JP2000306669A - Organic luminescent element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光素子に関
し、詳しくは有機化合物からなる薄膜に電界を印加する
ことにより光を放出する有機発光素子に関する。The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to an organic light emitting device that emits light by applying an electric field to a thin film made of an organic compound.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機発光素子は、陽極と陰極間に蛍光性
有機化合物を含む薄膜を挟持させて、各電極から電子お
よびホール(正孔)を注入することにより、蛍光性化合
物の励起子を生成させ、この励起子が基底状態にもどる
際に放射される光を利用する素子である。2. Description of the Related Art In an organic light emitting device, a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between an anode and a cathode, and electrons and holes (holes) are injected from each electrode to exciton the fluorescent compound. It is an element that utilizes light emitted when this exciton is returned to the ground state.
【0003】1987年コダック社の研究(Appl.
Phys.Lett.51,913(1987))で
は、陽極にITO、陰極にマグネシウム銀の合金をそれ
ぞれ用い、電子輸送材料および発光材料としてアルミニ
ウムキノリノール錯体を用い、ホール輸送材料にトリフ
ェニルアミン誘導体を用いた機能分離型2層構成の素子
で、10V程度の印加電圧において1000cd/m2
程度の発光が報告されている。関連の特許としては、米
国特許第4,539,507号、米国特許第4,72
0,432号、米国特許第4,885,211号等が挙
げられる。In 1987, a study by Kodak Company (Appl.
Phys. Lett. 51, 913 (1987)), a function-separated type using ITO as an anode, an alloy of magnesium and silver as a cathode, using an aluminum quinolinol complex as an electron transporting material and a luminescent material, and using a triphenylamine derivative as a hole transporting material. This element has a two-layer structure and is applied at a voltage of about 10 V at a voltage of 1000 cd / m 2.
A degree of luminescence has been reported. Related patents include U.S. Pat. No. 4,539,507 and U.S. Pat.
0,432 and U.S. Pat. No. 4,885,211.
【0004】また、蛍光性有機化合物の種類を変えるこ
とにより、紫外から赤外までの発光が可能であり、最近
では様々な化合物の研究が活発に行われている。例え
ば、米国特許第5,151,629号、米国特許第5,
409,783号、米国特許第5,382,477号、
特開平2−247278号公報、特開平3−25519
0号公報、特開平5−202356号公報、特開平9−
202878号公報、特開平9−227576号公報等
に記載されている。[0004] In addition, by changing the type of the fluorescent organic compound, light emission from ultraviolet to infrared can be achieved, and various compounds have recently been actively studied. For example, US Pat. No. 5,151,629 and US Pat.
409,783; U.S. Patent No. 5,382,477;
JP-A-2-247278, JP-A-3-25519
0, JP-A-5-202356, JP-A-9-
No. 2,028,782, and JP-A-9-227576.
【0005】さらに、上記のような低分子材料を用いた
有機発光素子の他にも、共役系高分子を用いた有機発光
素子が、ケンブリッジ大学のグループ(Nature,
347,539(1990))により報告されている。
この報告ではポリフェニレンビニレン(PPV)を塗工
系で成膜することにより、単層で発光を確認している。
共役系高分子を用いた有機発光素子の関連特許として
は、米国特許第5,247,190号、米国特許第5,
514,878号、米国特許第5,672,678号、
特開平4−145192号公報、特開平5−24746
0号公報等が挙げられる。[0005] In addition to the organic light-emitting device using the above low-molecular material, an organic light-emitting device using a conjugated polymer is also a group of Cambridge University (Nature,
347, 539 (1990)).
In this report, light emission was confirmed in a single layer by forming a film of polyphenylenevinylene (PPV) in a coating system.
Patents related to organic light-emitting devices using conjugated polymers include US Pat. No. 5,247,190 and US Pat.
No. 514,878, US Pat. No. 5,672,678,
JP-A-4-145192, JP-A-5-24746
No. 0 publication.
【0006】このように有機発光素子における最近の進
歩は著しく、その特徴は低印加電圧で高輝度、発光波長
の多様性、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が
可能であることから、広汎な用途への可能性を示唆して
いる。As described above, recent advances in organic light-emitting devices have been remarkable, and their characteristics are that high luminance, a variety of emission wavelengths, high-speed response, a thin and lightweight light-emitting device can be realized at a low applied voltage. It suggests potential for a wide range of applications.
【0007】しかしながら、現状では更なる高輝度の光
出力あるいは高変換効率が必要である。また、長時間の
使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気など
による劣化等の耐久性の面で未だ多くの問題がある。さ
らにはフルカラーディスプレイ等への応用を考えた場合
の色純度の良い、青、緑、赤の発光が必要となるが、こ
の問題に関してもまだ十分に解決されていない。However, at present, light output with higher luminance or higher conversion efficiency is required. In addition, there are still many problems in terms of durability such as a change with time due to long-term use and deterioration due to an atmospheric gas containing oxygen or moisture. Further, when application to a full-color display or the like is considered, emission of blue, green, and red light with good color purity is required, but this problem has not yet been sufficiently solved.
【0008】さらに、ゾルゲル法により、シリカマトリ
ックス中にホール輸送材料および発光材料を分散させた
報告例(第55回応用物理学会年次予稿集、Vo1.
