JP2003183290A - 芳香族有機ホウ素化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 テトラアリールホウ素アニオンに効率よく官
能基を導入し、オレフィン重合触媒等に有用な芳香族有
機ホウ素化合物を高い純度で得ることのできる方法を提
供する。 【解決手段】 テトラアリールホウ素アニオンを含む有
機ホウ素化合物に有機金属化合物を反応させ、得られる
反応物をメチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシ
ランなどの所定の珪素化合物と、炭化水素または鎖状エ
ーテルを含む溶媒中で反応させることにより、芳香族有
機ホウ素化合物を得る。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、芳香族有機ホウ素
化合物の製造方法に関する。本発明は、特に、オレフィ
ン重合触媒成分として有用なホウ素化合物の製造方法に
関する。 【０００２】 【従来の技術】テトラアリールホウ素アニオンを含む化
合物がメタロセン触媒における助触媒成分となることは
知られており、特表平１−５０２０３６号公報にはこれ
らの化合物の使用によりメチルアルミノキサンを用いな
くとも高い重合活性でオレフィン重合体が得られること
が記載されている。 【０００３】このような助触媒成分は、一般的には、微
粒子担体に担持した形で用いられ、様々な担持触媒が提
案されている。このような担持触媒の１つとして、テト
ラアリールホウ素アニオンに官能基を導入し、この官能
基と担体を化学結合させる方法が提案されており、例え
ば、ＷＯ９６／４１８０８号公報などに記載されてい
る。 【０００４】ところで、上記公報には、テトラアリール
ホウ素アニオンに官能基を導入するに当って、該アニオ
ンを有機リチウム化合物によりリチオ化した後、テトラ
ヒドロフラン中において四塩化ケイ素等と反応させる方
法が開示されている。しかしながら、この方法ではテト
ラアリールホウ素アニオンへの官能基の導入効率が低
く、原料のテトラアリールホウ素アニオンが無視できな
い程度残存してしまう場合がある。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、テトラアリ
ールホウ素アニオンに効率よく官能基を導入し、オレフ
ィン重合触媒等に有用な芳香族有機ホウ素化合物を高い
純度で得ることのできる方法を提供しようとするもので
ある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、テトラア
リールホウ素アニオンに前記官能基を導入する反応を特
定の溶媒中で実施することにより、高い効率で官能基が
導入され、純度の高い芳香族有機ホウ素化合物が得られ
ることを見出し、本発明を完成するに至ったものであ
る。 【０００７】すなわち、本発明は、下記一般式（１）、 Ｍ⁺ ［（Ａｒ¹ ）_4-n Ｂ（Ａｒ² −Ｚ_m −ＳｉＹ₃ ）_n ］^- （１） （式中、Ｍは１価のカチオンであり、Ａｒ¹ は炭素数３
〜３０の１価の芳香族炭化水素基であり、それぞれ同一
であっても相異なっていてもよく、各Ａｒ¹ は互いに結
合して、もしくはＡｒ² と結合して環を形成していても
よく、Ａｒ² は炭素数３〜３０の２価の芳香族炭化水素
基であり、それぞれ同一であっても相異なっていてもよ
く、各Ａｒ² は互いに結合して、もしくはＡｒ¹ と結合
して環を形成していてもよく、Ｚはアルキレン基、エー
テル基、イミド基およびスルフィド基から選ばれ、Ｙは
水素、ハロゲン、アルコキシ基、アミノ基および炭素数
１〜２０の炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一であっ
ても相異なっていてもよく、各Ｙは互いに結合して環を
形成していてもよく、ｎは１〜４の整数であり、ｍは０
または１である）で表される芳香族有機ホウ素化合物を
製造するにあたり、 工程（Ａ）：下記一般式（２） Ｍ⁺ ［（Ａｒ¹ ）_4-n Ｂ（Ａｒ² −Ｚ_m −Ｘ）n ］^- （２） （式中、Ｍ、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ｚ、ｎおよびｍは前記規
定に同一のもの表し、Ｘは水素、臭素およびヨウ素から
選ばれる）で表される有機ホウ素化合物と有機金属化合
物を反応させる工程、および 工程（Ｂ）：前記工程（Ａ）の反応物を下記一般式
（３）、 ＳｉＹ₄ （３） （式中、Ｙは前記規定に同一のものを表し、少なくとも
１つのＹはハロゲン、アルコキシ基およびアミノ基から
選ばれる）で表される珪素化合物と、炭化水素または鎖
状エーテルを含む溶媒中で反応させる工程を含む、芳香
族有機ホウ素化合物の製造方法を提供する。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 【０００９】本発明で製造される芳香族有機ホウ素化合
物は、上記一般式（１）で表されるものである。 【００１０】一般式（１）において、Ｍは１価のカチオ
ンであり、具体的にはリチウムイオン、ナトリウムイオ
ン、カリウムイオン、マグネシウムモノハライドイオ
ン、カルシウムモノハライドイオン、プロトン、アンモ
ニウムイオン、ホスホニウムイオンや、これらにエーテ
ル等の電子供与性化合物が配位したものなどが例示され
る。 【００１１】Ａｒ¹ は炭素数３〜３０の１価の芳香族炭
化水素基である。Ａｒ¹ が複数存在する場合にはそれら
はそれぞれ同一であっても相異なっていてもよく、各Ａ
ｒ¹は互いに結合して、もしくはＡｒ² と結合して環を
形成していてもよい。 【００１２】Ａｒ¹ の具体例としては、フェニル基、ト
リル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、
エチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ｔ−ブチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基や、メト
キシフェニル基、トリメチルシリルフェニル基等のヘテ
ロ原子が置換した芳香族炭化水素基、４−フルオロフェ
ニル基等のフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフ
ェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基等のジフルオ
ロフェニル基、２，４，５−トリフルオロフェニル基、
２，４，６−トリフルオロフェニル基等のトリフルオロ
フェニル基、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル
基等のテトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェ
ニル基、３，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル
基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等
のビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，３，５
−トリス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，４，
６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル基等のトリ
ス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，３，５，６
−テトラキス（トリフルオロメチル）フェニル基等のテ
トラキス（トリフルオロメチル）フェニル基、ペンタキ
ス（トリフルオロメチル）フェニル基等およびそれらの
フッ素原子を塩素原子、臭素原子等、他のハロゲン原子
に置き換えたハロゲン化芳香族炭化水素などが挙げられ
る。また、他の例としては、イミダゾリル基、ピリジル
基、ピラジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、トリア
ジニル基等の複素芳香族環が例示される。 【００１３】これらのうち好ましくは炭素数６〜２０の
１価の芳香族炭化水素基であり、より好ましくは炭素数
６〜２０のフルオロ芳香族炭化水素基であり、さらに好
ましくは前記モノ、ジ、トリ、テトラおよびペンタフル
オロフェニル基、モノ、ジ、トリ、テトラおよびペンタ
（トリフルオロメチル）フェニル基であり、特に好まし
くはトリ、テトラおよびペンタフルオロフェニル基であ
り、最も好ましくはペンタフルオロフェニル基である。 【００１４】Ａｒ² は炭素数３〜３０の２価の芳香族炭
化水素基であり、Ａｒ² が複数存在する場合にはそれら
はそれぞれ同一であっても相異なっていてもよく、各Ａ
ｒ²は互いに結合して、もしくはＡｒ¹ と結合して環を
形成していてもよい。 【００１５】Ａｒ² の具体例としては、ｏ−フェニレン
基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、４−フルオ
ロ−ｍ−フェニレン基、２−フルオロ−ｐ−フェニレン
基等のフルオロフェニレン基、４，５−ジフルオロ−ｍ
−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−ｐ−フェニレン
基等のジフルオロフェニレン基、２，４，５−トリフル
オロ−ｍ−フェニレン基、２，４，６−トリフルオロ−
