PMOS
Перейти до навігації
Перейти до пошуку
![]() | Цю статтю потрібно повністю переписати відповідно до стандартів якості Вікіпедії. (березень 2019) |
Ця стаття не містить посилань на джерела. (січень 2016) |
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/98/PMOS_NOT.svg/220px-PMOS_NOT.svg.png)
pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років.
![]() |
Це незавершена стаття з технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |