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三星前高層崔珍奭因涉嫌將三星獨家技術洩漏中國，5日再度遭羈押。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕前三星高層崔珍奭（66歲）因涉嫌將三星開發的核心晶片技術—20奈米製程資料洩漏給中國，再度遭拘留，此舉凸顯南韓在打擊產業間諜與放緩中國取得晶片製造進展的努力。
韓國朝鮮日報報導，首爾地方院5日對涉嫌違反「防止不正當競爭與保護商業祕密法」的崔珍奭與吳姓前三星電子首席研究員舉行拘留前的審訊，判定「有潛逃可能」，因此簽發拘留令。
報導指出。崔、吳兩人涉嫌將包含20奈米晶片製程所需的溫度、壓力等600多道手續的核心資料洩漏給中國成都高真科技。根據首爾警察廳產業技術安保調查隊掌握的訊息顯示，這兩人疑似將「三星電子的20奈米DRAM晶片獨家技術打包洩漏」。
創立成都高真科技的崔珍奭曾任三星電子常務、海力士半導體（現為SK海力士）副社長。2023年其因涉嫌竊取三星電子晶片廠設計圖，意圖在中國設立20奈米DRAM的「三星電子複製廠」而被拘捕，並於11月獲得保釋
路透報導，自去年7月以來，崔珍奭是韓國備受矚目的產業間諜審判對象。他的律師表示，崔否認任何不法，他被控竊取的資料都是可公開取得的，至於最新控訴，崔珍奭還未被檢方起訴。
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