ｍ−フェニレン基、４，５，６−トリフルオロ−ｍ−フ
ェニレン基、２，３，５−トリフルオロ−ｐ−フェニレ
ン基、２，３，６−トリフルオロ−ｐ−フェニレン基等
のトリフルオロフェニレン基、３，４，５，６−テトラ
フルオロ−ｏ−フェニレン基、２，４，５，６−テトラ
フルオロ−ｍ−フェニレン基、２，３，５，６−テトラ
フルオロ−ｐ−フェニレン基等のテトラフルオロフェニ
レン基が挙げられる。またピリジン−２，４−ジイル基
等の複素芳香族環を有するものも例示される。 【００１６】これらのうち好ましいのは炭素数６〜２０
の２価の芳香族炭化水素基であり、さらに好ましくは
２，４，５−トリフルオロ−ｍ−フェニレン基、２，
４，６−トリフルオロ−ｍ−フェニレン基、４，５，６
−トリフルオロ−ｍ−フェニレン基、２，３，５−トリ
フルオロ−ｐ−フェニレン基、２，３，６−トリフルオ
ロ−ｐ−フェニレン基、３，４，５，６−テトラフルオ
ロ−ｏ−フェニレン基、２，４，５，６−テトラフルオ
ロ−ｍ−フェニレン基、２，３，５，６−テトラフルオ
ロ−ｐ−フェニレン基であり、特に好ましいのは２，
４，５，６−テトラフルオロ−ｍ−フェニレン基、２，
３，５，６−テトラフルオロ−ｐ−フェニレン基であ
る。 【００１７】Ｚは、メチレン基、エチレン基、エチリデ
ン基、プロピレン基、プロピリデン基等のアルキレン
基、エーテル基、イミド基およびスルフィド基から選ば
れ、好ましくはアルキレン基、エーテル基である。 【００１８】Ｙは、水素、ハロゲン、アルコキシ基、ア
ミノ基および炭素数１〜２０の炭化水素基から選ばれ、
それぞれ同一であっても相異なっていてもよく、各Ｙは
互いに結合して環を形成していてもよい。ハロゲンとし
ては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素であり、好ましくは
塩素、臭素、ヨウ素であり、最も好ましくは塩素であ
る。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、フェノキシ基等が例示され、好ましくは
メトキシ基およびエトキシ基である。アミノ基の例とし
ては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｉ−
プロピルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミノ基
などが例示される。炭素数１〜２０の炭化水素基の例と
しては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プ
ロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、フェニル基などが例示され、これらのうち好ましく
はメチル基およびエチル基である。 【００１９】前記一般式（１）において、ｎは１〜４の
整数であり、好ましくは１〜３の整数であり、さらに好
ましくは１または２であり、最も好ましくは１である。
また、ｍは０または１であり、好ましくはｍは０であ
る。 【００２０】前記一般式（１）で表される化合物の具体
例としては、リチウムトリス（ペンタフルオロフェニ
ル）〔４−（クロロジメチルシリル）−２，３，５，６
−テトラフルオロフェニル〕ボラート、リチウムトリス
（ペンタフルオロフェニル）〔４−（メチルジクロロシ
リル）−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル〕ボ
ラート、リチウムトリス（ペンタフルオロフェニル）
〔４−（トリクロロシリル）−２，３，５，６−テトラ
フルオロフェニル〕ボラート、臭化マグネシウムトリス
（ペンタフルオロフェニル）〔４−（クロロジメチルシ
リル）−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル〕ボ
ラート、臭化マグネシウムトリス（ペンタフルオロフェ
ニル）〔４−（メチルジクロロシリル）−２，３，５，
６−テトラフルオロフェニル〕ボラート、臭化マグネシ
ウムトリス（ペンタフルオロフェニル）〔４−（トリク
ロロシリル）−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ
ル〕ボラートなどが例示される。 【００２１】本発明において、工程（Ａ）は、前記一般
式（２）で表される有機ホウ素化合物を有機金属化合物
と反応させる工程であり、この有機金属化合物により前
記ホウ素化合物のＸが引き抜かれてアニオンが生成す
る。 【００２２】式（２）中、Ｍ、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ｚ、ｎ
およびｍは前記（１）式に規定したものと同一のものを
表し、Ｘは、水素、臭素およびヨウ素から選ばれ、好ま
