JP2000267132A - Electrode substrate and liquid crystal display device, and manufacture of electrode substrate - Google Patents

Electrode substrate and liquid crystal display device, and manufacture of electrode substrate

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JP2000267132A
JP2000267132A JP11070482A JP7048299A JP2000267132A JP 2000267132 A JP2000267132 A JP 2000267132A JP 11070482 A JP11070482 A JP 11070482A JP 7048299 A JP7048299 A JP 7048299A JP 2000267132 A JP2000267132 A JP 2000267132A
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JP
Japan
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electrode
contact hole
substrate
insulating film
color filter
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JP11070482A
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Japanese (ja)
Inventor
Norihiro Yoshida
典弘 吉田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode substrate and a liquid crystal display device having high reliability and manufacture thereof. SOLUTION: A pixel electrode 151 is brought in contact with a source electrode 131 of FT 121 via contact hole 501 of a color filter CF and a contact hole 502 of a transparent insulating film 171, to be electrically connected. Gentler tapered angles can be formed for those of both contact holes without precise control of them, by forming at least a part of the contact hole 502 of the transparent insulating film 171 inside of the contact hole 501 of the color filter CF, and it is possible to prevent discontinuance between an electrode member of a pixel area and an electrode member filled in the contact hole.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電極基板及び液
晶表示装置並びに電極基板の製造方法に係り、特に、カ
ラーフィルタなどの絶縁膜を介して画素電極とスイッチ
ング素子とを電気的に接続するための構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode substrate, a liquid crystal display device, and a method for manufacturing an electrode substrate, and more particularly to electrically connecting a pixel electrode and a switching element via an insulating film such as a color filter. Related to the structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、コンピュータを中心とする情報機
器分野及びテレビなどを中心とする映像機器分野におい
て、軽量、且つ、小型で高精細な液晶表示装置が開発さ
れている。
2. Description of the Related Art In recent years, lightweight, small, and high-definition liquid crystal display devices have been developed in the field of information equipment such as computers and video equipment such as televisions.

【0003】現在、主流のカラー表示用のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との
間に液晶組成物を挟持することによって構成されてい
る。アレイ基板は、アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを半導体層とした薄膜トランジスタすなわちTFT
と、TFTに接続され画素領域に対応して設けられた画
素電極と、走査線と、信号線とを有している。対向基板
は、画素領域に対応して設けられた赤、緑、青、また
は、シアン、マゼンタ、イエローの三原色に着色された
カラーフィルタと、対向電極とを有している。
At present, active matrix type liquid crystal display devices for color display are mainly constituted by sandwiching a liquid crystal composition between an array substrate and a counter substrate. The array substrate is a thin film transistor using amorphous silicon or polysilicon as a semiconductor layer, that is, a TFT.
And a pixel electrode connected to the TFT and provided corresponding to the pixel region, a scanning line, and a signal line. The counter substrate has a color filter that is provided corresponding to the pixel region and is colored in three primary colors of red, green, blue, or cyan, magenta, and yellow, and a counter electrode.

【0004】アレイ基板と対向基板との間には、間隔を
一定に保持するためのスペーサが配置されている。ま
た、これらの基板は、液晶組成物を注入するための液晶
注入口を除いた基板周辺に印刷されたシール材により貼
り合わせている。
[0004] A spacer is arranged between the array substrate and the opposing substrate to keep the distance constant. These substrates are bonded together with a seal material printed around the substrate except for a liquid crystal injection port for injecting a liquid crystal composition.

【0005】このように、従来の液晶表示装置では、カ
ラーフィルタは、対向基板に設けられているが、2枚の
基板を貼り合せる際に、高い貼り合せ精度が要求され、
また、貼り合わせ精度の劣化に伴う製造歩留まりの低
下、及び、画素領域の開口率の低下といった問題が発生
する。
As described above, in the conventional liquid crystal display device, the color filter is provided on the opposing substrate. However, when two substrates are bonded, high bonding accuracy is required.
Further, problems such as a decrease in manufacturing yield and a decrease in the aperture ratio of the pixel region due to the deterioration of the bonding accuracy occur.

【0006】これらの問題を改善するために、近年で
は、アレイ基板にカラーフィルタを設ける方法が提案さ
れている。すなわち、このカラーフィルタは、アレイ基
板上に形成されたTFTと画素電極との間に透明絶縁膜
を介して配置されている。
In order to improve these problems, a method of providing a color filter on an array substrate has recently been proposed. That is, the color filter is disposed between the TFT formed on the array substrate and the pixel electrode via the transparent insulating film.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アレイ
基板にカラーフィルタを設ける方法では、以下のような
問題がある。
However, the method of providing a color filter on an array substrate has the following problems.

【0008】すなわち、TFTと画素電極とをコンタク
トして電気的に接続するために、これらの間に介在され
るカラーフィルタ及び透明絶縁膜などの絶縁膜にコンタ
クトホールを形成する必要がある。このコンタクトホー
ルは、下方に向かうにしたがって孔径が小さくなるよう
なテーパ状に形成される。この時のコンタクトホールの
テーパ角を十分に精度よく制御しないと、画素電極を形
成する際に、画素領域の電極部材と、コンタクトホール
に充填された電極部材とが断絶するおそれがある。
That is, in order to contact and electrically connect the TFT and the pixel electrode, it is necessary to form a contact hole in an insulating film such as a color filter and a transparent insulating film interposed therebetween. This contact hole is formed in a tapered shape such that the hole diameter becomes smaller as it goes downward. If the taper angle of the contact hole is not controlled with sufficient precision at this time, the electrode member in the pixel region may be disconnected from the electrode member filled in the contact hole when forming the pixel electrode.

【0009】このような断絶が発生すると、画素電極を
TFTにコンタクトさせることができなくなり、その画
素領域が輝点となる輝点不良を発生する。
When such a disconnection occurs, the pixel electrode cannot be brought into contact with the TFT, and a bright spot defect in which the pixel area becomes a bright spot occurs.

【0010】また、コンタクトホールのテーパ角を精度
よく制御しようとすると、絶縁膜の形成プロセスだけで
なく、カラーフィルタなどの絶縁膜の材料を変更する必
要が生じる。
Further, in order to accurately control the taper angle of the contact hole, it is necessary to change not only the process of forming the insulating film but also the material of the insulating film such as a color filter.

【0011】さらに、カラーフィルタは、その材料によ
っては、表示焼き付きや、表示ムラを誘発する不純物を
多量に含むため、カラーフィルタが絶縁膜から露出して
画素電極に直接接触する場合、その接触面積を最低限に
抑える必要がある。
Further, depending on the material of the color filter, the color filter contains a large amount of impurities that cause display burn-in or display unevenness. Therefore, when the color filter is exposed from the insulating film and directly contacts the pixel electrode, the contact area is large. Needs to be kept to a minimum.

