の形成工程
次に、吸湿層30まで形成されている基板10を、窒素雰囲気下のグローブボックス内に戻した後、応力緩和部材41を、吸湿層30上であって有機EL素子20を囲むように基板10の外周に形成した。具体的には、ディスペンス法により、熱硬化樹脂を、非表示領域内であって有機EL素子20の周囲を囲むように形成した後、100℃のホットプレートで1時間かけて硬化させることにより、応力緩和部材41を形成した。このとき応力緩和部材41の線幅は2.5mmであり、高さは20μmであった。
(6) Step of forming stress relaxation member Next, after the
(7)封止工程
次に、先程の窒素雰囲気下のグローブボックス内においてガラス封止基板(封止基板50)の外周に、有機EL素子20が囲まれるように紫外線硬化樹脂からなる接着層42を配置した。このとき、接着層42の線幅は2mmであり、高さは20μmであった。次に、基板10と封止基板50とを、応力緩和部材41と接着層42とが重ね合わさるようにして設置した後、接着層42に紫外線を照射して接着層42を硬化させることにより、封止された有機EL表示装置1を得た。
(7) Sealing Step Next, the
得られた有機EL表示装置1は、吸湿層30上に接するように応力緩和部材41が配置されているため、温度85℃湿度85%の環境下に500時間置いた場合でも接着層42の剥がれは認められなかった。
In the obtained organic EL display device 1, since the
[実施例2]
図2の有機EL表示装置2を、以下に説明する方法により作製した。
[Example 2]
The organic EL display device 2 of FIG. 2 was produced by the method described below.
(1)電極付基板の作製工程
実施例1の(1)と同様の方法により、第一電極21を有する電極付基板を作製した。
(1) Manufacturing process of substrate with electrode By the same method as (1) of Example 1, the substrate with an electrode having the
(2)有機化合物層の形成工程
実施例1の(2)と同様の方法により、有機化合物層22を形成した。
(2) Formation Step of Organic Compound Layer An
(3)第二電極の形成工程
実施例1の(3)と同様の方法により、第二電極23を形成した。
(3) Second Electrode Formation Step A
(4)保護層の形成工程
実施例1の(4)と同様の方法により、保護層(不図示)を形成した。
(4) Formation process of a protective layer The protective layer (not shown) was formed by the method similar to (4) of Example 1. FIG.
(5)吸湿層の形成工程
実施例1の(5)と同様の方法により、吸湿層30を形成した。
(5) Formation process of moisture absorption layer The
(6)応力緩和部材の形成工程、封止工程
次に、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、ガラス封止基板(封止基板50)の外周に有機EL素子20が囲まれるように紫外線硬化樹脂からなる応力緩和部材43を配置した。このとき、応力緩和部材43の線幅は2mmであり、高さは20μmであった。次に、吸湿層30まで形成された基板10と、封止基板50とを重ね合わせて応力緩和部材43に紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させることで、封止された有機EL表示装置2を得た。
(6) Step of forming stress relaxation member, sealing step Next, an ultraviolet curable resin is used so that the
得られた有機EL表示装置2は、吸湿層30上に接するように接着層を兼ねた応力緩和部材43が配置されているため、温度85℃湿度85%の環境下に500時間置いた場合でも接着層に相当する応力緩和部材43の剥がれは認められなかった。
Since the obtained organic EL display device 2 is provided with the
[実施例3]
図3の有機EL表示装置3を、以下に説明する方法により作製した。
[Example 3]
The organic EL display device 3 of FIG. 3 was produced by the method described below.
