JP2000232072A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JP2000232072A JP2000232072A JP11032742A JP3274299A JP2000232072A JP 2000232072 A JP2000232072 A JP 2000232072A JP 11032742 A JP11032742 A JP 11032742A JP 3274299 A JP3274299 A JP 3274299A JP 2000232072 A JP2000232072 A JP 2000232072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気配管を取り外すことなく、その排気配管
の内壁に付着した析出物を除去できる気相成長装置を提
供すること。 【解決手段】 排気配管４内に、その内壁に沿って移動
できる除去リング６を設ける。この除去リング６に、排
気配管４の外部のマグネット７を磁気結合して、このマ
グネット７で除去リング６を排気配管４の内壁に沿って
移動させて、析出物５を取り除く。このように、排気配
管４を取り外さなくても、つまり、危険、困難な作業を
しなくても、簡単にメンテナンスをして、稼働率を向上
できる。
の内壁に付着した析出物を除去できる気相成長装置を提
供すること。 【解決手段】 排気配管４内に、その内壁に沿って移動
できる除去リング６を設ける。この除去リング６に、排
気配管４の外部のマグネット７を磁気結合して、このマ
グネット７で除去リング６を排気配管４の内壁に沿って
移動させて、析出物５を取り除く。このように、排気配
管４を取り外さなくても、つまり、危険、困難な作業を
しなくても、簡単にメンテナンスをして、稼働率を向上
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、排気配管の内壁
に付着した析出物を取り除くことができる気相成長装置
に関する。
に付着した析出物を取り除くことができる気相成長装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２および３ は、化合物半導体用気相
成長装置の概略図である。この気相成長装置では、Ｇａ
（ガリウム）原料としてのＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、Ａｌ（アルミニウム）原料としてのＴＭＡ（トリ
メチルアルミニウム）、Ａｓ（砒素）原料としてのＡｓ
Ｈ３（アルシン）等の原料ガスを、図２に示すように、
成長室１の上部から導入する。この原料ガスはＧａＡｓ
ウェハ１０上で加熱分解されて、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓが成膜する。ＧａＡｓウェハ１０上で成膜に寄与しな
かった未反応の原料ガスによるＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ
等の微結晶が、排気装置３に取り込まれないように、成
長室１と排気装置３との間にフィルター２を設置してい
る。
成長装置の概略図である。この気相成長装置では、Ｇａ
（ガリウム）原料としてのＴＭＧ（トリメチルガリウ
ム）、Ａｌ（アルミニウム）原料としてのＴＭＡ（トリ
メチルアルミニウム）、Ａｓ（砒素）原料としてのＡｓ
Ｈ３（アルシン）等の原料ガスを、図２に示すように、
成長室１の上部から導入する。この原料ガスはＧａＡｓ
ウェハ１０上で加熱分解されて、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓが成膜する。ＧａＡｓウェハ１０上で成膜に寄与しな
かった未反応の原料ガスによるＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ
等の微結晶が、排気装置３に取り込まれないように、成
長室１と排気装置３との間にフィルター２を設置してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記化合物
半導体用気相成長装置では、反応に寄与しなかった加熱
分解された原料ガスが、成長室１から排気される際、成
長室１とフィルター２との間の排気配管４の内壁に触れ
て冷却されて結晶化し、図３に示すように、生成物とし
ての析出物５が排気配管４の内壁に付着する。この析出
物５が徐々に増えてくると、排気配管４が塞がって、排
気能力が低下して正常な排気ができなくなって、成長室
１の圧力制御が困難になる。
