PN-övergång
 |
Den här artikeln behöver fler eller bättre källhänvisningar för att kunna verifieras. (2009-11) Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan. |
En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden.
PN-övergångar har några intressanta egenskaper som har användbara tillämpningar i modern elektronik. P-dopade halvledare är relativt konduktiva och detsamma gäller för N-dopade dito, men övergången mellan dem är icke-konduktiv. Detta icke-konduktiva områden kallas spärrskikt och uppstår därför att de elektriska laddningsbärarna i de P- och N-dopade halvledarna (hål respektive elektroner) attraherar och eliminerar varandra i en process som kallas rekombination. Genom att manipulera spärrskiktet kan man få PN-övergången att fungera som en diod: elektriska kretsar som leder ström i en riktning men inte i den motsatta. Denna egenskap kan förklaras med hjälp av förspännings- och backspänningseffekter.
I vanliga dioder används PN övergångar men även PNP och NPN övergångar används till framförallt bipolära transistorer.
Externa länkar
[redigera | redigera wikitext]
Wikimedia Commons har media som rör PN-övergång.
