JP2006330169A - Color filter substrate and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はカラーフィルタ(CF)基板およびその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor,TFT)基板と共に液晶表示装置の液晶パネルに用いられるCF基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a color filter (CF) substrate and a manufacturing method thereof, and more particularly to a CF substrate used for a liquid crystal panel of a liquid crystal display device together with a thin film transistor (TFT) substrate and a manufacturing method thereof.
一般に、液晶表示装置に搭載される液晶パネルは、ガラス基板等の透明絶縁性基板の上に画素電極や画素電極を駆動するTFT等が形成されたTFT基板と、同じくガラス基板等の上にコモン電極やCFが形成されたCF基板等の対向基板との間に液晶層が挟まれた構造を有している。 In general, a liquid crystal panel mounted on a liquid crystal display device is commonly used on a TFT substrate in which a pixel electrode and a TFT for driving the pixel electrode are formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate, and on the same glass substrate. The liquid crystal layer is sandwiched between a counter substrate such as a CF substrate on which an electrode and CF are formed.
図5は従来の液晶パネルの一例の要部断面模式図である。
図5に示すように、通常の液晶パネル100は、TFT基板101とCF基板102との間に液晶層103が挟まれた構造を有している。このうち、CF基板102に対向するTFT基板101には、図5に示したように、透明絶縁性基板101a上にTFT101bが形成されており、その表面をシリコン窒化膜(SiN膜)等の絶縁膜101cで保護され、その上に、ITO(Indium Tin Oxide)等で透明導電膜101dが形成されている。そして、CF基板102と対向する面側にはポリイミド等で配向膜101eが形成され、その反対の面側には偏光板101fが貼り付けられている。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an essential part of an example of a conventional liquid crystal panel.
As shown in FIG. 5, the normal
一方、CF基板102には、図5に示したように、透明絶縁性基板102a上に、クロム(Cr)等の金属で画素間の領域を遮光するブラックマトリクス(BM)膜102bが形成されている。そして、その上には、所定の樹脂を用い、画素ごとに赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれかを示すような樹脂パターンからなるCF102cが形成され、さらにその上には、ITO等で透明導電膜102dが形成されている。また、TFT基板101と同様、TFT基板101と対向する面側にはポリイミド等で配向膜102eが形成され、その反対側の面には偏光板102fが貼り付けられている。
On the other hand, as shown in FIG. 5, a black matrix (BM)
液晶層103は、このようなTFT基板101とCF基板102との間に挟まれた状態で配置される。その際、両基板間の隙間、すなわちセルギャップを一定に保つため、両基板間に樹脂製あるいはセラミック製の例えば球状のスペーサ104が配置される。
The
図6は従来のCF基板の一例の平面模式図である。
上記のようにTFT基板101との間に液晶層103を挟むCF基板102は、図6に示すように、表示領域200の外周部に、表示領域200内に形成されている上記のBM膜102bと一体になっている金属膜201が形成されている。そして、表示領域200内のBM膜102b上には、上記のCF102cが形成され、そのCF102cと外周部の金属膜201、さらにTFT基板101との接続に用いられる突状のコモン端子202を覆うように上記の透明導電膜102dが形成されている。
FIG. 6 is a schematic plan view of an example of a conventional CF substrate.
As described above, the
CF基板には、このほかにも、液晶パネルの方式に応じ、従来種々の形態のものが提案されている。
図7は従来の別の例のCF基板の要部平面模式図である。また、図8は従来の別の例のCF基板の形成方法の概略図であって、(A)はBM膜形成工程の要部断面模式図、(B)は第1の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、(C)は第2の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、(D)は第3の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、(E)は透明導電膜形成工程の要部断面模式図、(F)は突起状パターン形成工程の要部断面模式図である。なお、図8(A)〜(F)はそれぞれ、図7のB−B断面における工程断面図を示している。
In addition to this, various types of CF substrates have been proposed according to the type of liquid crystal panel.
