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Archivo:Longitud de canal en MOSFET Intel.svg

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Resumen

Descripción
Español: Tendencia de la longitud del canal y el ancho de compuerta en transistores MOSFET fabricados por Intel, a partir de la tecnología de 130 nm.
Fecha
Fuente

Intel IEDM papers since 90 nm node, and Intel Technology Journal vol. 6 Issue 2 (2002).

http://en.wikipedia.org/wiki/File:Intel_gate_length_trend.PNG
Autor Naturalion, usuario de la Wikipedia en Inglés.

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w:es:Creative Commons
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