半導体用気相成長装置では、反応に寄与しなかった加熱
分解された原料ガスが、成長室１から排気される際、成
長室１とフィルター２との間の排気配管４の内壁に触れ
て冷却されて結晶化し、図３に示すように、生成物とし
ての析出物５が排気配管４の内壁に付着する。この析出
物５が徐々に増えてくると、排気配管４が塞がって、排
気能力が低下して正常な排気ができなくなって、成長室
１の圧力制御が困難になる。
【０００４】そのため、上記排気配管４に付着したＧａ
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓ等の微結晶の析出物５を取り除くた
めに、排気配管４を取り外して、クリーニングを行う必
要がある。このクリーニングを行うには、ＡｓＨ３等の
有毒ガスを原料として使用している化合物半導体用気相
成長装置から排気配管４を取り外さなければならないか
ら、困難で危険を伴う。また、この排気配管４のクリー
ニングは頻繁に行う必要があって、危険かつ困難な排気
配管４の取り外しを伴うメンテナンス回数が増え、か
つ、化合物半導体用気相成長装置の稼働率が低下するこ
とになる。
Ａｓ、ＡｌＧａＡｓ等の微結晶の析出物５を取り除くた
めに、排気配管４を取り外して、クリーニングを行う必
要がある。このクリーニングを行うには、ＡｓＨ３等の
有毒ガスを原料として使用している化合物半導体用気相
成長装置から排気配管４を取り外さなければならないか
ら、困難で危険を伴う。また、この排気配管４のクリー
ニングは頻繁に行う必要があって、危険かつ困難な排気
配管４の取り外しを伴うメンテナンス回数が増え、か
つ、化合物半導体用気相成長装置の稼働率が低下するこ
とになる。
【０００５】そこで、この発明の目的は、排気配管の内
壁に付着した析出物等の生成物を、排気配管を取り外さ
ないで、排気配管の外部から取り除くことによって、危
険かつ困難なメンテナンスの頻度を減らして、稼働率を
向上できる気相成長装置を提供することにある。
壁に付着した析出物等の生成物を、排気配管を取り外さ
ないで、排気配管の外部から取り除くことによって、危
険かつ困難なメンテナンスの頻度を減らして、稼働率を
向上できる気相成長装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明に気相成長装置は、排気配管の内壁
に付着した生成物をその排気配管の外部での操作で取り
除くことができる除去装置を備えることを特徴としてい
る。
め、請求項１の発明に気相成長装置は、排気配管の内壁
に付着した生成物をその排気配管の外部での操作で取り
除くことができる除去装置を備えることを特徴としてい
る。
【０００７】請求項１の気相成長装置においては、除去
装置を排気配管の外部で操作することによって、排気配
管を取り外すことなく、排気配管の内壁に付着した生成
物が取り除かれる。したがって、排気配管を取り外す危
険かつ困難なメンテナンスの頻度が少なくなって、稼働
率が向上する。
装置を排気配管の外部で操作することによって、排気配
管を取り外すことなく、排気配管の内壁に付着した生成
物が取り除かれる。したがって、排気配管を取り外す危
険かつ困難なメンテナンスの頻度が少なくなって、稼働
率が向上する。
【０００８】請求項２の発明の気相成長装置は、請求項
１の気相成長装置において、上記除去装置は、上記排気
配管内の生成物を取り除くための除去リングと、上記排
気配管の外部から上記除去リングを操作するためのマグ
ネットとを備えることを特徴としている。
１の気相成長装置において、上記除去装置は、上記排気
配管内の生成物を取り除くための除去リングと、上記排
気配管の外部から上記除去リングを操作するためのマグ
ネットとを備えることを特徴としている。
【０００９】請求項２の気相成長装置においては、上記
マグネットを操作することによって、除去リングは排気
配管の内壁に沿って移動させられる。除去リングの移動
によって、排気配管の内壁に付着した生成物は、排気配
管を取り外すことなく、除去される。
マグネットを操作することによって、除去リングは排気
配管の内壁に沿って移動させられる。除去リングの移動
によって、排気配管の内壁に付着した生成物は、排気配
管を取り外すことなく、除去される。
【００１０】請求項３の発明の気相成長装置は、請求項
２の気相成長装置において、上記除去リングを加熱する
加熱手段を備えることを特徴としている。
２の気相成長装置において、上記除去リングを加熱する
加熱手段を備えることを特徴としている。
【００１１】請求項３の発明の気相成長装置において
は、上記加熱手段で除去リングを加熱すると、この除去