FIG. 7 is a schematic plan view of an essential part of another conventional CF substrate. FIG. 8 is a schematic view of another conventional method for forming a CF substrate. FIG. 8A is a schematic cross-sectional view of a main part of a BM film forming step, and FIG. 8B is a first resin pattern forming step. (C) is a schematic cross-sectional view of the main part of the second resin pattern forming step, (D) is a schematic cross-sectional view of the main part of the third resin pattern forming step, and (E) is a transparent conductive film formation. FIG. 4F is a schematic cross-sectional view of the relevant part of the process, and FIG. 5F is a schematic cross-sectional view of the relevant part of the protruding pattern forming step. 8A to 8F are process cross-sectional views taken along the line BB in FIG.
図7に示すCF基板300は、例えばMVA(Multi-domain Vertical Alignment)型液晶パネルに用いられるものであり、その表示領域は、透明絶縁性基板上にBM膜301、CF302、透明導電膜303が順に形成されており、その透明導電膜303上に、レジスト等の樹脂を用いて平面V字形状のドメイン規制用の突起状パターン304が形成されている。
A
このようなCF基板300は、まず、図8(A)に示すように、透明絶縁性基板305上の全面に例えばCr膜を厚さ約0.16μmで成膜して表示領域にBM膜301を形成する。次いで、図8(B)に示すように、透明絶縁性基板305の上側全面に赤色樹脂を塗布し、表示領域内の所定位置に厚さ約1.8μmの赤色樹脂パターン302aを形成する。同様にして、図8(C),(D)に示すように、緑色樹脂、青色樹脂を用いてそれぞれ厚さ約1.8μmの緑色樹脂パターン302b、青色樹脂パターン302cを形成する。その後、全面に例えばITOを厚さ約0.15μmで成膜し、コモン端子(図示せず)上にも残るようにしてパターニングを行い、透明導電膜303を形成する。そして、最後に、その透明導電膜303上に樹脂を用いて平面V字形状の突起状パターン304を厚さ約1.1μmで形成する。このような方法を用いることにより、図7に示したようなCF基板300が形成される。
In such a
また、従来は、MVA型液晶パネルに関し、CF基板上に上記のようなドメイン規制用の突起状パターンと共に、樹脂を用いて高さ3μm〜4μm程度のセルギャップ調整用の柱状スペーサを形成し、上記のような球状スペーサ等を別途用いることなく一定のセルギャップを保持してTFT基板と貼り合わせることができるようにしたCF基板も提案されている。さらに、このように高さの異なるスペーサと突起状パターンを同時に形成する方法も提案されている(特許文献1参照)。
しかし、従来のCF基板では、特にそれをTFT基板と液晶層を挟んで貼り合わせる液晶パネルの製造過程において、以下に示すような問題が生じる場合があった。
図9は従来の液晶パネルの端部付近の断面模式図である。
However, in the conventional CF substrate, the following problems may occur particularly in the manufacturing process of the liquid crystal panel in which the TFT substrate and the liquid crystal layer are bonded to each other.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the end of a conventional liquid crystal panel.
前述のように、液晶パネル400は、透明絶縁性基板401a上にTFT401b、絶縁膜401c、透明導電膜401d、配向膜401e等が形成されているTFT基板401と、透明絶縁性基板402a上にBM膜を含む金属膜402b、CF402c、透明導電膜402d、配向膜402e等が形成されているCF基板402とを、液晶層403を挟んで貼り合わせた構造を有している。TFT基板401とCF基板402とは、表示領域の外側でシール膜404によって接合され、その空間内に液晶が封入されている。TFT基板401とCF基板402との間のセルギャップは、ここでは球状スペーサ405によって保持されている。また、各透明絶縁性基板401a,402aの対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板401f,402fが所定の偏光軸方向で貼り付けられている。なお、シール膜404には、液晶注入前には液晶の注入口が設けられており、この注入口は液晶注入後に樹脂等で封止されるようになっている。
As described above, the
ところが、このような構成の液晶パネル400を形成する際に、何らかの原因で表示領域外の配向膜401e,402eの表面に例えばセルギャップを上回るようなサイズの導電性の異物500が付着してしまったような場合、そのような状態でTFT基板401とCF基板402の接合を行うと、異物500が配向膜401e,402eを突き破って透明導電膜401d,402dにまで達し、TFT基板401とCF基板402がショートしてしまうといったことが起こり得る。
However, when the
透明導電膜401d,402dの表面にはそれぞれ配向膜401e,402eが形成されているものの、通常、配向膜401e,402eはポリイミド等の柔らかい材質で形成されているため、異物500の貫通を防ぐストッパ膜にはなりにくい。特に異物500が金属等の場合には、硬いため容易に配向膜401e,402eを突き破り、ショートを発生させやすい。
Although the
また、このような問題は、TFT基板401の表示領域外に形成されている端子引き出し線の部分や、そのような部分に対応するCF基板側の部分に、上記のような導電性の異物500が付着してしまっているような場合にも、同様に起こり得る。
Further, such a problem is caused by the conductive
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、TFT基板とのショートを抑制することのできるCF基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a CF substrate capable of suppressing a short circuit with a TFT substrate and a method for manufacturing the CF substrate.