3,pl031,1995年秋)があるが、十分な発光
特性は得られていない。Further, a report example in which a hole transport material and a light emitting material are dispersed in a silica matrix by a sol-gel method (55th Annual Meeting of the Japan Society of Applied Physics, Vo1.
3, pl 031, Autumn 1995), but sufficient light emission characteristics have not been obtained.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の問題点を解決するためになされたものであ
り、極めて高効率で高輝度、高寿命の光出力を有する有
機発光素子を提供することにある。また、発光波長に多
様性があり、種々の発光色相を呈するとともに極めて耐
久性のある有機発光素子を提供する事にある。さらには
製造が容易でかつ比較的安価に作成可能な有機発光素子
を提供する事にある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an organic light-emitting device having extremely high efficiency, high brightness, and long life light output has been developed. To provide. Another object of the present invention is to provide an organic light-emitting device that has various emission wavelengths, exhibits various emission hues, and is extremely durable. Another object of the present invention is to provide an organic light emitting device that can be easily manufactured and can be manufactured at relatively low cost.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の課
題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成す
るに至った。Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have completed the present invention.
【0011】すなわち、本発明は、陽極及び陰極からな
る一対の電極と、該一対の電極間に挟持された一または
複数の有機化合物を含む層を少なくとも有する有機発光
素子において、前記有機化合物を含む層の少なくとも一
層は、分子内に少なくとも1個以上のトリアルコキシシ
リル基を有する有機化合物単体から、あるいは分子内に
少なくとも1個以上のトリアルコキシシリル基を有する
有機化合物とアルコキシシランからゾルゲル法により作
成した膜から成ることを特徴とする有機発光素子であ
る。That is, the present invention provides an organic light-emitting device having at least a pair of electrodes comprising an anode and a cathode, and a layer containing one or more organic compounds sandwiched between the pair of electrodes. At least one layer is formed by a sol-gel method from a single organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule or from an organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule and alkoxysilane. An organic light-emitting device comprising a thin film.
【0012】本発明では、電荷輸送性あるいは発光性を
有する有機化合物を、シリカマトリックス中に共有結合
を介して分散させることにより、極めて均一な分散状態
の膜が得られる。また、シリカマトリックスに有機化合
物を固定しているため、有機化合物同士の凝集、結晶化
等は起こらず、極めて安定で耐久性に優れた有機発光素
子を提供できる。In the present invention, by dispersing an organic compound having a charge transporting property or a light emitting property through a covalent bond in a silica matrix, a film in a very uniform dispersed state can be obtained. In addition, since the organic compound is fixed to the silica matrix, aggregation, crystallization, and the like of the organic compounds do not occur, and an organic light-emitting device that is extremely stable and has excellent durability can be provided.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】本発明の有機発光素子は、陽極及
び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持さ
れた一または複数の有機化合物を含む層を少なくとも有
する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層の
少なくとも一層は、分子内に少なくとも1個以上のトリ
アルコキシシリル基を有する有機化合物単体から、ある
いは分子内に少なくとも1個以上のトリアルコキシシリ
ル基を有する有機化合物とアルコキシシランからゾルゲ
ル法により作成した膜から成ることを特徴とするもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An organic light emitting device according to the present invention is an organic light emitting device having at least a pair of electrodes comprising an anode and a cathode and at least a layer containing one or more organic compounds sandwiched between the pair of electrodes. At least one layer of the organic compound-containing layer may be composed of an organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule or an organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule. It is characterized by comprising a film formed from silane by a sol-gel method.
【0014】本発明においては、前記分子内に少なくと
も1個以上のトリアルコキシシリル基を有する有機化合
物は、ホール輸送性化合物、発光性化合物または電子輸
送性化合物であるのが好ましい。In the present invention, the organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule is preferably a hole transporting compound, a luminescent compound or an electron transporting compound.
【0015】トリアルコキシシリル基としては、例えば
トリエトキシシリル基、トリメトキシシリル基、トリイ
ソプロポキシシリル基等が挙げられる。The trialkoxysilyl group includes, for example, a triethoxysilyl group, a trimethoxysilyl group, a triisopropoxysilyl group and the like.
【0016】また、有機化合物の分子内に含有されるト
リアルコキシシリル基の数は、少なくとも1個以上であ
り、また2個以上でもよく、好ましくは2〜4個であ
る。The number of trialkoxysilyl groups contained in the molecule of the organic compound is at least one, or may be two or more, preferably 2 to 4.
【0017】前記分子内に少なくとも一個以上のトリア
ルコキシシリル基を有する有機化合物はホール輸送性化
合物として、例えばトリアリールアミン誘導体、テトラ
アリールビフェニルジアミン誘導体、スチルベン系アリ
ールアミン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリシラ
ン誘導体等のホール輸送性化合物にトリアルコキシシリ
ル基を導入したものが挙げられる。次に、これらの代表
例の例示化合物を下記に示す。ただし、これらの化合物
に限定されるものではない。The organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule is a hole transporting compound such as a triarylamine derivative, a tetraarylbiphenyldiamine derivative, a stilbene-based arylamine derivative, an oligothiophene derivative, and a polysilane derivative. And the like, in which a trialkoxysilyl group is introduced into a hole transporting compound such as Next, exemplary compounds of these representative examples are shown below. However, it is not limited to these compounds.
