《科技》長江存儲告美光 勝率恐不高
【時報-台北電】大陸記憶體巨頭長江存儲遭美國列入黑名單後,持續自行開發NAND技術,日前在美國再度對美光提起訴訟,指控其侵犯11項專利,對美光頻頻發動訴訟戰,奮力反擊美國政府嚴格限制。
據陸媒報導,長江存儲二度提告,美光的96層(B27A)、128層(B37R)、176層(B47R)和232層(B58R)3D NAND Flash,以及美光一些DDR5 SDRAM產品(Y2BM系列),侵犯長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。
台系記憶體業界大老解讀,長江存儲成功開發Xtacking技術,累積自己的3D NAND專利,要以3D NAND技術,追趕三星、SK海力士等一線NAND Flash大廠。
由於長江存儲NAND技術是自行開發,技術的確還不錯,因此,提告美光的動作,並不令業界意外。但如果該公司DRAM技術,也可以告美光,則有點令人意外。
另有資深業界人士認為,長江存儲跑到美國本土提告,預期專利勝訴機率不高,反而政治操作的意味比較濃厚。
亦有業者認為,長江存儲與美光的地位,有如中美談判的白手套,因此,長江存儲的提告動作,也可視為中美貿易戰的延續。
美國商務部於2022年底,將長江存儲列入了實體清單,這使得該公司無法從美國公司獲得先進的半導體設備,製造128層及以上的3D NAND Flash產品。
儘管受到美國政府的嚴格限制,長江存儲仍透過原有的設備及國產設備,發展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品持續生產,並正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。
業界估計,2024年整體NAND供給位元成長率約達20%,而遭受美國制裁的長江存儲,2024年位元成長率高於業界平均,可望達六成以上。
主要原因在中國官方政策性推動國產化的趨勢下,各家手機廠、記憶體模組廠等應用,均向長江存儲搶購,以確保產品符合國產化的要求,使長江存儲產能幾乎全部被包下,致使該公司出貨量大幅增加。
長江存儲的全球市占約5%,對全球市場的影響性相對有限,但坐擁中國龐大內需市場,確實使長江存儲的業績興旺。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍/台北報導)