リング自体に析出物（生成物）が付着しにくくなって、
析出物は排気配管の内壁のみに付着することになる。こ
の排気配管の内壁に付着した析出物は除去リングによっ
て簡単に除去される。
は、上記加熱手段で除去リングを加熱すると、この除去
リング自体に析出物（生成物）が付着しにくくなって、
析出物は排気配管の内壁のみに付着することになる。こ
の排気配管の内壁に付着した析出物は除去リングによっ
て簡単に除去される。
【００１２】請求項４に発明の気相成長装置は、請求項
１乃至３のいずれか１つの気相成長装置において、上記
排気配管を局部的に冷却する冷却手段を備えることを特
徴としている。
１乃至３のいずれか１つの気相成長装置において、上記
排気配管を局部的に冷却する冷却手段を備えることを特
徴としている。
【００１３】請求項４の気相成長装置においては、上記
冷却手段で排気配管の局部を冷却すると、この冷却され
た局部に集中的に析出物が付着する。このように、上記
排気配管の局部に析出物が集中して付着するから、効率
よく析出物を除去できる。
冷却手段で排気配管の局部を冷却すると、この冷却され
た局部に集中的に析出物が付着する。このように、上記
排気配管の局部に析出物が集中して付着するから、効率
よく析出物を除去できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の１実施の形態の
化合物半導体用気相成長装置の模式図である。
化合物半導体用気相成長装置の模式図である。
【００１５】図１に示すように、成長室１の下部とフィ
ルター２との間を排気配管４で接続している。この排気
配管４内には除去リング６を設け、この除去リング６を
排気配管４の内壁に沿って移動できるようにしている。
上記除去リング６の外径は、排気配管４の内径よりも僅
かに小さく、かつ、除去リング４のエッジは尖ってい
て、析出物を剥ぎ落とし易いようにしている。一方、上
記排気配管４の外周には、排気配管４に沿って移動でき
るリング状のマグネット７を設けて、このマグネット７
と除去リング６との磁気結合で、除去リング６を排気配
管４の外部から排気配管４の内壁に沿って移動させるこ
とができるようにしている。上記除去リング６とマグネ
ット７とで、除去装置の一例を構成している。
ルター２との間を排気配管４で接続している。この排気
配管４内には除去リング６を設け、この除去リング６を
排気配管４の内壁に沿って移動できるようにしている。
上記除去リング６の外径は、排気配管４の内径よりも僅
かに小さく、かつ、除去リング４のエッジは尖ってい
て、析出物を剥ぎ落とし易いようにしている。一方、上
記排気配管４の外周には、排気配管４に沿って移動でき
るリング状のマグネット７を設けて、このマグネット７
と除去リング６との磁気結合で、除去リング６を排気配
管４の外部から排気配管４の内壁に沿って移動させるこ
とができるようにしている。上記除去リング６とマグネ
ット７とで、除去装置の一例を構成している。
【００１６】上記構成の化合物半導体用気相成長装置に
おいて、原料ガスとしてＡｓＨ３・ＴＭＧ・ＴＭＡを使
用し、キャリアガスとしてＨ２を使用する。これらのガ
スは成長室１内に導入されて、成長室１内の図示しない
ＧａＡｓウェハ上に供給される。このＧａＡｓウェハは
５００〜８００℃で加熱されていて、上記ＧａＡｓウェ
ハ上に供給された原料ガスは、加熱分解されてＧａＡｓ
ウェハ上でＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓが成長する。
おいて、原料ガスとしてＡｓＨ３・ＴＭＧ・ＴＭＡを使
用し、キャリアガスとしてＨ２を使用する。これらのガ
スは成長室１内に導入されて、成長室１内の図示しない
ＧａＡｓウェハ上に供給される。このＧａＡｓウェハは
５００〜８００℃で加熱されていて、上記ＧａＡｓウェ
ハ上に供給された原料ガスは、加熱分解されてＧａＡｓ
ウェハ上でＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓが成長する。
【００１７】その後、成長に寄与しなかった、加熱分解
された未反応の原料ガスは、成長室１の下部から真空排
気されて、排気配管４を通ってフィルタ−２に流れる。
された未反応の原料ガスは、成長室１の下部から真空排
気されて、排気配管４を通ってフィルタ−２に流れる。
【００１８】このとき、排気配管４内で冷却された未反
応の原料ガスは、排気配管４の内壁に析出物５となって
付着する。
応の原料ガスは、排気配管４の内壁に析出物５となって
付着する。
【００１９】上記排気配管４の内壁に付着した析出物５