【0018】例示化合物(ホール輸送性化合物) Illustrative compounds (hole transporting compounds)
【0019】[0019]
【化1】 Embedded image
【0020】[0020]
【化2】 Embedded image
【0021】[0021]
【化3】 Embedded image
【0022】[0022]
【化4】 Embedded image
【0023】また、前記分子内に少なくとも一個以上の
トリアルコキシシリル基を有する有機化合物は電子輸送
性化合物として、例えばフェニレンビニレン誘導体、ベ
ンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チ
アジアゾール誘導体、ポリフェニレン誘導体、ピリジン
誘導体、ピラジン誘導体、アゾメチン誘導体、フルオレ
ノン誘導体、フルオニリデン誘導体、ペリレン誘導体等
の電子輸送性化合物にトリアルコキシシリル基を導入し
たものが挙げられる。次に、これらの代表例の例示化合
物を下記に示す。ただし、これらの化合物に限定される
ものではない。The organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule is an electron-transporting compound such as a phenylenevinylene derivative, a benzoxazole derivative, an oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative, a polyphenylene derivative, and a pyridine derivative. And electron transporting compounds such as pyrazine derivatives, azomethine derivatives, fluorenone derivatives, fluorenylidene derivatives, and perylene derivatives, into which trialkoxysilyl groups have been introduced. Next, exemplary compounds of these representative examples are shown below. However, it is not limited to these compounds.
【0024】例示化合物(電子輸送材料) Exemplary Compound (Electron Transport Material)
【0025】[0025]
【化5】 Embedded image
【0026】[0026]
【化6】 Embedded image
【0027】[0027]
【化7】 Embedded image
【0028】[0028]
【化8】 Embedded image
【0029】[0029]
【化9】 Embedded image
【0030】また、前記分子内に少なくとも一個以上の
トリアルコキシシリル基を有する有機化合物は発光性化
合物として、例えばフェニレンビニレン誘導体、縮合多
環芳香族誘導体、キナクリドン誘導体、スチルベン誘導
体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾリン誘導
体、ポルフィリン誘導体、ピラジン誘導体、有機金属錯
体類、ペリレン誘導体等の発光性化合物にトリアルコキ
シシリル基を導入したものが挙げられる。次に、これら
の代表例の例示化合物を下記に示す。ただし、これらの
化合物に限定されるものではない。The organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule is a luminescent compound such as a phenylene vinylene derivative, a condensed polycyclic aromatic derivative, a quinacridone derivative, a stilbene derivative, a coumarin derivative, and a pyran derivative. And oxazoline derivatives, porphyrin derivatives, pyrazine derivatives, organometallic complexes, perylene derivatives and the like, in which a trialkoxysilyl group is introduced. Next, exemplary compounds of these representative examples are shown below. However, it is not limited to these compounds.
【0031】例示化合物(発光材料) Illustrative compounds (luminescent materials)
【0032】[0032]
【化10】 Embedded image
【0033】[0033]
【化11】 Embedded image
【0034】本発明の有機発光素子において、陽極及び
陰極間に挟持された有機化合物を含む層の少なくとも一
層は、上記の分子内に少なくとも1個以上のトリアル
コキシシリル基を有する有機化合物単体から、あるいは
上記の分子内に少なくとも1個以上のトリアルコキシ
シリル基を有する有機化合物とアルコキシシランからゾ
ルゲル法により成膜される。In the organic light-emitting device of the present invention, at least one of the layers containing the organic compound sandwiched between the anode and the cathode comprises at least one organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule. Alternatively, a film is formed by a sol-gel method from the above organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule and alkoxysilane.
【0035】アルコキシシランには、例えばテトラエト
キシシラン等が用いられる。As the alkoxysilane, for example, tetraethoxysilane or the like is used.
【0036】また、ゾルゲル法により成膜する方法は、
例えば上記の分子内に少なくとも1個以上のトリアルコ
キシシリル基を有する有機化合物、あるいは該有機化合
物とアルコキシシランを含有するゾル溶液を調整し、該
ゾル溶液の溶工液を用いてスピンコート法等によりゾル
膜を成膜し、熱処理を行いゲル膜を作成する成膜方法に
より行うことができる。The method of forming a film by the sol-gel method is as follows.
For example, an organic compound having at least one or more trialkoxysilyl groups in the above-described molecule, or a sol solution containing the organic compound and alkoxysilane is prepared, and a spin-coating method or the like is performed using the solution of the sol solution. To form a sol film and heat-treating to form a gel film.
【0037】また、有機層のうち、他の有機化合物を含
む層は、ゾルゲル法および真空蒸着法や溶液塗布法によ
り陽極及び陰極の間に形成する。その有機層の厚みは1
0μmより薄く、好ましくは0.5μm以下、より好ま
しくは0.05〜0.5μmの厚みに薄膜化することが
好ましい。Further, of the organic layers, a layer containing another organic compound is formed between the anode and the cathode by a sol-gel method, a vacuum deposition method or a solution coating method. The thickness of the organic layer is 1
It is preferable to make the film thinner than 0 μm, preferably 0.5 μm or less, more preferably 0.05 to 0.5 μm.