しく水素または臭素であり、最も好ましくは水素であ
る。 【００２３】前記一般式（２）で表される化合物の具体
例としては、リチウムトリス（ペンタフルオロフェニ
ル）（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボラ
ート、リチウムトリス（ペンタフルオロフェニル）（４
−ブロモ−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）
ボラート、リチウムトリス（ペンタフルオロフェニル）
（４−ヨード−２，３，５，６−テトラフルオロフェニ
ル）ボラート、臭化マグネシウムトリス（ペンタフルオ
ロフェニル）（２，３，５，６−テトラフルオロフェニ
ル）ボラート、臭化マグネシウムトリス（ペンタフルオ
ロフェニル）（４−ブロモ−２，３，５，６−テトラフ
ルオロフェニル）ボラート、臭化マグネシウムトリス
（ペンタフルオロフェニル）（４−ヨード−２，３，
５，６−テトラフルオロフェニル）ボラートなどが例示
される。 【００２４】工程（Ａ）で使用される有機金属化合物と
しては、メチルリチウム、エチルリチウム、ｎ−ブチル
リチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム等の有機リチウム化合物、有機ナ
トリウム化合物、メチルマグネシウムハライド、エチル
マグネシウムハライド、フェニルマグネシウムハライ
ド、ジブチルマグネシウム、ブチルエチルマグネシウム
等の有機マグネシウム化合物、ジメチル亜鉛、ジエチル
亜鉛等の有機亜鉛化合物、トリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等
の有機アルミニウム化合物から選ばれる。これらのうち
好ましくは有機リチウム化合物および有機マグネシウム
化合物であり、最も好ましくは有機リチウム化合物であ
る。 【００２５】前記式（２）の化合物と有機金属化合物と
の反応は、通常溶媒中で行われ、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、デカン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トル
エン、キシレン、クメン、シメン等の芳香族炭化水素、
ジエチルエーテル、ジ−ｉ−プロピルエーテル、ジブチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレ
ングリコールジメチルエーテル等のエーテル類やそれら
の混合物等が使用できる。これらのうち前記有機ホウ素
化合物の溶解度が高いことから、好ましくはジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールジメチルエーテル等のエーテル類であり、最も
好ましくはジエチルエーテルおよびテトラヒドロフラン
である。 【００２６】反応温度は、特に制限はないが、通常−１
００℃〜２００℃の範囲であるのがよく、好ましくは−
１００℃〜１００℃の範囲である。また、式（２）の有
機ホウ素化合物がＸのオルト位にハロゲンを有するもの
であり、かつ、有機金属化合物として有機リチウム化合
物を用いる場合には、好ましくは−１００℃〜−２０℃
の範囲であり、さらに好ましくは−９０℃〜−５０℃の
範囲である。この場合、反応温度が−２０℃を超えると
前記有機ホウ素化合物の分解が起こり、収量が著しく低
下する。反応時間は、通常１分〜２００時間の範囲であ
り、好ましくは５分〜１００時間、より好ましくは１０
分〜３０時間の範囲である。 【００２７】前記有機ホウ素化合物に対する有機金属化
合物の使用割合は、ホウ素化合物１モルに対して通常
０．５〜３．０モルの範囲であるのがよく、好ましくは
０．８〜２．０モルの範囲、より好ましくは０．９〜
１．８モルの範囲、特に好ましくは１．０〜１．５モル
の範囲である。有機金属化合物の使用割合が０．５モル
以下では、未反応の有機ホウ素化合物が多くなり、生成
物の純度が低下することがある。また、３．０モルを超
えて加えても有機ホウ素化合物からのアニオン生成に効
果は見られず、かえって工程（Ｂ）において、大過剰の
ケイ素化合物を必要としたり、副反応による純度や収率
の低下を引き起こしたりすることがある。 【００２８】工程（Ａ）における前記ホウ素化合物の濃
度は、通常０．０１〜２．０モル／Ｌ程度であるのがよ
く、好ましくは０．０３〜１．０モル／Ｌ、さらに好ま
しくは０．０５〜０．５モル／Ｌの範囲である。 【００２９】本発明における工程（Ｂ）は、前記（Ａ）
の反応物を前記一般式（３）で表されるケイ素化合物
と、炭化水素または鎖状エーテルを含む溶媒中で反応さ
せる工程である。 【００３０】式（３）中、Ｙは一般式（１）に規定した