本発明では、上記課題を解決するために、透明絶縁性基板上にCFが形成されたCF基板において、前記CFが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とするCF基板が提供される。 In the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate, the transparent conductive material that covers the display area on which the CF is formed, the display area, and the outside of the display area. A film, an external connection terminal formed outside the display area, and an insulating film formed outside the display area and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal. A featured CF substrate is provided.
このようなCF基板によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成されている。この絶縁膜は、例えばレジスト等の樹脂を用いて形成される。これにより、表示領域外に存在する透明導電膜が、そのような絶縁膜によって保護されるようになる。 According to such a CF substrate, the insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal outside the display region. This insulating film is formed using a resin such as a resist. As a result, the transparent conductive film existing outside the display region is protected by such an insulating film.
また、本発明では、透明絶縁性基板上にCFが形成されたCF基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板上にCFが形成された表示領域を形成する工程と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするCF基板の製造方法が提供される。 According to the present invention, in a method of manufacturing a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate, a step of forming a display region in which CF is formed on the transparent insulating substrate, the display region, and the display Forming a transparent conductive film covering the outside of the region; forming an external connection terminal outside the display region; and a region on the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminal. And a step of forming an insulating film on the substrate. A method for manufacturing a CF substrate is provided.
このようなCF基板の製造方法によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成され、表示領域外に存在する透明導電膜が絶縁膜によって保護されたCF基板が形成されるようになる。 According to such a method for manufacturing a CF substrate, an insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminals outside the display region, and the transparent conductive film existing outside the display region is protected by the insulating film. A CF substrate is formed.
本発明では、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成し、表示領域外に存在する透明導電膜を絶縁膜によって保護するようにした。これにより、TFT基板と共に液晶パネルを構成する際に、CF基板の表示領域外にある透明導電膜より上側の層に導電性の異物が付着してしまったような場合にも、絶縁膜によってそのような異物と透明導電膜との接触を防ぐことが可能になる。その結果、CF基板とTFT基板のショートを回避することが可能になる。 In the present invention, an insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminals outside the display region, and the transparent conductive film existing outside the display region is protected by the insulating film. Thus, when a liquid crystal panel is constructed with the TFT substrate, even if conductive foreign matter adheres to the layer above the transparent conductive film outside the display area of the CF substrate, the insulating film can It is possible to prevent contact between such a foreign substance and the transparent conductive film. As a result, a short circuit between the CF substrate and the TFT substrate can be avoided.
また、このようなCF基板を用いることにより、高品質の液晶パネルおよび液晶表示装置が実現可能になる。 Further, by using such a CF substrate, a high quality liquid crystal panel and liquid crystal display device can be realized.
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第1の実施の形態について説明する。
図1は第1の実施の形態のCF基板の要部平面模式図であって、(A)は絶縁膜形成前の状態、(B)は絶縁膜形成後の状態を示す図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, the first embodiment will be described.
1A and 1B are schematic plan views of the main part of the CF substrate according to the first embodiment, in which FIG. 1A shows a state before forming an insulating film, and FIG. 1B shows a state after forming the insulating film.