【0038】以下に、図面に沿って本発明を更に詳細に
説明する。図1は本発明の有機発光素子の一例を示す断
面図である。図1は基板1上に陽極2、発光層3及び陰
極4を順次設けた構成のものである。ここで使用する発
光素子はそれ自体でホール輸送能、エレクトロン輸送能
及び発光性の性能を単一で有している場合や、それぞれ
の特性を有する化合物を混合して使う場合に有用であ
る。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an example of the organic light emitting device of the present invention. FIG. 1 shows a structure in which an anode 2, a light emitting layer 3 and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. The light-emitting element used here is useful when it has a single hole transporting ability, electron transporting ability, and luminous performance, or when a compound having each property is used as a mixture.
【0039】図2は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図2は基板1上に陽極2、ホール輸送
層5、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のもの
である。この場合は発光物質はホール輸送性かあるいは
電子輸送性のいづれかあるいは両方の機能を有している
材料をそれぞれの層に用い、発光性の無い単なるホール
輸送物質あるいは電子輸送物質と組み合わせて用いる場
合に有用である。また、この場合発光層3はホール輸送
層5あるいは電子輸送層6のいづれかから成る。FIG. 2 is a sectional view showing another example of the organic light emitting device of the present invention. FIG. 2 shows a configuration in which an anode 2, a hole transport layer 5, an electron transport layer 6, and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. In this case, when the luminescent material has either the hole transporting property or the electron transporting property or a material having both functions in each layer, and is used in combination with a mere hole transporting substance having no luminescent property or an electron transporting substance Useful for In this case, the light emitting layer 3 is made of either the hole transport layer 5 or the electron transport layer 6.
【0040】図3は本発明の有機発光素子の他の例を示
す断面図である。図3は基板1上に陽極2、ホール輸送
層5、発光層3,電子輸送層6及び陰極4を順次設けた
構成のものである。これはキャリヤ輸送と発光の機能を
分離したものであり、ホール輸送性、電子輸送性、発光
性の各特性を有した化合物と適時組み合わせて用いら、
極めて材料選択の自由度が増すとともに、発光波長を異
にする種々の化合物が使用できるため、発光色相の多様
化が可能になる。さらに、中央の発光層に各キャリヤあ
るいは励起子を有効に閉じこめて発光効率の向上を図る
ことも可能になる。FIG. 3 is a sectional view showing another example of the organic light emitting device of the present invention. FIG. 3 shows a structure in which an anode 2, a hole transport layer 5, a light emitting layer 3, an electron transport layer 6, and a cathode 4 are sequentially provided on a substrate 1. It separates the functions of carrier transport and luminescence, and is used in a timely combination with a compound having each property of hole transport, electron transport, and luminescence.
The degree of freedom in material selection is greatly increased, and various compounds having different emission wavelengths can be used, so that the emission hue can be diversified. Furthermore, it is possible to effectively confine each carrier or exciton in the central light emitting layer to improve the light emission efficiency.
【0041】ただし、図1〜3はあくまでごく基本的な
素子構成であり、本発明の分子内に少なくとも1個以上
のトリアルコキシシリル基を有する有機化合物からなる
層を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるも
のではない。例えば、電極と有機層界面に絶縁性層を設
ける、接着層あるいは干渉層を設ける、ホール輸送層が
イオン化ポテンシャルの異なる2層から構成される、な
ど多様な層構成をとることができる。However, FIGS. 1 to 3 show only a very basic device structure, and the structure of an organic light-emitting device using a layer of an organic compound having at least one trialkoxysilyl group in a molecule of the present invention. Is not limited to these. For example, various layer configurations such as providing an insulating layer at an interface between an electrode and an organic layer, providing an adhesive layer or an interference layer, and forming a hole transport layer from two layers having different ionization potentials can be employed.
【0042】本発明において、ゾルゲル法により成膜さ
れる層は、ホール輸送層、電子輸送層、発光層のいずれ
にも適用することができるが、必要に応じてこれまで知
られているホール輸送性化合物(例えば、下記の表1〜
4に示される化合物等)あるいは発光性化合物(例え
ば、下記の表5〜8に示される化合物等)また電子輸送
性化合物(例えば、下記の表9〜11に示される化合物
等)を必要に応じて一緒に使用することもできる。In the present invention, the layer formed by the sol-gel method can be applied to any of a hole transporting layer, an electron transporting layer, and a light emitting layer. Compounds (for example, Tables 1 to 4 below)
4) or a luminescent compound (for example, compounds shown in Tables 5 to 8 below) or an electron transporting compound (for example, compounds shown in Tables 9 to 11 below) as necessary. Can also be used together.
【0043】[0043]
【表1】 [Table 1]
【0044】[0044]
【表2】 [Table 2]
【0045】[0045]
【表3】 [Table 3]
【0046】[0046]
【表4】 [Table 4]
【0047】[0047]
【表5】 [Table 5]
【0048】[0048]
【表6】 [Table 6]
【0049】[0049]
【表7】 [Table 7]
【0050】[0050]
【表8】 [Table 8]
【0051】[0051]
【表9】 [Table 9]
【0052】[0052]
【表10】 [Table 10]
【0053】[0053]
【表11】 [Table 11]
【0054】本発明の有機発光素子において、ゾルゲル
法により成膜される層以外の有機化合物からなる層は、
一般には真空蒸着法あるいは、適当な溶媒に溶解させて
塗布法により薄膜を形成する。特に塗布法で成膜する場
合は、適当な結着樹脂と組み合わせて膜を形成すること
もできる。In the organic light emitting device of the present invention, a layer made of an organic compound other than the layer formed by the sol-gel method is
Generally, a thin film is formed by a vacuum deposition method or a coating method by dissolving in a suitable solvent. In particular, when forming a film by a coating method, the film can be formed in combination with an appropriate binder resin.