ものと同一のものを表し、同様に前述したのものが好ま
しい。また、少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２
つのＹはハロゲン、アルコキシ基、アミノ基から選ばれ
る。 【００３１】これらのケイ素化合物のうち、Ｙとしてハ
ロゲンを有するものの具体例を挙げると、テトラクロロ
シラン、テトラブロモシラン等のテトラハロゲノシラ
ン、トリクロロシラン、メチルトリクロロシラン、フェ
ニルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、フェ
ニルトリブロモシラン等のアルキルもしくはアリールト
リハロゲノシラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジ
クロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ジフェ
ニルジクロロシラン、ジメチルジブロモシラン、フェニ
ルメチルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン等
のアルキル、ジアルキル、アルキルアリールもしくはジ
アリールジハロゲノシラン、メチルクロロシラン、ジメ
チルクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニル
ジメチルクロロシラン、トリメチルブロモシランなどの
モノハロゲノシランなどが例示される。 【００３２】また、上記のケイ素化合物のうち、Ｙとし
てアルコキシ基を有するものの具体例を挙げると、テト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラフェ
ノキシシラン等のテトラアルコキシシラン、トリメトキ
シシラン、メチルトリメトキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルト
リエトキシシラン等のアルキルもしくはアリールトリア
ルコキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルジ
メトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジ
フェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラ
ン、フェニルメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエ
トキシシラン等のアルキル、ジアルキル、アルキルアリ
ールもしくはジアリールジアルコキシシラン、メチルメ
トキシシラン、ジメチルメトキシシラン、トリメチルメ
トキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、トリ
メチルエトキシシランなどのモノアルコキシシランなど
が例示される。 【００３３】また、上記のケイ素化合物のうち、Ｙとし
てアミノ基を有するものの具体例を挙げると、テトラキ
ス（ジメチルアミノ）シラン、テトラキス（ジエチルア
ミノ）シラン等のテトラアミノシラン、トリス（ジメチ
ルアミノ）シラン、メチルトリス（ジメチルアミノ）シ
ラン、フェニルトリス（ジメチルアミノ）シラン、メチ
ルトリス（ジエチルアミノ）シラン、フェニルトリス
（ジエチルアミノ）シラン等のアルキルもしくはアリー
ルトリアミノシラン、メチルビス（ジメチルアミノ）シ
ラン、ジメチルビス（ジメチルアミノ）シラン、フェニ
ルメチルビス（ジメチルアミノ）シラン、ジフェニルビ
ス（ジメチルアミノ）シラン、ジメチルビス（ジエチル
アミノ）シラン、フェニルメチルビス（ジエチルアミ
ノ）シラン、ジフェニルビス（ジエチルアミノ）シラン
等のアルキル、ジアルキル、アルキルアリールもしくは
ジアリールジアミノシラン、メチルビス（ジメチルアミ
ノ）シラン、ジメチルビス（ジメチルアミノ）シラン、
トリメチル（ジメチルアミノ）シラン、フェニルジメチ
ル（ジメチルアミノ）シラン、トリメチル（ジエチルア
ミノ）シランなどのモノアミノシランなどが例示され
る。 【００３４】工程（Ｂ）における、一般式（３）のケイ
素化合物の反応は、炭化水素または鎖状エーテルを含む
溶媒中で行われるのがよい。この反応をテトラヒドロフ
ランのような環状エーテルのみの溶媒中で行うと、生成
物の収率が低下し、また得られる生成物の純度も低下す
ることがある。より具体的には、何らかの副反応によ
り、一般式（２）で表される原料の有機ホウ素化合物が
再生されてしまう。原料の有機ホウ素化合物は、一般式
（１）で表される生成物から分離することが容易でな
く、オレフィン重合触媒に用いた時に好ましくない影響
を与えることがある。また、一般式（１）で表される化