【0012】このように、カラーフィルタをアレイ基板
に設ける方法では、コンタクトホールのテーパ角を精度
よく制御しないと、液晶表示装置の信頼性を損なうおそ
れがある。
As described above, in the method in which the color filters are provided on the array substrate, the reliability of the liquid crystal display device may be impaired unless the taper angle of the contact hole is accurately controlled.

【0013】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、信頼性の高い電極基板及
び液晶表示装置並びに電極基板の製造方法を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above-described problems, and has as its object to provide a highly reliable electrode substrate, a liquid crystal display device, and a method of manufacturing an electrode substrate.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1に記載の電極基板は、電極
と、この電極に信号電圧を選択的に供給するスイッチン
グ素子と、を備えた電極基板において、前記電極基板
は、前記スイッチング素子と前記電極との間に介在され
るとともに前記電極を前記スイッチング素子に電気的に
接続するためのコンタクトホールを有する少なくとも2
層の積層された絶縁膜を備え、前記上層の絶縁膜に形成
される第1コンタクトホールは、少なくともその一部が
前記下層の絶縁膜に形成される第2コンタクトホールの
内側に形成されたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an electrode substrate comprising: an electrode; and a switching element for selectively supplying a signal voltage to the electrode. An electrode substrate provided with at least two contact holes interposed between the switching element and the electrode and having a contact hole for electrically connecting the electrode to the switching element.
A first contact hole formed in the upper insulating film, at least a part of which is formed inside a second contact hole formed in the lower insulating film. It is characterized by.

【0015】請求項2に記載の液晶表示装置は、一主面
上の行方向に配列された走査線、これら走査線に直交す
るように列方向に配列された信号線、前記走査線と信号
線との交差部に配置されたスイッチング素子、及び、前
記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を有
する第1基板と、一主面上に配置された対向電極を有す
る第2基板と、前記第1基板と第2基板との間に挟持さ
れた液晶組成物と、を備えた液晶表示装置において、前
記第1基板は、前記スイッチング素子と前記画素電極と
の間に介在されるとともに前記画素電極を前記スイッチ
ング素子に電気的に接続するためのコンタクトホールを
有する少なくとも2層に積層された絶縁膜を備え、前記
上層の第1絶縁膜に形成される第1コンタクトホール
は、少なくともその一部が前記下層の第2絶縁膜に形成
される第2コンタクトホールの内側に形成されたことを
特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device, comprising: scanning lines arranged in a row direction on one main surface; signal lines arranged in a column direction perpendicular to these scanning lines; A switching element disposed at an intersection with a line, a first substrate having a pixel electrode electrically connected to the switching element, a second substrate having a counter electrode disposed on one main surface, A liquid crystal display device comprising a liquid crystal composition sandwiched between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is interposed between the switching element and the pixel electrode. An insulating film laminated in at least two layers having a contact hole for electrically connecting a pixel electrode to the switching element, wherein a first contact hole formed in the upper first insulating film has at least Parts is characterized in that it is formed inside the second contact hole formed in the second insulating film of the lower layer.

【0016】請求項5に記載の液晶表示装置は、一主面
上の行方向に配列された走査線、これら走査線に直交す
るように列方向に配列された信号線、マトリクス状の画
素領域に配置された画素電極、前記走査線と信号線との
交差部に配置されるとともに前記信号線に電気的に接続
された第1電極及び前記画素電極に電気的に接続された
第2電極を有するスイッチング素子、前記画素領域及び
前記スイッチング素子の少なくとも前記第2電極上に配
置されたカラーフィルタ層、及び、このカラーフィルタ
層上に配置されるとともにその上に前記画素電極が配置
される透明絶縁膜、を有する第1基板と、一主面上に配
置された対向電極を有する第2基板と、前記第1基板と
第2基板との間に挟持された液晶組成物と、を備えた液
晶表示装置において、前記透明絶縁膜は、前記画素電極
を前記第2電極に電気的に接続するための第1コンタク
トホールを有し、前記カラーフィルタ層は、前記画素電
極を前記第2電極に電気的に接続するための第2コンタ
クトホールを有し、前記画素電極は、少なくともその一
部が前記第2コンタクトホールの側面に接触することな
く前記第1コンタクトホールの側面に接触しながら前記
第2電極にコンタクトすることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display, comprising: scanning lines arranged in a row direction on one main surface; signal lines arranged in a column direction so as to be orthogonal to these scanning lines; A first electrode that is disposed at the intersection of the scanning line and the signal line and that is electrically connected to the signal line, and a second electrode that is electrically connected to the pixel electrode. A switching element, a color filter layer disposed on at least the second electrode of the pixel region and the switching element, and a transparent insulation disposed on the color filter layer and on which the pixel electrode is disposed. A liquid crystal comprising: a first substrate having a film; a second substrate having a counter electrode disposed on one main surface; and a liquid crystal composition sandwiched between the first substrate and the second substrate. Display device smell The transparent insulating film has a first contact hole for electrically connecting the pixel electrode to the second electrode, and the color filter layer electrically connects the pixel electrode to the second electrode. A second contact hole for contacting the pixel electrode, wherein at least a part of the pixel electrode contacts the second electrode while contacting the side surface of the first contact hole without contacting the side surface of the second contact hole. It is characterized by doing.

【0017】請求項6に記載の電極基板の製造方法は、
一主面上の行方向に配列された走査線、これら走査線に
直交するように列方向に配列された信号線、マトリクス
状の画素領域に配置された画素電極、前記走査線と信号
線との交差部に配置されるとともに前記信号線に電気的
に接続された第1電極及び前記画素電極に電気的に接続
された第2電極を有するスイッチング素子、前記画素領
域及び前記スイッチング素子の少なくとも前記第2電極
上に配置されたカラーフィルタ層、及び、このカラーフ
ィルタ層上に配置されるとともにその上に前記画素電極
が配置される透明絶縁膜、を有する電極基板の製造方法
において、スイッチング素子を形成し、このスイッチン
グ素子の少なくとも第2電極上にカラーフィルタ層を形
成し、このカラーフィルタ層に、前記第2電極まで貫通
するコンタクトホールを形成し、カラーフィルタ層上に
透明絶縁膜を形成し、この透明絶縁膜に、前記第2電極
まで貫通するコンタクトホールを、少なくともその一部
が前記カラーフィルタ層に形成したコンタクトホールの
内側に配置されるように形成し、透明絶縁膜上に、少な
くともその一部が透明絶縁膜に形成したコンタクトホー
ルの側面に接触することなくカラーフィルタに形成した
コンタクトホールの側面に接触しながら前記第2電極に
コンタクトするように画素電極を形成する、ことを特徴
とする。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electrode substrate.
Scan lines arranged in a row direction on one main surface, signal lines arranged in a column direction so as to be orthogonal to these scan lines, pixel electrodes arranged in a matrix pixel area, the scan lines and the signal lines, And a switching element having a first electrode electrically connected to the signal line and a second electrode electrically connected to the pixel electrode, at least one of the pixel region and the switching element. A method for manufacturing an electrode substrate, comprising: a color filter layer disposed on a second electrode; and a transparent insulating film disposed on the color filter layer and on which the pixel electrode is disposed. A color filter layer is formed on at least the second electrode of the switching element, and a contact hole penetrating to the second electrode is formed on the color filter layer. A transparent insulating film is formed on the color filter layer, and a contact hole penetrating to the second electrode is formed in the transparent insulating film at least partially inside the contact hole formed in the color filter layer. On the transparent insulating film, at least a portion of which is in contact with the side surface of the contact hole formed in the color filter without contacting the side surface of the contact hole formed in the transparent insulating film. A pixel electrode is formed so as to contact two electrodes.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、この発明の電極基板及び液
晶表示装置並びに電極基板の製造方法の一実施の形態に
ついて図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of an electrode substrate, a liquid crystal display device and a method of manufacturing an electrode substrate according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0019】図1は、この発明の液晶表示装置に適用さ
れる液晶表示パネルの一例を概略的に示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a liquid crystal display panel applied to the liquid crystal display device of the present invention.

