pn-overgang

Hvert halvlederlag er doteret med enten donor-urenheder, som afgiver elektroner til halvlederen (n-lag) eller acceptor-urenheder, der modtager elektroner fra halvlederen (p-lag). Som følge af doteringen bliver elektrondensiteten inhomogen i området omkring grænsefladen mellem n- og p-laget. Dette giver en asymmetri i den elektriske strøm, der løber gennem overgangen, når der påtrykkes en spændingsforskel.

I optoelektroniske komponenter indgår pn-overgange i fx fotodioder, solceller og lasere samt i modulatorer af absorptionstypen. I integrerede kredse optræder pn-overgange som elementer i dioder og transistorer, men de bruges også forspændt i spærreretningen til at isolere visse dele af kredsen fra andre.

• halvledere
• halvlederteknologi