合物をさらに反応させて他の化合物に変換する場合、両
者の反応性が類似しているため、生成物に対して過剰の
試薬を使用する必要が生じ、極めて不経済となる場合が
ある。 【００３５】工程（Ｂ）で使用される炭化水素溶媒とし
ては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の脂肪
族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、
シメン等の芳香族炭化水素が例示される。また、鎖状エ
ーテル溶媒としては、ジエチルエーテル、ジ−ｉ−プロ
ピルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル等が使用できる。また、前記炭化水素およびエーテ
ル溶媒の混合物を使用することもできる。これらのうち
好ましくは、ペンタン、ヘキサンおよびジエチルエーテ
ルである。 【００３６】工程（Ｂ）の反応媒体中における炭化水素
溶媒や鎖状エーテル溶媒の含有量は、通常全溶媒量の１
５重量％以上であり、好ましくは２０重量％以上、より
好ましくは２５重量％以上であるのがよく、さらに好ま
しくは３０重量％以上、よりさらに好ましくは３５重量
％以上、特に好ましくは４０重量％以上、最も好ましく
は４５重量％以上である。なお、工程（Ｂ）における反
応溶媒に含まれる、前記炭化水素溶媒および鎖状エーテ
ル溶媒以外の溶媒としては、テトラヒドロフランの環状
エーテルが含まれていてもよい。 【００３７】反応温度は、特に制限はないが、通常−１
００℃〜２００℃の範囲であるのがよく、好ましくは−
３０℃〜１５０℃の範囲、より好ましくは−１０℃〜１
００℃の範囲であり、さらに好ましくは０〜８０℃の範
囲である。反応時間は、通常１分〜２００時間の範囲で
あるのがよく、好ましくは５分〜１００時間、より好ま
しくは１０分〜３０時間の範囲である。 【００３８】前記一般式（３）で表されるケイ素化合物
の使用量は、一般式（２）で表される有機ホウ素化合物
１モルに対して、通常１．０〜１００モルの範囲である
のがよく、好ましくは１．２〜５０モルの範囲、より好
ましくは１．５〜３０モルの範囲、特に好ましくは２．
０〜２０モルの範囲である。ケイ素化合物の使用量が
１．０モル未満では、未反応の有機ホウ素化合物が多く
なり、生成物の純度が低下することがある。また、１０
０モルを超えて加えても生成物の収量に影響は見られ
ず、かえって大過剰のケイ素化合物を除去する必要が生
じたり、純度の低下を引きおこしたりすることがある。 【００３９】工程（Ｂ）における前記ホウ素化合物の濃
度は、通常０．０１〜２．０モル／Ｌ程度であるのがよ
く、好ましくは０．０３〜１．０モル／Ｌ、さらに好ま
しくは０．０５〜０．５モル／Ｌの範囲である。 【００４０】本発明においては、前記工程（Ａ）および
（Ｂ）の後、通常行われている分離、生成等の後処理が
施されてもよい。より具体的には、以下のような分離操
作が例示される。すなわち、１）反応溶媒やケイ素化合
物等の揮発性物質を留去し、残滓をエーテルやジクロロ
メタンなどで抽出して副生成物の塩類から生成物を分離
する方法、２）炭化水素溶媒を加え生成物を沈殿させた
後、溶媒をろ過等により除去し、副生成物の塩類などを
含む沈殿から抽出により生成物を分離する方法、および
３）エーテルやジクロロメタンを添加して副生成物の塩
類を沈殿させ除去した後、溶媒やケイ素化合物等の揮発
性物質を蒸留により除去する方法である。これらの分離
操作を行った後は、そのまま目的とする用途に使用して
もよく、再結晶等によりさらに精製して使用してもよ
い。 【００４１】 【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに説明す
る。 【００４２】反応はいずれも乾燥した器具を用い、窒素
気流下で行った。核磁気共鳴（以下、ＮＭＲと略すこと
がある）スペクトルは、日本電子製ＥＸ−４００により
測定した。 【００４３】実施例１ リチウムトリス（ペンタフルオロフェニル）〔４−（メ
チルジクロロシリル）−２，３，５，６−テトラフルオ
ロフェニル〕ボラートの合成 工程（Ａ） ５０ｍｌのフラスコに、リチウムトリス（ペンタフルオ
ロフェニル）（２，３，５，６−テトラフルオロフェニ
ル）ボラートのテトラヒドロフラン溶液（３０重量％）
１０ｍｌおよびテトラヒドロフラン１０ｍｌを添加し
た。この溶液を−７８℃に冷却した後、ｎ−ブチルリチ
ウムのヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ）２．２ｍｌを
滴下し、３０分間撹拌した。 【００４４】工程（Ｂ） １００ｍｌのフラスコに、メチルトリクロロシラン３．
８ｍｌおよびヘキサン１５ｍｌを加え、室温で攪拌し
た。この溶液に上記工程（Ａ）で得られた反応混合物の