が所定量以上になると、排気配管４の外部から、マグネ
ット７を排気配管４に沿って移動させると、このマグネ
ット７に磁気結合した除去リング４も排気配管４の内壁
に沿って移動して、析出物５を排気配管４の内壁から取
り除く。このようにして、排気配管４を取り外すことな
く、排気配管４の内壁に付着した析出物５を取り除くこ
とができ、したがって、安全かつ容易なメンテナンス
で、真空排気を正常な状態に保つことができる。すなわ
ち、排気配管４を取り外してその内壁に付着した析出物
５を取り除くという危険かつ困難なメンテナンスの頻度
が少なくなって、気相成長装置の稼働率が向上する。
が所定量以上になると、排気配管４の外部から、マグネ
ット７を排気配管４に沿って移動させると、このマグネ
ット７に磁気結合した除去リング４も排気配管４の内壁
に沿って移動して、析出物５を排気配管４の内壁から取
り除く。このようにして、排気配管４を取り外すことな
く、排気配管４の内壁に付着した析出物５を取り除くこ
とができ、したがって、安全かつ容易なメンテナンス
で、真空排気を正常な状態に保つことができる。すなわ
ち、排気配管４を取り外してその内壁に付着した析出物
５を取り除くという危険かつ困難なメンテナンスの頻度
が少なくなって、気相成長装置の稼働率が向上する。
【００２０】上記実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系の場
合について示したが、他の原料を用いてもよいのは勿論
である。
合について示したが、他の原料を用いてもよいのは勿論
である。
【００２１】また、図１では示していないが、除去リン
グ６を加熱する加熱手段を設けて、加熱された除去リン
グ６自体に析出物５が付着しないようにして、析出物５
は排気配管４の内壁のみに付着するようにするのが望ま
しい。そうすると、除去リング４に析出物が付かないか
ら、真空排気を妨げず、排気配管４の内壁のみ付着した
析出物５は除去リング６によって簡単に除去される。
グ６を加熱する加熱手段を設けて、加熱された除去リン
グ６自体に析出物５が付着しないようにして、析出物５
は排気配管４の内壁のみに付着するようにするのが望ま
しい。そうすると、除去リング４に析出物が付かないか
ら、真空排気を妨げず、排気配管４の内壁のみ付着した
析出物５は除去リング６によって簡単に除去される。
【００２２】上記加熱手段としては、たとえば、誘導加
熱、高周波加熱、赤外線あるいは、ヒータを利用するも
のであってもよい。また、定位置にある除去リング６を
排気配管４の外側から熱伝導で加熱するものであっても
よい。、また、図１では示していないが、排気配管４を
局部的に冷却する冷却手段を設けて、その冷却された局
部に集中的に析出物５を付着させて、析出物５を簡単に
除去できるようにするのが望ましい。
熱、高周波加熱、赤外線あるいは、ヒータを利用するも
のであってもよい。また、定位置にある除去リング６を
排気配管４の外側から熱伝導で加熱するものであっても
よい。、また、図１では示していないが、排気配管４を
局部的に冷却する冷却手段を設けて、その冷却された局
部に集中的に析出物５を付着させて、析出物５を簡単に
除去できるようにするのが望ましい。
【００２３】上記冷却手段としては、たとえば、排気配
管４の回りに設けた冷媒が流れる配管やペルチェ素子等
を用いてもよい。
管４の回りに設けた冷媒が流れる配管やペルチェ素子等
を用いてもよい。
【００２４】上記実施の形態は化合物半導体用気相成長
装置であったが、この発明は、それに限らず、たとえ
ば、シリコン半導体用気相成長装置等にも適用できるの
は勿論である。
装置であったが、この発明は、それに限らず、たとえ
ば、シリコン半導体用気相成長装置等にも適用できるの
は勿論である。
【００２５】
【発明の効果】以上の如く、請求項１の発明によれば、
排気配管の内壁に付着した生成物をその排気配管の外部
での操作で取り除くことができる除去装置を設けたの
で、排気配管を取り外すことなく、排気配管の内壁に付
着した生成物を取り除くことができ、したがって、排気
配管を取り外す危険かつ困難なメンテナンスの頻度が少
なくなって、稼働率が向上する。
排気配管の内壁に付着した生成物をその排気配管の外部
での操作で取り除くことができる除去装置を設けたの
で、排気配管を取り外すことなく、排気配管の内壁に付
着した生成物を取り除くことができ、したがって、排気
配管を取り外す危険かつ困難なメンテナンスの頻度が少
なくなって、稼働率が向上する。
【００２６】請求項２の発明によれば、上記除去装置
を、上記排気配管内の生成物を取り除くための除去リン
グと、上記排気配管の外部から上記除去リングを操作す