【0020】この発明の一実施の形態に係る液晶表示装
置は、アクティブマトリクスタイプの反射型液晶表示装
置であって、図1に示すような液晶表示パネル10を備
えている。
A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention is a reflection type liquid crystal display device of an active matrix type, and includes a liquid crystal display panel 10 as shown in FIG.

【0021】液晶表示パネル10は、図1に示すよう
に、第1基板としてのアレイ基板100と、このアレイ
基板100に対向配置された第2基板としての対向基板
200と、アレイ基板100と対向基板200との間に
配置された液晶組成物とを備えている。このような液晶
表示パネル10において、画像を表示する表示エリア1
02は、アレイ基板100と対向基板200とを貼り合
わせるシール材106によって囲まれた領域内に形成さ
れ、表示エリア102内から引出された各種配線パター
ンを有する周辺エリア104は、シール材106の外側
の領域に形成されている。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display panel 10 has an array substrate 100 as a first substrate, an opposing substrate 200 as a second substrate disposed opposite to the array substrate 100, and an opposing substrate. A liquid crystal composition disposed between the substrate and the substrate. In such a liquid crystal display panel 10, a display area 1 for displaying an image is provided.
Numeral 02 is formed in a region surrounded by a seal material 106 for bonding the array substrate 100 and the counter substrate 200, and a peripheral area 104 having various wiring patterns drawn from the display area 102 is located outside the seal material 106. Area.

【0022】アレイ基板100の表示エリア102は、
図2及び図4に示すように、透明な絶縁性基板、例えば
厚さが0.7mmのガラス基板上にマトリクス状に配置
されたmxn個の画素電極151、これら画素電極15
1の行方向に沿って形成されたm本の走査線111、こ
れら画素電極151の列方向に沿って形成されたn本の
信号線103、及び、mxn個の画素電極151に対応
して走査線111および信号線103の交差位置近傍に
非線形スイッチング素子として配置されたmxn個の薄
膜トランジスタすなわちTFT121を有している。
The display area 102 of the array substrate 100 is
As shown in FIGS. 2 and 4, mxn pixel electrodes 151 are arranged in a matrix on a transparent insulating substrate, for example, a glass substrate having a thickness of 0.7 mm.
Scanning corresponding to m scanning lines 111 formed along one row direction, n signal lines 103 formed along the column direction of these pixel electrodes 151, and mxn pixel electrodes 151 There are m × n thin film transistors or TFTs 121 arranged as nonlinear switching elements near the intersection of the line 111 and the signal line 103.

【0023】走査線111は、アルミニウムやモリブデ
ン−タングステン合金などの低抵抗材料によって形成さ
れている。信号線103は、アルミニウムなどの低抵抗
材料によって形成されているとともに、ガラス基板10
1上に形成された酸化シリコンと窒化シリコンとの多層
膜からなる絶縁膜113を介して配設されている。
The scanning lines 111 are formed of a low-resistance material such as aluminum or a molybdenum-tungsten alloy. The signal line 103 is formed of a low-resistance material such as aluminum,
1 are provided via an insulating film 113 formed of a multilayer film of silicon oxide and silicon nitride formed on the semiconductor device 1.

【0024】画素電極151は、インジウム−ティン−
オキサイドすなわちITOなどの透明な導電性部材によ
って形成されている。
The pixel electrode 151 is made of indium-tin-tin.
It is formed of a transparent conductive member such as oxide, ie, ITO.

【0025】TFT121は、走査線111から突出し
た部分をゲート電極112とし、この上に積層されたゲ
ート絶縁膜113を有している。このゲート絶縁膜11
3上には、アモルファスシリコン膜すなわちa−Si:
H膜によって形成された半導体膜115が積層されてい
る。この半導体膜115上には、窒化シリコンによって
形成されたチャネル保護膜117が積層されている。
The TFT 121 has a portion protruding from the scanning line 111 as a gate electrode 112, and has a gate insulating film 113 laminated thereon. This gate insulating film 11
3, an amorphous silicon film, ie, a-Si:
A semiconductor film 115 formed of an H film is stacked. On this semiconductor film 115, a channel protective film 117 made of silicon nitride is laminated.

【0026】半導体膜115は、n+型a−Si:H膜
によって形成された低抵抗半導体膜119、及びソース
電極131を介して画素電極151に電気的に接続され
ている。また、半導体膜115は、低抵抗半導体膜11
9、及び信号線103から延出されたドレイン電極13
2を介して信号線103に電気的に接続されている。T
FT121のチャネル保護膜117、ソース電極13
1、及びドレイン電極132は、透明な感光性樹脂など
の透明絶縁膜からなる保護膜171によって覆われてい
る。
The semiconductor film 115 is electrically connected to the pixel electrode 151 via the low-resistance semiconductor film 119 formed of an n + type a-Si: H film and the source electrode 131. Further, the semiconductor film 115 is formed of the low-resistance semiconductor film 11.
9, and the drain electrode 13 extended from the signal line 103
2 and is electrically connected to the signal line 103 via the signal line 2. T
Channel protection film 117 of FT121, source electrode 13
1 and the drain electrode 132 are covered with a protective film 171 made of a transparent insulating film such as a transparent photosensitive resin.

【0027】また、アレイ基板100は、各画素領域毎
に三原色に着色されたカラーフィルタCFを備えてい
る。すなわち、このカラーフィルタCFは、アレイ基板
100の画素電極151の下層であって、赤画素(R)
領域、緑画素(G)領域、青画素(B)領域のそれぞれ
に対応する領域に配置されている。このカラーフィルタ
CFは、例えば、各色成分の顔料を分散させた樹脂によ
って形成されている。
The array substrate 100 includes a color filter CF colored in three primary colors for each pixel region. That is, the color filter CF is located below the pixel electrode 151 of the array substrate 100 and has a red pixel (R).
Area, a green pixel (G) area, and a blue pixel (B) area. The color filter CF is formed of, for example, a resin in which pigments of each color component are dispersed.

