Файл:LDD-MOS transistor - CMOS with STI ru.svg
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Размер этого PNG-превью для исходного SVG-файла: 601 × 275 пкс. Другие разрешения: 320 × 146 пкс | 640 × 293 пкс | 1024 × 469 пкс | 1280 × 586 пкс | 2560 × 1171 пкс.
Исходный файл (SVG-файл, номинально 601 × 275 пкс, размер файла: 26 КБ)
 | Этот файл находится на Викискладе. Сведения о нём показаны ниже.
Викисклад — централизованное хранилище для свободных файлов, используемых в проектах Викимедиа.
|
Краткое описание
| Описание |
English: n-channel and p-channel MOSFET's in lightly doped drain (LDD) design. Individual transistors are electricaly separated by shallow trench isolation (STI) trenches.
Deutsch: n-Kanal- und p-Kanal-MOSFETs mit LDD-Erweiterungen (LDD = lightly doped drain). Die einzelnen Bauelemente durch STI-Gräben (STI = shallow trench isolation) von einander elektrisch isoliert
Русский: n-канальный и p-канальный МОП-транзисторы в структуре с щелевой изоляцией (STI) |
| Дата | |
| Источник |  Это векторное изображение содержит элементы, заимствованные из другого изображения:  LDD-MOS transistor - CMOS with STI.svg (от Cepheiden).Этот файл является производной работой от: LDD-MOS transistor - CMOS with STI.svg |
| Автор | Cepheiden (original), Vladimir Solovjev (translate) |
| Другие версии |
|
Лицензирование
Я, владелец авторских прав на это произведение, добровольно публикую его на условиях следующих лицензий:
|
Разрешается копировать, распространять и/или изменять этот документ в соответствии с условиями GNU Free Documentation License версии 1.2 или более поздней, опубликованной Фондом свободного программного обеспечения, без неизменяемых разделов, без текстов, помещаемых на первой и последней обложке. Копия лицензии включена в раздел, озаглавленный GNU Free Documentation License. |
Этот файл доступен по лицензии Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unported.
- Вы можете свободно:
- делиться произведением – копировать, распространять и передавать данное произведение
- создавать производные – переделывать данное произведение
- При соблюдении следующих условий:
- атрибуция – Вы должны указать авторство, предоставить ссылку на лицензию и указать, внёс ли автор какие-либо изменения. Это можно сделать любым разумным способом, но не создавая впечатление, что лицензиат поддерживает вас или использование вами данного произведения.
- распространение на тех же условиях – Если вы изменяете, преобразуете или создаёте иное произведение на основе данного, то обязаны использовать лицензию исходного произведения или лицензию, совместимую с исходной.
Вы можете выбрать любую из этих лицензий.
История файла
Нажмите на дату/время, чтобы посмотреть файл, который был загружен в тот момент.
| Дата/время | Миниатюра | Размеры | Участник | Примечание | |
|---|---|---|---|---|---|
| текущий | 12:58, 2 декабря 2022 | | 601 × 275 (26 КБ) | Vladimir Solovjev | correct |
| 12:56, 2 декабря 2022 |  | 601 × 275 (26 КБ) | Vladimir Solovjev | == {{int:filedesc}} == {{Information |Description ={{en|1=n-channel and p-channel MOSFET's in lightly doped drain (LDD) design. Individual transistors are electricaly separated by shallow trench isolation (STI) trenches.}} {{de|1=n-Kanal- und p-Kanal-MOSFETs mit LDD-Erweiterungen (LDD = lightly doped drain). Die einzelnen Bauelemente durch STI-Gräben (STI = shallow trench isolation) von einander elektrisch isoliert}} {{ru|1=n-канальный и p-канальный МОП-транзисторы с щелевой изоляцией (STI... |
Использование файла
Следующие 3 страницы используют этот файл:
