نقص شاتکی
نقص شاتکی (به انگلیسی: Schottky defect) یکی از عیوب نقطهای در بلورشناسی است که در سرامیکها اتفاق میافتد و زمانی به وجود میآید که به تعداد استوکیومتری، کاتیون و آنیون از ساختار خارج شود. از آنجایی که سرامیکها از یونهای باردار تشکیل میشوند و باید شرایط خنثی بودن الکتریکی حفظ شود، عیوب در سرامیکها به تنهایی اتفاق نمیافتد، یکی از انواع این عیوب یک جفت جایخالی کاتیون و آنیون است که به آن نقص شاتکی میگویند. مثلاً در ZnO، نقص شاتکی با تهیجایی یک یون Zn+2 و یک یون O-2 به وجود میآید یا در TiO2 نقص شاتکی با حذف دو یون O-2 و یک یون Ti+4 به وجود میآید. این جفت جایخالی در موادی با فرمول شیمیایی دیده میشود و لزوماً در کنار یکدیگر نیستند همچنین تعداد نقصهای شاتکی برابر با نصف تعداد جایخالیها میباشد. در ساختارهای پیچیدهتر مانند تعادل بار کریستال به صورت دو جایخالی آنیون و یک جایخالی کاتیون و در به صورت سه جایخالی آنیون و دو حایخالی کاتیون میباشد.[۱]
تعداد نقصهای شاتکی در یک کریستال با فرمول از رابطه زیر بدست میآید:[۱]
که در آن تعداد نقصهای شاتکی، تعداد اتمهای (اتمهای غیر فلزی) تحت تأثیر نقص شاتکی در واحد حجم، آنتالپی تشکیل یک نقص شاتکی، ثابت بولتزمن و دما برحسب کلوین میباشد.
نمونهها
[ویرایش]این گونه از نقص در ترکیبات به شدت یونی، به شدت کئوردینه و در ترکیباتی که در شبکه بلور آنها تفاوت اندکی در اندازه کاتیونها و آنیونها وجود دارد مشاهده میشود.
مانند: Nacl - KCl - KBr - CsCl - AgBr
جستارهای وابسته
[ویرایش]منابع
[ویرایش]- ↑ ۱٫۰ ۱٫۱ D.، Tilley, R. J. (۲۰۰۴). Understanding solids: the science of materials. Chichester, West Sussex, England: J. Wiley. شابک ۰۴۷۰۸۵۲۷۶۳.
- Alfred Seeger, Atomic defects in metals and semiconductors in Advances in Solid State Physics, Springer Berlin / Heidelberg, pp. 149-178, 1976.