(1)電極付基板の作製工程
実施例1の(1)と同様の方法により、第一電極21を有する電極付基板を作製した。
(1) Manufacturing process of substrate with electrode By the same method as (1) of Example 1, the substrate with an electrode having the
(2)有機化合物層の形成工程
実施例1の(2)と同様の方法により、有機化合物層22を形成した。
(2) Formation Step of Organic Compound Layer An
(3)第二電極の形成工程
実施例1の(3)と同様の方法により、第二電極23を形成した。
(3) Second Electrode Formation Step A
(4)吸湿層の形成工程
次に、ガラス封止基板(封止基板50)を窒素雰囲気下のグローブボックス内に移動させた。次に、ポリシラザン(AZエレクトロニックマテリアルズ(株)製、アクアミカNAX120−20)とジブチルエーテルとを混合して調製したジブチルエーテル溶液を、封止基板50上に滴下した後、スピンコートした。これにより封止基板50の全面にわたって塗布膜を形成した。次に、真空乾燥炉に封止基板50を搬送した後、真空乾燥炉内を60℃に保持してジブチルエーテルを完全に蒸発させることで吸湿層30を形成した。このとき、吸湿層30の膜厚は500nmであった。
(4) Step of forming moisture absorbing layer Next, the glass sealing substrate (sealing substrate 50) was moved into a glove box under a nitrogen atmosphere. Next, a dibutyl ether solution prepared by mixing polysilazane (manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd., Aquamica NAX120-20) and dibutyl ether was dropped on the sealing
(5)応力緩和部材の形成工程、封止工程
次に、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、基板10上の非表示領域内において、有機EL素子20が囲まれるように紫外線硬化樹脂からなる応力緩和部材43を配置した。このとき、応力緩和部材43の線幅は2mmであり、高さは20μmであった。次に、有機EL素子20と応力緩和部材43とが設けられている基板10と、吸湿層30が設けられている封止基板50とを、吸湿層30と応力緩和部材43とが接触するように重ね合わせた。次に、応力緩和部材43に紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させることで、封止された有機EL表示装置3を得た。
(5) Stress Relaxation Member Formation Step and Sealing Step Next, a stress made of an ultraviolet curable resin so that the
得られた有機EL表示装置3は、吸湿層30上に接するように接着層を兼ねた応力緩和部材43が配置されているため、温度85℃湿度85%の環境下に500時間置いた場合でも接着層に相当する応力緩和部材43の剥がれは認められなかった。
Since the obtained organic EL display device 3 is provided with the
[実施例4]
図4の有機EL表示装置4を、以下に説明する方法により作製した。
[Example 4]
The organic EL display device 4 of FIG. 4 was produced by the method described below.
(1)電極付基板の作製工程
実施例1の(1)と同様の方法により、第一電極21を有する電極付基板を作製した。
(1) Manufacturing process of substrate with electrode By the same method as (1) of Example 1, the substrate with an electrode having the
(2)有機化合物層の形成工程
実施例1の(2)と同様の方法により、有機化合物層22を形成した。
(2) Formation Step of Organic Compound Layer An
(3)第二電極の形成工程
実施例1の(3)と同様の方法により、第二電極23を形成した。
(3) Second Electrode Formation Step A
(4)保護層の形成工程
実施例1の(4)と同様の方法により、保護層(不図示)を形成した。
(4) Formation process of a protective layer The protective layer (not shown) was formed by the method similar to (4) of Example 1. FIG.
(5)吸湿層の形成工程
実施例1の(5)と同様の方法により、保護層上に吸湿層30aを形成した。また実施例3(4)と同じ方法により、封止基板50の全面にわたって吸湿層30bを形成した。
(5) Formation process of moisture absorption layer The
(6)応力緩和部材の形成工程、封止工程
次に、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、非表示領域内に設けられている吸湿層30a上において、有機EL素子20が囲まれるように紫外線硬化樹脂からなる応力緩和部材43を配置した。このとき、応力緩和部材43の線幅は2mmであり、高さは20μmであった。次に、有機EL素子20と吸湿層30aと応力緩和部材43とが設けられている基板10と、吸湿層30bが設けられている封止基板50とを、吸湿層30bと応力緩和部材43とが接触するように重ね合わせた。次に、応力緩和部材43に紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させることで、封止された有機EL表示装置4を得た。
(6) Stress relaxation member forming step and sealing step Next, in the glove box under a nitrogen atmosphere, ultraviolet rays are formed so that the
得られた有機EL表示装置4は、二つの吸湿層(30a、30b)のいずれにも接するように接着層を兼ねた応力緩和部材43が配置されている。このため、温度85℃湿度85%の環境下に500時間置いた場合でも接着層に相当する応力緩和部材43の剥がれは認められなかった。
In the obtained organic EL display device 4, a
[実施例5]
図5の有機EL表示装置5を、以下に説明する方法により作製した。
[Example 5]
The organic EL display device 5 of FIG. 5 was produced by the method described below.