るためのマグネットとから構成したので、簡単かつ安価
なマグネットで外部から除去リングを操作することがで
きる。
を、上記排気配管内の生成物を取り除くための除去リン
グと、上記排気配管の外部から上記除去リングを操作す
るためのマグネットとから構成したので、簡単かつ安価
なマグネットで外部から除去リングを操作することがで
きる。
【００２７】請求項３の発明によれば、上記除去リング
を加熱する加熱手段を設けたので、除去リングを加熱し
て、この除去リング自体に析出物を付着しにくくして、
析出物を排気配管の内壁のみに付着するようにして、排
気配管の内壁に付着した析出物を除去リングによって簡
単に除去することができる。
を加熱する加熱手段を設けたので、除去リングを加熱し
て、この除去リング自体に析出物を付着しにくくして、
析出物を排気配管の内壁のみに付着するようにして、排
気配管の内壁に付着した析出物を除去リングによって簡
単に除去することができる。
【００２８】請求項４の発明によれば、排気配管を局部
的に冷却する冷却手段を設けたので、上記排気配管の冷
却された局部に析出物を集中して付着させて、効率よく
析出物を除去できる。
的に冷却する冷却手段を設けたので、上記排気配管の冷
却された局部に析出物を集中して付着させて、効率よく
析出物を除去できる。
【図１】 この発明の実施の形態の気相成長装置の概略
図
図
【図２】 従来の気相成長装置の概略図
【図３】 従来の気相成長装置での排気配管の概略図
１ 成長室 ２ フィルター ４ 排気配管 ５ 析出物 ６ 除去リング ７ マグネット
Claims (4)
- 【請求項１】 排気配管の内壁に付着した生成物をその
排気配管の外部での操作で取り除くことができる除去装
置を備えることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 請求項１の気相成長装置において、上記
除去装置は、上記排気配管内の生成物を取り除くための
除去リングと、上記排気配管の外部から上記除去リング
を操作するためのマグネットとを備えることを特徴とす
る気相成長装置。 - 【請求項３】 請求項２の気相成長装置において、上記
除去リングを加熱する加熱手段を備えることを特徴とす
る気相成長装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つの気相成
長装置において、上記排気配管を局部的に冷却する冷却
手段を備えることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03274299A JP3420963B2 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03274299A JP3420963B2 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000232072A true JP2000232072A (ja) | 2000-08-22 |
| JP3420963B2 JP3420963B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=12367303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03274299A Expired - Fee Related JP3420963B2 (ja) | 1999-02-10 | 1999-02-10 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3420963B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7489143B1 (ja) | 2023-07-10 | 2024-05-23 | 大成技研株式会社 | フィルター装置 |
-
1999
- 1999-02-10 JP JP03274299A patent/JP3420963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7489143B1 (ja) | 2023-07-10 | 2024-05-23 | 大成技研株式会社 | フィルター装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3420963B2 (ja) | 2003-06-30 |
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