【0028】このカラーフィルタCFは、ゲート絶縁膜
113上、及びTFT121の少なくともソース電極1
31の一部の上に設けられている。そして、このカラー
フィルタCFは、TFT121を覆う透明絶縁膜からな
る保護膜171によって覆われている。
The color filter CF is formed on the gate insulating film 113 and at least the source electrode 1 of the TFT 121.
It is provided on a part of 31. The color filter CF is covered with a protective film 171 made of a transparent insulating film that covers the TFT 121.

【0029】保護膜171上に設けられた画素電極15
1は、カラーフィルタCFに形成されたコンタクトホー
ル501、および保護膜171に形成されたコンタクト
ホール502を介してTFT121のソース電極131
にコンタクトし、電気的に接続されている。
The pixel electrode 15 provided on the protective film 171
Reference numeral 1 denotes a source electrode 131 of the TFT 121 via a contact hole 501 formed in the color filter CF and a contact hole 502 formed in the protective film 171.
And are electrically connected.

【0030】画素電極151の表面は、対向基板200
との間に介在される液晶組成物300を配向させるため
の配向膜141によって覆われている。
The surface of the pixel electrode 151 is
Are covered with an alignment film 141 for aligning the liquid crystal composition 300 interposed between the liquid crystal composition 300 and the liquid crystal composition 300.

【0031】この液晶表示パネル10では、図1に示し
たように、液晶表示装置の外形寸法、特に額縁サイズを
小さく構成するために、詳細に図示しないが、信号線
は、アレイ基板100の周辺エリア104Xの第1端辺
100X側にのみ引き出され、この第1端辺100X側
で信号線に映像データを供給する信号線駆動回路などを
含むX制御回路基板421にX−TAB401−1、4
01−2、401−3、401−4を介して接続されて
いる。
In the liquid crystal display panel 10, as shown in FIG. 1, although not shown in detail, the signal lines are arranged around the periphery of the array substrate 100 in order to reduce the outer dimensions of the liquid crystal display device, particularly the frame size. The X-TABs 401-1, 401-4, which are drawn out only to the first side 100 </ b> X side of the area 104 </ b> X and include a signal line driving circuit for supplying video data to the signal lines on the first side 100 </ b> X side,
01-2, 401-3, and 401-4.

【0032】また、走査線も、アレイ基板の周辺エリア
104Xにおける第1端辺100Xと直交する第2端辺
100Y側にのみ引き出され、この第2端辺100Y側
で走査線に走査パルスを供給する走査線駆動回路などを
含むY制御回路基板431にY−TAB411−1、4
11−2を介して接続されている。
The scanning lines are also drawn out only to the second side 100Y of the peripheral area 104X of the array substrate, which is orthogonal to the first side 100X, and supply the scanning pulses to the scanning lines at the second side 100Y. Y-TAB 411-1 and Y-TAB 411-1,
11-2.

【0033】また、アレイ基板100の表示エリア10
2及び周辺エリア104(X、Y)における非画素部、
すなわち信号線103及び走査線111などの配線パタ
ーン、TFT121、画素電極151、周辺額縁部など
の上には、図2に示すように、アレイ基板100と対向
基板200と間に所定幅のギャップを形成するためのス
ペーサ400が配置されている。
The display area 10 of the array substrate 100
2 and non-pixel portions in the peripheral area 104 (X, Y),
That is, as shown in FIG. 2, a gap having a predetermined width is formed between the array substrate 100 and the counter substrate 200 on the wiring patterns such as the signal lines 103 and the scanning lines 111, the TFT 121, the pixel electrode 151, the peripheral frame portion, and the like. A spacer 400 to be formed is arranged.

【0034】これにより、アレイ基板100と対向基板
200との間のギャップは、約5μmに設定されてい
る。
Thus, the gap between the array substrate 100 and the counter substrate 200 is set to about 5 μm.

【0035】対向基板200の表示エリア102は、図
4に示すように、透明な絶縁性基板、例えば厚さが0.
7mmのガラス基板201上に配設された対向電極20
4を備えている。
As shown in FIG. 4, the display area 102 of the counter substrate 200 has a transparent insulating substrate, for example, having a thickness of 0.1 mm.
Counter electrode 20 disposed on 7 mm glass substrate 201
4 is provided.

【0036】この対向電極204は、画素電極151と
の間で電位差を形成する透明導電性部材、例えばインジ
ウム−ティン−オキサイドすなわちITOによって形成
されている。また、この対向電極204の表面は、アレ
イ基板100との間に介在される液晶組成物300を配
向させるための配向膜205によって覆われている。
The opposing electrode 204 is formed of a transparent conductive member that forms a potential difference with the pixel electrode 151, for example, indium-tin-oxide, that is, ITO. The surface of the counter electrode 204 is covered with an alignment film 205 for aligning the liquid crystal composition 300 interposed between the counter electrode 204 and the array substrate 100.

【0037】この液晶表示パネル10の表裏面、すなわ
ちガラス基板201の外面には、液晶表示装置の表示モ
ードや、液晶組成物のツイスト角などに応じて偏向面が
選択された偏光板191及び206が配設されている。
On the front and back surfaces of the liquid crystal display panel 10, that is, on the outer surface of the glass substrate 201, polarizing plates 191 and 206 whose deflection surfaces are selected according to the display mode of the liquid crystal display device and the twist angle of the liquid crystal composition. Are arranged.

【0038】次に、画素電極とTFTとのコンタクト方
法について、より具体的に説明する。
Next, a method for contacting the pixel electrode with the TFT will be described more specifically.

【0039】すなわち、画素電極151は、絶縁膜11
3上に形成されたカラーフィルタCF及びカラーフィル
タCF上に形成された透明絶縁膜171の上の画素領域
に配置されている。TFT121の少なくとも一部のソ
ース電極131の上には、カラーフィルタCF及び透明
絶縁膜171が設けられている。
That is, the pixel electrode 151 is
3 is disposed in a pixel region on a color filter CF formed on the color filter 3 and on a transparent insulating film 171 formed on the color filter CF. A color filter CF and a transparent insulating film 171 are provided on at least a part of the source electrode 131 of the TFT 121.

【0040】カラーフィルタCFは、ソース電極131
の直上に形成されたコンタクトホール501を有してい
る。また、透明絶縁膜171は、ソース電極131の直
上に形成されたコンタクトホール502を有している。
これらのコンタクトホール501及び502は、下方に
向かうにしたがって孔径が小さくなるようなテーパ状に
形成される。コンタクトホール501の孔径は、例えば
20μm×20μmであり、コンタクトホール502の
孔径は、例えば25μm×25μmである。
The color filter CF includes a source electrode 131.
Has a contact hole 501 formed immediately above. Further, the transparent insulating film 171 has a contact hole 502 formed right above the source electrode 131.
These contact holes 501 and 502 are formed in a tapered shape such that the hole diameter becomes smaller as going downward. The hole diameter of the contact hole 501 is, for example, 20 μm × 20 μm, and the hole diameter of the contact hole 502 is, for example, 25 μm × 25 μm.