(1)電極付基板の作製工程
実施例1の(1)と同様の方法により、第一電極21を有する電極付基板を作製した。
(1) Manufacturing process of substrate with electrode By the same method as (1) of Example 1, the substrate with an electrode having the
(2)有機化合物層の形成工程
実施例1の(2)と同様の方法により、有機化合物層22を形成した。
(2) Formation Step of Organic Compound Layer An
(3)第二電極の形成工程
実施例1の(3)と同様の方法により、第二電極23を形成した。
(3) Second Electrode Formation Step A
(4)保護層の形成工程
実施例1の(4)と同様の方法により、保護層(不図示)を形成した。
(4) Formation process of a protective layer The protective layer (not shown) was formed by the method similar to (4) of Example 1. FIG.
(5)吸湿層の形成工程
実施例1の(5)と同様の方法により、保護層上に吸湿層30を形成した。
(5) Formation process of moisture absorption layer The
(6)応力緩和部材の形成工程
次に、次に、窒素雰囲気下のグローブボックス内において、封止基板50上に、熱硬化樹脂からなる応力緩和部材43を配置した。このとき、応力緩和部材43の高さは20μmであった。また本実施例(実施例5)において、封止基板50上に設けられた応力緩和部材43は、表示領域及びその外周に相当する領域に設けられている。
(6) Step of forming stress relaxation member Next, the
(7)封止工程
次に、有機EL素子20と吸湿層30aとが設けられている基板10と、応力緩和部材43が設けられている封止基板50とを、吸湿層30と応力緩和部材43とが接触するように重ね合わせた後、80℃に加熱して仮接着を行った。次に、重ね合わせた基板を100℃のホットプレート上に載置してこの温度で2時間加熱した。これにより熱硬化樹脂を硬化させることで、封止された有機EL表示装置5を得た。
(7) Sealing Step Next, the
得られた有機EL表示装置5は、吸湿層30に接するように接着層を兼ねた応力緩和部材43が配置されている。このため、温度85℃湿度85%の環境下に500時間置いた場合でも接着層に相当する応力緩和部材43の剥がれは認められなかった。
In the obtained organic EL display device 5, a
1(2,3,4,5)有機EL表示装置、10:基板、20:有機EL素子、21:第一電極、22:有機化合物層、23:第二電極、30:吸湿層、41(43):応力緩和部材、42:接着層、50:封止基板 1 (2, 3, 4, 5) organic EL display device, 10: substrate, 20: organic EL element, 21: first electrode, 22: organic compound layer, 23: second electrode, 30: hygroscopic layer, 41 ( 43): Stress relaxation member, 42: adhesive layer, 50: sealing substrate
Claims (4)
前記基板上に設けられる有機EL素子と、
前記有機EL素子上に設けられる封止基板と、
前記基板と前記封止基板との間に設けられる吸湿層と、
前記基板と前記封止基板との間に設けられ、前記基板と前記封止基板とを接合する接着層と、を備える有機EL表示装置において、
前記吸湿層が、吸水性を有するケイ素含有ポリマーからなる層であり、
前記吸湿層の端部が外気に露出しており、
前記基板と前記封止基板との間に設けられ、少なくとも吸湿層と接するように応力緩和部材が設けられることを特徴とする、有機EL表示装置。 A substrate,
An organic EL element provided on the substrate;
A sealing substrate provided on the organic EL element;
A moisture absorption layer provided between the substrate and the sealing substrate;
In an organic EL display device comprising: an adhesive layer provided between the substrate and the sealing substrate and joining the substrate and the sealing substrate;
The moisture absorption layer is a layer made of a silicon-containing polymer having water absorption,
The end of the moisture absorbing layer is exposed to the outside air,
An organic EL display device comprising a stress relaxation member provided between the substrate and the sealing substrate and in contact with at least a moisture absorption layer.
Priority Applications (2)
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JP2012093478A JP2013222599A (en) | 2012-04-17 | 2012-04-17 | Organic el display device |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015187851A (en) * | 2014-03-13 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | touch panel |
JP2021170434A (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-28 | 双葉電子工業株式会社 | Organic EL device |
WO2022130117A1 (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus |
-
2012
- 2012-04-17 JP JP2012093478A patent/JP2013222599A/en active Pending
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JP2021170434A (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-28 | 双葉電子工業株式会社 | Organic EL device |
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