【0055】上記結着樹脂としては広範囲な結着性樹脂
より選択でき、たとえばポリビニルカルバゾール樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレ
ート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリ
ル樹脂、ブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、
ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、尿素樹脂等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。ま
た、これらは単独または共重合体ポリマーとして1種ま
たは2種以上混合してもよい。The binder resin can be selected from a wide range of binder resins, for example, polyvinyl carbazole resin,
Polycarbonate resin, polyester resin, polyarylate resin, polystyrene resin, acrylic resin, methacrylic resin, butyral resin, polyvinyl acetal resin,
Examples include, but are not limited to, diallyl phthalate resin, phenol resin, epoxy resin, silicone resin, polysulfone resin, urea resin, and the like. These may be used alone or as a copolymer, alone or as a mixture of two or more.
【0056】陽極材料としては仕事関数がなるべく大き
なものがよく、例えば、金、白金、ニッケル、パラジウ
ム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるい
はこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム
(ITO),酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用
できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオ
フェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマー
も使用できる。これらの電極物質は単独で用いてもよ
く、複数併用することもできる。The anode material preferably has a work function as large as possible. For example, a simple metal such as gold, platinum, nickel, palladium, cobalt, selenium, and vanadium or an alloy thereof, tin oxide, zinc oxide, indium tin oxide ( Metal oxides such as ITO) and indium zinc oxide can be used. Further, conductive polymers such as polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and polyphenylene sulfide can also be used. These electrode substances may be used alone or in combination of two or more.
【0057】一方、陰極材料としては仕事関数の小さな
ものがよく、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、
鉛、錫、クロム等の金属単体あるいは複数の合金として
用いることができる。酸化錫インジウム(ITO)等の
金属酸化の利用も可能である。また、陰極は一層構成で
もよく、多層構成をとることもできる。On the other hand, the cathode material preferably has a small work function, such as lithium, sodium, potassium, calcium, magnesium, aluminum, indium, silver, and the like.
It can be used as a single metal or a plurality of alloys such as lead, tin and chromium. It is also possible to use metal oxidation such as indium tin oxide (ITO). Further, the cathode may have a single-layer structure or a multilayer structure.
【0058】本発明で用いる基板としては、特に限定す
るものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等
の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等
の透明性基板が用いられる。また、基板にカラーフィル
ター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜などを
用いて発色光をコントロールする事も可能である。The substrate used in the present invention is not particularly limited, but an opaque substrate such as a metal substrate or a ceramic substrate, or a transparent substrate such as glass, quartz, or a plastic sheet is used. Further, it is also possible to control the emitted light by using a color filter film, a fluorescent color conversion filter film, a dielectric reflection film or the like on the substrate.
【0059】なお、作成した素子に対して、酸素や水分
等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設
けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄
膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッソ樹
脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹
脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには光硬化性
樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィ
ルム、金属などをカバーし、適当な封止樹脂により素子
自体をパッケージングすることもできる。It is to be noted that a protective layer or a sealing layer may be provided on the manufactured device for the purpose of preventing contact with oxygen, moisture, or the like. Examples of the protective layer include an inorganic material film such as a diamond thin film, a metal oxide, and a metal nitride; a polymer film such as a fluororesin, polyparaxylene, polyethylene, a silicone resin, and a polystyrene resin; and a photocurable resin. Can be Alternatively, the device itself can be covered with glass, a gas impermeable film, metal, or the like, and the element itself can be packaged with an appropriate sealing resin.
【0060】[0060]
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0061】実施例1 ガラス基板上に酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ
法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支
持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルア
ルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、IPAで煮沸
洗浄、乾燥をした。さらに、UV/オゾン洗浄したもの
を透明導電性支持基板として使用した。Example 1 Indium tin oxide (ITO) formed on a glass substrate by sputtering to a thickness of 120 nm was used as a transparent conductive support substrate. This was ultrasonically washed with acetone and isopropyl alcohol (IPA) sequentially, washed with boiling IPA, and dried. Further, the substrate subjected to UV / ozone cleaning was used as a transparent conductive support substrate.
【0062】前記例示化合物No.5を0.870g、
テトラエトキシシラン0.230g、エタノール7.0
0g、純水1.00g、濃塩酸0.005gを混合し1
時間撹拌した。これを一晩放置することによりゾル溶液
を調整した。この溶工液を用いて、透明支持基板上にス
ピンコート法(2000rpm)によりゾル膜を成膜
し、窒素雰囲気下、室温で8時間放置し、80℃にて1
時間、120℃にて2時間熱処理を行い70nmの膜厚
のゲル膜を作成した。The above exemplified compound No. 0.870 g of 5,
0.230 g of tetraethoxysilane, ethanol 7.0
0 g, 1.00 g of pure water and 0.005 g of concentrated hydrochloric acid.