第1の実施の形態のCF基板には、図1(A)に示すように、絶縁膜の形成前、ガラス基板等の透明絶縁性基板1上の端部を除く表示領域2内に、厚さ約0.16μmのCr等の金属からなるBM膜(図示せず。)が形成され、その外周部には、同じくCr等からなる金属膜3が形成されている。表示領域2には、画素ごとにRGBのいずれかの樹脂パターンを形成したCF(図示せず。)が形成されている。そして、このような表示領域2とその外周部にある金属膜3の上を覆うようにして、厚さ約0.15μmのITO等の透明導電膜4がコモン電極として形成されている。また、このCF基板には、表示領域2外に、外部接続用端子、ここでは液晶パネル構成時に対向させるTFT基板との電気的な接続を行うための突状のコモン端子5が形成されている。透明導電膜4は、コモン端子5上にも形成されている。
As shown in FIG. 1A, the CF substrate according to the first embodiment has a thickness within the
さらに、このCF基板には、図1(B)に示すように、表示領域2の外周部でコモン端子5を除く透明導電膜4上に、絶縁膜6aが形成されている。絶縁膜6aは、例えば一般にレジストとして利用されているような樹脂を用いて形成することができる。
Further, on this CF substrate, as shown in FIG. 1B, an insulating
このようなCF基板を用いた液晶パネルは、図1(B)に示した絶縁膜6a形成後のCF基板の表面に配向膜(図示せず。)を形成した後、既に形成が完了しているTFT基板との間に液晶層を挟んで両基板を接合することによって構成される。
A liquid crystal panel using such a CF substrate has already been formed after an alignment film (not shown) is formed on the surface of the CF substrate after the formation of the insulating
このようにコモン端子5を除く表示領域2の外周部に絶縁膜6aを形成することにより、TFT基板との貼り合わせを行う際、表示領域2の外周部に金属等の導電性の異物が付着してしまっているような場合でも、レジストを用いて形成される絶縁膜6aがポリイミド等の配向膜に比べて硬いため、たとえその異物が配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜6aによって透明導電膜4が保護され、CF基板とTFT基板のショートを回避することが可能になる。
By forming the insulating
上記構成を有するCF基板は、例えば次のようにして形成することができる。
例えばMVA型液晶パネルに用いるCF基板の場合、絶縁膜6aの形成前までは従来公知の方法を用いることができる。
The CF substrate having the above configuration can be formed, for example, as follows.
For example, in the case of a CF substrate used for an MVA type liquid crystal panel, a conventionally known method can be used until the insulating
すなわち、まず透明絶縁性基板1上の全面に、例えばCr膜を厚さ約0.16μmで形成し、レジストパターン形成および露光・現像処理を行って、表示領域2内にBM膜、表示領域2の外周部に金属膜3を、同時に形成する。
That is, first, for example, a Cr film having a thickness of about 0.16 μm is formed on the entire surface of the transparent insulating
次いで、透明絶縁性基板1の上側全面に例えば感光性の赤色レジストを塗布し、露光・現像処理を行って、表示領域2内の赤色画素部に厚さ約1.8μmの赤色樹脂パターンを形成する。その後は同様に、透明絶縁性基板1の上側全面に感光性の緑色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域2内の緑色画素部に厚さ約1.8μmの緑色樹脂パターンを形成し、透明絶縁性基板1の上側全面に感光性の青色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域2内の青色画素部に厚さ約1.8μmの青色樹脂パターンを形成する。これにより、RGBのCFが形成される。
Next, for example, a photosensitive red resist is applied to the entire upper surface of the transparent insulating
CF形成後は、透明絶縁性基板1の上側全面に例えばITOを厚さ約0.15μmで形成してパターニングし、CFを形成した表示領域2上およびその外周部の金属膜3上にコモン電極となる透明導電膜4を形成する。その際は、透明絶縁性基板1上にあらかじめ設けられた突部の上にも透明導電膜4を形成し、コモン端子5を形成する。
After forming the CF, for example, ITO is formed on the entire upper surface of the transparent insulating
その後、MVA型液晶パネル用のCF基板の場合には、表示領域2の透明導電膜4上に、レジストを用いて、例えば平面V字形状のドメイン規制用の突起状パターン(図示せず。)を厚さ約1.1μmで形成する。ここでは、このレジストを用いたドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、コモン端子5を除く表示領域2の外周部にも、そのレジストを使って厚さ約1.1μmの絶縁膜6aを形成する。
After that, in the case of a CF substrate for an MVA type liquid crystal panel, for example, a planar V-shaped projecting pattern for domain regulation (not shown) is used on the transparent
すなわち、従来、ドメイン規制用の突起状パターンは、透明絶縁性基板1上にレジストを塗布し、露光・現像処理等を行って表示領域2に形成されている。このようなドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、表示領域2の外周部に塗布されたレジストを除去することなく残すようにする。これにより、表示領域2の外周部には、そのレジストによって絶縁膜6aが形成され、その下の透明導電膜4が保護されるようになる。
That is, conventionally, the protrusion pattern for regulating the domain is formed in the