【0041】これらのコンタクトホール501及び50
2は、平面的に見ると、図3に示すように、一方のコン
タクトホールの少なくとも一部が他方のコンタクトホー
ルの内側に形成されている。図3に示した実施の形態で
は、上層の透明絶縁膜171に形成されたコンタクトホ
ール502は、少なくともその一部が下層のカラーフィ
ルタCFの内側に形成されている。
These contact holes 501 and 50
2, when viewed in a plan view, as shown in FIG. 3, at least a part of one contact hole is formed inside the other contact hole. In the embodiment shown in FIG. 3, at least a part of the contact hole 502 formed in the upper transparent insulating film 171 is formed inside the lower color filter CF.

【0042】図4及び図5にその断面を示すが、コンタ
クトホール502の少なくとも一部がコンタクトホール
501の内側に配置されているため、画素電極151
は、少なくともその一部がカラーフィルタCFに接触す
ることなく透明絶縁膜171のコンタクトホール502
の側面に接触しながらTFT121のソース電極131
にコンタクトする。
FIGS. 4 and 5 show cross sections of the pixel electrode 151 because at least a part of the contact hole 502 is disposed inside the contact hole 501.
The contact hole 502 of the transparent insulating film 171 does not contact at least a part of the color filter CF.
The source electrode 131 of the TFT 121 while contacting the side of the
Contact

【0043】また、図6の(a)及び(b)に示すよう
に、カラーフィルタCFのコンタクトホール501の孔
径が、透明絶縁膜171のコンタクトホール502の孔
径より十分に大きく、しかも、コンタクトホール502
がコンタクトホール501の内側に形成されてもよい。
コンタクトホール501の孔径は、上述した実施の形態
と同様に、例えば20μm×20μmであり、コンタク
トホール502の孔径は、例えば16μm×16μmで
ある。コンタクトホール502は、図6の(b)に示す
ように、平面的に見た場合に、コンタクトホール501
の約2μm内側に形成される。
As shown in FIGS. 6A and 6B, the diameter of the contact hole 501 of the color filter CF is sufficiently larger than the diameter of the contact hole 502 of the transparent insulating film 171. 502
May be formed inside the contact hole 501.
The hole diameter of the contact hole 501 is, for example, 20 μm × 20 μm, as in the above-described embodiment, and the hole diameter of the contact hole 502 is, for example, 16 μm × 16 μm. As shown in FIG. 6B, the contact hole 502 has a contact hole 501 when viewed in plan.
Is formed about 2 μm inside.

【0044】このように構成した場合であっても、画素
電極151は、カラーフィルタCFに接触することなく
透明絶縁膜171のコンタクトホール502の側面に接
触しながらTFT121のソース電極131にコンタク
トする。
Even in the case of such a configuration, the pixel electrode 151 contacts the source electrode 131 of the TFT 121 while contacting the side surface of the contact hole 502 of the transparent insulating film 171 without contacting the color filter CF.

【0045】このため、透明絶縁膜171及びカラーフ
ィルタCFそれぞれのコンタクトホールのテーパ角をと
もに精度よく制御する必要がなく、この場合、透明絶縁
膜171のコンタクトホール502のテーパ角が十分に
緩やかであるため、画素電極151を形成する際に、画
素領域の電極部材と、コンタクトホールに充填された電
極部材との断絶を防止することができる。
Therefore, it is not necessary to precisely control both the taper angles of the contact holes of the transparent insulating film 171 and the color filters CF. In this case, the taper angle of the contact hole 502 of the transparent insulating film 171 is sufficiently gentle. Therefore, when the pixel electrode 151 is formed, disconnection between the electrode member in the pixel region and the electrode member filled in the contact hole can be prevented.

【0046】これにより、画素電極とTFTとを確実に
電気的に接続することが可能となり、輝点不良の発生を
防止できる。
As a result, it is possible to reliably electrically connect the pixel electrode and the TFT, and it is possible to prevent the occurrence of a defective bright spot.

【0047】また、コンタクトホールのテーパ角を制御
するために、絶縁膜の形成プロセスや、材料を変更する
必要がなくなる。
Further, in order to control the taper angle of the contact hole, there is no need to change the process of forming the insulating film or change the material.

【0048】さらに、表示焼き付きや、表示ムラを誘発
する不純物を多量に含むカラーフィルタを使用する場合
であっても、画素電極に直接接触するカラーフィルタの
接触面積を最小限に抑えることが可能となる。
Furthermore, even when a color filter containing a large amount of impurities that induce display burn-in or display unevenness is used, it is possible to minimize the contact area of the color filter that directly contacts the pixel electrode. Become.

【0049】次に、図3に示した液晶表示装置の製造方
法について説明する。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. 3 will be described.

【0050】すなわち、厚さ0.7mmのガラス基板1
01上に、走査線111及びTFT121のゲート電極
112を形成するモリブデン−タングステン合金を約
0.3μmの膜厚で成膜し、フォトリソグラフィによ
り、パターニングする。続いて、ゲート絶縁膜113を
形成する酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の多層膜を
成膜する。
That is, a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm
A molybdenum-tungsten alloy for forming the scanning lines 111 and the gate electrodes 112 of the TFTs 121 is formed to a thickness of about 0.3 μm on the substrate 01 and is patterned by photolithography. Subsequently, a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film for forming the gate insulating film 113 is formed.

【0051】そして、このゲート絶縁膜113上に、T
FT121の半導体層115としてのアモルファスシリ
コン膜、チャネル保護膜117を形成する窒化シリコン
膜、低抵抗半導体膜119を形成するn+型a−Si:
H膜、信号線103、ソース電極131及びドレイン電
極132を形成する膜厚約0.3μmのアルミニウム膜
などを、それぞれ成膜し、パターニングする。
Then, on this gate insulating film 113, T
An amorphous silicon film as the semiconductor layer 115 of the FT 121, a silicon nitride film for forming the channel protective film 117, and an n + type a-Si for forming the low-resistance semiconductor film 119:
An H film, an aluminum film having a thickness of about 0.3 μm for forming the signal line 103, the source electrode 131, and the drain electrode 132 are formed and patterned.