Stirred for hours. This was left overnight to prepare a sol solution. Using this solution, a sol film is formed on a transparent support substrate by a spin coating method (2000 rpm), left in a nitrogen atmosphere at room temperature for 8 hours, and heated at 80 ° C. for 1 hour.
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 2 hours to form a gel film having a thickness of 70 nm.
【0063】さらに、アルミニウムキノリノール(Al
q3 )を真空蒸着法にて膜厚50nmの電子輸送兼発光
層を形成した。蒸着時の真空度は1.0×10-4Pa、
成膜速度は0.3nm/secの条件で成膜した。Further, aluminum quinolinol (Al
q 3) to form an electron transporting and light-emitting layer having a thickness of 50nm by vacuum deposition. The degree of vacuum during the deposition is 1.0 × 10 −4 Pa,
The film was formed under the conditions of a film forming speed of 0.3 nm / sec.
【0064】次に、アルミニウムとリチウム(リチウム
濃度1原子%)からなる蒸着材料を用いて、先ほどの有
機層の上に、真空蒸着法により厚さ150nmの金属層
膜を形成し、図2に示す構造の素子を作成した。蒸着時
の真空度は1.0×10-4Pa、成膜速度は1.0〜
1.2nm/secの条件で成膜した。Next, a metal layer film having a thickness of 150 nm was formed on the above-mentioned organic layer by a vacuum evaporation method using an evaporation material comprising aluminum and lithium (lithium concentration: 1 atomic%). An element having the structure shown was prepared. The degree of vacuum at the time of deposition is 1.0 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 1.0 to
The film was formed under the condition of 1.2 nm / sec.
【0065】この様にして得られた素子に、ITO電極
を正極、Al−Li電極を負極にして、8Vの直流電圧
を印加すると、2.5mA/cm2 の電流密度で電流が
流れ、初期輝度120cd/m2 の緑色発光が観測され
た。When a DC voltage of 8 V was applied to the device thus obtained with an ITO electrode as a positive electrode and an Al—Li electrode as a negative electrode, a current flowed at a current density of 2.5 mA / cm 2 , Green light emission with a luminance of 120 cd / m 2 was observed.
【0066】実施例2 ガラス基板上に酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ
法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支
持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルア
ルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、IPAで煮沸
洗浄、乾燥をした。さらに、UV/オゾン洗浄したもの
を透明導電性支持基板として使用した。Example 2 Indium tin oxide (ITO) formed on a glass substrate by sputtering with a thickness of 120 nm was used as a transparent conductive support substrate. This was ultrasonically washed sequentially with acetone and isopropyl alcohol (IPA), boiled and washed with IPA, and dried. Further, the substrate subjected to UV / ozone cleaning was used as a transparent conductive support substrate.
【0067】前記例示化合物No.14を0.890
g、前記例示化合物No.28を0.106g、テトラ
エトキシシラン0.420g、エタノール7.00g、
純水1.00g、濃塩酸0.005gを混合し1時間撹
拌した。これを一晩放置することによりゾル溶液を調整
した。この溶工液を用いて、透明支持基板上にスピンコ
ート法(2000rpm)によりゾル膜を成膜し、窒素
雰囲気下、室温で8時間放置し、80℃にて1時間、1
20℃にて2時間熱処理を行い110nmの膜厚のゲル
膜を作成した。The above exemplified compound No. 14 to 0.890
g, Exemplified Compound No. 28, 0.106 g, tetraethoxysilane 0.420 g, ethanol 7.00 g,
1.00 g of pure water and 0.005 g of concentrated hydrochloric acid were mixed and stirred for 1 hour. This was left overnight to prepare a sol solution. Using this solution, a sol film is formed on a transparent support substrate by a spin coating method (2000 rpm), left at room temperature for 8 hours in a nitrogen atmosphere, and at 80 ° C. for 1 hour.
Heat treatment was performed at 20 ° C. for 2 hours to form a gel film having a thickness of 110 nm.
【0068】次に、アルミニウムとリチウム(リチウム
濃度1原子%)からなる蒸着材料を用いて、先ほどの有
機層の上に、真空蒸着法により厚さ150nmの金属層
膜を形成し、図1に示す構造の素子を作成した。蒸着時
の真空度は1.0×10-4Pa、成膜速度は1.0〜
1.2nm/secの条件で成膜した。Next, a metal layer film having a thickness of 150 nm was formed on the above-mentioned organic layer by a vacuum evaporation method using a vapor deposition material composed of aluminum and lithium (lithium concentration 1 atomic%). An element having the structure shown was prepared. The degree of vacuum at the time of deposition is 1.0 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 1.0 to
The film was formed under the condition of 1.2 nm / sec.
【0069】この様にして得られた素子に、ITO電極
を正極、Al−Li電極を負極にして、13Vの直流電
圧を印加すると、3.lmA/cm2 の電流密度で電流
が流れ、初期輝度65cd/m2 の青色発光が観測され
た。When a DC voltage of 13 V is applied to the device thus obtained with the ITO electrode serving as a positive electrode and the Al-Li electrode serving as a negative electrode, A current flowed at a current density of 1 mA / cm 2 , and blue light emission with an initial luminance of 65 cd / m 2 was observed.