このような方法によれば、ドメイン規制用の突起状パターンをこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に透明導電膜4の保護膜となる絶縁膜6aを形成することができ、CF基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜6aを形成することができる。そして、このようなCF基板を用いることにより、液晶パネル内のショートの発生を回避することが可能になる。
According to such a method, it is possible to form the insulating
なお、ここではMVA型液晶パネル用のCF基板を例にして述べたが、勿論、液晶パネルの方式によっては、透明導電膜4の形成後にドメイン規制用の突起状パターンを形成せずにコモン端子5を除く表示領域2の外周部にのみ絶縁膜6aを形成したCF基板を構成ようにしてもよい。このようなCF基板によっても液晶パネル内のショートの発生を回避することは可能である。
Here, the CF substrate for the MVA type liquid crystal panel has been described as an example. Of course, depending on the type of the liquid crystal panel, the common terminal may not be formed after forming the transparent
次に、第2の実施の形態について説明する。
図2は第2の実施の形態のCF基板の要部平面模式図であって、(A)は絶縁膜形成前の状態、(B)は絶縁膜形成後の状態を示す図である。ただし、図2では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
Next, a second embodiment will be described.
2A and 2B are schematic plan views of the main part of the CF substrate according to the second embodiment, in which FIG. 2A shows a state before the formation of the insulating film, and FIG. 2B shows a state after the formation of the insulating film. However, in FIG. 2, the same elements as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
第2の実施の形態のCF基板は、図2(B)に示すように、TFT基板の表示領域外に形成される配線である端子引き出し線の形成位置に対応する部分、すなわちCF基板の表示領域外周部でTFT基板と貼り合わせたときにそのような端子引き出し線に重なることとなる部分に、レジスト等の樹脂を用いて絶縁膜6bが形成されている点で、上記第1の実施の形態のCF基板と相違する。
As shown in FIG. 2B, the CF substrate according to the second embodiment is a portion corresponding to the formation position of the terminal lead line which is a wiring formed outside the display area of the TFT substrate, that is, the display of the CF substrate. In the first embodiment, the insulating
通常、TFT基板には、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成されている複数のTFTを駆動するための走査線および信号線が直交するように形成されている。走査線および信号線は、透明絶縁性基板上でTFT基板の表示領域外に形成された端子引き出し線を介して、それぞれの駆動回路に接続されている。第2の実施の形態のCF基板は、図2(A),(B)に示すように、その表示領域2外であって、このようなTFT基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なることとなる部分に、絶縁膜6bが形成されている。
Usually, a TFT substrate is formed so that scanning lines and signal lines for driving a plurality of TFTs formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate are orthogonal to each other. The scanning lines and the signal lines are connected to the respective driving circuits via terminal lead lines formed outside the display area of the TFT substrate on the transparent insulating substrate. As shown in FIGS. 2A and 2B, the CF substrate of the second embodiment is outside the
このような構成とすることにより、配向膜形成後のCF基板をTFT基板と貼り合わせる際に、TFT基板の端子引き出し線とCF基板との間に金属等の導電性の異物が付着したような場合にも、その異物の透明導電膜4への到達を防ぎ、TFT基板とCF基板のショートを回避することが可能になる。
By adopting such a configuration, when the CF substrate after the alignment film is formed is bonded to the TFT substrate, a conductive foreign material such as a metal adheres between the terminal lead wire of the TFT substrate and the CF substrate. Even in this case, it is possible to prevent the foreign matter from reaching the transparent
なお、このような構成のCF基板は、上記第1の実施の形態で述べたのと同様の方法により形成することができる。すなわち、例えばMVA型液晶パネル用のCF基板であれば、図2(A),(B)に示したように、レジストを用いてドメイン規制用の突起状パターン(図示せず。)を形成する際、それと同時に、TFT基板の走査線側、信号線側それぞれの端子引き出し線に対応する部分に、端子引き出し線に相当する寸法(幅)で、そのレジストによって絶縁膜6bを形成すればよい。
The CF substrate having such a configuration can be formed by a method similar to that described in the first embodiment. That is, for example, in the case of a CF substrate for an MVA liquid crystal panel, as shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B), a resist pattern is used to form a domain restricting projection pattern (not shown). At the same time, the insulating