【0052】続いて、赤色の顔料を分散させた感光性レ
ジストをスピンナーを用いて2.0μmの膜厚で全面に
塗布し、90℃で10分間乾燥する。その後、この感光
性樹脂を、赤色の着色層を形成する部分を透過し、スペ
ーサエリア(7μm×15μm)と、その外周部(幅1
0μm)と、コンタクトホール部(20μm×20μ
m)を遮光するようなフォトマスクを用いて365nm
の波長で、200mJ/cm2 の露光量で露光したあ
と、水酸化カリウム水溶液1wt%によって20秒間現
像する。そして、200℃で60分間焼成することによ
り、コンタクトホール501を有する赤色の着色層とし
ての赤色カラーフィルタを形成する。
Subsequently, a photosensitive resist in which a red pigment is dispersed is applied to the entire surface with a thickness of 2.0 μm using a spinner, and dried at 90 ° C. for 10 minutes. Thereafter, the photosensitive resin is transmitted through a portion where a red coloring layer is formed, and a spacer area (7 μm × 15 μm) and an outer peripheral portion (width 1) are formed.
0 μm) and the contact hole (20 μm × 20 μm)
m) using a photomask that shields light at 365 nm
At a wavelength of 200 mJ / cm 2 and developed for 20 seconds with a 1 wt% aqueous potassium hydroxide solution. Then, baking is performed at 200 ° C. for 60 minutes to form a red color filter having a contact hole 501 as a red color layer.

【0053】同様に、緑、青の着色層を繰り返し形成す
ることにより、各色の画素領域に、各着色層の膜厚が
1.5μmのカラーフィルタCFを形成する。ここで、
緑色の着色材料には、例えば、緑色の顔料を分散させた
感光性レジスト、青色の着色材料には、青色の顔料を分
散させた感光性レジストを用いる。
Similarly, by repeatedly forming green and blue color layers, a color filter CF having a thickness of 1.5 μm is formed in each color pixel region. here,
As the green coloring material, for example, a photosensitive resist in which a green pigment is dispersed is used, and as the blue coloring material, a photosensitive resist in which a blue pigment is dispersed is used.

【0054】続いて、感光性の黒色樹脂をスピンナーを
用いて塗布し、90℃で10分間乾燥した後、スペーサ
エリア(7μm×15μm)と、表示エリアの外周部
(幅3μm)とを遮光するようなフォトマスクを介し
て、300mJ/cm2 の露光量で露光したあと、pH
=11.5のアルカリ性水溶液によって現像する。そし
て、200℃で60分間焼成することにより、スペーサ
と表示エリア外周部の遮光領域を同時に形成する。
Subsequently, a photosensitive black resin is applied using a spinner and dried at 90 ° C. for 10 minutes, and thereafter, the spacer area (7 μm × 15 μm) and the outer peripheral portion (3 μm width) of the display area are shielded from light. After exposing with a light exposure of 300 mJ / cm 2 through such a photomask, pH
Develop with an alkaline aqueous solution of = 11.5. Then, baking is performed at 200 ° C. for 60 minutes to simultaneously form the spacer and the light-shielding region on the outer peripheral portion of the display area.

【0055】続いて、保護膜171としての透明絶縁膜
を形成する感光性の透明樹脂をスピンナーを用いて0.
1ないし0.3μmの膜厚で塗布し、90℃で10分間
乾燥する。その後、コンタクトホール部(25μm×2
5μm)を遮光するようなフォトマスクを介して、30
0mJ/cm2 の露光量で露光したあと、pH=11.
5のアルカリ性水溶液によって現像する。そして、20
0℃で60分間焼成することにより、コンタクトホール
502を有する透明絶縁膜171を形成する。このとき
形成されたコンタクトホール502の2辺は、カラーフ
ィルタCFのコンタクトホール501の約3μm内側に
形成されるように、パターニングする。
Subsequently, a photosensitive transparent resin for forming a transparent insulating film as the protective film 171 is removed by a spinner to a thickness of 0.1 mm.
It is applied in a thickness of 1 to 0.3 μm and dried at 90 ° C. for 10 minutes. Then, a contact hole (25 μm × 2
5 μm) through a photomask that blocks light.
After exposure at an exposure of 0 mJ / cm 2 , pH = 11.0.
5. Develop with an alkaline aqueous solution. And 20
By firing at 0 ° C. for 60 minutes, a transparent insulating film 171 having a contact hole 502 is formed. The two sides of the contact hole 502 formed at this time are patterned so as to be formed about 3 μm inside the contact hole 501 of the color filter CF.

【0056】続いて、ITOを約0.1μmの膜厚でス
パッタリングにより成膜する。このとき、コンタクトホ
ール501及び502にもITOを充填し、TFT12
1のソース電極131に電気的に接続する。その後、こ
のITO薄膜を、フォトリソグラフィにより、所定の画
素電極形状にパターニングすることにより、画素電極1
51を形成する。
Subsequently, an ITO film having a thickness of about 0.1 μm is formed by sputtering. At this time, the contact holes 501 and 502 are also filled with ITO,
One source electrode 131 is electrically connected. Thereafter, the ITO thin film is patterned into a predetermined pixel electrode shape by photolithography, thereby forming a pixel electrode 1.
51 are formed.

【0057】続いて、配向膜材料としてポリイミドを全
面に塗布し、ラビング処理を行うことにより、配向膜1
41を形成する。
Subsequently, polyimide is coated on the entire surface as a material for the alignment film, and a rubbing process is performed to obtain the alignment film 1.
41 is formed.

【0058】一方、厚さ0.7mmのガラス基板201
上に、対向電極204、及び配向膜205をそれぞれ形
成し、対向基板200を形成する。
On the other hand, a glass substrate 201 having a thickness of 0.7 mm
A counter electrode 204 and an alignment film 205 are formed thereon, and a counter substrate 200 is formed.

【0059】続いて、対向基板200の配向膜205周
辺に沿って、液晶注入口を除いて、エポキシ系の熱硬化
樹脂からなるシール材として、エポキシ樹脂など106
を印刷する。
Subsequently, along the periphery of the alignment film 205 of the opposing substrate 200, except for the liquid crystal injection port, a sealing material made of an epoxy-based thermosetting resin is used.
Print.

【0060】続いて、配向膜141及び205が互いに
対向するようにガラス基板101及び201を配置し、
加熱してシール材106を硬化させ、2枚の基板を貼り
合せる。
Subsequently, the glass substrates 101 and 201 are arranged so that the alignment films 141 and 205 face each other.
Heat is applied to cure the sealing material 106, and the two substrates are bonded to each other.

【0061】続いて、液晶注入口から、液晶組成物30
0としてZLI−4792(E.メルク社製)にカイラ
ル剤S811を0.1wt%添加したしたものを注入
し、液晶注入口を紫外線硬化樹脂で封止することによ
り、液晶パネル10を作製する。
Subsequently, the liquid crystal composition 30
A liquid crystal panel 10 is manufactured by injecting a mixture obtained by adding 0.1 wt% of chiral agent S811 to ZLI-4792 (manufactured by E. Merck) as 0, and sealing the liquid crystal injection port with an ultraviolet curable resin.

【0062】続いて、この液晶パネル10の両面に偏光
板191及び206としてLLC2−9218S(株式
会社サンリッツ製)を貼り付け、モジュール化し、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置を製造する。
Subsequently, LLC2-9218S (manufactured by Sanritz Co., Ltd.) is pasted as polarizing plates 191 and 206 on both sides of the liquid crystal panel 10 to make a module, and an active matrix type liquid crystal display device is manufactured.