【0070】実施例3 ガラス基板上に酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ
法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支
持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルア
ルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、IPAで煮沸
洗浄、乾燥をした。さらに、UV/オゾン洗浄したもの
を透明導電性支持基板として使用した。Example 3 Indium tin oxide (ITO) having a thickness of 120 nm formed on a glass substrate by a sputtering method was used as a transparent conductive support substrate. This was ultrasonically washed sequentially with acetone and isopropyl alcohol (IPA), boiled and washed with IPA, and dried. Further, the substrate subjected to UV / ozone cleaning was used as a transparent conductive support substrate.
【0071】前記例示化合物No.3を1.50g、エ
タノール7.00g、純水1.00g、濃塩酸0.00
5gを混合し1時間撹拌した。これを一晩放置すること
によりゾル溶液を調整した。この溶工液を用いて、透明
支持基板上にスピンコート法(2000rpm)により
ゾル膜を成膜し、窒素雰囲気下、室温で8時間放置し、
80℃にて1時間、120℃にて2時間熱処理を行い、
55nmの膜厚のゲル膜を作成した。The above-mentioned exemplified compound No. 1.50 g, ethanol 7.00 g, pure water 1.00 g, concentrated hydrochloric acid 0.00
5 g were mixed and stirred for 1 hour. This was left overnight to prepare a sol solution. Using this solution, a sol film is formed on a transparent support substrate by a spin coating method (2000 rpm) and left at room temperature for 8 hours in a nitrogen atmosphere.
Heat treatment at 80 ° C for 1 hour and 120 ° C for 2 hours,
A gel film having a thickness of 55 nm was formed.
【0072】前記例示化合物No.29を0.09l
g、テトラエトキシシラン0.210g、エタノール
7.00g、純水1.00g、濃塩酸0.005gを混
合し1時間撹拌した。これを一晩放置することによりゾ
ル溶液を調整した。この溶工液を用いて、上記のホール
輸送層を成膜した透明支持基板上にスピンコート法(2
000rpm)によりゾル膜を成膜し、窒素雰囲気下、
室温で8時間放置し、80℃にて1時間、120℃にて
2時間熱処理を行い、12nmの膜厚のゲル膜を作成し
た。The above exemplified compound No. 29 to 0.09 l
g, 0.210 g of tetraethoxysilane, 7.00 g of ethanol, 1.00 g of pure water, and 0.005 g of concentrated hydrochloric acid, and stirred for 1 hour. This was left overnight to prepare a sol solution. Using this solution, a spin coat method (2) is applied to the transparent support substrate on which the hole transport layer is formed.
000 rpm) to form a sol film under a nitrogen atmosphere.
It was left at room temperature for 8 hours, and heat-treated at 80 ° C. for 1 hour and at 120 ° C. for 2 hours to form a gel film having a thickness of 12 nm.
【0073】前記例示化合物No.18を0.770
g、テトラエトキシシラン0.210g、エタノール
7.00g、純水1.00g、濃塩酸0.005gを混
合し1時間撹拌した。これを一晩放置することによりゾ
ル溶液を調整した。この溶工液を用いて、上記の透明支
持基板上にスピンコート法(2000rpm)によりゾ
ル膜を成膜し、窒素雰囲気下、室温で8時間放置し、8
0℃にて1時間、120℃にて2時間熱処理を行い50
nmの膜厚のゲル膜を作成した。The above exemplified compound No. 18 to 0.770
g, 0.210 g of tetraethoxysilane, 7.00 g of ethanol, 1.00 g of pure water, and 0.005 g of concentrated hydrochloric acid, and stirred for 1 hour. This was left overnight to prepare a sol solution. Using this solution, a sol film is formed on the transparent support substrate by a spin coating method (2000 rpm), and left at room temperature under a nitrogen atmosphere for 8 hours.
Heat treatment at 0 ° C for 1 hour and 120 ° C for 2 hours
A gel film having a thickness of nm was formed.
【0074】次に、アルミニウムとリチウム(リチウム
濃度1原子%)からなる蒸着材料を用いて、先ほどの有
機層の上に、真空蒸着法により厚さ150nmの金属層
膜を形成し、図3に示す構造の素子を作成した。蒸着時
の真空度は1.0×10-4Pa、成膜速度は1.0〜
1.2nm/secの条件で成膜した。Next, a metal layer film having a thickness of 150 nm was formed on the organic layer by a vacuum deposition method using a deposition material composed of aluminum and lithium (lithium concentration: 1 atomic%). An element having the structure shown was prepared. The degree of vacuum at the time of deposition is 1.0 × 10 −4 Pa, and the film formation rate is 1.0 to
The film was formed under the condition of 1.2 nm / sec.
【0075】この様にして得られた素子に、ITO電極
を正極、Al−Li電極を負極にして、8Vの直流電圧
を印加すると、4.lmA/cm2 の電流密度で電流が
流れ、初期輝度370cd/m2 の黄色発光が観測され
た。When a DC voltage of 8 V was applied to the device thus obtained with the ITO electrode as the positive electrode and the Al-Li electrode as the negative electrode, A current flowed at a current density of 1 mA / cm 2 , and yellow light emission with an initial luminance of 370 cd / m 2 was observed.