次に、第3の実施の形態について説明する。
図3は第3の実施の形態のCF基板の要部平面模式図、図4は図3のA−A断面模式図である。ただし、図3、図4および以下の説明では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第3の実施の形態のCF基板について、図1、図3および図4を参照して説明する。
Next, a third embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic plan view of an essential part of a CF substrate according to the third embodiment, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG. However, in FIG. 3, FIG. 4, and the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the element shown in FIG. 1, and the detail of the description is abbreviate | omitted. Hereinafter, a CF substrate according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4.
第3の実施の形態のCF基板は、TFT基板と貼り合わせる際、両基板間にセルギャップ調整用の球状スペーサ等を別途用いることなく、あらかじめCF基板上の所定位置に柱状スペーサを形成しておく、いわゆるスペーサレス型であって、その表示領域2の外周部に絶縁膜6aを形成するようにしている点で、上記第1の実施の形態のCF基板と相違する。
When the CF substrate of the third embodiment is bonded to the TFT substrate, a columnar spacer is previously formed at a predetermined position on the CF substrate without separately using a spherical spacer for adjusting the cell gap between the substrates. It is a so-called spacerless type, and is different from the CF substrate of the first embodiment in that an insulating
このCF基板は、例えばMVA型液晶パネル用である場合、図3に示すように、透明導電膜4上にドメイン規制用の突起状パターン7が平面V字形状で形成されていると共に、表示領域2内の画素間を遮光するように形成されたBM膜3aの直上の適当な位置に柱状スペーサ8が形成されている。この柱状スペーサ8により、TFT基板と貼り合わせたときのセルギャップが一定値に保持されるようになる。
When this CF substrate is for an MVA type liquid crystal panel, for example, as shown in FIG. 3, a domain-regulated
BM膜3a上には、図3および図4に示すように、CF9の赤色、緑色、青色の各樹脂パターン9a,9b,9cが重なる領域が存在している。このようにRGBの樹脂パターン9a,9b,9cが重なっている層(「色重ね層」という。)の上には、図1で述べたようにコモン端子5、表示領域2およびBM膜3aを含む金属膜3を覆うようにして形成された透明導電膜4が形成されている。
On the
そして、透明導電膜4上であって、直交するBM膜3aの交差部を通るように、レジスト等の樹脂を用いてドメイン規制用の突起状パターン7が形成されている。コモン端子5を除く表示領域2の外周部には、図1で述べたのと同じく絶縁膜6aが形成され、また、柱状スペーサ8が形成される位置に絶縁膜6cが形成されている。すなわち、色重ね層の上に突起状パターン7と絶縁膜6cが積層されることによって、柱状スペーサ8が構成されている。
A protruding
このような構成のCF基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第1の実施の形態で述べたのと同様にして、透明絶縁性基板1上に金属膜3(BM膜3aを含む。)、RGBのCF、透明導電膜4の形成を行い、その透明導電膜4上に所定形状の突起状パターン7を形成する。次いで、柱状スペーサ8を形成するため、レジストを用いて絶縁膜6cを所定の位置に形成する。
The CF substrate having such a configuration can be formed by the following method, for example. First, in the same manner as described in the first embodiment, the metal film 3 (including the
その際、そのレジストは、柱状スペーサ8の形成位置のみではなく、図1に示したようなコモン端子5を除く表示領域2の外周部にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ8の最上層となる絶縁膜6cと同時に、コモン端子5を除く表示領域2の外周部に絶縁膜6aを形成することができる。すなわち、柱状スペーサ8をこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に表示領域2の外周部に存在する透明導電膜4を保護するための絶縁膜6aを形成することができる。そのため、CF基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜6aを形成することができる。このようなCF基板によっても、TFT基板とのショートを回避することが可能になる。
At that time, the resist is left not only at the position where the
次に、第4の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、図3および図4に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第4の実施の形態のCF基板について、図2、図3および図4を参照して説明する。 Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same elements as those shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Hereinafter, a CF substrate according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4.