【0063】このようにして製造された液晶表示装置で
は、コンタクト不良による輝点不良のない高品位の表示
画像が得られた。
In the liquid crystal display device manufactured as described above, a high-quality display image free of a bright spot defect due to a contact defect was obtained.

【0064】上述したように、この発明の電極基板及び
液晶表示装置並びに電極基板の製造方法によれば、透明
絶縁膜のコンタクトホールの少なくとも一部をカラーフ
ィルタのコンタクトホールの内側に形成することによ
り、両者のコンタクトホールのテーパ角を高精度に制御
しなくても、よりなだらかなテーパ角を形成することが
でき、画素領域の電極部材と、コンタクトホールに充填
された電極部材との断絶を防止することができる。
As described above, according to the electrode substrate, the liquid crystal display device, and the method of manufacturing the electrode substrate of the present invention, at least a part of the contact hole of the transparent insulating film is formed inside the contact hole of the color filter. Even if the contact hole angle of both contact holes is not controlled with high precision, a gentler taper angle can be formed, preventing disconnection between the electrode member in the pixel region and the electrode member filled in the contact hole. can do.

【0065】また、テーパ角の制御のためだけに透明絶
縁膜やカラーフィルタの材料を変更する必要もなくな
る。
Further, it is not necessary to change the material of the transparent insulating film or the color filter only for controlling the taper angle.

【0066】これにより、コンタクト不良が引き起こす
輝点不良の発生を防止することが可能となる。
Thus, it is possible to prevent the occurrence of a bright spot defect caused by a contact defect.

【0067】また、この発明によれば、透明絶縁膜のコ
ンタクトホールをカラーフィルタのコンタクトホールよ
り小さく、且つ、カラーフィルタのコンタクトホールの
内側に形成することにより、カラーフィルタ材料の露出
を無くし、画素電極とカラーフィルタとの接触を防止す
ることができる。これにより、カラーフィルタ材料から
画素電極への不純物の拡散を防止し、コンタクト不良だ
けでなく、不純物拡散による液晶表示装置の信頼性低下
を抑えることができる。
Further, according to the present invention, the contact hole of the transparent insulating film is formed smaller than the contact hole of the color filter and inside the contact hole of the color filter, so that the material of the color filter is not exposed. The contact between the electrode and the color filter can be prevented. Accordingly, diffusion of impurities from the color filter material to the pixel electrode can be prevented, and not only a contact failure but also a decrease in reliability of the liquid crystal display device due to impurity diffusion can be suppressed.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、信頼性の高い電極基板及び液晶表示装置並びに電極
基板の製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a highly reliable electrode substrate, a liquid crystal display device, and a method of manufacturing an electrode substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、この発明の液晶表示装置に適用される
液晶表示パネルの一例を概略的に示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a liquid crystal display panel applied to a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】図2は、図1に示した液晶パネルのアレイ基板
側の一画素領域を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing one pixel region on the array substrate side of the liquid crystal panel shown in FIG. 1;

【図3】図3は、図2に示した平面図における画素電極
と薄膜トランジスタのソース電極とのコンタクト領域を
拡大した拡大平面図である。
FIG. 3 is an enlarged plan view in which a contact region between a pixel electrode and a source electrode of a thin film transistor in the plan view shown in FIG. 2 is enlarged;

【図4】図4は、図3に示したA−B線で切断した時の
液晶表示装置の構造を概略的に示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a structure of the liquid crystal display device when cut along a line AB shown in FIG. 3;

【図5】図5は、図3に示したC−D線で切断した時の
液晶表示装置の構造を概略的に示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing a structure of the liquid crystal display device when cut along a line CD shown in FIG. 3;

【図6】図6は、この発明の他の実施の形態を示す図で
あり、図6の(a)は、画素電極と薄膜トランジスタの
ソース電極とのコンタクト領域の断面図であり、図6の
(b)は、(a)に示したコンタクト領域を拡大した拡
大平面図である。
FIG. 6 is a view showing another embodiment of the present invention. FIG. 6 (a) is a sectional view of a contact region between a pixel electrode and a source electrode of a thin film transistor. (B) is an enlarged plan view in which the contact region shown in (a) is enlarged.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…液晶表示パネル 100…アレイ基板 103…信号線 111…走査線 121…薄膜トランジスタ 131…ソース電極 132…ドレイン電極 151…画素電極 171…保護膜 200…対向基板 204…対向電極 300…液晶組成物 501…コンタクトホール 502…コンタクトホール CF…カラーフィルタ Reference Signs List 10 liquid crystal display panel 100 array substrate 103 signal line 111 scanning line 121 thin film transistor 131 source electrode 132 drain electrode 151 pixel electrode 171 protective film 200 counter substrate 204 counter electrode 300 liquid crystal composition 501 ... contact hole 502 ... contact hole CF ... color filter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H091 FA02Y FB04 FC10 FC26 FC29 FD04 FD14 FD24 GA13 HA07 LA12 LA15 2H092 JA26 JA29 JA36 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB14 KB24 MA05 MA13 MA17 MA35 MA37 NA15 NA19 NA25 NA27 NA29 PA08 QA07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H091 FA02Y FB04 FC10 FC26 FC29 FD04 FD14 FD24 GA13 HA07 LA12 LA15 2H092 JA26 JA29 JA36 JA38 JA42 JA44 JA46 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA05 KB MA17 MA35 MA37 NA15 NA19 NA25 NA27 NA29 PA08 QA07