全量をカヌラーにより添加し、２５℃で１２０分間撹拌
した。その後、テトラヒドロフランおよび過剰のメチル
トリクロロシランを留去した。次に、ジクロロメタン５
０ｍｌを加えて不溶分を除去することで、目的の生成物
を含む溶液を得た。 【００４５】得られた化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を測定したところ、原料のリチウムトリス（ペンタフル
オロフェニル）（２，３，５，６−テトラフルオロフェ
ニル）ボラートに由来するシグナルはほとんど観測され
なかった。 【００４６】実施例２ リチウムトリス（ペンタフルオロフェニル）〔４−（ク
ロロジメチルシリル）−２，３，５，６−テトラフルオ
ロフェニル〕ボラートの合成 工程（Ａ）においてメチルトリクロロシランの代わりに
ジメチルジクロロシランを用いた以外は、実施例１の操
作を繰り返した。 【００４７】得られた化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を測定したところ、原料のリチウムトリス（ペンタフル
オロフェニル）（２，３，５，６−テトラフルオロフェ
ニル）ボラートに由来するシグナルはほとんど観測され
なかった。 【００４８】比較例１ 工程（Ｂ）においてヘキサンの代わりにテトラヒドロフ
ランを用いた以外は、実施例１の操作を繰り返した。 【００４９】得られた化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を測定したところ、６．７ｐｐｍに原料のリチウムトリ
ス（ペンタフルオロフェニル）（２，３，５，６−テト
ラフルオロフェニル）ボラートに由来するシグナルが観
測された。シグナル積分値から約２０％の原料が残存し
ていることが認められた。 【００５０】比較例２ ブチルリチウムの使用量を２倍にした以外は、比較例１
の操作を繰り返した。 【００５１】得られた化合物の ¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を測定したところ、６．７ｐｐｍに原料のリチウムトリ
ス（ペンタフルオロフェニル）（２，３，５，６−テト
ラフルオロフェニル）ボラートに由来するシグナルが観
測された。シグナル積分値から約１５％の原料が残存し
ていることが認められた。 【００５２】 【発明の効果】本発明によれば、オレフィン重合触媒等
に有用な芳香族有機ホウ素化合物を高い純度で得ること
ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4H049 VN01 VP01 VQ12 VR22 VR23 VR31 VR32 VS12 VV02 VV06 VW02

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 下記一般式（１）、 Ｍ⁺ ［（Ａｒ¹ ）_4-n Ｂ（Ａｒ² −Ｚ_m −ＳｉＹ₃ ）_n ］^- （１） （式中、Ｍは１価のカチオンであり、Ａｒ¹ は炭素数３
   〜３０の１価の芳香族炭化水素基であり、それぞれ同一
   であっても相異なっていてもよく、各Ａｒ¹ は互いに結
   合して、もしくはＡｒ² と結合して環を形成していても
   よく、Ａｒ² は炭素数３〜３０の２価の芳香族炭化水素
   基であり、それぞれ同一であっても相異なっていてもよ
   く、各Ａｒ² は互いに結合して、もしくはＡｒ¹ と結合
   して環を形成していてもよく、Ｚはアルキレン基、エー
   テル基、イミド基およびスルフィド基から選ばれ、Ｙは
   水素、ハロゲン、アルコキシ基、アミノ基および炭素数
   １〜２０の炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一であっ
   ても相異なっていてもよく、各Ｙは互いに結合して環を
   形成していてもよく、ｎは１〜４の整数であり、ｍは０
   または１である）で表される芳香族有機ホウ素化合物を
   製造するにあたり、 工程（Ａ）：下記一般式（２） Ｍ⁺ ［（Ａｒ¹ ）_4-n Ｂ（Ａｒ² −Ｚ_m −Ｘ）n ］^- （２） （式中、Ｍ、Ａｒ¹ 、Ａｒ² 、Ｚ、ｎおよびｍは前記規
   定に同一のもの表し、Ｘは水素、臭素およびヨウ素から
   選ばれる）で表される有機ホウ素化合物と有機金属化合
   物を反応させる工程、および 工程（Ｂ）：前記工程（Ａ）の反応物を下記一般式
   （３）、 ＳｉＹ₄ （３） （式中、Ｙは前記規定に同一のものを表し、少なくとも
   １つのＹはハロゲン、アルコキシ基およびアミノ基から
   選ばれる）で表される珪素化合物と、炭化水素または鎖
   状エーテルを含む溶媒中で反応させる工程を含む、芳香
   族有機ホウ素化合物の製造方法。