上記第3の実施の形態では、スペーサレス型のCF基板において、柱状スペーサ8の最上層の絶縁膜6cを形成する際に同じレジストを用いて同時に、コモン端子5を除く表示領域2の外周部に絶縁膜6aを形成するようにした。この第4の実施の形態のCF基板は、同じくスペーサレス型であるが、上記第2の実施の形態と同様、TFT基板の表示領域外に形成される端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜6bを形成する。この点で上記第3の実施の形態のCF基板と相違する。
In the third embodiment, in the spacerless CF substrate, when forming the uppermost insulating
このような構成のCF基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第3の実施の形態で述べたのと同様にして、透明導電膜4上の突起状パターン7の形成まで行って、レジストを用いて所定の位置に絶縁膜6cを形成して、柱状スペーサ8を形成する。
The CF substrate having such a configuration can be formed by the following method, for example. First, in the same manner as described in the third embodiment, the process up to the formation of the
その際、そのレジストは、柱状スペーサ8の形成位置のみではなく、図2に示したように、TFT基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なるようになる部分にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ8の最上層の絶縁膜6cと同時に、TFT基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜6bを形成することができる。そのため、CF基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜6aを形成することができる。このようなCF基板によっても、TFT基板とのショートを回避することが可能になる。
At that time, the resist is left not only at the position where the
以上説明したように、CF基板のコモン端子5を除く表示領域2の外周部に絶縁膜6aを形成する、あるいはCF基板の表示領域2の外周部でTFT基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜6bを形成する。それにより、CF基板とTFT基板の貼り合わせの際に、表示領域2の外周部や特にその端子引き出し線の部分に導電性の異物が付着し、かつ配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜6a,6bによって透明導電膜4が保護され、その異物と透明導電膜4との接触を防ぐことが可能になる。その結果、CF基板とTFT基板との間の異物に起因したショートの発生を回避することができるようになる。
As described above, the insulating
また、このような役割を果たす絶縁膜6a,6bを、例えばMVA型液晶パネル用のCF基板を形成する際のドメイン規制用の突起状パターン7と同時に同じ材料を用いて形成する、あるいはスペーサレス型である場合における柱状スペーサ8の最上層の絶縁膜6cと同時に同じ材料を用いて形成することにより、工程数を増加させることなく、TFT基板とのショートの発生を回避することのできるCF基板を形成することができる。
Further, the insulating
このようなCF基板により、表示品質の優れた液晶パネルを生産性良く形成することが可能になる。また、そのような液晶パネルを用いることにより、表示品質の高い高性能の液晶表示装置が実現可能になる。 With such a CF substrate, a liquid crystal panel with excellent display quality can be formed with high productivity. Further, by using such a liquid crystal panel, a high-performance liquid crystal display device with high display quality can be realized.
