Beitrag von LDH Kalibrierservice GmbH

Die Infineon Technologies AG bringt die neuen StrongIRFET™ 2 Leistungs-MOSFETs mit 30 V auf den Markt und erweitert damit die existierende StrongIRFET 2-Familie, um der wachsenden Nachfrage nach 30-V-Lösungen im Massenmarkt zu begegnen.  www.infineon.comIm Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET 2 30 V-Technologie den Durchlasswiderstand (R DS(on)) um bis zu 40 Prozent und senkt die Gate-Ladung (Q g) um bis zu 60 Prozent. Die neuen Leistungs-MOSFETs wurden für hohe Robustheit und Benutzerfreundlichkeit optimiert. Sie wurden speziell für die Anforderungen eines breiten Anwendungsspektrums entwickelt und ermöglichen so eine hohe Design-Flexibilität. Zu den Anwendungen zählen industrielle Schaltnetzteile (SMPS), Motorantriebe, batteriebetriebene Anwendungen, Batteriemanagementsysteme und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV). Im Vergleich zu vorherigen Generationen verbessert die neue StrongIRFET 2 30 V-Technologie den Durchlasswiders

Zuverlässigere Kontaktierung von Leistungshalbleitern dank neu bewerteter Drahtbondmaterialien Zur Beurteilung der Verbindungsqualität von Bondstellen (sog. „Wedges“) zum Chip werden Schertests durchgeführt. Dabei wird die Bondstelle mit einem Meißel seitlich abgeschert und die erforderliche Kraft und das Schadensbild analysiert. Um die Vorgänge beim Schervorgang besser zu verstehen, haben Wissenschaftler*innen der Technische Universität Berlin und des Fraunhofer IZM nun erstmals modelliert, was bei der Schädigung mechanisch passiert. So können Rückschlüsse auf die material- und prozessspezifischen Einflüsse von neuartigen, widerstandsfähigen Drahtmaterialien gezogen werden. Damit lässt sich die Bondqualität neuer Werkstoffe objektiver bewerten. Lesen Sie den vollständigen Artikel hier: https://lnkd.in/dQf_fp8j #FSH #Elektronik #Leistungshalbleiter #FraunhoferIZM

Industrietauglicher Linienscanner mit Terahertz-Detektoren: Der Detektorkopf des vom Ferdinand-Braun-Institut entwickelten Linienscanners basiert vollständig auf monolithisch-integrierten Terahertz-Detektoren. Die Auslesegeschwindigkeit beträgt bis zu 15.000 Bilder/s.

Die Vermessung von Bipolarplatten für Brennstoffzellen oder Elektrolyseure stellt die Messtechnik vor die Herausforderung große Bereich zu bewerten, ohne den Blick auf das Detail zu verlieren. Kleinste Oberflächenunvollkommenheiten führen ebenso zu Leistungsverlusten wie makroskopische Abweichungen. Die Kollegen von Nanofocus vereinen makroskopische Analyse mit der Bewertung von Defekten - ergänzt werden die Systeme mit Sensorik für die Bewertung von 2D- und 3D-Rauheitsparametern. https://lnkd.in/g5qR4jDf

Neue Bausteine im L-TOGL™ Gehäuse mit hervorragenden thermischen Eigenschaften. Toshiba Electronics Europe GmbH hat neue zwei n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilbranche auf den Markt gebracht. Das Unternehmen reagiert damit auf die wachsende Nachfrage nach 48-V-Batterien und -Systemen in Automobilanwendungen wie Wechselrichtern, Halbleiterrelais, Lastschaltern, Motorantrieben usw. Die Automobilbranche benötigt Leistungshalbleiter, die über ein hohes Maß an Zuverlässigkeit in Verbindung mit einem hohen Drainstrom (ID) und einer ausgezeichneten Wärmeableitung verfügen. Dies gilt insbesondere für Bausteine, die in Traktionswechselrichtern, Batteriemanagementsystemen und Verteilerboxen von Elektrofahrzeugen (EVs) sowie integrierten Startergeneratoren (ISGs) eingesetzt werden. Die neuen Bausteine XPQR8308QB mit 80 V und XPQ1R00AQB mit 100 V basieren auf dem neuen U-MOS X-H-Verfahren von Toshiba. Das Verfahren führt zu einem niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)), wo

Wie werden Beschleunigungssensoren kalibriert? Die Flip-Flop-Methode, mit Hilfe der Erdbeschleunigung. Zum Beispiel für kapazitive und piezo-resistive MEMS Sensoren. Erklärt in 36 Sekunden 🙂. https://lnkd.in/eWycWgyx