【0076】また、この素子を窒素雰囲気下80℃にお
いて、電流密度3.0mA/cm2に保ち、100時間
電圧を印加したところ、初期輝度160cd/m2 から
100時間後輝度145cd/m2 と輝度劣化は非常に
少なかった。[0076] Further, the device in the lower 80 ° C. nitrogen atmosphere, keeping the current density 3.0 mA / cm 2, where a voltage was applied for 100 hours, an initial luminance 160 cd / m after 2 100 hours luminance 145cd / m 2 The luminance deterioration was very small.
【0077】比較例1 実施例1のホール輸送層に用いられる化合物を、例示化
合物No.5(0.870g)に変えて4,4′−ビス
[N−フェニル−N−(3″−メチルフェニル)アミ
ノ]ビフェニルを用いた他は実施例1の素子と全く同様
にして比較例1の素子を作成した。Comparative Example 1 The compound used in the hole transport layer of Example 1 was exemplified by Compound No. Comparative Example 1 was carried out in exactly the same manner as in Example 1, except that 4,4'-bis [N-phenyl-N- (3 "-methylphenyl) amino] biphenyl was used instead of 5 (0.870 g). Was made.
【0078】この様にして得られた素子に、ITO電極
を正極、Al−Li電極を負極にして、20Vまで電圧
を印加したが、20Vで絶縁破壊を起こすまで発光は確
認されなかった。A voltage of up to 20 V was applied to the device thus obtained with the ITO electrode serving as a positive electrode and the Al-Li electrode serving as a negative electrode, but no light emission was observed at 20 V until dielectric breakdown occurred.
【0079】[0079]
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のトリアルコ
キシシリル基を有する有機化合物単体から、あるいは該
有機化合物とアルコキシシランからゾルゲル成膜法を用
いて作成した層を有する有機発光素子は、実施例および
比較例から示される通り、低い印加電圧で高輝度な発光
が得られ、耐久性にも優れている。さらに、素子の作成
も真空蒸着あるいはキャスチング法等を用いて作成可能
であり、比較的安価で大面積の素子を容易に作成でき
る。As described above, the organic light-emitting device having a layer formed by a sol-gel film forming method from the organic compound having a trialkoxysilyl group alone or from the organic compound and the alkoxysilane according to the present invention, As shown in Examples and Comparative Examples, light emission with high luminance can be obtained at a low applied voltage, and the durability is excellent. Further, the device can be prepared by using a vacuum deposition method or a casting method, and a relatively inexpensive and large-area device can be easily prepared.
【図1】本発明における有機発光素子の一例を示す断面
図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an organic light emitting device according to the present invention.
【図2】本発明における有機発光素子の他の例を示す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating another example of the organic light emitting device according to the present invention.
【図3】本発明における有機発光素子の他の例を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating another example of the organic light emitting device according to the present invention.
1 基板 2 陽極 3 発光層 4 陰極 5 ホール輸送層 6 電子輸送層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Light emitting layer 4 Cathode 5 Hole transport layer 6 Electron transport layer
フロントページの続き (72)発明者 真下 精二 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キヤ ノン株式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB04 AB12 AB13 AB18 BB00 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01Continuation of the front page (72) Inventor Seiji Mashimo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo F-term in Canon Inc. (reference) 3K007 AB00 AB02 AB03 AB04 AB12 AB13 AB18 BB00 BB01 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01
Claims (5)
一対の電極間に挟持された一または複数の有機化合物を
含む層を少なくとも有する有機発光素子において、前記
有機化合物を含む層の少なくとも一層は、分子内に少な
くとも1個以上のトリアルコキシシリル基を有する有機
化合物単体から、あるいは分子内に少なくとも1個以上
のトリアルコキシシリル基を有する有機化合物とアルコ
キシシランからゾルゲル法により作成した膜から成るこ
とを特徴とする有機発光素子。1. An organic light-emitting element having at least a pair of electrodes including an anode and a cathode and one or more layers containing an organic compound sandwiched between the pair of electrodes, wherein at least one of the layers containing the organic compound is provided. Consists of a film formed from a single organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule or from an organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule and alkoxysilane by a sol-gel method. An organic light-emitting device, comprising:
アルコキシシリル基を有する有機化合物がホール輸送性
化合物である請求項1記載の有機発光素子。2. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the organic compound having at least one trialkoxysilyl group in a molecule is a hole transporting compound.
アルコキシシリル基を有する有機化合物が発光性化合物
である請求項1記載の有機発光素子。3. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the organic compound having at least one trialkoxysilyl group in a molecule is a light emitting compound.
アルコキシシリル基を有する有機化合物が電子輸送性化
合物である請求項1記載の有機発光素子。4. The organic light emitting device according to claim 1, wherein the organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule is an electron transporting compound.
アルコキシシリル基を有する有機化合物が、分子内に2
個以上のトリアルコキシシリル基を有する有機化合物で
ある請求項1乃至4のいずれかの項に記載の有機発光素
子。5. The method according to claim 1, wherein the organic compound having at least one trialkoxysilyl group in the molecule has two or more groups.
The organic light-emitting device according to claim 1, wherein the organic light-emitting device is an organic compound having at least three trialkoxysilyl groups.
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