(付記1) 透明絶縁性基板上にCFが形成されたCF基板において、
前記CFが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするCF基板。
(Supplementary Note 1) In a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate,
A display area in which the CF is formed;
A transparent conductive film covering the display area and outside the display area;
An external connection terminal formed outside the display area;
An insulating film formed outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A CF substrate characterized by comprising:
(付記2) 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成されていることを特徴とする付記1記載のCF基板。
(付記3) 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合されるTFT基板の配線形成位置に対応する部分に形成されていることを特徴とする付記1記載のCF基板。
(Supplementary note 2) The CF substrate according to
(Additional remark 3) The said insulating film is formed in the part corresponding to the wiring formation position of the TFT substrate joined among the area | regions on the said transparent conductive film except the said external connection terminal outside the said display area. The CF substrate as set forth in
(付記4) 前記絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする付記1記載のCF基板。
(付記5) 前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたドメイン規制用の突起状パターンを有していることを特徴とする付記1記載のCF基板。
(Supplementary note 4) The CF substrate according to
(Supplementary note 5) The CF substrate according to
(付記6) 前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたセルギャップ調整用の柱状パターンを有していることを特徴とする付記1記載のCF基板。
(付記7) 透明絶縁性基板上にCFが形成されたCF基板の製造方法において、
前記透明絶縁性基板上にCFが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするCF基板の製造方法。
(Supplementary note 6) The CF substrate according to
(Supplementary Note 7) In a method for manufacturing a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate,
Forming a display region in which CF is formed on the transparent insulating substrate;
Forming a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area;
Forming an external connection terminal outside the display area;
Forming an insulating film outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A method for producing a CF substrate, comprising:
(付記8) 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成することを特徴とする付記7記載のCF基板の製造方法。
(Supplementary Note 8) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
8. The method of manufacturing a CF substrate according to
(付記9) 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合される別の基板の配線の形成位置に対応する部分に形成することを特徴とする付記7記載のCF基板の製造方法。
(Supplementary note 9) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
The insulating film is formed in a portion corresponding to a formation position of a wiring of another substrate to be bonded in a region on the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminal. The method for manufacturing a CF substrate according to
(付記10) 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するドメイン規制用の突起状パターンと同じ材料を用いて前記突起状パターンと共に形成することを特徴とする付記7記載のCF基板の製造方法。
(Supplementary Note 10) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
The manufacturing method of a CF substrate according to
(付記11) 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するセルギャップ調整用の柱状パターンと同じ材料を用いて前記柱状パターンと共に形成することを特徴とする付記7記載のCF基板の製造方法。
(Additional remark 11) In the process of forming the said insulating film in the area | region on the said transparent conductive film except the said display area and the said external connection terminal,
The method of manufacturing a CF substrate according to
(付記12) CF基板を用いた液晶パネルにおいて、
前記CF基板は、CFが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶パネル。
(Supplementary Note 12) In a liquid crystal panel using a CF substrate,
The CF substrate includes a display area on which a CF is formed, a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area, an external connection terminal formed outside the display area, and an outside of the display area. And an insulating film formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal.
(付記13) CF基板を用いた液晶表示装置において、
前記CF基板は、CFが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
(Supplementary note 13) In a liquid crystal display device using a CF substrate,
The CF substrate includes a display area on which a CF is formed, a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area, an external connection terminal formed outside the display area, and an outside of the display area. And an insulating film formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal.
1 透明絶縁性基板
2 表示領域
3 金属膜
3a BM膜
4 透明導電膜
5 コモン端子
6a,6b,6c 絶縁膜
7 突起状パターン
8 柱状スペーサ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記カラーフィルタが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板。 In a color filter substrate in which a color filter is formed on a transparent insulating substrate,
A display area in which the color filter is formed;
A transparent conductive film covering the display area and outside the display area;
An external connection terminal formed outside the display area;
An insulating film formed outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A color filter substrate comprising:
前記透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
In the method for manufacturing a color filter substrate in which a color filter is formed on a transparent insulating substrate,
Forming a display area in which a color filter is formed on the transparent insulating substrate;
Forming a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area;
Forming an external connection terminal outside the display area;
Forming an insulating film outside the display area and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A method for producing a color filter substrate, comprising:
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