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電極と、この電極に信号電圧を選択的に供
給するスイッチング素子と、を備えた電極基板におい
て、 前記電極基板は、前記スイッチング素子と前記電極との
間に介在されるとともに前記電極を前記スイッチング素
子に電気的に接続するためのコンタクトホールを有する
少なくとも2層の積層された絶縁膜を備え、 前記上層の絶縁膜に形成される第1コンタクトホール
は、少なくともその一部が前記下層の絶縁膜に形成され
る第2コンタクトホールの内側に形成されたことを特徴
とする電極基板。
1. An electrode substrate comprising: an electrode; and a switching element for selectively supplying a signal voltage to the electrode, wherein the electrode substrate is interposed between the switching element and the electrode, and The semiconductor device further includes at least two stacked insulating films each having a contact hole for electrically connecting an electrode to the switching element. At least a part of the first contact hole formed in the upper insulating film is the first contact hole. An electrode substrate formed inside a second contact hole formed in a lower insulating film.
【請求項2】一主面上の行方向に配列された走査線、こ
れら走査線に直交するように列方向に配列された信号
線、前記走査線と信号線との交差部に配置されたスイッ
チング素子、及び、前記スイッチング素子に電気的に接
続された画素電極を有する第1基板と、 一主面上に配置された対向電極を有する第2基板と、 前記第1基板と第2基板との間に挟持された液晶組成物
と、を備えた液晶表示装置において、 前記第1基板は、前記スイッチング素子と前記画素電極
との間に介在されるとともに前記画素電極を前記スイッ
チング素子に電気的に接続するためのコンタクトホール
を有する少なくとも2層に積層された絶縁膜を備え、 前記上層の第1絶縁膜に形成される第1コンタクトホー
ルは、少なくともその一部が前記下層の第2絶縁膜に形
成される第2コンタクトホールの内側に形成されたこと
を特徴とする液晶表示装置。
2. A scanning line arranged in a row direction on one main surface, a signal line arranged in a column direction orthogonal to these scanning lines, and arranged at an intersection of the scanning line and the signal line. A first substrate having a switching element and a pixel electrode electrically connected to the switching element; a second substrate having a counter electrode disposed on one principal surface; and the first substrate and the second substrate. And a liquid crystal composition sandwiched between the first substrate and the first substrate, wherein the first substrate is interposed between the switching element and the pixel electrode and electrically connects the pixel electrode to the switching element. An insulating film laminated in at least two layers having a contact hole for connecting to the first insulating film, wherein at least a part of the first contact hole formed in the upper first insulating film is the lower second insulating film Into shape A liquid crystal display device formed inside a second contact hole to be formed.
【請求項3】前記第1絶縁膜は、透明絶縁膜であり、前
記第2絶縁膜は、カラーフィルタであることを特徴とす
る請求項2に記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein said first insulating film is a transparent insulating film, and said second insulating film is a color filter.
【請求項4】前記第1コンタクトホールは、前記第2コ
ンタクトホールより小さく、且つ前記第2コンタクトホ
ールの内側に形成されたことを特徴とする請求項2に記
載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein said first contact hole is smaller than said second contact hole and formed inside said second contact hole.
【請求項5】一主面上の行方向に配列された走査線、こ
れら走査線に直交するように列方向に配列された信号
線、マトリクス状の画素領域に配置された画素電極、前
記走査線と信号線との交差部に配置されるとともに前記
信号線に電気的に接続された第1電極及び前記画素電極
に電気的に接続された第2電極を有するスイッチング素
子、前記画素領域及び前記スイッチング素子の少なくと
も前記第2電極上に配置されたカラーフィルタ、及び、
このカラーフィルタ上に配置されるとともにその上に前
記画素電極が配置される透明絶縁膜、を有する第1基板
と、 一主面上に配置された対向電極を有する第2基板と、 前記第1基板と第2基板との間に挟持された液晶組成物
と、を備えた液晶表示装置において、 前記透明絶縁膜は、前記画素電極を前記第2電極に電気
的に接続するための第1コンタクトホールを有し、 前記カラーフィルタ層は、前記画素電極を前記第2電極
に電気的に接続するための第2コンタクトホールを有
し、 前記画素電極は、少なくともその一部が前記第2コンタ
クトホールの側面に接触することなく前記第1コンタク
トホールの側面に接触しながら前記第2電極にコンタク
トすることを特徴とする液晶表示装置。
5. Scan lines arranged in a row direction on one main surface, signal lines arranged in a column direction orthogonal to these scan lines, pixel electrodes arranged in a pixel area in a matrix, A switching element disposed at an intersection of a line and a signal line and having a first electrode electrically connected to the signal line and a second electrode electrically connected to the pixel electrode; A color filter disposed on at least the second electrode of a switching element, and
A first substrate having a transparent insulating film disposed on the color filter and having the pixel electrode disposed thereon; a second substrate having a counter electrode disposed on one principal surface; A liquid crystal display device comprising: a liquid crystal composition sandwiched between a substrate and a second substrate; wherein the transparent insulating film includes a first contact for electrically connecting the pixel electrode to the second electrode. The color filter layer has a second contact hole for electrically connecting the pixel electrode to the second electrode, and at least a part of the pixel electrode has the second contact hole. A liquid crystal display device contacting the second electrode while contacting the side surface of the first contact hole without contacting the side surface of the liquid crystal display.
【請求項6】一主面上の行方向に配列された走査線、こ
れら走査線に直交するように列方向に配列された信号
線、マトリクス状の画素領域に配置された画素電極、前
記走査線と信号線との交差部に配置されるとともに前記
信号線に電気的に接続された第1電極及び前記画素電極
に電気的に接続された第2電極を有するスイッチング素
子、前記画素領域及び前記スイッチング素子の少なくと
も前記第2電極上に配置されたカラーフィルタ、及び、
このカラーフィルタ上に配置されるとともにその上に前
記画素電極が配置される透明絶縁膜、を有する電極基板
の製造方法において、 スイッチング素子を形成し、 このスイッチング素子の少なくとも第2電極上にカラー
フィルタを形成し、 このカラーフィルタに、前記第2電極まで貫通するコン
タクトホールを形成し、 カラーフィルタ上に透明絶縁膜を形成し、 この透明絶縁膜に、前記第2電極まで貫通するコンタク
トホールを、少なくともその一部が前記カラーフィルタ
に形成したコンタクトホールの内側に配置されるように
形成し、 透明絶縁膜上に、少なくともその一部が透明絶縁膜に形
成したコンタクトホールの側面に接触することなくカラ
ーフィルタに形成したコンタクトホールの側面に接触し
ながら前記第2電極にコンタクトするように画素電極を
形成する、 ことを特徴とする電極基板の製造方法。
6. A scanning line arranged in a row direction on one main surface, a signal line arranged in a column direction orthogonal to these scanning lines, a pixel electrode arranged in a matrix pixel area, A switching element disposed at an intersection of a line and a signal line and having a first electrode electrically connected to the signal line and a second electrode electrically connected to the pixel electrode; A color filter disposed on at least the second electrode of a switching element, and
A method for manufacturing an electrode substrate, comprising: a transparent insulating film disposed on the color filter and the pixel electrode disposed thereon; wherein a switching element is formed, and a color filter is formed on at least a second electrode of the switching element. Forming a contact hole penetrating to the second electrode in the color filter; forming a transparent insulating film on the color filter; forming a contact hole penetrating to the second electrode in the transparent insulating film; At least a portion thereof is formed so as to be disposed inside a contact hole formed in the color filter; and on the transparent insulating film, at least a portion thereof does not contact the side surface of the contact hole formed in the transparent insulating film. Contacting the second electrode while contacting the side surface of the contact hole formed in the color filter Forming a pixel electrode so that the electrode substrate manufacturing method, characterized in that.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003029297A (en) * 2001-07-13 2003-01-29 Nec Kagoshima Ltd Active matrix substrate and method of manufacturing the same
US7336336B2 (en) 2003-10-14 2008-02-26 Lg. Philips Co. Ltd. Thin film transistor array substrate, method of fabricating the same, liquid crystal display panel having the same and fabricating method thereof
KR100857498B1 (en) * 2002-04-30 2008-09-08 삼성전자주식회사 Liquid crystal display and method for manufacturing the same
US8035104B2 (en) 2008-12-15 2011-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof

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